「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5 and a p-type GaN layer 6 are sequentially laminated and a separation groove A for separating between the elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

Strain of the light emitting layer (6) is reduced and piezoelectirc field is reduced by providing the strain relaxing layer (11) and the InGaN buffer layer (12) between the n-type foundation layer (4) and the light emitting layer (6).例文帳に追加

ｎ型下地層(４)と発光層(６)との間に、歪緩和層(１１)及びＩｎＧａＮバッファ層(１２)を設けることにより、発光層(６)の歪みが減少しピエゾ電界が低減する。 - 特許庁

Especially, the electron injection layer 16 is composed of a laminated structure in which a buffer layer 15, a mixed layer 16a, and a protective layer 16b are successively provided from the side of the organic layer 14.例文帳に追加

そして特に、電子注入層１６が、有機層１４側から順に、バッファ層１５と混合層１６ａと保護層１６ｂを設けた積層構造で構成されていることとする。 - 特許庁

In an FET-transistor 20, a buffer layer 2, a channel layer (undoped GaN layer) 3, and an electron supplying layer (undoped AlGaN layer) 4 are laminated on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

電界効果トランジスタ２０では、サファイア基板１上に、バッファ層２と、チャネル層（アンドープＧａＮ層）３と、電子供給層（アンドープＡｌＧａＮ層）４とを順に積層している。 - 特許庁

The buffer layer which has carrier concentration higher than that of the semiconductor layer is formed intentionally among the source electrode layer, the drain electrode layer, and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

There is provided a buffer resin layer 16 that contains no abrasive grains 15 therein between the plating layer 12 and the abrasive grains 15.例文帳に追加

鍍金層１２と砥粒１５との間には、砥粒１５を含まない緩衝樹脂層１６が設けられている。 - 特許庁

An intermediate buffer management layer (IBML) (201, 211) is introduced below a third layer of an OSI-based communications interface.例文帳に追加

ＯＳＩ型通信インタフェースの第３層より低位に中間バッファ管理層（ＩＢＭＬ）（２０１，２１１）を導入する。 - 特許庁

Also, a light incident part 10 is formed on the buffer layer 4, where the light-absorbing layer 5 is not formed.例文帳に追加

光吸収層５が形成されていないバッファ層４上に光入射部１０が形成されている。 - 特許庁

This insulating region 62 increases the strength of an electric field in the interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加

この絶縁領域６２は、バッファ層２６とドリフト層２８の界面の電界強度を高くすることができる。 - 特許庁

A non-doped Al_pGa_1-pN layer with non-uniform composition p is used as a buffer layer 12.例文帳に追加

この上に、緩衝層１２として、組成ｐが一定でないノンドープのＡｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層が用いられる。 - 特許庁

A 2DEG 38 is formed on the interface of the GaN buffer layer 26 and the Al_yGa_1-yN layer 28.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層２６とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８との間の界面に２ＤＥＧ３８が形成されている。 - 特許庁

The element layer consisting of Mg_xZn_1-xO (here: 0≤x≤1) is grown on the buffer layer 11 through epitaxial growth.例文帳に追加

該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

The cathode buffer layer 5 is provided between the active layer and the cathode 6, and contains a compound having a cinnoline skeleton.例文帳に追加

陰極バッファ層５は、活性層と陰極６との間に設けられ、シンノリン骨格を有する化合物を含む。 - 特許庁

The carbon-containing layer 3 is exposed by selectively removing the buffer layer 2 from the silicon substrate 1 (S3).例文帳に追加

シリコン基板１から緩衝層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させる（Ｓ３）。 - 特許庁

On one side of a semiconductor substrate 11, an N-type buffer layer 12 and a P-type collector layer 10 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の一面側には、Ｎ型バッファ層１２及びＰ型コレクタ層１０が形成される。 - 特許庁

Then, after forming thereon a buffer layer 12 of an insulation layer, an island-form polycrystalline silicon film 13 is formed thereon.例文帳に追加

次に絶縁層のバッファー層１２を形成後、その上に島状の多結晶シリコン膜１３を形成する。 - 特許庁

A GaN layer 33 is epitaxially grown on a sapphire substrate 31 through a GaN low-temperature buffer layer 32.例文帳に追加

サファイア基板３１上に、ＧａＮ低温バッファ層３２を介してＧａＮ層３３をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The buffer layer BF has a LUMO level higher than the LUMO level of the host material of the orange light emitting layer 5.例文帳に追加

バッファ層ＢＦは橙色発光層５のホスト材料のＬＵＭＯレベルよりも高いＬＵＭＯレベルを有する。 - 特許庁

The buffer layer BF has a LUMO level lower than the LUMO level of the host material of the orange light emitting layer 5.例文帳に追加

また、バッファ層ＢＦは橙色発光層５のホスト材料のＬＵＭＯレベル以下のＬＵＭＯレベルを有する。 - 特許庁

Consequently, the breakdown voltage of the diode formed of the collector diffusion layer and collector buffer layer can be made high.例文帳に追加

これにより、コレクタ拡散層とコレクタバッファ層で形成されるダイオードのブレークダウン電圧を高くすることができる。 - 特許庁

A low temperature GaN buffer layer 11 and a p-type GaN layer 12 are formed sequentially on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、低温ＧａＮバッファー層１１、ｐ型ＧａＮ層１２が順次に形成されている。 - 特許庁

Zinc oxide is epitaxial grown on a buffer layer 3 formed on a substrate 2, and a channel layer is formed.例文帳に追加

基板２上に形成したバッファ層３上に、酸化亜鉛をエピタキシャル成長させ、チャネル層４を形成する。 - 特許庁

An In-containing buffer layer 2 is grown between the substrate 1 and nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、Ｉｎを含有するバッファ層２をＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２基板と窒化物半導体層との間に成長させる。 - 特許庁

The In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13 forms a heterojunction 21 with the GaN layer 17.例文帳に追加

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。 - 特許庁

As a result, a growth temperature in the formation of the buffer layer 11 can be increased, and natural cooling time from the heat treatment of the substrate 10 to the formation of the buffer layer 11, and heat-up time for forming the n-type GaN layer 12 after forming the buffer layer 11 are shortened.例文帳に追加

これにより、バッファ層１１形成時の成長温度を上げることができ、基板１０の加熱処理からバッファ層１１形成時の自然冷却時間及びバッファ層１１形成後にｎ型ＧａＮ層１２を形成するための昇温時間を短縮化できる。 - 特許庁

This light-emitting device is provided with: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; a first organic buffer layer 191 covering them; a second organic buffer layer 192 arranged on the first organic buffer layer 191 and superposed on the plurality of organic EL elements P1; and the gas barrier layer 20.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１、これらを覆う第１の有機緩衝層１９１、第１の有機緩衝層１９１上に配置されて複数の有機ＥＬ素子Ｐ１に重なる第２の有機緩衝層１９２、およびガスバリア層２０を備える。 - 特許庁

The photodetecting element comprises an SiGe graded buffer layer 2 of an n-conductivity disposed on an Si layer 1, an i-SiGe layer 3 which is an intrinsic semiconductor absorbing light disposed on the SiGe graded buffer layer, and an SiGe layer 4 of a p-conductivity disposed on the i-SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１上に位置するｎ導電型のＳｉＧｅグレーデッドバッファ層２と、ＳｉＧｅグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体であるｉ-ＳｉＧｅ層３と、そのｉ-ＳｉＧｅ層上に位置するｐ導電型のＳｉＧｅ層４とを備える。 - 特許庁

Since a buffer layer 13 is provided at a radial direction outside of a first pressure reinforcement layer 12, crude oil is absorbed by the buffer layer 13 when an inner surface rubble layer 11 and the first pressure reinforcement layer 12 fracture and the crude oil flows out to an outside of the first pressure reinforcement layer 12.例文帳に追加

第１耐圧補強層１２の径方向外側にバッファー層１３が設けられているので、内面ゴム層１１及び第１耐圧補強層１２が破損して原油が第１耐圧補強層１２の外側に流出する場合、その原油がバッファー層１３によって吸収される。 - 特許庁

The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

The TMR element contains a laminate structure composed of at least a pin layer 2, a barrier layer 3, a metal oxide buffer layer 4, and a free layer 5, and basically the buffer layer 4 has a substrate which is composed of a material which is easy to oxidize, as compared with a material constituting the free layer 5.例文帳に追加

少なくともピン層２／バリア層３／金属酸化物バッファ層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、バッファ層４がフリー層５を構成する材料に比較して酸化され易い材料を基材としたものであることが基本になっている。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。 - 特許庁

The laying method contains a buffer section (a back-filling layer 15) focusing attention on the characteristic length (1/λ).例文帳に追加

特性長（１／λ）に着目した緩衝区間（埋め戻し層１５）を設ける。 - 特許庁

For example, the buffer layer 105 can be formed with an organic metal vapor phase growth method.例文帳に追加

例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。 - 特許庁

POLYMER FOR BUFFER LAYER, AND ORGANIC THIN-FILM SOLAR CELL PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

バッファー層用重合体とそれを用いて作製した有機薄膜太陽電池 - 特許庁

Consequently, conductivity of the buffer layer 13 changes and the detected electric potential difference or resistance value changes when the crude oil is absorbed by the buffer layer 13.例文帳に追加

このため、バッファー層１３に原油が吸収されるとバッファー層１３の導電率が変化し、前記検出される電位差または抵抗値に変化があらわれる。 - 特許庁

A first buffer layer 2a near a silicon substrate 1 and second buffer layer 2b on other portions have a high and low concentrations of an n-type impurity, respectively, resulting in some concentration difference.例文帳に追加

シリコン基板１の近傍をＮ型不純物の濃度が濃い第１バッファ層２ａとし、それ以外の部分を濃度が薄い第２バッファ層２ｂとして濃度差をつける。 - 特許庁

A first SiC crystal is formed as a buffer layer, and further a SiC crystal is layered thereon by using a source gas having a C/Si ratio adjusted to be higher than that when forming the buffer layer.例文帳に追加

更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 - 特許庁

An insulating film is not formed on the wall surface of the trench 120 touching an n^+-type buffer layer 30 and the conductive material 10 is conducting with the n^+-type buffer layer 30.例文帳に追加

トレンチ１２０のｎ^+型のバッファ層３０と接する壁面には絶縁膜が形成されておらず、導電性材料１０はｎ^+型のバッファ層３０と導通している。 - 特許庁

Secondly, a buffer layer 500 to support an electrode 94 of the thin film active element 90 is thinly formed in the shape of a solid image to such an extent that does not impair a function of the buffer layer.例文帳に追加

第２に、薄膜アクティブ素子９０の電極９４を支持するバッファ層５００を、バッファ層の機能を損なわない範囲でベタ状に薄く形成する。 - 特許庁

To provide a forming method of a buffer layer to deposit an RRAM thin film.例文帳に追加

ＲＲＡＭ薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric field buffer layer only on the drain side, without lowering current driving.例文帳に追加

電流駆動力を低下させずにドレイン側にのみ電界緩和層を設ける。 - 特許庁

In addition, the piezoelectric substance 3, internal electrode 4 and buffer layer 5 are integrally sintered.例文帳に追加

圧電体３、内部電極４及び緩衝層５は、一体焼結されている。 - 特許庁

Thus, a rocking curve half-value width of the ZnO buffer layer 3 of c-axis orientation is 4.5° or less, providing the ZnO buffer layer 3 of good c-axis orientation.例文帳に追加

これによってｃ軸配向したＺｎＯバッファ層３のロッキングカーブ半値幅は４.５゜以下となり、ｃ軸配向性の良好なＺｎＯバッファ層３を得ることができる。 - 特許庁