「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The GaN buffer layer may also have an N polarity ((000-1) surface, -c surface).例文帳に追加

またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。 - 特許庁

BUFFER LAYER FORMING PASTE FOR PLASMA DISPLAY PANEL, AND THE PLASMA DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの緩衝層形成用ペーストおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 - 特許庁

For example, the semi-insulating buffer layer may be AlN or semi-insulating GaN.例文帳に追加

半絶縁性バッファ層は、例えばＡｌＮまたは半絶縁性ＧａＮであることができる。 - 特許庁

A thermal expansion coefficient of the stress buffer layer is less than that of the heat sink.例文帳に追加

応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 - 特許庁

Then, the thickness of the buffer layer formed is measured by positron annihilation gamma ray measurement.例文帳に追加

次に、陽電子消滅ガンマ線測定により、生成した緩衝層の厚みを測定する。 - 特許庁

A second buffer layer formed of a crystalline insulating material is formed on it.例文帳に追加

その上に、結晶性の絶縁材料からなる第２のバッファ層が形成されている。 - 特許庁

Presence of SiN buffer body 14 reduces transition within GaN semiconductor layer 16.例文帳に追加

ＳｉＮバッファ体１４の存在により、ＧａＮ半導体層１６内の転位が減少する。 - 特許庁

The first 1 and second boards 2 are joined together with a buffer layer 10 interposed.例文帳に追加

第１の基板１と第２の基板２とは緩衝層１０を介して接合される。 - 特許庁

The optical waveguide 10 includes the quartz substrate 11, a buffer layer 12 prepared on the quartz substrate 11, cores 13a, 13b prepared on the buffer layer 12, and an upper clad 14 prepared on the buffer layer 12 covering the cores 13a, 13b.例文帳に追加

本発明による光導波路１０は、石英基板１１と、石英基板１１上に設けられたバッファ層１２と、バッファ層１２上に設けられたコア１３ａ，１３ｂと、コア１３ａ，１３ｂを覆ってバッファ層１２上に設けられた上部クラッド１４とを備える。 - 特許庁

The electrode buffer layer is prepared between the transparent electrode and the electrode for bonding wire.例文帳に追加

電極バッファ層はワイヤー・ボンディングする電極と透明電極との間に設けられる。 - 特許庁

High-k GATE OXIDE HAVING TITANIUM BUFFER LAYER FOR MFOS1 TRANSISTOR MEMORY APPLICATION例文帳に追加

ＭＦＯＳ１トランジスタメモリ応用向けチタンバッファ層を有するＨｉｇｈ−ｋゲート酸化物 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor region 3 for a Schottky barrier diode is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２の上シヨットキバリアダイオ−ド用の窒化ガリウム半導体領域３を形成する。 - 特許庁

A gallium-nitride semiconductor region 3 for HEMT element is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

バッファ層２の上にＨＥＭＴ素子用の窒化ガリウム系半導体領域３を形成する。 - 特許庁

Here, λ denotes a resonant wavelength and n denotes a refraction index of a matter constituting the buffer layer 17.例文帳に追加

ここでλは共振波長、ｎはバッファ層17を構成する物質の屈折率である。 - 特許庁

To provide a variable resistance memory element having a buffer layer formed on a lower electrode.例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子を提供する。 - 特許庁

When a buffer layer formed of ZrN is formed, a light reflection factor exceeds 65%.例文帳に追加

また、ＺｒＮからなるバッファ層を設けた場合に、光反射率が６５％を超える。 - 特許庁

The single crystal buffer layer can be formed by using a PLD method.例文帳に追加

この単結晶の緩衝層は、ＰＬＤ法を用いることにより形成することができる。 - 特許庁

A silicon layer is made on a buffer oxide film in the shape of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は半導体基板状のバッファー酸化膜上にシリコン層を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 3 is formed on the primary face 1A of the substrate 1 having an electrooptic effect.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板１の主面１Ａ上にバッファ層３を形成する。 - 特許庁

FABRICATING PROCESS AND APPARATUS FOR ATTACHING OXIDE SUPERCONDUCTIVE THIN FILM WITH BUFFER LAYER TO SAPPHIRE SUBSTRATE例文帳に追加

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法及び装置 - 特許庁

To provide a field-effect transistor wafer comprising a GaInP buffer layer of high resistance.例文帳に追加

高抵抗のＧａＩｎＰのバッファ層を備えた電界効果トランジスタ用ウエハを提供する。 - 特許庁

When a laminated structure made of a group III nitride semiconductor crystal is formed on a substrate made of Si signal crystal via a buffer layer, the buffer layer is constituted by a first buffer layer, formed on the substrate and made of III-V compound semiconductor which includes at least one of arsenic or phosphorus and boron and a second buffer layer formed on the first buffer layer and made of III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板上に、緩衝層を介して、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成する際に、緩衝層を、基板上に接して形成された砒素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）の少なくとも一方と硼素（Ｂ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の緩衝層と、第１の緩衝層上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の緩衝層とから構成する。 - 特許庁

The buffer layer 3 shields a stress from the substrate 1, for reducing deflection of the wafer.例文帳に追加

そして、バッファ層３は、基板１から受ける応力を断ち切って、ウエハの反りを緩和する。 - 特許庁

The bend insensitive fiber optic cable includes a singlemode fiber, a buffer layer surrounding the fiber wherein the thickest component of the buffer layer has an elastic modulus greater than 515 MPa (75,000 psi), and a jacket surrounding the buffer layer, wherein the jacket has a thickness of at least 1.2 mm.例文帳に追加

曲げ不感性光ファイバケーブルはシングルモードファイバ、緩衝層の最も厚い部分が５１５ＭＰａ（７５，０００ｐｓｉ）より大きい弾性係数を有するファイバを取り囲む緩衝層、および緩衝層を取り囲む外被を含み、その場合、外被の厚さは少なくとも１．２ｍｍである。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 comprises a structure which has a buffer layer 2, a clad layer 3, a light confinement layer 4, an active layer 5, a light confinement layer 6, a clad layer 7, and a contact layer 8 laminated in order on a substrate 1 and is equipped with a window member 11 adjacently to the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、バッファ層２、クラッド層３、光閉じ込め層４、活性層５、光閉じ込め層６、クラッド層７およびコンタクト層８が基板１上に順次積層され、活性層５に隣接して窓部材１１を備える構造からなる。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。 - 特許庁

They suppress the storage of carriers to the interface of the buffer layer 92 and the first barrier layer 94 and reduce the leakage current.例文帳に追加

これらのことは、バッファ層９２／第１バリア層９４界面へのキャリアの蓄積を抑制し、リーク電流を低減する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 43 includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer 42.例文帳に追加

ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。 - 特許庁

The second crystalline layer 20 covers the second buffer layer 16, contains InAlGaN, and has a first surface 20a.例文帳に追加

第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 - 特許庁

Then, the GaAs substrate 1 and the buffer layer 2 are removed from the laminate by etching, and then an etching stop layer 3 is removed.例文帳に追加

次に、エッチングによって、まずＧａＡｓ基板１とバッファー層２とを除去し、続けてエッチング停止層３を除去する。 - 特許庁

After the compression bonding, a buffer layer 12 and the CrN layer 13 are removed by a chemical treatment (Fig.1(h)).例文帳に追加

次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

A bank 12 is formed to surround the constitution of a portion of the buffer layer 4 and above, on a surface of the hole injection layer 3.例文帳に追加

ホール注入層３の表面に、前記バッファ層４以上の構成を取り囲むようにバンク１２を形成する。 - 特許庁

The buffer layer prevents a lattice defect existing on the surface of the SiC substrate 1 from propagating to the electron transit layer.例文帳に追加

バッファ層は、ＳｉＣ基板１の表面に存在する格子欠陥の電子走行層への伝播を防止している。 - 特許庁

A light-shielding layer 11 is formed on a substrate 10, and in addition, a buffer film 12 for covering the light-shielding layer 11 is formed.例文帳に追加

基板１０上に遮光層１１が形成され、さらに遮光層１１を覆うバッファ膜１２が形成される。 - 特許庁

An n^+ buffer layer 21 and a p^+ collector layer 17 are formed on the lower side of the substrate 11.例文帳に追加

そして、ｎ- 型半導体基板１１の下部側には、ｎ+ 型バッファ層２１およびｐ+ 型コレクタ層１７を形成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONTINUOUSLY FILM-FORMING HIGH-RESISTANT BUFFER LAYER/WINDOW LAYER (TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM) OF CIS-BASED THIN FILM SOLAR CELL例文帳に追加

ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層（透明導電膜）連続製膜方法及び製膜装置 - 特許庁

Two trench grooves 29 are formed so as to reach the high-resistance layer 15 but not to reach the n-type buffer layer 13.例文帳に追加

２つのトレンチ溝２９は、高抵抗層１５に達するとともにｎ型バッファ層１３に達しないように設けられる。 - 特許庁

A window 34 is formed in the buffer layer and a bond pad 20 deployed on the upper part layer is exposed at this window.例文帳に追加

バッファ層１０はウィンドウ３４を形成し、このウィンドウが上部層の上に配置されたボンドパッド２０を露出させる。 - 特許庁

This mat switch includes a surface sheet 42, a buffer sheet 60, a switching layer 300, a pad layer 310, and a rear face sheet 190.例文帳に追加

マットスイッチは、表面シート４２、緩衝シート６０、スイッチ層３００、パッド層３１０、及び、裏面シート１９０、を含む。 - 特許庁

This allows improvement in the crystallinity of the optical semiconductor layer 4 which is grown on the buffer layer 3.例文帳に追加

これにより、緩衝層３上に成長させる光半導体層４の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

An Al_xGa_1-xN(0≤x≤0.5) barrier layer 30 exists on the Al_yGa_1-yN layer 28 on the reverse side of the GaN buffer layer 26, and the Al concentration of the layer 28 is higher than that of the barrier layer 30.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．５）バリア層３０が、ＧａＮバッファ層２６の反対側でＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８上にあり、該層２８のＡｌ濃度は、バリア層３０よりも高い。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

The device has an anode, a photoactive layer, and a cathode, and further, between the anode and the photoactive layer are positioned: a buffer layer; a first hole transport layer; and a second hole transport layer.例文帳に追加

このデバイスは、アノード、光活性層、およびカソードを有し、さらにこのアノードと光活性層との間には、 緩衝層、 第１の正孔輸送層、および 第２の正孔輸送層 が配置されている。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type control layer 105, and a p-type contact layer 106 are sequentially formed on a sapphire substrate 101 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型コントロール層１０５、ｐ型コンタクト層１０６がこの順に形成されている。 - 特許庁