「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

The micro electromechanical element has a micro electromechanical element body provided with a drive element opposing a lower electrode through a space and driving it electrostatically wherein a protective circuit comprising a capacitive element having capacitance lower than that between the lower electrode and the drive element is connected in parallel with wiring connected with the drive element or the drive element terminal or the drive element.例文帳に追加

本発明の微小電気機械素子は、下部電極に対して空間を挟んで対向し静電駆動する駆動体を備えた微小電気機械素子本体を有し、前記駆動体に接続された配線または駆動体端子または前記駆動体に並列に、前記下部電極と駆動体間の容量より低い容量の容量素子からなる保護回路が接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

The inertia drive actuator further comprises a means 70 for controlling the frictional force between the oscillatory substrate 30 and the moving element 40 by applying a voltage between the first drive electrode 41 and the second drive electrode 31, and a means 80 for detecting the position of the moving element 40 based on capacitance at the opposing portion of the first drive electrode 41 and the detection electrode 33.例文帳に追加

慣性駆動アクチュエータはさらに、第一駆動電極４１と第二駆動電極３１との間に電圧を印加して振動基板３０と移動体４０との間の摩擦力を制御する摩擦力制御手段７０と、第一駆動電極４１と検出電極３３の対向部分の静電容量に基づいて移動体４０の位置を検出する位置検出手段８０とを備えている。 - 特許庁

The inclination of a liquid surface 2a of an oil 2 accommodated in the liquid accommodation cavity 18 is converted into the difference of the static capacitance of the left and right pair capacitors formed with a pair of left and right upper electrodes 12a, 12b and the lower electrode 11; thereby an inclination angle θ of the installation position of a sensor 1 can be detected.例文帳に追加

前記一対の内壁面にそれぞれ左右一対の上部電極１２ａ，１２ｂ及び下部電極１１を設け、液体収容キャビティー１８内に収容されるオイル２の液面２ａの傾斜を、左右一対の上部電極１２ａ，１２ｂと下部電極１１とでそれぞれ形成される左右一対のコンデンサの静電容量の差分に変換することで、センサ１の設置部位の傾斜角度θが検出される。 - 特許庁

Relating to an electronic tuner provided with a voltage- controlled oscillation circuit VCO which controls a parallel resonance circuit using a variable capacitance diode with a tuned voltage, the Q-value of the resonance circuit is prevented from dropping by limiting a tuned voltage to a prescribed positive value or higher by connecting a diode 24 between the tuned-voltage supplying line 20 to the oscillation circuit VCO and a voltage supplying line 28.例文帳に追加

可変容量ダイオードを用いる並列共振回路を同調電圧で制御する電圧制御発振回路ＶＣＯを備える電子チューナにおいて、電圧制御発振回路ＶＣＯへの同調電圧供給ライン２０と電圧供給ライン２８との間にダイオード２４を接続することにより、同調電圧を所定の正の電圧以上に制限して、共振回路のＱの低下を防止する。 - 特許庁

The acceleration sensor includes a pair of stationary electrodes 11, 12 separated within a frame electrode 15, a movable electrode 13 capable of being displaced according to acceleration across the pair of stationary electrodes and having a mass body 13A capable of varying electrostatic capacitance with each of the stationary electrodes, and a self-diagnosis electrode 14 disposed opposite the mass body and fixed to the frame electrode.例文帳に追加

枠電極１５内に離隔して設けられた一対の固定電極１１、１２と、上記一対の固定電極間で加速度に応じて変位し得るようにされ、上記各固定電極との間の静電容量を変化させる質量体１３Ａを有する可動電極１３と、上記質量体に対向して配設され上記枠電極に固定された自己診断用電極１４とを備えた構成とする。 - 特許庁

One of pulses having plural pulse widths generated by a clamp pulse generation circuit 12 and a sample and hold pulse generation circuit 11 is selected based on a selection signal inputted from the external and a capacitor for applying proper noise reduction to the pulse width selected by the selection signal is selected from plural capacitors 41 to 43, 54 to 56 built in capacitance selection circuits 13, 14.例文帳に追加

外部から入力される選択信号に基づいて、クランプパルス生成回路１２及びサンプルホールドパルス生成回路１１にて生成された複数のパルス幅を有するパルスのうち１つを選択するとともに、容量値選択回路１３，１４内の複数のコンデンサ４１〜４３，５４〜５６のうち、選択信号によって選択されたパルス幅に適正なノイズ低減を行うコンデンサをそれぞれ選択する。 - 特許庁

A large capacitance capacitor 14 to be mounted on a sun visor is used as a power supply for an illumination lamp 6 of a removable mirror unit, and when the unit is mounted on the sun visor electric charges are stored in the capacfitor 14, and the lamp 6 is lighted by releasing the electric charges when the mirror unit is removed from the sun visor.例文帳に追加

サンバイザに対して取り付け、取り外しが可能な着脱型ミラーユニットの照明ランプ６の電源として大容量コンデンサー１４を使用し、サンバイザへの着脱型ミラーユニットの装着時、大容量コンデンサー１４に電荷を充電し、サンバイザからの着脱型ミラーユニットの離脱時に、上記電荷を放電して照明ランプ６を点灯させるようにした改良された電源回路を有する回路構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the surface of the polarizable electrode layer 18 is rolled in multiple step at first through fourth roll press portions 150-180, a high volume capacitance can be attained and since a portion becoming a lead-out electrode is flattened by rolling, deformation or creasing does not take place and joint of the lead-out electrodes can be made rigid when the capacitor electrodes are laid in multilayer.例文帳に追加

分極性電極層１８の表面は、第１乃至第４のロールプレス部１５０乃至１８０によって多段に圧延されることから、高い体積容量を達成することができるのみならず、引き出し電極となる部分が圧延によって平坦化され、変形や皺もないので、キャパシタ用電極を多層化する場合に引き出し電極同士の接続を強固なものにすることができる。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

A first electrode 2, a second electrode 3 arranged around the first electrode 2, an insulation case 1 covering the both electrodes, and a judgment means judging presence of conductors on the surface of the insulation case 1 according to a comparison result of capacitance between the first electrode and a common electrode 7 and that between the second electrode 3 and the common electrode 7 are provided.例文帳に追加

第１電極２と、該第１電極２の周囲に配置される第２電極３と、前記両電極を覆う絶縁ケース１と、該絶縁ケース１の表面での導電体の有無を、第１電極２と共通電極７との間の静電容量、及び、第２電極３と共通電極７との間の静電容量の比較結果に基づいて判定する判定手段とを備えた構成とする。 - 特許庁

To improve a grain storage level detector detecting the storage level of grain quantity by capacitance so as to solve a trouble resulted from formation of a pair of electrodes of a grain quantity detection means with a constant opposed distance, a trouble resulted from the equal widths of the electrodes, and a trouble resulted from adaptation of an electric circuit to apply oscillation signals to both the electrodes.例文帳に追加

穀粒量の貯留レベルを静電容量により検出する穀粒貯留レベル検出装置において、穀粒量検出手段の一対の電極の対向距離を一定間隔に保持して形成させているために発生する不具合、及び一対の電極の幅が同一であることによる不具合、並びに一対の電極に共に発振信号を加える電気回路としたことによる不具合等の改善を行う。 - 特許庁

The insulation resistance measurement circuit comprising an insulation resistance measuring block for measuring insulation resistance of a measurement subject having a capacitance value includes a current supply for supplying current to the measurement subject, and a comparator 50 which outputs a signal indicating poor connection when the poor connection is detected by comparing the voltage of the measurement subject 60 upon being supplied with current for a predetermined time period by the current supply, with the reference value.例文帳に追加

容量値をもつ測定対象の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定ブロック備えた絶縁抵抗測定回路において、測定対象に電流を供給する電流源と、この電流源で所定の時間測定対象に電流を供給したときの測定対象の電圧を基準値と比較することにより接続不良がある場合にはその旨の信号を出力するコンパレータとを備える。 - 特許庁

The timer circuit 57 once supplied with the electric power discharges the electric charges charged up in the capacitance element C1 to keep the 1st transistor Q3 on before the 1st transistor turns off, then measures a specific fixed time according to the output signal of the circuit block 54, and turns off the 1st transistor Q3 when detecting the circuit block 54 not in operation for the specific fixed time.例文帳に追加

タイマー回路５７は、電力が供給されると、容量素子Ｃ１にチャージアップされた電荷がディスチャージして第１のトランジスタＱ３がオフする前に、そのオンを保持するように制御し、その後、回路ブロック５４の出力信号に基づいて所定の一定時間を計測し、回路ブロック５４が所定の一定時間動作していないことを検出した場合に、第１のトランジスタＱ３をオフするよう制御する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a high drain breakdown voltage, small capacitance between a drain-source region and a gate electrode, and a high junction breakdown voltage of a channel stop and a source-drain region formed under a field oxide film, which are impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling the drain breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

By adjusting the bias across the junctions, the capacitance (67a and 67b) across the junctions can be reduced, reducing the capacitive coupling from the RF circuits to the substrate (42), improving the self-resonance frequency of inductors (48, 50) and reducing the coupling of unwanted signals and noise from the underlying substrate to the active elements and passive elements such as the capacitors and inductors.例文帳に追加

これらの接合部に加わるバイアスを調整することによって、これらの接合部に加わる容量（６７ａ及び６７ｂ）を減少させることができ、これにより、ＲＦ回路から基板（４２）への容量性結合を減らし、インダクタ（４８，５０）の自己共振周波数を向上させ、また下側の基板から能動素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号やノイズの結合を減少させる。 - 特許庁

A woven fabric 10 configured by including a plurality of conductive threads 11 is made freely extendable and contractable in one direction, an interval between the conductive threads 11 adjacent to each other changes due to the extension and contraction thereof, the adjacent conductive threads with each other are configured so as to maintain an insulation state, and edges of the respective adjacent conductive threads 11 are made a pair of electrodes 13 and 14 to measure capacitance.例文帳に追加

複数の導電糸１１を含んで構成された織物１０を一方向に伸縮自在にすると共に、その伸縮に伴って導電糸１１の隣接するもの同士の間隔が変化し、その隣接する導電糸同士間は絶縁状態が維持されるように構成され、隣接する各導電糸１１の端部が静電容量を測定するための一対の電極１３，１４とされている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a solid electrolytic capacitor where a dielectric oxide layer is set to an anode and a solid electrolyte layer is set to a cathode, a remaining heat in the range of 40-150°C is given to the capacitor element 1 where the solid electrolyte layer is formed by a hot plate 10, thus preventing electrical characteristics such as the decrease in capacitance and increase in equivalent series resistance(ESR).例文帳に追加

誘電体酸化皮膜を陽極とし、固体電解質層を陰極とした固体電解コンデンサの製造方法において、前記固体電解質層を形成したコンデンサ素子１に、ホットプレート１０により４０〜１５０℃の範囲から余熱を与えて、吸湿を抑制している間に組立てを行うことで、静電容量の減少と等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大等の電気的特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

A pixel located under an end of a CdTe single-crystal block 10 being the X-ray detection film is structured such that an upper pixel electrode 39, a pixel electrode 37 and a ground electrode 32 which are used for inputting charge to a pixel capacitance part 30 from the CdTe single-crystal block 10 are directly connected to one another through a hole formed by penetrating constituents sandwiched between the respective electrodes.例文帳に追加

Ｘ線検出膜であるＣｄＴｅ単結晶ブロック１０の端部の下に位置する画素において、ＣｄＴｅ単結晶ブロック１０から画素容量部３０に電荷を入力する上部画素電極３９および画素電極３７と接地電極３２とが、各電極の間に挟まれる構成物を貫通して設けられた穴を介して直接的に接続されるよう構成する。 - 特許庁

To change the capacitance with the change of a liquid surface level, the sensor is composed of a dielectric-covered electrode A composed of a rod-like conductor covered with a dielectric, a conductor electrode B for electric connection with a liquid under test, and an electrode fixing material C formed as a mounting structure on a tank top for electric insulation between the electrodes A, B and for mechanical holding of the electrodes.例文帳に追加

液面レベルの変化によって静電容量を変化させるために、棒状導体の表面を誘電体で被膜した誘電体被膜電極Ａと、被測定対象液と電気的に接続する導体電極Ｂと、誘電体被膜電極Ａ，導体電極Ｂ間の電気的絶縁と、電極の機械的保持およびタンク上部への取り付け用構造体としての電極固定材料Ｃで構成する。 - 特許庁

The resonant circuit comprises an insulating gate type semiconductor element comprising a collector terminal, an emitter terminal, and a gate terminal; a diode which is connected to the insulating gate semiconductor element back-to-back; an inductance connected in series to the insulating gate semiconductor element; a resonant capacitor which serially resonates with the inductance; and a means for changing a capacitor capacitance on the voltage applied parallel to the insulating gate semiconductor.例文帳に追加

本発明の共振回路は、コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子を有する絶縁ゲート型半導体素子と、絶縁ゲート半導体素子と逆並列に接続されるダイオードと、絶縁ゲート半導体素子と直列に接続されるインダクタンスと、インダクタンスと直列共振させる共振コンデンサと、絶縁ゲート半導体と並列に印加電圧によってコンデンサ容量が変化する手段を設けた。 - 特許庁

The driving signal generating apparatus includes a plurality of output lines, a voltage generating part which impresses different voltages to the output lines from each other, a switch attached to each output line, an inductance keeping one end connected to the switch, a capacitance connected to the other end of the inductance, and a control part which controls any of the switches to select one voltage among the different voltages.例文帳に追加

複数の出力線と、各前記出力線にそれぞれ異なる電圧を印加する電圧生成部と、各前記出力線に取り付けられたスイッチと、一端が各前記スイッチに接続されたインダクタンスと、前記インダクタンスの他端に接続されたキャパシタンスと、前記スイッチのいずれかを制御して前記異なる電圧のうちの１つの電圧を選択する制御部と、を備える駆動信号生成装置 - 特許庁

The capacitor silicon sensor comprises a glass plate 120 having an electrode 121 and a diaphragm 103 formed from a semiconductor material, attached to the glass plate 120, forming a gap 115 including at least a part of the electrode 121 and a capacitor element and passing an electrical signal through so as to determine electrostatic capacitance for indicating the pressure to be determined when the capacitor silicon sensor is used.例文帳に追加

電極１２１を有するガラス製のプレート１２０と、半導体材料から形成されており、前記ガラス基板１２０に接着されており、少なくとも電極１２１の一部を含んでいる空隙１１５を形作り、それ故に容量式要素を形作り、それを通して、使用に際しては、決定される圧力を示すための静電容量を決定するために電気的信号が通過する隔膜１０３とかなる。 - 特許庁

The noncontact voltage measuring device provided with a probe for measuring the noncontact voltage impressed on the insulated conductors, and the detection probe is provided with a stationary electrode and a movable electrode which is connected with the stationary electrode through a connection member, wherein the connection member is constituted such that it makes the stray capacitance among earths changing with the diameter of the conductor keep constant.例文帳に追加

絶縁被覆された導体に印加される電圧を非接触で測定するための検出プローブを有する非接触電圧測定装置において、 前記検出プローブは固定電極と、この固定電極に接続部材を介して電気的に接続された可動電極を備えており、前記接続部材は前記導体の径の大小に応じて変化するアース間の浮遊静電容量が一定となるように構成した。 - 特許庁

An AM radio antenna circuit having a ferrite bar loop antenna is provided with a DC route configured and located to transmit a tuning signal to a varactor while including a resonance structure forming a balanced antenna circuit, a varactor diode tuning structure for imparting controllable capacitance to a winding structure, and the winding structure coupled to the varactor, and a means for connecting the antenna circuit to an external detection integrated circuit.例文帳に追加

フェライト・バー・ループ・アンテナを有するＡＭ無線アンテナ回路は、平衡アンテナ回路を形成する共振構造と、制御可能な容量を前記巻線構造に与えるバラクタ・ダイオード同調構造と、バラクタに結合された巻線構造を含み、同調信号をバラクタに伝達するように構成され配置されたＤＣ経路と、アンテナ回路を外部の検波集積回路に接続する手段とを備えている。 - 特許庁

A doherty amplifier having a semi-fixed variable capacitor 153 in an output matching circuit 150 provided on an output side of a carrier amplifier 14 adjusts an impedance by changing a capacitance of the semi-fixed variable capacitor 153, and can adjust the impedance to an impedance which can obtain an optimum characteristic easily without changing a physical length of a microstrip line provided to an impedance converter 16.例文帳に追加

キャリア増幅器１４の出力側に設けられた出力整合回路１５０に、半固定可変コンデンサ１５３を備えたドハティ増幅器としており、半固定可変コンデンサ１５３の静電容量を変化させることによりインピーダンスを調整して、インピーダンス変換器１６に設けられているマイクロストリップラインの物理長を変化させることなく、容易に最適な特性が得られるインピーダンスに調整することができるものである。 - 特許庁

The surge absorbing material with the double functions has one property out of capacitance, inductance, voltage suppression, and a thermister, and includes a high resistance glass substrate and conductive particles or semiconductive particles with the low resistance of three kinds of a micron, a sub-micron and a nano meter that are uniformly distributed in the glass substrate so that a microscopic composite may have excellent surge absorbing properties.例文帳に追加

二重機能を有するサージ吸収材は、サージ吸収特性に加えキャパシタンス、インダクタンス、電圧抑制性、及びサーミスタ中の特性の内の１つを有し、微視的組成が、優れたサージ吸収特性を提供するために、高抵抗のガラス基板と、ガラス基板中で均一に分散されるミクロン、サブミクロン、及びナノメートルサイズの三種類の低抵抗の導電性粒子または半導電性粒子を含む。 - 特許庁

To provide a power converter circuit equipped with a rush current preventing circuit for regulating a charging current flown into a large capacitance aluminum electrolytic capacitor, etc., which is connected to a back stage of an input filter for ensuring its input conductive noise property, therefore applying the input power voltage, a high charging current flows into the capacitor composing the input filter because this rush current preventing circuit is inoperative.例文帳に追加

突入電流防止回路は、大容量のアルミ電解コンデンサ等への充電電流を制限するために設けられており、入力伝導ノイズ特性確保という理由により入力フィルタの後段に接続されていたので、この突入電流防止回路が動作しないことから、入力電源電圧突入時に入力フィルタを構成しているコンデンサに大きな充電電流が流れる。 - 特許庁

This electrostatic capacitance type moisture sensor is constituted to join two lines of detecting conductors 2a, 2b having the insulating coating film 3 formed by a chemical change electrically and mechanically to holding conductors 1a, 1b of the respective lines having the insulating coating film formed by the chemical change, and to join the detecting conductors to holding conductors of other lines via the insulating coating film.例文帳に追加

そこで、本発明では、化学変化により形成された絶縁被膜３を有する２系統の検出用導体２ａ，２ｂが、化学変化により形成された絶縁被膜を有する夫々の系統の保持用導体１ａ，１ｂに電気的及び機械的に接合されると共に、他系統の保持用導体に絶縁被膜を介して機械的に接合されている静電容量式水分センサを提案する。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

A tunable oscillator includes a first transistor, a second transistor connected in parallel with the first transistor, a noise feedback and bias network coupled to the first and the second transistors, a planar coupled resonator network coupled to the first and the second transistors, and a means for dynamically tuning the resonant frequency of the planar coupled resonator network and the junction capacitance of the first and the second transistors.例文帳に追加

第１のトランジスタと、第１のトランジスタと並列に接続された第２のトランジスタと、第１および第２のトランジスタに結合したノイズフィードバック・バイアス回路網と、第１および第２のトランジスタに結合した平面結合共振器回路網と、平面結合共振器回路網の共振周波数と第１および第２のトランジスタの接合静電容量を動的に調整するための手段とを備える。 - 特許庁

The capacitance medium is constituted of a conductive liquid 6 which is injected into the slit 41 blocked up by the electrode layers 2, 3 as a cavity 5 so as to occupy a part of its volume, and into which the common electrode 22 is dipped, and an insulating film 35 whose one surface is dipped in the conductive liquid 6 and the other surface is joined to the counter electrodes 32, 33.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにその容積の一部を占めるように注入されるとともに、共通電極２２が浸漬される導電性液体６と、一方の面が導電性液体６に浸漬されるとともに、他方の面が対向電極３２，３３に接合されている絶縁膜３５とにより、静電容量媒体が構成されている。 - 特許庁

To provide a mobile apparatus mounted with a crystal oscillator with a small consumed current comprising a crystal oscillation circuit and a crystal unit provided with a subminiature tuning-fork-shaped flexural mode quartz crystal resonator having a high stability at the frequency of fundamental mode vibration, a small equivalent series resistance R_1, a high quality factor Q, and a small capacitance ratio, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

基本波モード振動の周波数で高い周波数安定性を有し、等価直列抵抗Ｒ_１が小さく、品質係数Ｑ値が高く、しかも容量比の小さい超小型の音叉形状の屈曲水晶振動子を備えた水晶ユニットと水晶発振回路からなる消費電流の少ない、高安定な水晶発振器を搭載した携帯機器とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The devices comprise an oscillation circuit constitution part 11 constituting a Colpitts oscillation circuit together with a coil 21 as a connected object to be measured and a measuring arithmetic circuit 12 measuring an oscillation frequency of the Colpitts oscillation circuit and calculating the inductance value L1 of the coil 21 based on the measured oscillation frequency and individual capacitance values C1, C2 of capacitors 32, 33 in the oscillation circuit constitution part 11.例文帳に追加

接続された測定対象体としてのコイル２１と共にコルピッツ発振回路を構成する発振回路構成部１１と、このコルピッツ発振回路の発振周波数を測定すると共にこの測定した発振周波数および発振回路構成部１１におけるコンデンサ３２，３３のそれぞれの静電容量値Ｃ１，Ｃ２に基づいてコイル２１のインダクタンス値Ｌ１を演算する測定演算回路１２とを備えている。 - 特許庁

In the method of producing a porous resin sheet for a piezoelectric/pyroelectric element including a charging process where the inside of a bubble is charged by performing electron beam irradiation processing or corona discharge processing on a porous resin sheet, the charging process is performed in a state where a cover layer having a capacitance index X of 0.2 or higher is laminated on one or both surfaces of the porous resin sheet.例文帳に追加

多孔質樹脂シートに電子線照射処理又はコロナ放電処理を施すことにより気泡内部を帯電させる帯電処理工程を含む圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法であって、下記式にて表わされるキャパシタンス指標Ｘが０．２以上であるカバー層を多孔質樹脂シートの片面又は両面に積層した状態で前記帯電処理工程を行う。 - 特許庁

In the method for forming images by using a detecting means for the amount of a developer, which detects the residual amount of the developer in a developer housing part by the electrostatic capacitance, the developer used contains toner particles containing at least a binder resin, coloring agent and release agent.例文帳に追加

現像剤収納部の現像剤残量を、静電容量により検出する現像剤量検出手段を用いる画像形成方法において、少なくとも結着樹脂、着色剤、及び離型剤を含有するトナー粒子を有し、現像剤の重量平均粒径（Ｄ４）をＸ（μｍ）、現像剤の個数分布から求めた個数基準の粒径３．１７μｍ以下の該現像剤個数％をＹ（個数％）とした時、下記の条件を満足する現像剤を用いる。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator includes a Colpitts oscillation circuit to a transistor of which a series circuit comprising: a WAVE electrode SAW resonator resonated at a prescribed frequency; and a variable capacitance element for controlling the prescribed frequency on the basis of an external control voltage and an extension coil are connected, and the extension coil is connected in parallel with the WAVE electrode SAW resonator the resonance characteristic of which is enhanced.例文帳に追加

本発明の電圧制御型発振器は、所定の周波数で共振するＷＡＶＥ電極型ＳＡＷ共振子と外部からの制御電圧に基づいて所定の周波数を制御する可変容量素子との直列回路と、伸張コイルとをそれぞれトランジスタに接続したコルピッツ型の発振回路を備え、共振特性の改善が図られたＷＡＶＥ電極型のＳＡＷ共振子と並列に前記伸張コイルを接続する。 - 特許庁

A typical constitution is an electronic circuit device 100 that transmits signals from a driver 104 to a receiver 108 through a transmission path 106 via high-speed serial transmission, comprising: an inductor 112, an LC circuit 114, or an LCR circuit that constitutes a delay circuit with capacitance of an impedance mismatch point near the upstream side or the downstream side of the impedance mismatch point on the transmission path 106.例文帳に追加

本発明の代表的な構成は、高速シリアル伝送により伝送路１０６を通じてドライバ１０４からレシーバ１０８へ信号を伝達する電子回路装置１００であって、伝送路１０６上のインピーダンス不整合点の上流側または下流側の近傍に、このインピーダンス不整合点のキャパシタンスとの間で遅延回路を構成するインダクタ１１２、ＬＣ回路１１４またはＬＣＲ回路を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

In the capacitive sensor 1 for detecting a change in a capacitance value between the fixed electrode 9 and the movable electrode 6a corresponding to displacement of a movable electrode 6 by a physical quantity, a plurality of projections 20 made of polyimide provided at least at one of the fixed electrode 9 and the movable electrode 6a are provided at a periphery of a part S where the fixed electrode 9 and the movable electrode 6a overlap at least in a thickness direction.例文帳に追加

可動電極体６の変位に応じた固定電極９と可動電極６ａとの間の静電容量値の変化により物理量を検知する静電容量式センサ１において、固定電極９と可動電極６ａのうちの少なくともいずれか一方に設けたポリイミド製の複数の突起部２０を、少なくとも厚さ方向で固定電極９と可動電極６ａとが重なる部位Ｓの周辺部に設けた。 - 特許庁

A capacitive ultrasonic transducer device includes: a capacitive ultrasonic transducer (cMUT) obtained by processing a silicon substrate by using a silicon micromachining technique; and an oscillator circuit having the cMUT as a capacitor, and outputting a frequency modulation signal by modulating a frequency of an oscillation signal to be output on the basis of a change of capacitance of the cMUT.例文帳に追加

本発明にかかる静電容量型超音波トランスデューサ装置は、シリコンマイクロマシーニング技術を用いてシリコン基板を加工した静電容量型超音波トランスデューサ（ｃＭＵＴ）と、キャパシタとして前記ｃＭＵＴを構成要素とし、該ｃＭＵＴの静電容量の変化に基づいて、出力する発振信号の周波数を変調させて周波数変調信号を出力する発振回路と、を備えることにより、上記課題の解決を図る。 - 特許庁

In the signal detection apparatus detecting an atomic force acting between a probe and a sample and measuring the unevenness or electric characteristic of the sample surface from changes in signals, the probe is driven by an electrostatic force working between a plate electrode on the support base of the probe and another plate electrode provided oppositely to the former electrode on the probe and the displacement of the probe is detected from changes in electrostatic capacitance between the electrodes.例文帳に追加

プローブと試料との間に働く原子間力を検出し、それらの信号の変化から該試料表面の凹凸あるいは電気特性を測定する信号検出装置において、前記プローブを、該プローブの支持基板上の平板電極と、それに対向して設けられた該プローブ上の平板電極との間に働く静電力によって駆動し、該電極間の静電容量の変化から、前記プローブの変位を検出するように構成する。 - 特許庁

In the electrochemical capacitor, a nonaqueous electrolytic solution and a pair of polarized electrodes are used, a carbon nanotube is used as an electrode material for at least one of a positive electrode and a negative electrode, the carbon nanotube has a specific surface area of 700 m^2/g or larger, a semiconductor carbon nanotube is included, and the electrode material is dependent upon the potential of a differential capacitance formed by electrochemical doping.例文帳に追加

この出願の発明の電気化学キャパシタは、非水系電解液と一対の分極性電極を用いたものであり、カーボンナノチューブを正極及び負極の少なくとも一方の電極材料として用い、前記カーボンナノチューブは比表面積が７００ｍ^２／ｇ以上であり、半導体性カーボンナノチューブを含有し、前記電極材料は電気化学ドーピングによる微分容量の電位依存性を示すものであることを特徴とする。 - 特許庁

The antenna device comprises an antenna 11, a variable capacitor 12 arranged closely to the antenna 11 and connected in series or parallel to the antenna 11 to form a resonance circuit, a tuning voltage supply terminal 14 for supplying a tuning voltage to vary the electrostatic capacitance of the variable capacitor 12, and an output/input terminal 16 that outputs/inputs power from/to the resonance circuit.例文帳に追加

アンテナ１１と、このアンテナ１１に近接して配置されるとともにこのアンテナ１１と直列或いは並列接続して共振回路を形成する可変容量コンデンサ１２と、この可変容量コンデンサ１２の静電容量を可変すべく同調電圧を供給する同調電圧供給端子１４と、共振回路からの電力の取り出し或いは電力の供給をする入出力端子１６とを有するものである。 - 特許庁

The area of a PN junction defined by the anode region 4 and the epitaxial layer 2 is increased in the depth direction along the inner wall of the trench in order to sustain the capacitance thus reducing the chip size.例文帳に追加

半導体基板１上に成長された同導電型のエピタキシャル層２上面に設けた多数個のトレンチ３と、前記エピタキシャル層２上面と前記トレンチ３の側面および底面に形成された逆導電型で低不純物濃度のアノード領域４とを備え、該アノード領域４と前記エピタキシャル層２で形成されるＰＮ接合領域の面積を前記トレンチ内壁に沿って深さ方向に増大させて容量値を維持してチップを小型化することを可能にした。 - 特許庁

A capacitance type touch panel device includes: a plurality of detecting period setting means 18 to 20; and an electrode range setting means 21, and detects a touch input by setting the detection periods of electrodes 3 and 4 within a distance range predetermined with the electrodes 3 and 4 which have detected the touch input as a reference larger than the detection period before the touch input is detected.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明の静電容量方式タッチパネル装置は、複数の検出期間設定手段１８〜２０と、電極範囲設定手段２１とから構成され、タッチ入力を検出した電極３，４を基準にして予め決められた距離範囲にある電極３，４における検出期間を、タッチ入力を検出する前の検出期間よりも大きく設定して検出することを特徴とする。 - 特許庁