「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

THIN FILM EMBEDDED CAPACITANCE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

薄膜エンベディッドキャパシタンス、その製造方法、及びプリント配線板 - 特許庁

The parasitic capacitance between the bottom plate and the substrate may also be eliminated, with only a small capacitance left to the bootstrapped polysilicon plate.例文帳に追加

ボトム・プレート−基板間の寄生容量も、小さな容量だけをブートストラップされたポリシリコン・プレートに残して消去することができる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND CAPACITANCE TYPE TOUCH PANEL USING SUBSTRATE例文帳に追加

基板製造方法及び基板を用いた静電容量式タッチパネル - 特許庁

To decrease capacitance between wiring wires and reduce leakage luminescence.例文帳に追加

配線間の静電容量を小さくして漏れ発光を低減する。 - 特許庁

The detection electrodes 2 are changed in capacitance to the ground by proximity of a finger or the like, and respectively connected to capacitance detection circuits.例文帳に追加

検知電極２は、指などの近接により対接地容量が変化し、それぞれ静電容量検知回路に接続されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE BONDED BY WIRE WITH SMALL COUPLING CAPACITANCE例文帳に追加

小さな結合静電容量のワイヤが接合された半導体デバイス - 特許庁

To provide a touch panel of a capacitance detection type which detects high-precision coordinate by eliminating a difference in parasitic capacitance between electrodes.例文帳に追加

電極間の寄生容量差を解消し、精度の高い座標検出が可能な静電容量検知方式タッチパネルを提供する。 - 特許庁

OPERATIONAL AMPLIFIER CIRCUIT, CAPACITANCE DETECTOR AND FINGERPRINT COLLATION EQUIPMENT例文帳に追加

オペアンプ回路、静電容量検出装置および指紋照合装置 - 特許庁

A video display deflection device includes first and second flyback capacitance.例文帳に追加

ビデオ表示偏向装置は、第１及び第２の帰線容量を含む。 - 特許庁

Manufacturing is enabled, in such a manner that parasitic capacitance becomes a prescribed value.例文帳に追加

また、寄生容量が所定値になるよう作り込むことができる。 - 特許庁

Capacitance measurement sections 311, 312 measure a dielectric constant at the fault space of the pipe 11 by measuring the capacitance of the capacitor.例文帳に追加

静電容量計測部３１１，３１２は、そのコンデンサの静電容量を計測して管１１の断層空間の誘電率を計測する。 - 特許庁

IMPEDANCE DETECTION CIRCUIT, AND CAPACITANCE DETECTION CIRCUIT AND METHOD例文帳に追加

インピーダンス検出回路及び静電容量検出回路とその方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR VARIABLE-CAPACITANCE DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体可変容量ダイオードおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

CAPACITANCE TYPE SEMICONDUCTOR PHYSICAL QUANTITY SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ADDING DECOUPLING CAPACITANCE DURING DESIGN OF INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路設計中にデカップリング・キャパシタンスを加えるための方法 - 特許庁

IMPEDANCE DETECTOR CIRCUIT, METHOD THEREFOR AND CAPACITANCE DETECTOR CIRCUIT例文帳に追加

インピーダンス検出回路、その方法及び静電容量検出回路 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE SHEET, AND CAPACITANCE TYPE INPUT DEVICE例文帳に追加

電極シートの製造方法および静電容量型入力装置 - 特許庁

Here, a capacitance value of the capacitor (Cf) is made greater than 0.15 μF.例文帳に追加

ここでキャパシタ（Ｃｆ）のキャパシタンス値を０．１５μＦより大きくする。 - 特許庁

The electric capacitance between the output part 14b and a grounding point is larger than the electric capacitance between the input part 14a and the grounding point.例文帳に追加

出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 - 特許庁

CAPACITANCE COUPLING TYPE TOUCH PANEL AND DISPLAY DEVICE WITH TOUCH PANEL例文帳に追加

静電容量結合方式タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING CAPACITANCE ONSET VOLTAGE OF NON-POROUS CARBON例文帳に追加

非多孔性炭素の静電容量発現電圧を調節する方法 - 特許庁

To obtain an electrolytic capacitor having a large capacitance per unit area.例文帳に追加

単位面積当たりの静電容量が大きな電解コンデンサを得る。 - 特許庁

STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体記憶容量素子のストレージノードおよびその製造方法 - 特許庁

ELECTROSTATIC CAPACITANCE TYPE ACCELERATION DETECTION APPARATUS AND CALIBRATION METHOD THEREOF例文帳に追加

静電容量型加速度検出装置及びそのキャリブレーション方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory having small parasitic capacitance.例文帳に追加

寄生容量の少ない強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

By detecting a change in the capacitance, the movement can be detected.例文帳に追加

このキャパシタンスの変化を検出することにより、動きを検知する。 - 特許庁

To provide a laminated capacitor capable of suppressing capacitance reduction and capacitance dispersion even when displacement in lamination occurs and capable of reducing also crosstalk.例文帳に追加

積層ずれが発生しても容量低下と容量のばらつきを抑制でき、クロストークの低減も可能な積層コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance type proximity switch having superior noise- proof property.例文帳に追加

耐ノイズ性に優れた静電容量型近接スイッチを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the voltage dependency of a capacitance value and improving a frequency chracteristic of the capacitance value.例文帳に追加

容量値の電圧依存性を低減しつつ、容量値の周波数特性を向上することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrochemical capacitance which is enhanced in reliability of welding connection when the electrochemical capacitance is produced.例文帳に追加

本発明は、電気化学キャパシタを生産する際の溶接接続の信頼性を高めた電気化学キャパシタを提供することを目的とする。 - 特許庁

One end of a coupling capacitance 6 is connected with a data line 8.例文帳に追加

カップリング容量６は、一端がデータライン８に接続されている。 - 特許庁

A load capacitance C1 for sampling a first level and a GND level is configured with gate capacitance values of the MOS transistors MP2, MN2.例文帳に追加

第１の電位及びＧＮＤ電位をサンプリングする負荷容量Ｃ１を、ＭＯＳトランジスタＭＰ２・ＭＮ２のゲート容量で構成する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor allowing high capacitance on a channel, a lowered supply voltage and lowered stray capacitance.例文帳に追加

チャネル上における高い容量、低下した供給電圧及び低下した浮遊容量を可能にする有機薄膜トランジスタを提案する。 - 特許庁

Each second capacitance is shared by a plurality of pixel circuits 100.例文帳に追加

各第２容量は、複数の画素回路１００で共有される。 - 特許庁

NON-CONTACT DATA TRANSMITTING/RECEIVING BODY AND ITS CAPACITANCE ADJUSTING METHOD例文帳に追加

非接触型データ受送信体及びそのキャパシタンス調整方法 - 特許庁

An array substrate of this liquid crystal device has auxiliary capacitance lines 52, auxiliary capacitance electrodes 61 which are oppositely disposed on the under layer of the auxiliary capacitance lines via gate insulating films 62 and, thereby, form auxiliary capacitance and connecting wiring 80 which connect pixel TFTs 75, pixel electrodes 53 and the auxiliary capacitance electrodes with each other.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板は、補助容量線５２と、ゲート絶縁膜６２を介して補助容量線の下層に対向配置されることにより補助容量を形成する補助容量電極６１と、画素ＴＦＴ７５、画素電極５３、及び補助容量電極を互いに連結する連結配線８０とを有している。 - 特許庁

Whereas for weather band, a variation degree of capacitance values is obtained from a logic value of tuning capacitance and a capacitance value of the capacitor specified by tracking, and switches SW1-SWm are controlled so as to select a capacitor of the capacitance value having a difference approximately equal to the variation degree with respect to the logic value of tuning capacitance of the weather band.例文帳に追加

一方、ウェザーバンドに関しては、同調容量の論理値とトラッキングにより特定されたコンデンサの容量値とから容量値のバラツキ度合いを求め、ウェザーバンドの同調容量の論理値に対して上述のバラツキ度合いと同程度の差を有する容量値のコンデンサを選択するようにスイッチＳＷ１〜ＳＷｍを制御する。 - 特許庁

A drain region D of the pixel transistor TFT is overlapped with a signal line portion XX between the TFT and the first auxiliary capacitance line portion CY1 of the auxiliary capacitance line CY to hold the potential of the pixel electrode P, the first auxiliary capacitance line portion CY1, and a second auxiliary capacitance line portion CY2 of the auxiliary capacitance line CY.例文帳に追加

当該画素トランジスタＴＦＴのドレイン領域Ｄが、当該画素電極Ｐの電位を保持するための補助容量線ＣＹの第１補助容量線部分ＣＹ１までの間の信号線部分ＸＸと、当該第１補助容量線部分ＣＹ１と、当該補助容量線ＣＹの第２補助容量線部分ＣＹ２とに重なっている。 - 特許庁

The integration circuit 11 has a variable capacitance section to which any one of a plurality of capacitance values is set selectively, stores charges in the variable capacitance section, which are output from a photodiode for a storage period corresponding to the capacitance value being set to the variable capacitance section, and outputs a voltage value V_1 corresponding to the stored charge quantity.例文帳に追加

積分回路１１は、複数の容量値のうちの何れかの容量値に選択的に設定される可変容量部を有し、可変容量部において設定されている容量値に対応した蓄積期間に亘ってフォトダイオードから出力される電荷を可変容量部に蓄積して、蓄積した電荷の量に応じた電圧値Ｖ_１を出力する。 - 特許庁

A capacitance/voltage conversion circuit 403 includes a function for converting a capacitance between one detection electrode and a weight and a capacitance between another detection electrode and the weight into a voltage, and a function for converting a difference between the capacitance between the one detection electrode and the weight and the capacitance between the other detection electrode and the weight into a voltage.例文帳に追加

容量電圧変換回路４０３は、一方の検出電極と重錘体間の容量及び他方の検出電極と重錘体間の容量を電圧に変換する機能と、一方の検出電極と重錘体間の容量と他方の検出電極と重錘体間の容量との差を電圧に変換する機能とを備える。 - 特許庁

In this case, when the DC offset level of the input signal to the variable capacitance capacitor 107 or 108 is fluctuates by a large amount, the capacitance of the capacitors is switched to a large capacitance Ch, and when the storage charge quantity approaches Cl×Vb (DC offset level after fluctuations), the capacitance of the capacitor is mode to be switched to a small capacitance Cl.例文帳に追加

この際、可変容量コンデンサ１０７又は可変容量コンデンサ１０８の入力信号のＤＣオフセットレベルが大きく変動した際に、コンデンサ容量を容量大Ｃｈに切り換え、蓄積電荷量がＣｌ×Ｖｂ（上記変動後のＤＣオフセットレベル）に近づいたらコンデンサ容量を容量小Ｃｌに切り換えるようにする。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a capacitance of an electric double layer capacitor and an evaluation device of the capacitance of the electric double layer capacitor capable of obtaining a capacitance having little fluctuation of the capacitance even in a high current density domain, and having extremely little current dependency.例文帳に追加

高電流密度領域でも静電容量の変動が少なく、極めて電流依存性の小さい静電容量を把握することができる電気二重層キャパシタの静電容量の評価方法及び電気二重層キャパシタの静電容量の評価装置を提供する。 - 特許庁

A lincage wiring 80 connecting the source electrode 67 of a TFT(thin-film transistor) 7, a pixel electrode 53 and an auxiliary capacitance 61 electrode 61 each other includes a wiring part 80X, which is not overlapped with both of an auxiliary capacitance line 52 forming an auxiliary capacitance and the auxiliary capacitance electrode 61.例文帳に追加

ＴＦＴ７５のソース電極６７、画素電極５３、及び補助容量電極６１を互いに連結する連結配線８０は、補助容量を形成する補助容量線５２及び補助容量電極６１にともに重ならない配線部８０Ｘを含んでいる。 - 特許庁

A TFT substrate 1 has a structure where protective insulating films 40 of a control capacitance part 42 for forming a control capacitance and of an auxiliary capacitance part 43 for forming an auxiliary capacitance are formed smaller in film thickness than the insulating film 40 for covering a TFT 5, or the like.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１は、制御容量が形成される制御容量部４２の保護絶縁膜４０、及び補助容量が形成される補助容量部４３の保護絶縁膜４０の膜厚が、ＴＦＴ５等を覆う保護絶縁膜４０の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。 - 特許庁

As a result, generation of parasitic capacitance of the capacitance element 50 of an MIMC structure can be restrained, and an integrated circuit of high function and high performance is realized wherein the capacitance element 50 of an MIMC structure whose parasitic capacitance is low, the PN photodiode 36 and the bipolar transistor 38 are mounted mixedly.例文帳に追加

このため、ＭＩＭＣ構造の容量素子５０の寄生容量の発生を抑制することが可能になり、低寄生容量のＭＩＭＣ構造の容量素子５０とフォトダイオード３６とバイポーラトランジスタ３８とが混載された高機能、高性能の集積回路が実現される。 - 特許庁