「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The buffer layer 20 allows pressure uniformization of a press in imprint molding by using the replicating mold 100.例文帳に追加

この複製金型１００を用いることで、インプリント成形において、緩衝層２０がプレスの圧力均一化を可能とする。 - 特許庁

Consequently, a ZnO-based semiconductor having few defects can be grown epitaxially on the buffer layer 102.例文帳に追加

これにより、Ｌｉ_１−ｂＮａ_ｂＧａＯ_２バッファ層１０２上に、欠陥の少ないＺｎＯ系半導体をエピタキシャル成長出来る。 - 特許庁

In this frame-shaped region, a buffer layer 13 and a light-reflecting film 12 are then removed to form a light-shielding frame 20.例文帳に追加

次に、この枠状の領域においてバッファ層１３及び光反射膜１２を除去して遮光枠２０を形成する。 - 特許庁

Due to this structure, if the radius of curvature of the edge of the buffer layer 13 is increased, increase in a device area can be prevented.例文帳に追加

このため、バッファ層１３のエッジ部の曲率半径を大きくした場合においても、素子面積の増大を防止できる。 - 特許庁

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal.例文帳に追加

バッファ層は、例えばＩｎ_ｍＡｌ_ｎＧａ_１−ｍ−ｎＡｓ（０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｎ＋ｍ≦１）のエピタキシャル結晶からなる。 - 特許庁

To shorten a time for etching a peeling buffer layer when manufacturing a device of a crystal member of a group III nitride.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶部材のデバイスを製造する際における剥離バッファー層をエッチングする時間を短縮する。 - 特許庁

In the opening 9, neither the tape substrate 2 nor a stress buffer layer 4 is arranged, and only the sealing resin 5 is present.例文帳に追加

開口部９内には、テープ基板２及び応力緩衝層４は配置されておらず、封止レジン５のみが存在している。 - 特許庁

Optical distance between the pair of electrodes is adjusted by the thickness of the buffer layer and light can resonate between the electrodes.例文帳に追加

バッファ層の厚さによって、一対の電極間の光学距離が調節され、光が電極間で共振できるようにされる。 - 特許庁

Above all things, a buffer layer obtained by forming a metal or metal oxide thin film (iridium thin film or iridium oxide thin film) is preferable.例文帳に追加

中でも金属又は金属酸化物の薄膜（イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜など）を形成したものが好ましい。 - 特許庁

The dielectric regions extend in a vertical direction from at least just beneath the body region down at least into the buffer layer.例文帳に追加

誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層に達する。 - 特許庁

A light emitting diode 120 includes a substrate 100, a reflection structure 108, a buffer layer 110, and a light emitting epitaxial structure 112.例文帳に追加

発光ダイオード１２０は、基板１００、反射構造１０８、バッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２を備える。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METAL WIRING FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING BUFFER LAYER OF TRENCH SIDEWALL AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

トレンチ側壁のバッファー層を使用して半導体装置用金属配線を形成する方法及びそれにより製造された装置 - 特許庁

The electrode films 12a, 14a are laminated with a buffer layer 40 in between which does not include a main dielectric component of the dielectric composition.例文帳に追加

誘電体組成物の誘電体主成分を含まないバッファ層４０を介して電極膜１２ａ，１４ａを積層する。 - 特許庁

The pad film 4 is formed to cover a buffer film 3 formed locally on a layer insulation film 2 from above.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に局所的に形成された緩衝膜３を上から覆うようにして、パッド膜４を形成する。 - 特許庁

First, a supporting substrate 12 formed of sapphire or silicon carbide is prepared and a buffer layer 14 is deposited on the supporting substrate.例文帳に追加

先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板１２を用意して、支持基板上にバッファ層１４を堆積させる。 - 特許庁

To carry out the epitaxial growth of a GaN (gallium nitride) film with a good crystallinity on an SiC (silicon carbide) substrate without a buffer layer.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化シリコン）基板上にバッファ層なしで結晶性良好なＧａＮ（窒化ガリウム）膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。 - 特許庁

Next, the first opening part 8 is formed by removing the buffer layer 3 by the non-reactivity dry etching partially.例文帳に追加

次いで、バッファ層３を部分的に非反応性ドライエッチングによって除去することによって第１の開口部８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a buffer layer of a solar cell that is high in light-electric power conversion efficiency and is superior in surface morphology.例文帳に追加

光−電力変換効率の大きい、表面モフォロジーの優れた太陽電池のバッファー層作成方法を提供する。 - 特許庁

A sapphire substrate is overlaid with a high-temperature buffer layer and a silicon nitride buffer body are formed to greatly improve characteristics of a light emitting element formed of GaInN, and energy cost is reduced to prolong the life of a device.例文帳に追加

サファイア基板上に高温バッファ層、窒化珪素バッファ体を作成することにより、ＧａＩｎＮからなる発光素子の特性が大幅に向上し、エネルギーコストが低減し、装置の寿命が長くなる。 - 特許庁

An intermediate layer, in which first buffer layers and second buffer layers are alternately and repeatedly stacked more than or equal to three times on a substrate composed of a different material from that of a GaN-based nitride semiconductor film, is formed.例文帳に追加

前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。 - 特許庁

The metal buffer film 18 and the transparent conductive film 20 are formed on the source/drain electrodes 14 and 15, and then subjected to etching for the formation of the metal thin film buffer layer 18 and the transparent electrode 20.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極１４，１５上に、金属バッファー膜１８と透明導電膜２０を成膜し、これらを同時にエッチングして金属薄膜バッファー層１８と透明電極２０を形成する。 - 特許庁

The buffer layer has a linearly-changing composition with respect to thickness, from pure silicon at a substrate/buffer interface to a composition of germanium, and also has a chemical impurity substance.例文帳に追加

バッファ層は、基板／バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ／エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer; a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound having a band gap of 2.0 eV or above and metal; and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The organic electroluminescent device includes a base material, a first electrode layer formed on the base material, the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer, a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound and metal of which band gaps are 2.0 eV or more, and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

A memory cell structure, without the need for a capacitor is formed of a laminated structure, composed of a metal 1/an insulation film 2/n-type silicon 3/an n-type delta doped layer 4/a non-doped buffer layer 5/a p-type delta doped layer 6/p-type silicon 7.例文帳に追加

キャパシタの不要なメモリセル構造を、金属１／絶縁膜２／ｎ型シリコン３／ｎ型デルタドープ層４／ノンドープバッファ層５／ｐ型デルタドープ層６／ｐ型シリコン７からなる積層構造によって形成する。 - 特許庁

The IGBT has a p^+-type high-concentration drain layer 12 which decides the injection volume of a hole and a p^--type low-concentration drain layer 11 which absorbs the fluctuation of the ground amount of the rear surface of a wafer under an n^+-type buffer layer 13.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴは、ｎ^+バッファ層１３の下に、正孔の注入量を決めるｐ^+高濃度ドレイン層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^-低濃度ドレイン層１１を有している。 - 特許庁

On a single-crystal substrate 1, a buffer layer 2 and an optical waveguide layer 3 are formed and in the optical waveguide layer 3, a ridge type channel optical waveguide 4 is formed along the length of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

単結晶基板１上にはバッファ層２及び光導波路層３が形成され、光導波路層３には単結晶基板１の長手方向に沿ってリッジ型のチャンネル光導波路４が形成されている。 - 特許庁

To provide a buffer layer structure based on a doped ceria for obtaining an optimum lattice alignment with a YBCO layer in a conductor, a lattice alignment layer used in the structure, and a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

導体内でＹＢＣＯ層との最適化された格子整合をもたらすためのドープしたセリアをベースとするバッファ層構造、前記構造中で使用する格子整合層、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the main surface of a substrate 1, a pre-stage buffer layer 2', composed of an In-based compound or a Zn-based compound which are not contained in the substrate 1, is laminated as a polycrystal layer or an amorphous layer.例文帳に追加

基板１の主表面上に、基板１に含まれないＩｎ系化合物またはＺｎ系化合物を構成材料とする前段バッファ層２’を多結晶層またはアモルファス層として積層形成させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

A buffer layer 17 for adjusting a lattice constant in which unit layers 16a-16e, constituted of two InXGa1-XAs layers 13 and 15 with an InZAl1-ZAs layer 14 interposed, are each laminated in 10 layers is arranged between a substrate 11 made of GaAs and a buffer layer 2 made of In0.52Al0.48 As.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１１とＩｎ_０．５２Ａｌ_０．４８Ａｓからなるバッファ層２との間に、２つのＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＡｓ層１３，１５の間にＩｎ_ＺＡｌ_１−ＺＡｓ層１４を挟んで構成される単位層１６ａ〜１６ｅを夫々１０層積んでなる格子定数調整用のバッファ層１７を配置する。 - 特許庁

In an organic EL element composed by sequentially forming, on a substrate, a lower electrode, the organic EL layer, the buffer layer and an upper electrode, this organic EL element is provided by including, in the buffer layer, the phthalocyanine compound doped with at least one kind of metal selected from among Au, Pt, Pd and Ag.例文帳に追加

基板上に下部電極、有機ＥＬ層、バッファ層、及び上部電極が順次形成された有機ＥＬ素子において、前記バッファ層がＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びＡｇから選択される少なくとも１種の金属をドーピングしたフタロシアニン化合物を含有させることにより、上記有機ＥＬ素子を得る。 - 特許庁

In the fluid transfer hose 1, in which the buffer layer 15 used to house the leaked fluid is installed on the outer circumferential side of a main reinforcement layer 3, one end side of a strainer 16 is embedded at the inside of the buffer layer 15, and the other end side of the strainer 16 is made to communicate with the leakage detector 16, arranged at the outside of the hose.例文帳に追加

主補強層３の外周側に漏洩流体を収容する緩衝層１５を設けた流体移送用ホース１において、緩衝層１５の内部にストレーナ１６の一端側を埋設し、そのストレーナ１６の他端側をホ−ス外部に配置した漏洩検知装置１８に連通する。 - 特許庁

In the EL display element, a laminated film of a luminous layer 12 and a buffer layer 9 having carrier transportation ability is pinched by a first electrode 4 and a second electrode 14, and one of the first and the second electrode is formed on a substrate 2, and the buffer layer is made of at least an organic-solvent soluble polymer and a photo-oxidation initiator.例文帳に追加

発光層１２と、キャリア輸送能を有するバッファ層９との積層膜が第１の電極４および第２の電極１４で挟持されかつ第１および第２の電極の内の一方が基板２上に形成され、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと光酸発生剤からなっている。 - 特許庁

Between a memory 102 and a MAC layer module 101, data are exchanged via a double buffer 104 and a MAC layer control section 101a manages a state relating to frame exchange via the double buffer 104 respectively individually at a sender side and a recipient side.例文帳に追加

メモリ１０２とＭＡＣ層モジュール１０１との間のデータ受け渡しは、ダブルバッファ１０４を介して行われ、ＭＡＣ層制御部１０１ａは、このダブルバッファ１０４を介したフレーム受け渡しに関わる状態を、送り手側と受け手側とでそれぞれ個別に管理する。 - 特許庁

As the plate cylinder structure of a printing unit in a revolution type stencil printing machine, not a stencil sheet is directly wound around a metallic plate cylinder, but a buffer layer is formed at the middle between the plate cylinder and the stencil sheet, and ink infiltrated into the buffer layer is fed to the stencil sheet.例文帳に追加

輪転式孔版印刷機における印刷ユニットの版胴構造として、金属製版胴に孔版シートを直接巻くのではなく、版胴と孔版シートの中間に緩衝層を設け、この緩衝層に浸透されたインキを孔版シートに供給する。 - 特許庁

An amorphous silicon nitride film is formed on the surface of a silicon substrate as a buffer layer, the buffer layer is annealed by microwave excitation high density radical ion irradiation, or the like, and a crystalline silicon nitride film is formed, thus obtaining the silicon nitride film whose characteristics are stable.例文帳に追加

シリコン基板表面に、バッファ層として、非晶質のシリコン窒化膜を形成し、当該バッファ層をマイクロ波励起高密度ラジカルイオン照射等により、アニールを施し、結晶質のシリコン窒化膜にすることにより、特性の安定なシリコン窒化膜が得られる。 - 特許庁

In a buffer layer provided between a substrate having an electrooptical effect and the bias electrode, the buffer layer is not provided and the bias electrode is formed directly on the surface of the substrate in a region where no optical waveguide is present on the substrate under the bias electrode.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display with reduced contact resistance by which the contact resistance can be reduced by depositing a buffer layer on the upper surface of an aluminum base metal and performing an annealing process so that the metal atoms of the buffer layer remain.例文帳に追加

アルミニウムベースメタルの上面にバッファ層を形成し、そのアーニリング過程でバッファ層の金属原子が残存するようにして、接触抵抗を減少させることができるようにした、接触抵抗を減少させた液晶ディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

The first buffer layer has a cavity 110a provided over the recessed portion of the sapphire substrate, and the first buffer layer has a first region 110e and a second region 110f provided between the first region and the sapphire substrate and having higher carbon concentration than the first region.例文帳に追加

第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 - 特許庁

Thereafter, the buffer layer is dissolved with an etching solution by introducing the etching solution capable of dissolving the buffer layer selectively against the nitride semiconductor crystal into the inner part of the void spaces to separate the nitride semiconductor from the dissimilar substrate.例文帳に追加

次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by forming an I/O buffer circuit pattern 2 on a semiconductor substrate 4, forming a through hole 10 for connecting the I/O buffer circuit pattern and the pad to an interlayer insulating film, and forming a first layer pad 8 of a double structure of an n-th metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板４上にＩ／Ｏバッファ回路パターン２を形成し、層間絶縁膜にＩ／Ｏバッファ回路パターンとパッドを接続するためのスルーホール１０を形成し、第ｎ番目の金属配線層にて２重構造の１重目のパッド８を形成する。 - 特許庁