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buffer layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2214件
The AlN buffer layer 13 is a layer what is called a low-temperature buffer layer.例文帳に追加
AlNバッファ層13はいわゆる低温バッファ層と呼ばれる。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING BUFFER LAYER FILM THICKNESS例文帳に追加
バッファ層膜厚測定方法 - 特許庁
PHOTOGRAPHIC ELEMENT HAVING BUFFER LAYER例文帳に追加
緩衝層を有する写真要素 - 特許庁
The buffer layer 2 is set as the photosensitive layer.例文帳に追加
図1ではバッファ層2が光感応層である。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH BUFFER LAYER例文帳に追加
緩衝層を有する半導体素子 - 特許庁
In the semiconductor epitaxial wafer 2 having the buffer layer 2 on a substrate 1, the buffer layer 2 forms an AlN buffer layer 22 and a GaN buffer layer 21 successively.例文帳に追加
基板1の上にバッファ層2を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層2がAlNバッファ層22、GaNバッファ層21を順に形成する。 - 特許庁
BUFFER LAYER FOR OXIDE SUPERCONDUCTIVE THIN FILM例文帳に追加
酸化物超伝導薄膜用バッファ層 - 特許庁
At this point, the buffer layer is formed thicker than the buffer layer of the first configuration.例文帳に追加
この時、上記バッファ層は上記第1構成のバッファ層に比べて厚く構成する。 - 特許庁
METHOD OF PRODUCING STRAIN RELAXING BUFFER LAYER, AND LAMINATED PRODUCT WITH STRAIN RELAXING BUFFER LAYER例文帳に追加
歪み緩和バッファー層の製造方法及び歪み緩和バッファー層を備えた積層体 - 特許庁
The first buffer layer is silicon-doped at a higher concentration than the second buffer layer.例文帳に追加
前記第1のバッファ層は、前記第2のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 - 特許庁
The layer containing a light-emitting material is composed at least of a first buffer layer, a light-emitting layer and a second buffer layer.例文帳に追加
なお、発光物質を含む層は、第1のバッファー層、発光層、および第2のバッファー層を少なくとも有する。 - 特許庁
The semiconductor epitaxial wafer having the buffer layer 2 on a substrate 1 has the buffer layer 2 forming an InAlN buffer layer 21 and an AlN buffer 22 sequentially.例文帳に追加
基板1の上にバッファ層2を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層2がInAlNバッファ層21、AlNバッファ層22を順に形成する。 - 特許庁
Next, a second electrode layer 20 is provided on the buffer layer 18.例文帳に追加
次に、バッファ層18上に第2電極層20を設ける。 - 特許庁
The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加
バッファ層2はn型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁
On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown.例文帳に追加
サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、GaN層13を成長させる。 - 特許庁
MULTI-LAYER INDIUM-CONTAINED NITRIDE BUFFER LAYER FOR NITRIDE EPITAXY例文帳に追加
窒化物エピタキシのための多層インジウム含有窒化物緩衝層 - 特許庁
The protection layer has a buffer layer 26 provided on the light emitting part 24 and a barrier layer 27 provided on the buffer layer 26.例文帳に追加
保護層は、発光部24上に設けられるバッファ層26と、このバッファ層26上に設けられるバリア層27とを有する。 - 特許庁
Thereafter, an AlN buffer layer 103, an AlGaN buffer layer 104, and a GaN layer 105 are formed on the underlying layer 102.例文帳に追加
その後、下地層102の上にAlNバッファ層103,AlGaNバッファ層104,およびGaN層105を形成する。 - 特許庁
Next, a GaN buffer layer (not shown) is formed and then a GaN layer 12 is formed on the GaN buffer layer.例文帳に追加
次に、GaN緩衝層(不図示)を形成し、続いてGaN緩衝層の上にGaN層12を形成する。 - 特許庁
The silver containing buffer layer 120 is oxidized and expanded resulting in that the silver containing buffer layer 120 and the transfer layer 220 are separated.例文帳に追加
含銀バッファ層120は酸化されて膨張し、含銀バッファ層120と転写層220とを分離する。 - 特許庁
A buffer layer 13 is formed of nitride oxide silicon and a nitride silicon layer 14 is formed on the buffer layer 13.例文帳に追加
バッファ層13は窒化酸化シリコンで形成され、バッファ層13の上に窒化シリコン層14が形成される。 - 特許庁
A contact layer 3 and a barrier layer 4 are formed on a buffer layer 2.例文帳に追加
バッファ層2上に、コンタクト層3及び障壁層4が形成されている。 - 特許庁
To manufacture a buffer layer of a uniform composition at a high deposition speed, by suppressing deposition of the buffer layer at a portion where deposition of the buffer layer is unnecessary.例文帳に追加
バッファ層の析出が不要な部分のバッファ層の析出を抑制し、組成の均一なバッファ層を析出速度を速く製造する。 - 特許庁
A nitride buffer layer 130 comprising GaN etc. is grown on a ZnMgO buffer layer 120 (a).例文帳に追加
ZnMgOバッファー層120上に、GaN等の窒化物バッファー層130を成長させる(a)。 - 特許庁
POLYMER FOR POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER, SOLUTION FOR POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER APPLICATION AND ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
陽極バッファー層用重合体、陽極バッファー層塗布用溶液及び有機発光素子 - 特許庁
PASTE FOR BUFFER LAYER FORMATION OF PLASMA DISPLAY PANEL例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの緩衝層形成用ペースト - 特許庁
The formation of the oxide structure includes a step of forming a buffer layer of a buffer layer metal which is superposed on the free layer when forming, a step of forming a coated layer of a coated layer metal oxide which is superposed on the buffer layer and is put in contact with the buffer layer, and a step of oxidizing the buffer layer to form a buffer layer metal oxide.例文帳に追加
この酸化物構造の形成には、形成時にバッファ層金属であるバッファ層をフリー層の上に重ねて形成するステップと、被覆層金属の被覆層金属酸化物である被覆層をバッファ層に重ねて、かつバッファ層に接触させて形成するステップと、バッファ層を酸化させてバッファ層金属酸化物を形成するステップとが含まれる。 - 特許庁
The buffer layer 62 and the metal layer 64 are preferably formed of a silicon dioxide layer, and an aluminum layer, respectively.例文帳に追加
望ましくは、バッファ層62は二酸化シリコン層を、金属層64はアルミニウム層を使用する。 - 特許庁
The modified buffer layer contains, for example, voids.例文帳に追加
改質されたバッファ層は例えばボイドを含む。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS OF BUFFER-LAYER例文帳に追加
バッファ層の製造方法およびその製造装置 - 特許庁
A buffer layer 108 is formed on a substrate 104, a spacer layer 112 is formed on the buffer layer, and a barrier layer 116 is formed on the spacer layer.例文帳に追加
基板上104上にバッファ108層を形成し、バッファ層上にスペーサ層112を形成し、スペーサ層上にバリア層116を形成する。 - 特許庁
The FET includes a substrate, a buffer layer disposed on the substrate, a channel layer disposed over the buffer layer and a barrier layer disposed over the channel layer.例文帳に追加
FETは、基板と、基板上に配置されたバッファ層と、バッファ層上に配置されたチャネル層と、チャネル層上に配置された障壁層とを含む。 - 特許庁
HEMT DEVICE WITH INSERTION LAYER BETWEEN BUFFER LAYER AND CHANNEL例文帳に追加
緩衝層とチャネルの間に挿入層を有するHEMTデバイス - 特許庁
Furthermore, a stress buffer layer may be formed between the barrier layer and the porous layer.例文帳に追加
更に、バリア層と多孔質層との間に応力バッファ層を形成しても良い。 - 特許庁
The second strain buffer intermediate layer can be made thinner than the first strain buffer intermediate layer.例文帳に追加
前記第2歪緩衝中間層は、前記第1の歪緩衝中間層よりも薄くすることができる。 - 特許庁
The impurity concentration of the n^- type buffer layer is made lower than the impurity concentration of the n type buffer layer 3.例文帳に追加
n^−型バッファー層の不純物濃度はn型バッファー層3の不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁
An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加
n^+型基板2上にn型バッファー層3を形成し、その上にn^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁
An n-type AlGaN buffer layer (12) is formed on an SiC substrate (11) as a buffer layer of the element.例文帳に追加
素子のバッファ層として、SiC基板(11)上にn型AlGaNバッファ層(12)を形成する。 - 特許庁
Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加
さらに、p+コレクタ層2、n+バッファ層3、およびn−高抵抗層4を形成する。 - 特許庁
A buffer layer 112 functions as a stress relaxation layer, and a hard mask layer 114 is formed on it.例文帳に追加
バッファ層112は応力緩和層として機能しハードマスク層114が形成される。 - 特許庁
A tatami base has a layer structure comprising a core layer having good heat conductivity and a buffer layer.例文帳に追加
畳床を熱伝導性の良好なコア層と緩衝層との層構造とする。 - 特許庁
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