「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A DC sputter method is used for forming a transparent electrode layer on a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層上に透明電極層を形成するに際しては、ＤＣスパッタ法を採用する。 - 特許庁

A metal filler is added neither to the buffer layer 3 nor to the abrasive grain layer 6.例文帳に追加

緩衝層３、砥粒層６のいずれにおいても、金属フィラーは添加されていない。 - 特許庁

The optical fiber 20 comprises a glass core, a UV quench-hardened layer, and a tight buffer layer.例文帳に追加

前記光ファイバ心線２０はガラスコア、ＵＶ硬化層及び堅固な緩衝層よりなる。 - 特許庁

A surface layer 18 is laminated on the buffer layer 15 by the laminating method.例文帳に追加

バッファ層１５上に、表面層１８がラミネート法により積層して設けられている。 - 特許庁

The low-temperature nucleation layer 23 is greater than the gallium nitride buffer layer 25 in oxygen richness.例文帳に追加

低温核形成層２３の酸素濃度は窒化ガリウムバッファ層２５の酸素濃度より大きい。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor layer 15 is deposited on top of the modified buffer layer.例文帳に追加

III族窒化物半導体層１５の堆積は、改質されたバッファ層上に行われる。 - 特許庁

A lower carrier confining layer composed of a semiconductor material is formed on the buffer layer.例文帳に追加

バッファ層の上に、半導体材料からなる下部キャリア閉込層が形成されている。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes a non-magnetic substrate, a heat radiation layer, a buffer layer, a soft magnetic backing layer, and a magnetic recording layer, in this order.例文帳に追加

前記磁気記録媒体が、非磁性基体、放熱層、バッファ層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含む。 - 特許庁

An intermediate layer 2, a buffer layer 3, a channel layer 4, and a barrier wall layer 5 are stacked on a substrate 1 sequentially by epitaxial growth.例文帳に追加

中間層２、バッファ層３、チャネル層４および障壁層５は、順に、エピタキシャル成長により、基板１に積層される。 - 特許庁

A base layer 12, a superlattice buffer layer 13, a GaN layer 14 and a coating layer 15 are sequentially stacked on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１に順次、下地層１２、超格子バッファー層１３、ＧａＮ層１４、被覆層１５が積層形成されている。 - 特許庁

There are provided the thin film transistor including: a primary buffer layer formed of an amorphous silicon film located on a substrate; a secondary buffer layer located on the primary buffer layer; a semiconductor layer located on the secondary buffer layer; and a gate electrode located on the semiconductor layer, and the method of manufacturing the thin film transistor.例文帳に追加

基板上に設けられた非晶質シリコン膜で形成された第１バッファ層と、前記第１バッファ層上に設けられた第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート電極と、を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

A filter layer 3 and a buffer layer 4 are successively laminated on a first main face 2 of a semiconductor substrate 1, and island-shaped light- absorbing layer 5 and window layer 6 are laminated on the buffer layer 4.例文帳に追加

半導体基板１の第１主面２上に、フィルタ層３及びバッファ層４が順次積層され、さらにバッファ層４の上に島状の光吸収層５及び窓層６が積層されている。 - 特許庁

An i-GaAs buffer layer 2, an i-AlGaAs buffer layer 3, a disorder GaInP layer 4, an order GaInP layer 5, and an n-type dope GaInP 6 layer are successively formed on a GaAs board 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、ｉ−ＧａＡｓバッファ層２、ｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層３、ディスオーダＧａＩｎＰ層４、オーダＧａＩｎＰ層５及びｎ型ドープＧａＩｎＰ層６を順次形成する。 - 特許庁

Or the anode can have a multi-layer structure including the metal organic layer and a buffer layer adjoining the metal organic mixed layer, and the buffer layer contains the electron acceptance material and a hole transporting material arbitrarily.例文帳に追加

あるいは、該アノードは金属有機混合層と該金属有機混合層に隣接するバッファ層とを含む多層構成を有し得、該バッファ層は電子受容材料と任意には正孔輸送材料とを含む。 - 特許庁

There are laminated on an insulating substrate a first insulating buffer layer, a heat storage light shielding layer including a silicon layer on at least the surface thereof, a second insulating buffer layer, and a first silicon layer in this order from below.例文帳に追加

絶縁性基板上に、第１の絶縁バッファ層、少なくとも表面にシリコン層を有する蓄熱遮光層、第２の絶縁バッファ層及び第１のシリコン層を、この順に下から積層する。 - 特許庁

A thick CeO_2 first buffer layer 2 contains a (111)-facet, and an Sm_2O_3 second buffer layer 4 caused to deposit on the first buffer layer 2 is grown as crystal grains smaller than CeO_2 crystal grains by one figure or more.例文帳に追加

厚膜のＣｅＯ_２ 第１バッファ層２には、（１１１）ファセットが形成され、その上に堆積したＳｍ_２ Ｏ_３ 第２バッファ層４は、ＣｅＯ_２ より１桁以上小さい結晶粒となって成長する。 - 特許庁

The upper part of the buffer layer 1 (111) is provided with a buffer layer 2 (112) having a refractive index equal to or smaller than that of the substrate 101, and the buffer layer 2 (112) is formed by including a contact with the side face of the groove 105.例文帳に追加

バッファ層１（１１１）の上部は、基板１０１の屈折率以下の屈折率を有するバッファ層２（１１２）を備え、バッファ層２（１１２）は、溝１０５の側面への接触を含み形成される。 - 特許庁

A buffer layer 4 is optionally formed between the charge generating layer 2 and the charge transport layer 3.例文帳に追加

更に必要に応じて、電荷発生層２と電荷輸送層３の間にバッファ層４を形成した構成とした。 - 特許庁

The semiconductor device is configured such that a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are sequentially formed on a substrate 1.例文帳に追加

本発明は、基板１上に、バッファ層２、チャネル層３、電子供給層４が順に形成されている。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。 - 特許庁

A buffer layer 12, a channel layer 13 and a carrier supply layer 14 are sequentially formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、バッファ層１２、チャネル層１３及びキャリア供給層１４が順次形成されている。 - 特許庁

The first collector layer abuts on part of the reverse side of the buffer layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.例文帳に追加

第一のコレクタ層は、バッファ層の裏面の一部に接し、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

A first electrode 16 which includes a close-contact layer 18 and a second layer 20 is formed on the stress buffer layer.例文帳に追加

密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the n buffer layer 12 is gradually decreased from the n+ layer 16 toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｎバッファ層１２の不純物濃度は、ｎ+層１６からｎ-ドリフト層６にかけて緩やかに減少する。 - 特許庁

The thin-film transistor using an oxide semiconductor layer is formed by forming a buffer layer having higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer on the oxide semiconductor layer and forming a source electrode layer and a drain electrode layer on the buffer layer so as to electrically connect the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or the drain electrode layer via the buffer layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

As for the composite seed layer 15, a soft magnetic layer 3, an amorphous layer 4, a soft magnetic layer 5, and a buffer layer 6 are laminated in this order starting from the side of the lower shielding layer 2.例文帳に追加

複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。 - 特許庁

On a substrate 10, a seed layer 12, buffer layer 13, free layer 14, spacer layer 16, magnetization direction fixed layer 18, and magnetization direction fixing layer 20 are laminated in order.例文帳に追加

基体１０の上にシード層１２、バッファ層１３、フリー層１４、スペーサー層１６、磁化方向被固定層１８および磁化方向固定作用層２０が順次積層されている。 - 特許庁

A bandgap on the first buffer layer 21 is larger than a bandgap on the first active layer 23, while a bandgap on the second buffer layer 31 is larger than a bandgap on the second active layer 33.例文帳に追加

第１のバッファ層２１のバンドギャップは、第１の活性層３３のバンドギャップよりも大きく、第２のバッファ層３１のバンドギャップは、第２の活性層３３のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

In the buffer layer 20 and a carrier layer 30 that are formed on a substrate 11, an impurity is intentionally doped only in the superlattice layer 21 in the buffer layer 20, and the other layers are non-doped.例文帳に追加

基板１１上に形成されたバッファ層２０、キャリア層３０中においては、バッファ層２０中の超格子層２１のみに意図的に不純物がドーピングされ、他の層はノンドープである。 - 特許庁

A buffer layer 5 is provided on the back side of the transducer element 1.例文帳に追加

緩衝層５は、振動子部１の背面側に設けられている。 - 特許庁

The binding force buffer layer 86 is, for example, a shape-memory polymer.例文帳に追加

拘束力緩衝層８６は、例えば、形状記憶ポリマーである。 - 特許庁

The protecting film 8 prevents the n-type buffer layer 7 from generating the flaws.例文帳に追加

保護膜８によりｎ型バッファ層７に付くキズを防止する。 - 特許庁

The single layer pad 103 is formed on the I/O buffer 102.例文帳に追加

単層パッド１０３は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成されている。 - 特許庁

The buffer layer 21 is formed on the substrate 2 and is made of silicon carbide.例文帳に追加

バッファ層２１は、基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR BUFFER LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

バッファ層の製造方法および光電変換素子の製造方法 - 特許庁

The buffer layer 26 comprises a polyurea film obtained by vapor deposition polymerization.例文帳に追加

バッファ層２６は、蒸着重合によるポリ尿素膜からなる。 - 特許庁

A silver containing buffer layer 120 is formed on a glass substrate 110.例文帳に追加

含銀のバッファ層１２０がガラス基板１１０上に形成される。 - 特許庁

A buffer layer 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 (S1).例文帳に追加

シリコン基板１の表面に緩衝層２を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

The buffer layer 5 has a Poisson ratio larger than that of the backing material 6.例文帳に追加

緩衝層５は、背面材６よりも大きいポアソン比を有する。 - 特許庁

RELUCTANCE SENSOR HAVING ANISOTROPIC HARD BIAS WITHOUT ACCOMPANYING BUFFER LAYER例文帳に追加

バッファ層を伴わずに異方性ハードバイアスを有する磁気抵抗センサ - 特許庁

To provide a method of forrming a compound semiconductor buffer layer for forming a uniform CdS buffer layer.例文帳に追加

均一なＣｄＳバッファ層を形成することができる化合物半導体バッファ層の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

ｎ^+型カソード層３２、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

An n+ type floating emitter layer 24, p- type first base layer 22, n- type baser layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute the thyristor.例文帳に追加

ｎ^+型フローティングエミッタ層２４、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりサイリスタが構成されている。 - 特許庁