「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An element operation layer composed of a GaN electron transit layer 45 and an AlGaN electron supply layer 46 is formed on the buffer layer 44.例文帳に追加

バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 10 includes a light absorption layer 3, a first buffer layer 4a provided on one side of the light absorption layer 3 and containing zinc, and a second buffer layer 4b provided on one side of the first buffer layer 4a and containing a group III-VI compound.例文帳に追加

光電変換装置１０は、光吸収層３と、光吸収層３の一方側に設けられた亜鉛を含む第１のバッファ層４ａと、第１のバッファ層４ａの一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２のバッファ層４ｂと、を具備する。 - 特許庁

A transfer layer 220 including the thin film device is formed on part of the silver containing buffer layer 120, at least one of first holes 210 is penetrated through the transfer layer 220 to expose the silver containing buffer layer 120 and also to expose an edge 125 of the silver containing buffer layer 120.例文帳に追加

薄膜装置を含む転写層２２０は、含銀のバッファ層１２０の一部上に形成され、少なくとも一つの第一ホール２１０が転写層２２０を貫通して、含銀バッファ層１２０を露出し、含銀バッファ層１２０のエッジ１２５も露出される。 - 特許庁

A crystal layer 23 is formed on one surface of a substrate 11 for growing a crystal via a buffer layer 12.例文帳に追加

成長用基板１１の一面側にバッファ層１２を介して結晶層２３を備える。 - 特許庁

A buffer layer is laminated between the substrate and the foundation layer (2).例文帳に追加

（２） 基板と下地層のあいだにバッファ層を積層することを特徴とする上記（１）の方法。 - 特許庁

The capacitor conductor layer 93 is disposed so as to oppose to the buffer conductor layer 95.例文帳に追加

キャパシタ用導体層９３は、緩衝用導体層９５に対向するように配置されている。 - 特許庁

After annealing, a 1,800 nm GaN layer 14 is grown on the GaN buffer layer 12.例文帳に追加

アニールのあと、ＧａＮバッファ層１２上に１８００ｎｍのＧａＮ層１４を成長させる。 - 特許庁

In this case, the epitaxial growth film of SiC or GaN is formed of a buffer layer and a main body layer.例文帳に追加

つまり、ＳｉＣ又はＧａＮのエピタキシャル成長膜をバッファー層と本体層で形成する。 - 特許庁

The distance from the interface between the retaining substrate and the buffer layer to the active layer is at least 2 μm.例文帳に追加

支持基板とバッファ層との界面から活性層までの距離が２μｍ以上である。 - 特許庁

An n+-type buffer layer 8 and a p+-type collector layer 9 satisfying the relation d2/d1>1.5 are made.例文帳に追加

ｄ２／ｄ１＞１．５を満たすｎ^+ 型バッファ層８およびｐ^+ 型コレクタ層９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can eliminate the adverse effect due to impurity diffusion from a buffer layer to a carrier layer.例文帳に追加

バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。 - 特許庁

As a result, an N+-type buffer layer 20 and a P+-type anode layer 21 are formed on the rear face of the wafer.例文帳に追加

その結果、ウエハの裏面にｎ^+バッファ層２０及びＰ^+型のアノード層２１が形成される。 - 特許庁

Furthmore, the layer thickness of the undoped GaAs buffer layer 4 is formed 10 nm to 100 nm.例文帳に追加

また、アンドープＧａＡｓバッファ層４の層厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍに形成されている。 - 特許庁

ELECTRON INJECTED LAYER GIVING MODIFIED INTERFACE BETWEEN ORGANIC LIGHT EMITTING STRUCTURE AND CATHODE BUFFER LAYER例文帳に追加

有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層 - 特許庁

DEVICE STRUCTURE HAVING SEMIPOLAR NITRIDE, AND CHARACTERIZED IN NITRIDE NUCLEATION LAYER OR BUFFER LAYER例文帳に追加

半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 - 特許庁

From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22.例文帳に追加

バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。 - 特許庁

The thin-film transistor includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, a drain electrode, and a buffer layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極、及びバッファ層を含む。 - 特許庁

An electron density in the buffer layer 3 is lower than that in the semiconductor layer 1.例文帳に追加

緩衝層３における電子の濃度は、半導体層１における電子の濃度よりも低い。 - 特許庁

Wherein, the catalyst layer and the buffer layer consist of materials which do not penetrate mutually and respectively.例文帳に追加

ここで、前記触媒層及び前記バッファ層は、それぞれ相互に浸透しない材料からなる。 - 特許庁

By applying a reverse sputtering treatment and a heat treatment under nitrogen atmosphere to the buffer layer, the buffer layer having the higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer can be formed.例文帳に追加

また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 - 特許庁

As materials, for instance, a Ni-Cr alloy is used for the first buffer layer 31, a Ni-Cu alloy is used for the second buffer layer 32, and Ag is used for the main electrode layer.例文帳に追加

材料として、例えば、第１緩衝層３１はＮｉ−Ｃｒ合金、第２緩衝層３２はＮｉ−Ｃｕ合金、主電極層３３はＡｇが用いられる。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type buffer layer 7 have overlapped diffusion regions and the end part of the n-type buffer layer 7 reaches a position under a gate electrode 10.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４及びｎ型バッファ層７は互いの拡散領域が重なり、且つｎ型バッファ層７の端部はゲート電極１０の下方の位置に到達する。 - 特許庁

The transparent conductive film is formed by laminating a first buffer layer, a second buffer layer, and a conductive layer on one surface of a transparent base-material film in this order.例文帳に追加

透明導電性フィルムは、透明基材フィルムの一方の面に第１緩衝層と第２緩衝層と導電層とがこの順に積層されて構成されている。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加

ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁

An HBT 1 includes a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a subcollector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 80, a base layer 90, an emitter layer 100, and an emitter contact layer 110 formed on the emitter layer 100.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。 - 特許庁

An HBT1 comprises a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a sub-collector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 50, a base layer 60, an emitter layer 70, and an emitter contact layer 80 formed on the emitter layer 70.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層５０と、ベース層６０と、エミッタ層７０と、エミッタ層７０上に形成されたエミッタコンタクト層８０とを有する。 - 特許庁

In this method, SiN buffer bodies 12 are discretely formed on a substrate 10, and a GaN buffer layer 14 which is formed at a lower temperature and a GaN semiconductor layer 16 at a high temperature are successively formed on the substrate 10 and buffer bodies 12.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温でＧａＮバッファ層１４、高温でＧａＮ半導体層１６を形成する。 - 特許庁

Firstly, on a sapphire substrate 10, a buffer layer 11, a non-doped GaN layer 12 and a non-doped AlGaN layer 13 are stacked.例文帳に追加

まず、サファイア基板１０上にバッファ層１１、ノンドープＧａＮ層１２、ノンドープＡｌＧａＮ層１３を積層させた。 - 特許庁

It is preferable that the ceramic thermal spraying layer 23 is formed such that a buffer layer 24 is interposing between a roll body 21 and the ceramic thermal spraying layer.例文帳に追加

セラミック溶射層２３は、胴体２１との間にバッファ層２４を介するように形成されることが好ましい。 - 特許庁

Second, any metal in the electrode layer 3 is unlikely to thermally agglutinate because the buffer layer 4 serves as a capping layer.例文帳に追加

第２に、バッファ層４がキャップ層として機能するため、電極層３中の金属が熱的に凝集しにくくなる。 - 特許庁

A light absorption layer 3, a ZnS-based buffer layer and a ZnO-based electrode layer 1 are formed on a bottom electrode 4.例文帳に追加

下部電極４上に、光吸収層３、ＺｎＳ系バッファ層、ＺｎＯ系電極層１が形成されている。 - 特許庁

Secondarily, notches are formed in a buffer layer which supports the electrode 94 of the thin film active device so as to divide the stress added to the buffer layer.例文帳に追加

第２に、薄膜アクティブ素子の電極９４を支持するバッファ層に、バッファ層に加わる応力を分断するための切り込みを設ける。 - 特許庁

Thus, by increasing a distance between an electrode 7 and the buffer layer 2, an electric field applied on the buffer layer 2 is reduced, so that leakage current is suppressed.例文帳に追加

このようにして、電極７とバッファ層２との距離を大きくして、バッファ層２にかかる電界を緩和し、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

Each transistor 6 has an n-type high-temperature buffer layer 8, and p-type clad layers 11a and 11b on both sides of the high-temperature buffer layer 8 in the direction of row.例文帳に追加

各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。 - 特許庁

Then, a buffer layer is formed to be in contact with the microcrystalline semiconductor film.例文帳に追加

さらに微結晶半導体膜上に接してバッファ層を積層する。 - 特許庁

Before a light emitting region is formed, the pre-stage buffer layer 2' is subjected to heat treatment for recrystallization, for forming a buffer layer 2.例文帳に追加

そして、発光領域を形成する前に、該前段バッファ層２’に対して再結晶化のための熱処理を施すことによりバッファ層２とする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is composed by laminating a buffer layer 21, a GaN layer 22, an n-type contact layer 23, an n-type cladding layer 24, an active layer 25, a p-type cladding layer 26, and a p-type contact layer 27 in this order.例文帳に追加

半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

The semiconductor device is produced by forming, on a semi-insulating substrate, a first buffer layer formed of a compound semiconductor to include a doping layer to which an N-type impurity is doped, forming, on this first buffer layer, a second buffer layer formed of a non-doped compound semiconductor, and forming, on this second buffer layer, an active layer operating as a transistor.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、化合物半導体からなりＮ型の不純物がドープされたドープ層を有する第１バッファ層を形成し、この第１バッファ層上に、ノンドープの化合物半導体からなる第２バッファ層を形成し、この第２バッファ層上に、トランジスタとして動作する能動層を形成して半導体装置を製造した。 - 特許庁

The compound semiconductor laminated structure is structured such that a fourth buffer layer 40 formed of InP is provided as the uppermost layer of a laminated buffer layer 42 on a substrate 32, the laminated buffer layer 42 being formed to have lattice constants varied stepwise or continuously, and a particular compound semiconductor layer 44 having a lattice constant differing from that of the substrate 32 is formed on an upper surface of this fourth buffer layer 40 .例文帳に追加

基板３２上の、階段状もしくは連続的に格子定数の変化がなされて形成された積層バッファ層４２の最上層としてＩｎＰによる第４バッファ層４０を設け、この第４バッファ層４０の上面に、基板３２とは格子定数の異なる特定化合物半導体層４４が形成された構成とする。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To provide a turbine blade having good buffer properties by remodeling a turbine blade including a buffer area 101 provided with a buffer layer 103.例文帳に追加

緩衝層１０３を備えた緩衝領域１０１を有するタービン翼を改良して、良好な緩衝特性を有するタービン翼を提供する。 - 特許庁

Next, an interlayer insulating layer 5 is formed so as to cover the main surface of the substrate 1, a cathode electrode layer 2, the emitter layer 3, and the buffer layer 4.例文帳に追加

次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。 - 特許庁