「buffer layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

With such a structure, a low resistance buffer layer having a flat surface is yielded to realize low resistance of an electronic device on the SiC substrate.例文帳に追加

この構造により、表面が平坦でかつ低抵抗のバッファ層が得られ、ＳｉＣ基板上の電子デバイスの低抵抗化が実現できる。 - 特許庁

In addition, a buffer layer 46 is held between the silicon wafer 28 with the contact terminal 42 formed thereon and a printed circuit board 70 in an integrated manner.例文帳に追加

更に、該接触端子４２を形成したシリコンウェハ２８と配線基板７０との間に、緩衝層４６を挾みこんで一体とする。 - 特許庁

This metallic material has compatibility with the crystal structure of YBCO or the texture structure of a buffer layer suitable for being coated with YBCO.例文帳に追加

この金属材料は、ＹＢＣＯの結晶構造と、またはＹＢＣＯで被覆されるに適した緩衝層の組織構造と、共存性を持つ。 - 特許庁

On the composition modulation buffer layer 20, first and second semiconductor layers 40 and 50 are formed which include active layers made of nitride semiconductors.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１及び第２の半導体層４０，５０が形成されている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer capable of suppressing a leakage current generated in a buffer layer, concerning an electronic device comprising a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体からなる電子デバイスにおいてバッファ層に生じるリーク電流を抑制できる窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The second and third buffer layers are adjacent to an antiparallel coupling layer and have specific compositions to improve bidirectional anisotropic pinning properties.例文帳に追加

第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。 - 特許庁

The thin-film electronic device is formed by performing all the steps at a temperature lower than a temperature at which the buffer layer is further plastically deformed.例文帳に追加

薄膜電子デバイスは、バッファ層においてさらに塑性変形が起こる温度よりも低い温度で全てのステップが実行されて形成される。 - 特許庁

In a process for forming a field oxide film, a buffer oxide film 52 and a field oxide mask layer 53 are formed over the whole face of a semiconductor substrate 51.例文帳に追加

フィールド酸化膜を形成する工程では、半導体基板（５１）の全面にバッファ酸化膜（５２）とフィールド酸化マスク層（５３）が形成される。 - 特許庁

As a result, a leak current between the GaAs substrate 1 and a buffer layer 2 is reduced and the deterioration of characteristics of the semiconductor device is prevented.例文帳に追加

この結果、ＧａＡｓ基板１とバッファ層２との間におけるリーク電流が低減され、半導体デバイスの特性の劣化が防止される。 - 特許庁

To provide a light receiving element with a ZnO-based electrode without increasing an environmental load and doing damage to a ZnS-based buffer layer.例文帳に追加

環境負荷を増大させず、かつＺｎＳ系バッファ層にダメージを与えずに、ＺｎＯ系電極を形成した受光素子を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the GaN substrate, an MgO buffer layer 120 is formed on a high-quality substrate 110 and subjected to annealing.例文帳に追加

高品質基板１１０上に、ＭｇＯのバッファ層１２０を形成し、アニール処理をした後、ＺｎＯ単結晶膜１３０を形成する。 - 特許庁

The inner peripheral surface of the buffer layer 12 is brushed and made uneven by a metal brush, etc., to form plural fine projections 12a.例文帳に追加

この緩衝層１２の内周面は金属ブラシ等によってブラッシングされ凹凸化され細かい複数の突起１２ａが形成されている。 - 特許庁

A resist 106 is developed to form the resist pattern, and by using the resist pattern as a mask, an absorbing layer 105 and a buffer film 104 are subjected to patterning.例文帳に追加

レジスト１０６を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして吸収層１０５と緩衝膜１０４をパターニングする。 - 特許庁

Solder balls jointed to the upper surfaces of the electrodes 20 for external connection are formed tightly on the inclined surfaces 31b of the buffer layer 31.例文帳に追加

外部接続用電極２０の上面に接合された半田ボールは、緩衝層３１の傾斜面３１ｂに密着して形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitrogen compound semiconductor element that can form a buffer layer excellent in crystallinity and surface flatness.例文帳に追加

結晶性および表面の平坦性に優れたバッファ層を形成することができる窒素化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Sunlight is introduced into the inside through the translucent plate and the translucent buffer material layer of the solar battery module main body to perform daytime illumination.例文帳に追加

そして、太陽電池モジュール本体の透光板および透光性衝材層を通して内部に太陽光を導いて昼光照明する。 - 特許庁

EUV mask blanks having a light reflecting film 12, a buffer layer 13, and a light-absorbing film 14 formed on an insulating substrate 11 is prepared.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に光反射膜１２、バッファ層１３及び光吸収膜１４が形成されたＥＵＶマスクブランクスを準備する。 - 特許庁

This sub-layer-3 buffer transfer enables the target communications interface to reduce packet-loss associated with the hard handoff.例文帳に追加

この第３層副層バッファの転送によりターゲット通信インタフェースにおいてハード・ハンドオフに関連するパケット損失を減少することが可能となる。 - 特許庁

An nMOS transistor 10 and a pMOS transistor 20 are formed via a buffer layer 2 on a substrate 1 made of glass or plastic.例文帳に追加

ガラスまたはプラスチックよりなる基板１の上にバッファ層２を介してｎＭＯＳトランジスタ１０とｐＭＯＳトランジスタ２０とが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a new optical modulator which is capable of speed matching without having a buffer layer and is superior in coupling loss.例文帳に追加

バッファ層を有することなく速度整合を図ることができ、結合損失に優れた新規な光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To configure a buffer circuit, an inverter circuit and the like by only using an n-channel TFT that uses an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いたｎチャネルＴＦＴのみを用いてバッファ回路やインバータ回路などを構成することを課題の一つとする。 - 特許庁

The sacrifice film is etched through the trench having the buffer layer on the trench sidewall to remove at least a part of the sacrifice film in the via hall.例文帳に追加

トレンチ側壁にバッファー層を有するトレンチを通じて犠牲膜を食刻して犠牲膜の少なくとも一部分をビアホールで除去する。 - 特許庁

A plurality of the electrodes disposed on the surface of the charge dissipation layer sends an electric signal through the respective layers of buffer, block and charge dissipation to the optical waveguide.例文帳に追加

電荷散逸層の表面に設けた複数の電極は、バッファ、ブロック、電荷散逸の各層を通じ電気信号を光導波路へ送る。 - 特許庁

In a transverse JFET 10, a buffer layer 11 is disposed on a main surface of an SiC substrate 1 and includes p-type impurities.例文帳に追加

この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。 - 特許庁

A buffer layer consisting of the ZnO oxide semiconductor is grown by applying a material source including radical oxygen onto the substrate (S2).例文帳に追加

そして、ラジカル酸素を含む材料源を基板に照射することによりＺｎＯ系酸化物半導体からなるバッファ層を成長する（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor where leak current does not increase even if a buffer layer is arranged between a ferroelectric film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

強誘電体膜と半導体基板との間にバッファ層を配置してもリーク電流が増加しない強誘電体キャパシタを提供する。 - 特許庁

A conductive gate node extends along the buffer layer and electrically connects to the portion of the gate electrode extending along the sidewall of the mesa.例文帳に追加

導電性ゲートノードがバッファ層に沿って延伸して前記メサ部の側壁に沿って延伸するゲート電極の一部分に電気的に接続する。 - 特許庁

The buffer layer 7, which is an elastic member with elasticity, can use a resin foam such as polyurethane and crosslinked foamed polyethylene.例文帳に追加

緩衝層７は、伸縮性を有する弾性部材であり、例えばポリウレタンや架橋発泡ポリエチレンなどの樹脂発泡体を用いることができる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric element excellent in characteristics by using a γ-Al_2O_3 single crystal film as a buffer layer on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にバッファ層としてγ−Ａｌ_２Ｏ_３単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 64 contains titanium and cobalt as metal elements, and its metal element ratio is the following, where Ti:Co=1-x:x, 0.05≤x<1.例文帳に追加

バッファ層６４は、金属元素としてチタン及びコバルトを含み、金属元素比がＴｉ：Ｃｏ＝１−ｘ：ｘとすると０．０５≦ｘ＜１である。 - 特許庁

Further, a buffer layer for containing the unevenness of the grooves or dents is provided and the requirements are satisfied, and it can be also applied as a color filter.例文帳に追加

さらに上記溝または窪みの凹凸を押さえる緩衝層を設け上記の要件を満たすとともにカラーフィルターとしても応用する。 - 特許庁

A superconducting member for high frequency 10 includes an R-plane sapphire substrate 12; a buffer layer 14 that is formed on one side or both sides of the substrate 12 and comprises ceria with a half-value width of 0.7 or above and 1.1 or below, in the rocking curve measurement of a (002) peak using an XRD; and a superconducting layer 16 on the buffer layer 14.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１２と、この基板１２の片面または両面に形成され、ＸＲＤを用いた（００２）ピークのロッキングカーブ測定において半値幅０．７以上１．１以下であるセリアのバッファ層１４と、このバッファ層１４上の超電導層１６とを有することを特徴とする高周波用超電導部材１０。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon single-crystal substrate 1, a GaP buffer layer 2 that is formed on the silicon-single crystal substrate 1 to the thickness of a critical film, and a plurality of semiconductor layers 3 each comprising a III-V compound semiconductor layer where formation is made on the GaP buffer layer 2 and nitrogen is added so that substantial lattice matching is made to a silicon signal crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element includes a sapphire substrate 105 which has a principal surface 106 comprising a (c) plane, and also has a recessed portion 110a formed on the principal surface, a first buffer layer 110 which is provided on the principal surface of the sapphire substrate and made of crystalline AlN, and a semiconductor layer 190 which is provided on the first buffer layer and made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。 - 特許庁

On the occasion of the process, a buffer layer 15 is provided around the target rod 11 before the process of making the soot preform and the buffer layer 15 is removed before a collapse process after dehydration and calcination so that the target rod 11 can be easily drawn from the soot preform 13 and the impurities can be prevented from contaminating a core layer of the glass body 14.例文帳に追加

その際、スート母材を作成する工程前にターゲットロッド１１の周囲にバッファ層１５を設け、脱水・焼結後のコラプス工程前にバッファ層１５を除去するようにしたので、ターゲットロッド１１をスート母材１３から容易に引き抜くことができ、且つ、ガラス体１４のコア層に不純物が侵入するのを防止することができる。 - 特許庁

The substrate complex for forming the carbon nanotube on the surface includes: a substrate; a buffer layer arranged at least on one surface of the substrate and containing an aluminum atom and a fluorine atom; and a catalyst layer arranged on a surface of the buffer layer and comprising catalyst metal-containing particles that consist of a metal core and a surfactant.例文帳に追加

表面にカーボンナノチューブを形成するための基板複合体であって、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置され、アルミニウム原子とフッ素原子とを含むバッファ層と、前記バッファ層の表面に配置され、金属コアと界面活性体とから構成される触媒金属含有粒子からなる触媒層と、を有する。 - 特許庁

Thereby, it can be made that a large difference in refractive indexes may not occur at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3, and total reflection caused by the difference in refractive indexes at the interface can be suppressed.例文帳に追加

透明電極層４と緩和層３の間の界面で大きな屈折率の差が生じないようにすることができ、界面での屈折率差によって生じる全反射を抑制することができる。 - 特許庁

A low dielectric constant layer 17 whose FT-IR peak height ratio is set not less than 25% and whose dielectric constant is set not more than 3.1 is disposed through the buffer layer 16.例文帳に追加

そして、このバッファ層１６を介して、ＦＴ−ＩＲ ｐｅａｋ ｈｅｉｇｈｔ比が２５％以上とされ、比誘電率が３．１以下とされた低誘電率層１７が設けられてなる構成となっている。 - 特許庁

On the inner face of an outer layer made of a synthetic resin, an inner layer is laminated made of a soft resin and having a maximum value of a buffer factor of 20 or less under a static stress of 0.1 to 1 MPa.例文帳に追加

合成樹脂からなる外層の内面に、軟質樹脂からなり、０．１〜１ＭＰａの静的応力下における緩衝係数の最大値が２０以下である内層が積層されている。 - 特許庁

Also, the core tube or the buffer tube is provided with two layers which are an outer layer including both resin and high aspect ratio fillers and an inner layer including the resin without the high aspect ratio fillers.例文帳に追加

また、コアチューブまたはバッファチューブは、樹脂および高アスペクト比充填材の両方を含んだ外部層と、高アスペクト比充填材のない樹脂を含んだ内部層の２つの層を備えている。 - 特許庁

Moreover, it is constructed so that the small-carriers concentration from an well region to a collector layer in forward conduction is higher than at least the impurity concentration of part of semiconductor substrate or a buffer layer.例文帳に追加

また、順方向導電時の少数キャリア濃度が、ウェル領域からコレクタ層にわたって、少なくとも一部の半導体基板またはバッファ層の不純物濃度よりも高い構成とする。 - 特許庁

In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.例文帳に追加

この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁

A buffer layer 12 of a composite layer structure, where a plurality of first layers 12a composed of AlN and second layers 12b composed of GaN are laminated on a substrate 11 composed of low-resistance silicon, is installed.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

To perform all deposition processes from a process of a buffer layer to that of a translucent conductive layer by a liquid phase method, in the manufacturing method of a CI(G)S group photoelectric conversion element.例文帳に追加

ＣＩ（Ｇ）Ｓ系光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施する。 - 特許庁