「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby wettability of a glass paste 16 for a buffer layer is heightened for the substrate 2, and the buffer glass layer 3 can be flatly formed to stably laminate the multi-layer circuit 4.例文帳に追加

これにより、基板２に対するバッファ層用ガラスペースト１６の濡れ性を高めてバッファガラス層３を平坦に形成でき、多層回路４を安定的に積層することができる。 - 特許庁

This silicon carbide semiconductor substrate manufacturing method provides a silicon carbide substrate with a germanium-doped silicon carbide buffer layer and then forms a semiconductor device layer on this buffer layer.例文帳に追加

炭化珪素基板上に、ゲルマニウムをドープした炭化ケイ素バッファー層を設け、かつ、該バッファー層上に半導体素子層を設けることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a stacked semiconductor capable of obtaining excellent crystallinity in a device layer formed on a buffer layer while providing the buffer layer with conductivity, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

It is also provided with a buffer layer 45 covering a face of the cathode 54 at an opposite side of the organic function layer 40, and a hygroscopic member 46 with moisture-absorbing characteristics covering the buffer layer 45.例文帳に追加

陰極５４の有機機能層４０とは反対側の面を覆う緩衝層４５と、緩衝層４５を覆う吸湿性を有する吸湿性部材４６と、が設けられる。 - 特許庁

Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト層３の表面層のｐ型ベース層４およびｎ型バッファ層７に挟まれた部分にトレンチ１３が設けられている。 - 特許庁

An insulating layer 12 is formed in advance in a major surface side of a first substrate 11 as a self stop layer, and thereafter a buffer layer 13 is formed on the insulating layer 12.例文帳に追加

第１の基体１１の主面側に予めセルフストップ層として絶縁層１２を形成し、その後、絶縁層１２上にバッファー層１３を形成する。 - 特許庁

The main magnetic pole layer 12 is formed through a series of patterning processes using a buffer layer 15 slow in etching speed or a nonmagnetic layer 13 as a stopper layer.例文帳に追加

エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成する。 - 特許庁

A light-emitting diode 40 comprises a substrate 41, a buffer layer 42, an n-type semiconductor layer 43, a conformational active layer 44 and a p-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。 - 特許庁

The third collector layer abuts on part of the reverse side of the buffer layer and is disposed so as to enclose the second collector layer, and has a lower impurity concentration than the second collector layer.例文帳に追加

第三のコレクタ層は、バッファ層の裏面の一部に接し、第二のコレクタ層を取り囲むように設けられ、第二のコレクタ層よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

The second collector layer abuts on part of the reverse side of the buffer layer and is disposed so as to enclose the first collector layer, and has a higher impurity concentration than the first base layer.例文帳に追加

第二のコレクタ層は、バッファ層の裏面の一部に接し、第一のコレクタ層を取り囲むように設けられ、第一のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A GaN first buffer layer 14 (low-temperature sedimentary buffer) and a GaN second buffer layer 15 are grown using an MOCVD method on a sapphire substrate 12, in the same way as in the conventional manner.例文帳に追加

本方法では、先ず、従来と同様にして、サファイア基板１２上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ第１バッファ層１４（低温堆積緩衝層）とＧａＮ第２バッファ層１５を成長させる。 - 特許庁

By discretely forming the SiN buffer body, crystal growth of a low-temperature buffer layer depending on board is prevented, promoting single crystallization of a seed crystal at growing of the GaN buffer layer 16.例文帳に追加

ＳｉＮバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

A buffer layer 11, a lower clad layer 12, a lower guide layer 13, an active layer 14, an upper guide layer 15, an upper clad layer 16, and a contact layer 17 are provided in this order on a surface of a substrate 10 made of InP.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０の一面側に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６およびコンタクト層１７をこの順に備える。 - 特許庁

Impurities being mixed into a carrier supply layer 5, a buffer layer 2 or a Schottky contact layer can be reduced by forming any one of the buffer layer, carrier supply layer 5 or Schottky contact layer on an InAlAs/ InGaAs base semiconductor wafer of InAlGaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系の半導体ウェハのバッファ層２、キャリア供給層５か、あるいはショットキーコンタクト層８のいずれかをＩｎＡｌＧａＡｓにすることにより、キャリア供給層５、バッファ層２か、あるいはショットキーコンタクト層８への不純物の混入を減少させることができる。 - 特許庁

The group III-V device includes at least one transition layer 208, 210 positioned on a substrate, a first strain buffer intermediate layer 212 positioned on the at least one transition layer, a second strain buffer intermediate layer 214 positioned on the first strain buffer intermediate layer, and further a first group III-V semiconductor body 216 positioned on the second strain buffer intermediate layer.例文帳に追加

３-５族半導体デバイスは、基板上に位置する少なくとも１層の遷移層２０８、２１０、前記少なくとも１層の遷移層上に位置する第１歪緩衝中間層２１２、および、該第１歪緩衝中間層上に位置する第２歪緩衝中間層２１４とさらに、該第２歪緩衝中間層上に位置する第１III-V族半導体本体２１６を含む。 - 特許庁

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished.例文帳に追加

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least a metal oxide semiconductor layer and a buffer layer made of In_2S_3, wherein the buffer layer is formed on the metal oxide semiconductor layer by the spray method and its thickness is 0.2 to 1.0 μm.例文帳に追加

少なくとも、金属酸化物半導体層、及びＩｎ_２Ｓ_３からなるバッファー層を備え、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。 - 特許庁

Here, the buffer layer 31 is formed of amorphous silicon carbide, and thickness of the low-concentration amorphous silicon carbide layer 30a is made larger than that of the high-concentration amorphous silicon carbide layer 30b and buffer layer 31.例文帳に追加

ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 - 特許庁

To optimize the structure of a buffer layer of a display apparatus comprising the buffer layer between a light-emitting layer and a negative electrode layer, thereby improving display characteristics and also the duration of life.例文帳に追加

発光層と陰極層の間に緩衝層を備えた表示装置において、緩衝層の構成を最適化することで、表示特性を向上させるとともに、耐久寿命性についても向上させる。 - 特許庁

In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

It is also desirable that the average thickness of the buffer layer 12 is 10 nm or less.例文帳に追加

また、バッファ層１２は、平均厚さが１０ｎｍ以下であるのが好ましい。 - 特許庁

Such a structure can reduce the leak current through the buffer layer.例文帳に追加

この構成によれば、バッファ層を介したリーク電流を低減することができる。 - 特許庁

The buffer layer is composed of non-magnetic and amorphous materials.例文帳に追加

前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

A p^+ collector region is provided on the surface layer of an n buffer region 7.例文帳に追加

ｎバッファ領域７の表面層には、ｐ^+コレクタ領域が設けられている。 - 特許庁

The buffer layer 15 is made of an insulating material having electron injection characteristics.例文帳に追加

バッファ層１５は、電子注入特性を有する絶縁性の材料からなる。 - 特許庁

The n^+ buffer layer 31 sufficiently secures the withstand voltage during a reverse bias being applied.例文帳に追加

ｎ^＋バッファ層３１は、逆バイアス印加時の耐圧を十分に確保する。 - 特許庁

A p^--type leakage stopper region 112 is formed on an n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｎ^＋型バッファ層１０３にＰ^−型リークストッパ領域１１２を形成する。 - 特許庁

Ion is implanted in the buffer layer to form an ion implantation region 6.例文帳に追加

バッファ層３は、イオンを注入されて、イオン注入領域６を形成する。 - 特許庁

A buffer layer is provided between the pair of electrodes in contact with at least one electrode.例文帳に追加

一対の電極間の少なくとも一方に接して、バッファ層を設ける。 - 特許庁

A material of the buffer layer 108 is lithium ion conductive polymer electrolyte.例文帳に追加

緩衝層１０８の材質は、リチウムイオン導電性のポリマー電解質である。 - 特許庁

An oxide film 24 is formed as a buffer film on the polysilicon layer 23.例文帳に追加

ポリシリコン層２３上にバッファ膜としての酸化膜２４が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 comprises a base 1, a buffer layer 30 and a driving unit 40.例文帳に追加

圧電素子１００は、基体１と、バッファ層３０と、駆動部４０と、を含む。 - 特許庁

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT CONTAINING DIHYDROPHENAZINE DERIVATIVE IN POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER例文帳に追加

ジヒドロフェナジン誘導体を陽極バッファー層に含有する有機電界発光素子 - 特許庁

An adjustment back-face electrode layer 12 is formed on a substrate 11, and thereon, a light absorbing layer 13, a buffer layer 14, a window layer 15, a transparent electrode layer 16, and an antireflection layer 17 are laminated successively.例文帳に追加

基板１１上に調整背面電極層１２を形成し、その上に光吸収層１３、バッファ層１４、窓層１５、透明電極層１６および反射防止層１７を順次積層する。 - 特許庁

Between the intermediate layer and the backplane member, the buffer layer having smaller acoustic impedance than the intermediate layer and the backplane member is disposed.例文帳に追加

中間層及び背面材よりも音響インピーダンスが小さい緩衝層が、中間層と背面材との間には配置されている。 - 特許庁

On the buffer layer 11, an electron transit layer 12 and an electron supply layer 13 are formed, and a total film thickness thereof is ≥1 μm.例文帳に追加

バッファ層１１上には、電子走行層１２と電子供給層１３が形成されており、その総膜厚は１μｍ以上である。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

After a graded buffer layer, e.g. an SiGe layer, and a relaxation layer are formed on the wafer, CMP final polishing 108 is executed.例文帳に追加

例えばＳｉＧｅ層である傾斜バッファ層及び緩和層をウェーハ上に形成した後、ＣＭＰ最終研磨１０８を実施する。 - 特許庁

On the composition modulation buffer layer 20, first semiconductor layer 40 is formed which includes an active layer made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層４０が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2, a channel layer 3 composed of GaN, and a barrier layer 4 composed of undoped AlGaN are sequentially formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上には、バッファ層２、ＧａＮからなるチャネル層３及びアンドープＡｌＧａＮからなるバリア層４が順次形成されている。 - 特許庁