「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The buffer layer 2 prevents the chemical reaction of the substrate 1 with the coating film 3 and functions as a seed for crystallization.例文帳に追加

バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 - 特許庁

A hardness control material is film formed on a lower electrode 84 and a binding force buffer layer 86 is formed (Fig. 4(c)).例文帳に追加

下部電極８４上には、硬度制御材料が成膜され、拘束力緩衝層８６が形成される（図４（ｃ））。 - 特許庁

The aramid fibers become a loose-type coating buffer layer 124, relaxing a stress imparted radially to the optical fiber cable 20.例文帳に追加

アラミド繊維は、ルース型被覆の緩衝層１２４となり、光ファイバケーブル２０の半径方向にかかる応力を緩和する。 - 特許庁

A buffer layer 2 is formed on the upper part of an Si single crystal 1, and a PZT thin film 3 is formed on it.例文帳に追加

Si単結晶１の上部には、バッファー層２が形成されており、その上に、ＰＺＴ薄膜３が成膜されている。 - 特許庁

The buffer space is communicated with the plural discharge holes via a gas supply pipe penetrating through the cooling layer 23, respectively.例文帳に追加

バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。 - 特許庁

An n-side electrode 8 is formed on the buffer layer 4, and a p-side electrode 9 is formed on the diffusion area 7.例文帳に追加

バッファ層４の上にはｎ側電極８、拡散領域７の上にはｐ側電極９が形成されている。 - 特許庁

A method of applying a doped conductive polymer buffer layer to a large area substrate coated with an electrode is disclosed.例文帳に追加

電極で被覆された大面積基材にドープ型導電性ポリマー緩衝層を適用する方法が記載されている。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region, a drift region that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。 - 特許庁

To provide a superconductor article with a buffer layer having texture in two axial directions and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a fabricating process for attaching an oxide superconductive thin film with a buffer to a sapphire substrate, wherein a first buffer layer 2 comprising CeO_2 is formed on an R surface sapphire substrate 1, and then a second buffer layer 3 comprising Sm_2(1-x) Gd_2x O_3 (0≤x≤1) and next the superconductive thin film 4 is formed.例文帳に追加

サファイア基板へのバッファ層付き酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_２ からなる第１のバッファ層２を形成し、次いで、Ｓｍ_２（１−ｘ）Ｇｄ_２ｘＯ_３ （０≦ｘ≦１）からなる第２のバッファ層３を形成し、次いで、超伝導薄膜４を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound solar battery comprises a step of sequentially forming a transparent conductive film 2, a buffer layer 3, a light absorption layer 4 and a rear surface electrode 5 on a transparent substrate 1.例文帳に追加

透光性基板１上に、透明導電膜２、バッファ層３、光吸収層４、および裏面電極５を順に形成する製造方法が提供される。 - 特許庁

The reflection reduction film 20 is provided on the surface 100S of an optical substrate 100, and has a buffer layer 22 and a reflection reducing layer 21, in this order.例文帳に追加

この反射低減膜２０は、光学基板１００の表面１００Ｓ上に設けられたものであり、緩衝層２２と反射低減層２１とを順に備える。 - 特許庁

The width of the middle 13c of a stripe pattern of the n-type buffer layer 13 is the same as the conventional one and a source layer 16 is disposed as to correspond to the middle 13c.例文帳に追加

しかも、ｎ型バッファ層１３のストライプ・パターンの中間部１３ｃの幅は、従来と同様であり、ソース層１６は、中間部１３ｃに対応して配置されている。 - 特許庁

The second buffer layer 16 contains InAlGaN and continuously covers the top surface 14a of the first crystalline layer 14 and the top surface 10a of the substrate 10.例文帳に追加

第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。 - 特許庁

An AlxGayInzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1 and x+y+z=1) semiconductor layer 3 is grown by using an impurity added ZnO buffer layer 2 on a Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板上１に不純物添加したＺｎＯバッファ層２を用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１， ０≦ｙ≦１， ０≦ｚ≦１， ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系半導体層３を成長する。 - 特許庁

A light-emitting end surface 48 of the first laser part is covered with an n-GaInP buffer layer 42 of the lowermost layer of an AlGaInP system laminated structure constituting the second laser part.例文帳に追加

第１のレーザ部の出射端面４８は、第２のレーザ部を構成するＡｌＧａＩｎＰ系積層構造の最下層のｎ−ＧａＩｎＰバッファ層５２で覆われている。 - 特許庁

A semiconductor film is laterally grown using the buffer layer as a starting point, and a lateral growth layer for covering the mask is formed while cavities are formed on the upper part of the mask.例文帳に追加

次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。 - 特許庁

Further, the other part of urine discharged from the wearer arrives at the lower layer absorber 30 through a buffer space 80 to be absorbed by and held to the lower layer absorber 30.例文帳に追加

また、着用者から排泄された尿の他の一部は、バッファ空間８０を介して、下層吸収体３０へ到達し、下層吸収体３０に吸収保持される。 - 特許庁

The thickness d_1 of the buffer layer 19 is set ≥10 nm, which is a value allowing oxidizing species remaining in the current narrowing layer 18 to be sufficiently introduced therein.例文帳に追加

バッファ層１９の厚さｄ_1は、１０ｎｍ以上となっており、電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。 - 特許庁

To provide an n type buffer layer for hetero junction satisfactory in joint property and stable in characteristics on a light absorbing layer configured of a p type compound semiconductor.例文帳に追加

ｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上に、接合性の良い特性の安定したヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けるようにする。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, a low-temperature GaN buffer layer 11 and a p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 as the III nitride semiconductor are stacked in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０上には、低温ＧａＮバッファー層１１、III族窒化物半導体としてのｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２が順次に積層されている。 - 特許庁

After that, using the photolithography technique, the buffer layer, the mask layer, and the wafer surface existing in a specific region to be oxidized are removed, and the region to be oxidized is selectively oxidized.例文帳に追加

その後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の酸化予定領域に存在するバッファ層、マスク層及びウェハ表面を除去し、酸化予定領域を選択的に酸化する。 - 特許庁

A semiconductor rectifying device 55 as the semiconductor device comprises a disc 150, a solder layer 152, a buffer plate 154, a semiconductor chip 156, a solder layer 158, and a lead 160.例文帳に追加

半導体装置としての整流素子５５は、ディスク部１５０、半田層１５２、緩衝板１５４、半導体チップ１５６、半田層１５８、リード１６０を含んで構成されている。 - 特許庁

The group III nitride primary layer 23 containing at least Al is directly formed on the substrate 21 consisting of sapphire single crystal or the like without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。 - 特許庁

Moreover, at the time of forming the first buffer layer, the doping layer is formed with an epitaxial method using a material attained by adding the N-type impurity to an organic metal compound.例文帳に追加

また、第１バッファ層を形成する際に、有機金属化合物にＮ型の不純物を添加した材料を用いてドープ層をエピタキシャル法により形成した。 - 特許庁

To provide a surface light emitter in which total reflection of light at the interface of a transparent electrode layer and a buffer layer is suppressed and extraction efficiency of light can be improved.例文帳に追加

透明電極層と緩和層との界面で光が全反射することを抑制し、光の取り出し効率を向上することができる面発光体を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a buffer layer 105 consisting of a p-type GaN (crystal) to which zinc is doped (2×10^18 cm^-3) is formed on the AlN layer 104.例文帳に追加

この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０^18ｃｍ^-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting device that has an organic cathode buffer layer on an organic light-emitting structure as a protection layer against damage caused during high-energy deposition of a cathode.例文帳に追加

陰極を高エネルギー堆積する際のダメージに対する保護層として、有機発光構造体の上に有機陰極バッファー層を有する有機発光素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, when the Al-based alloy layer is retained after joining, Al is soft enough to function as a buffer layer, so that it brings a high joining reliability.例文帳に追加

また、接続後にＡｌ系合金層を残存させた場合、軟らかいＡｌが応力緩衝材として機能するため、高い接続信頼性を得ることができる。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor layer includes strain while the first conductivity type buffer layer 15 performs lattice relaxation on the principal plane 13a of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。 - 特許庁

The formation of the first buffer layer 30 suppresses the spread of the Fe into the operation layer 28, thus suppressing the deterioration of device characteristics resulting from doping with Fe.例文帳に追加

第１バッファ層３０を設けたことにより、動作層２８へのＦｅ取り込みが抑制されるため、Ｆｅドーピングによるデバイス特性の劣化を抑制することができる。 - 特許庁

An MgO (111) single crystal thin film is deposited on a YSZ (111) single crystal substrate with an NiO (111) epitaxial thin film as a buffer layer, and single-layer graphene is deposited on this MgO (111) single crystal thin film.例文帳に追加

MgO(111)単結晶薄膜を、NiO(111)エピタキシャル薄膜をバッファー層としてYSZ(111)単結晶基板上に成膜して、このMgO(111)単結晶薄膜の上に単層グラフェンを成膜する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element comprising a zinc oxide layer, having quality at least equivalent to that of a bulk single crystal formed on an annealed buffer layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Before an insulating layer 18 and an upper electrode 20 are formed, a filming emulsion is coated and dried on the electron emission source 16 and a buffer layer 22 is formed (b).例文帳に追加

絶縁層１８および上部電極２０を形成するに先立ち、電子放出源１６の上にフィルミング乳剤を塗布、乾燥して、バッファ層２２を形成する（図６（ｂ））。 - 特許庁

The buffer layer 8 contains a carbon material whereby the same is provided with a characteristic that affinity with both electrodes 10, 12 and the organic semiconductor layer 6 is very good.例文帳に追加

バッファ層８は、炭素材料を含むものであり、両電極１０，１２及び有機半導体層６との親和性が極めて良好であるという特性を有している。 - 特許庁

The AlGaN/GaN double hetero junction field effect transistor 80 includes a GaN buffer layer 92 containing Fe as impurities and an AlGaN first barrier layer 94.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ／ＧａＮダブルへテロ接合電界効果トランジスタ８０は、不純物としてＦｅを含むＧａＮバッファ層９２と、ＡｌＧａＮ第１バリア層９４を含む。 - 特許庁

Accordingly, the organic FET 1 with the buffer layer 8 is provided with a very small contact resistance with respect to both electrodes 10, 12 and the organic semiconductor layer 6.例文帳に追加

よって、このバッファ層８を備える有機ＦＥＴ１は、両電極１０，１２と有機半導体層６との間の接触抵抗が極めて小さいものとなる。 - 特許庁

The upsampling module 314 for acquiring the synchronization signal performs upsampling processing on the foreground layer 72 stored in the line buffer and transmits the upsampled background layer 72 to a synthesis circuit 310.例文帳に追加

同期信号を取得したアップサンプリングモジュール３１４は、ラインバッファに格納した背景レイヤー７２にアップサンプリング処理を行なって合成回路３１０へ送出する。 - 特許庁

An InGaN buffer layer 2 made of undoped InGaN is formed on an Si substrate 1 with a size W1 of 8 to 12 inches, and a GaN layer 3 in turn is formed thereon.例文帳に追加

８〜１２インチの大きさＷ_1 のＳｉ基板１上にアンドープＩｎＧａＮからなるＩｎＧａＮバッファ層２を形成し、さらにその上にＧａＮ層３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a nitride semiconductor which comprises a thin and flat buffer layer while providing an active layer with less dislocation density.例文帳に追加

薄くて平坦化が達成されるバッファ層を有し且つ、転位密度が少ない能動層を得ることができる窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The reflection reducing film 20 is provided on the surface 100S of an optical substrate 100 and has a buffer layer 22 and a reflection reducing layer 21.例文帳に追加

この反射低減膜２０は、光学基板１００の表面１００Ｓ上に設けられ、緩衝層２２と反射低減層２１とを備えるようにしたものである。 - 特許庁

A crystal defect can be suppressed and the breakdown voltage can be increased by selecting the Al composition of the AlGaN layer 406 to be larger than the Al composition of the AlGaN buffer layer 404.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層４０６のＡｌ組成をＡｌＧａＮバッファ層４０４のＡｌ組成以上とすることで、結晶欠陥を抑え、降伏電圧を高くすることができる。 - 特許庁

It is preferable to deposit the layer 2 on an at least biaxially oriented substrate 1a or on a substrate having at least biaxially oriented buffer layer.例文帳に追加

ＲＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７層２は、好ましくは、少なくとも二軸配向された基体１ａ上、あるいは、少なくとも二軸配向されたバッファ層を有する基体上に堆積させる。 - 特許庁

Then, the first composition modulation buffer layer 20 is formed having an inclined composition increasing in N-atom content from the substrate 10 to a first semiconductor layer 40, and the second composition modulation buffer layer 30 is formed in a gradient composition increasing in N atom content from the substrate 10 to a second semiconductor layer 50 and a third semiconductor layer 60.例文帳に追加

そして、第１の組成変調バッファ層２０を基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成するとともに、第２の組成変調バッファ層３０を基板１０から第２の半導体層５０および第３の半導体層６０に向かってＮ原子含有量が低くなる傾斜組成で形成した。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁