「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an organic EL light emitting device preventing a stress concentration in an edge part of a buffer layer or a base layer of a gas barrier layer, improving dampproofing of the gas barrier layer, having no deterioration of light emission characteristics due to water invasion into an organic EL element, and having a high reliability.例文帳に追加

ガスバリア層の下地層である緩衝層の縁部における応力集中を防止して、ガスバリア層の防湿性を向上させ、有機ＥＬ素子への水分浸入による発光特性の劣化がなく、信頼性の高い有機ＥＬ発光装置を提供する。 - 特許庁

First, when a front end part 12A is formed, a precursor main magnetic pole layer (the prearrangement layer of the main magnetic pole layer 12) is patterned with the buffer layer 15 as a mask, and accordingly the front end part 12A is highly precisely formed so that it may have a microwidth W1 to be targeted.例文帳に追加

第１に、先端部１２Ａを形成する際、バッファ層１５をマスクとして前駆主磁極層（主磁極層１２の前準備層）がパターニングされるため、目標通りの微小幅Ｗ１となるように先端部１２Ａが高精度に形成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electrophoretic display, an assist substrate provided with a buffer layer is coated with a first layer of photopolymerizable material and a photopolymerization step is performed and the first layer of photopolymerizabale material after polymerization then undergoes steps required for the electrophoretic display such as conductive layer electrode fabricating.例文帳に追加

その製造方法は、第１層光重合材料をバッファ層を具えた補助基板に塗布して光重合工程を行ない、重合後の第１層光重合材料層に対して導電層電極等電気泳動ディスプレイに必要な工程を行なう。 - 特許庁

Used for a semiconductor device wherein a silicon layer 104 formed on a substrate 100 is irradiated with a laser beam 106 for crystallization so that a polycrystal silicon layer 108 is obtained, a buffer layer 102 is formed between the substrate 100 and the silicon layer 104.例文帳に追加

基板１００上に形成したシリコン層１０４をレーザビーム１０６の照射によって結晶化して多結晶シリコン層１０８を得る半導体装置などに用いられ、基板１００とシリコン層１０４との間にバッファ層１０２が形成されている。 - 特許庁

The lower electrode layer 2 is constituted, by stacking a close adhesion layer 2a consisting of at least one of platinum, palladium, and rhodium, a conductive layer 2b consisting of gold of high conductivity, and a buffer layer 2c consisting of at least one among platinum, palladium, and rhodium.例文帳に追加

前記下部電極層２が、白金、パラジウム、ロジウムのうち少なくとも１つからなる密着層２ａ、高導電率の金からなる導電層２ｂ、および白金、パラジウム、ロジウムのうち少なくとも１つからなるバッファ層２ｃを順次積層して構成している。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

A VCSEL 20 is constituted by stacking a semiconductor layer, including an n-type buffer layer 104, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constriction layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contact layer 114 on a substrate 102.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ２０は、基板１０２上に、ｎ型のバッファ層１０４、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型の上部ＤＢＲ１１２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を積層する。 - 特許庁

Then a rear surface blocking plate 13 forming a microbarometric wave passage is set between each ceramic sound absorbing panel 1 and a microbarometric wave buffer member 11 of the existing buffer works 9, and therefore a rear air layer for improving a sound absorbing effect is formed, whereby microbarometric waves are alleviated by the microbarometric wave buffer member 11.例文帳に追加

また、セラミックス吸音パネル１と既設緩衝工９の微気圧波緩和部材１１との間に、微気圧波通過路を形成した背面塞ぎ板１３を設置することで、吸音効果を向上させる背後空気層の形成させ、微気圧波緩和部材１１により微気圧波を緩和させる。 - 特許庁

An n++ buffer layer 20 of which at least a part is located on the part opposed to the circumferential face P1oof the second main face, and has an impurity concentration higher than that of the n+ layer 15.例文帳に追加

ｎ＋＋バッファ層２０は、第２主面の外周面Ｐ１ｏに対向する部分の上に少なくとも一部が位置し、ｎ＋層１５よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

A buffer layer 12 of a combined layer structure, in which a plurality of first layers 12a made of AlN and a plurality of second layers 12b made of GaN are alternately stacked, is provided on the substrate 11.例文帳に追加

この基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

A second base layer (7) of a second conductivity type and emitter layers (8) of a first conductivity type are arranged in the main cell (MR), and a buffer layer (9) of a second conductivity type is arranged in the dummy cell (DR).例文帳に追加

メインセル（ＭＲ）内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル（ＤＲ）内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

An edge of an n-type buffer layer 13 is semi-circular in shape in a plan view and the radius of curvature is set longer than 1/2 the transverse length of the layer 13.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１３のエッジ部は、平面から見た形状が半円状で、その曲率半径が、ｎ型バッファ層１３の短手方向の長さの１／２より長く設定されている。 - 特許庁

The optical fiber cord 50 comprises a coated optical fiber 10 and a buffer layer 52 and a jacket layer 51 successively formed, in the direction parting from the coated optical fiber 10, on the outer peripheral face of the coated optical fiber 10.例文帳に追加

光ファイバコード50は、被覆光ファイバ心線10の外周面に、さらに、緩衝層52とジャケット層51とを被覆光ファイバ心線10から離れる方向で順に設けてなる。 - 特許庁

The optical fiber cord 50 is formed by successively providing the outer peripheral surface of a coated optical fiber 10 further with a buffer layer 52 and a jacket layer 51 in a direction parting from the coated optical fiber 10.例文帳に追加

光ファイバコード５０は、被覆光ファイバ心線１０の外周面に、さらに、緩衝層５２とジャケット層５１とを被覆光ファイバ心線１０から離れる方向で順に設けてなる。 - 特許庁

To strike a balance between the heavily doped diffusion of an n-type dopant into a photoelectric conversion layer and the formation of a buffer layer with an optimal thickness, and also to simplify the manufacturing process and reduce the equipment cost.例文帳に追加

光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁

In the buffer layer 2, the concentration of the dopant is reduced linearly from C1 to C2 toward the interface with the silicon carbide drift layer 3 from the interface with the silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 - 特許庁

A proportion of Al in the buffer layer 2 is set so as to form an energy barrier of not less than 0.3 eV to a GaN compound forming the semiconductor light absorbing layer 3.例文帳に追加

このバッファ層２中のＡｌの比率は、半導体光吸収層３を構成するＧａＮ系化合物に対して０．３ｅＶ以上のエネルギー障壁を構成するように設定されている。 - 特許庁

A semiconductor device is configured so that a lower metal layer 11 is formed on a substrate 10, and in addition, a buffer film 12, a semiconductor layer 13, a gate insulating film 14 and a gate wiring 15 are formed in this order.例文帳に追加

基板１０上に下部金属層１１が形成され、さらに、バッファ膜１２、半導体層１３、ゲート絶縁膜１４、及びゲート配線１５が、この順で形成されている。 - 特許庁

In a method for forming this GaN film, a GaAs epitaxial layer is formed on a GaAs substrate by introducing AsH3 and TMG (process A), and a GaN buffer layer is formed by introducing DMHy and TMG (process B).例文帳に追加

ＡｓＨ_3とＴＭＧを導入してＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層を形成し（プロセスＡ）、ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮバッファ層を形成する（プロセスＢ）。 - 特許庁

A buffer layer 16 for relaxing the stress acting across the solid electrolyte 11 and the duct forming layer 14 is formed between the laminating surface 111 and the flat surface 112.例文帳に追加

積層面１１１と平坦面１１２との間には、固体電解質体１１とダクト形成層１４との間に作用する応力を緩和させるための緩衝層１６が形成されている。 - 特許庁

A proportion X2 of indium in the In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N barrier layer 27 is smaller than the proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

また、Ｉｎ_Ｘ２Ａｌ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｘ２−Ｙ２Ｎバリア層２７のインジウム組成Ｘ２はＩｎ_Ｘ３Ａｌ_Ｙ３Ｇａ_１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ緩衝層１９のインジウム組成Ｘ３より小さい。 - 特許庁

When the number of remaining addresses before the layer jump reaches a predetermined value, data are fetched to be stored in a buffer memory 38, and the stored data are read to be reproduced during the layer jump.例文帳に追加

層間ジャンプまでの残りアドレスが所定値に達すると、データを先読みしてバッファメモリ３８に蓄積しておき、層間ジャンプの際に蓄積したデータを読み出して再生する。 - 特許庁

A through hole 12a provided in the buffer layer 12 and the element forming layer 14 is filled with the source electrode 16 so that the electrode is electrically connected to the conductive substrate 11.例文帳に追加

ソース電極１６は、バッファ層１２及び素子形成層１４に設けられた貫通孔１２ａに充填されることにより導電性基板１１と電気的に接続されている。 - 特許庁

A proportion X1 of indium in the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 25 is smaller than a proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層２５のインジウム組成Ｘ１はＩｎ_Ｘ３Ａｌ_Ｙ３Ｇａ_１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ緩衝層１９のインジウム組成Ｘ３より小さい。 - 特許庁

A buffer and water conveyance layer may also be formed on the primary spraying cement concrete surface, and a multiplayer waterproof sheet with a layer having adhesion with placed cement concrete may also be used as the waterproof sheet.例文帳に追加

該一次吹付セメントコンクリート表面に緩衝・導水層を設けてもよく、防水シートとして、打設したセメントコンクリートと接着性を有する層を保有する多層防水シートを用いてもよい。 - 特許庁

An iron-diffusion preventing buffer layer 2 and a beta-iron silicide semiconductor thin film 3 are formed on one surface of a silicon substrate 1, and an antireflection dielectric layer 5 is formed on the other surface.例文帳に追加

ケイ素基板１の一方の面上に鉄拡散防止緩衝層２とベータ鉄シリサイド半導体薄膜３を形成し、他方の面上に無反射誘電体層５を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 12 is preferably set to have hexagonal (001) orientation or cubic (111) orientation, and the semiconductor material layer 13 is preferably set to the hexagonal (001) orientation.例文帳に追加

バッファ層１２は、六方晶（００１）配向または立方晶（１１１）配向したものであるのが好ましく、半導体材料層１３は、六方晶（００１）配向したものであるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device which can obtain stable conduction loss even if fluctuation of impurity doping quantity in a second conductive emitter layer and a first conductive buffer layer occurs.例文帳に追加

第２導電型エミッタ層及び第１導電型バッファ層の不純物ドーピング量のバラツキが生じても、安定した通電損失が得られる高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a group III nitride semiconductor substrate in which array-like cracking is reduced in the surface of a nitride epitaxial layer formed on the surface of a low temperature growth buffer layer.例文帳に追加

低温成長バッファ層上に形成される窒化物エピタキシャル層の表面において、アレイ状クラックの発生が低減されるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor region having optical gain such as an active layer is not provided between the GaN wafer 11 and In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。 - 特許庁

An MOSFET 10 includes a p-GaN layer 14 formed over a substrate via a buffer layer, a gate insulating film 15, a gate electrode 20, a source electrode, and a drain electrode 17.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１０は、基板上にバッファ層を介して形成されたｐ−ＧａＮ層１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極２０と、ソース電極と、ドレイン電極１７とを有する。 - 特許庁

The p^+ drain layer 22 is thinner than the n^+ buffer layer 31 and has a small dose, thereby it is possible to reduce injection efficiency in carriers, thereby causing speed to be higher without controlling life time.例文帳に追加

ｐ^＋ドレイン層２２は膜厚がｎ^＋バッファ層３１より薄く、低ドーズ量であるため、キャリアの注入効率を低減でき、ライフタイム制御をすることなく高速化が可能である。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a vibration control soundproof material including a vibration control layer and a buffer layer and hard to be peeled between layers and capable of obtaining the high productivity.例文帳に追加

制振層と緩衝層を含む制振防音材の製造方法において、層間が剥がれ難く、且つ高い生産性が得られる制振遮音材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then the substrate is taken out of a reaction tube, and a self-standing GaN substrate 35 is obtained by removing the sapphire substrate 31, the GaN low-temperature buffer layer 32 and a portion of the GaN layer 33.例文帳に追加

次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板３１、ＧａＮ低温バッファ層３２およびＧａＮ層３３の一部を除去することにより自立ＧａＮ基板３５を得る。 - 特許庁

When the doping quantity of an n-type buffer layer 4 is set to be Ce and the doping quantity of a p^+-type emitter layer 5 to be Cb, the ratio Ce/Cb of impurity doping quantity is set to be 2.5 to 8.2.例文帳に追加

ｎ型バッファ層４のドーピング量Ｃｅとｐ＋型エミッタ層５のドーピング量Ｃｂとしたとき、不純物ドーピング量の比Ｃｅ／Ｃｂを２．５以上、且つ８．２以下とする。 - 特許庁

A first Mg-doped GaN buffer layer 11 is formed as a highly dense layer of growth nucleus of truncated six-sided pyramid crystals having a density of about 10^6/cm^2, on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、Ｍｇドープの第１のＧａＮバッファ層１１を、１０^6／ｃｍ^2程度の密度を持つ六角錘台形晶の成長核の密集層として形成する。 - 特許庁

A buffer layer 15 having one or more layers of ultra-thin film lamination comprising a metallic/organic film to lower a carrier injection barrier is interposed between the organic layer 14 and the negative electrode 16.例文帳に追加

有機層１４と陰極１６との間にキャリア注入障壁を低下させるための金属／有機膜から成る超薄膜積層を１層以上有するバッファ層１５を介在させる。 - 特許庁

Then an n-type gallium nitride semiconductor region 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor region 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。 - 特許庁

An n type semiconductor region 14 made of gallium an active layer 15 made of gallium, a p type semiconductor region 16 made of gallium nitride are successively formed on the buffer layer 13.例文帳に追加

バッファ層１３の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

A first mesa is formed by removing from the p-type InP window layer 5 to the n-type InP buffer layer 2 by a low selectively etchable Br-based etchant in an inclined forward mesa form.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からｎ型ＩｎＰバッファ層２まで、選択エッチング性の低いＢｒ系エッチャントによって傾斜型順メサ形状に除去して第一のメサを形成した。 - 特許庁

The buffer layer 22 is interposed, thus suppressing the generation of an intermetallic compound by reaction of a metal material composing the heat sink 21 to that composing the metal layer 23.例文帳に追加

バッファー層２２が介在していることで、ヒートシンク２１を構成する金属材料と、金属層２３を構成する金属材料との反応による金属間化合物の生成が抑制される。 - 特許庁

Since solidified photoresist is difficult to remove after reflow step, a sacrificial buffer layer 21 is provided between a photoresist mask 51 and the cap layer 14, thus facilitating removal of a photoresist 51.例文帳に追加

フォトレジストが固くなり、硬化しリフローステップの後は除去しづらくなるために、犠牲バッファ層２１が、フォトレジストマスク５１とキャップ層１４の間に配置され、フォトレジスト５１の除去を容易にする。 - 特許庁

The buffer layer is formed between the active layer and the source and drain electrodes respectively, and comprises a plurality of materials having a continuously variable content ratio, depending on its thickness.例文帳に追加

バッファ層は、アクティブ層とソース電極及びドレイン電極との間にそれぞれ形成され、厚さによって連続的に変動する含有量比を有する複数の物質からなる。 - 特許庁