「crystal pulling method」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pulling method capable of improving a yield of the single crystal by preventing dislocations when a single crystal is grown, in the case that a regenerated quartz crucible subjected to a regeneration treatment is used for pulling the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げに再生処理を施した再生石英ルツボを使用するに際し、単結晶育成時における有転位化を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得る引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus in which pulling of a single crystal can be suitably restarted even in the case that upward stress acts on an inner crucible when the single crystal is manufactured by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に内坩堝に上方向の応力が作用した場合であっても好適に単結晶の引上げを再開することができる単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling oxygen concentration in a silicon single crystal when pulling up the crystal from silicon molten liquid by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン溶融液からシリコン単結晶を引き上げる際に適用される、結晶中の酸素濃度制御方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

APPARATUS FOR PULLING SINGLE CRYSTAL SILICON, AND METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING CONTAMINATION OF SILICON MELT例文帳に追加

単結晶シリコン引き上げ装置、シリコン融液の汚染防止方法及びシリコン融液の汚染防止装置 - 特許庁

To facilitate improvement in efficiency of pulling work by reducing the damage and degassing of a crucible member in pulling and growing a silicon single crystal by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げ育成において、ルツボ部材の損傷および脱ガスを低減させ、引上げ作業効率の向上を容易にする。 - 特許庁

According to a method for pulling the single crystal 16 using this pulling apparatus, handling of the crucible 1 and parts composed of the apparatus, which is necessary every when finishing the pulling, can be carried out without any problem when pulling the silicon single crystal 16 having a large diameter of 450 mm.例文帳に追加

この引上げ装置を用いた単結晶１６の引上げ方法によれば、直径４５０ｍｍの大口径のシリコン単結晶１６の引き上げに際し、引き上げ終了毎に行われるルツボ１や装置構成パーツのハンドリングを支障なく実施することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal employing a single crystal pulling method (LEC method) using a liquid encapsulant, by which the occurrence of the lamella of a crystal can be prevented with high reproducibility.例文帳に追加

液体封止材を用いた単結晶引上法（ＬＥＣ法）において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the oxide single crystal is provided by melting the raw material of the oxide single crystal in a crucible 7, bringing a seed crystal 15 in contact with the molten material 8 and pulling down the seed crystal 15 for pulling down the molten material from the opening 13c of the crucible 7 to grow the oxide single crystal 31.例文帳に追加

酸化物単結晶の原料をルツボ７内で溶融させ、溶融物８に対して種結晶１５を接触させ、種結晶１５を引き下げて溶融物をルツボ７の開口１３ｃから引下げることによって酸化物単結晶３１を育成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor single crystal in which the optimal pulling condition can be simply obtained in a semiconductor single crystal pulling by a CZ method, and the equalization of a crystal characteristic is attained in not only the inside of a single crystal ingot but also in between the ingots.例文帳に追加

ＣＺ法による半導体単結晶引上げにおいて、最適な引上げ条件を簡便に求めることができ、単結晶インゴット内のみならず、各インゴット間においても、結晶特性の均一化を図ることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon single crystal, by which excellent production efficiency is achieved in pulling a silicon single crystal having a large diameter and the crystal quality is made stable.例文帳に追加

大口径のシリコン単結晶の引上げにおける生産効率に優れ、結晶品質を安定させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor single crystal pulling apparatus in which the pulling speed is increased by improving the cooling efficiency of the pulled single crystal without complicating the apparatus configuration and moreover, a high-quality single crystal can be efficiently manufactured in the case of pulling a semiconductor single crystal such as silicon by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン等の半導体単結晶引上げにおいて、装置構成を複雑化することなく、引上げる単結晶の冷却効率を向上させることにより、引上速度を向上させ、ひいては、高品質の単結晶を効率よく製造することができる半導体単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus for pulling a single crystal from a crucible by a Czochralski method while applying a magnetic field to a silicon melt in the crucible, the apparatus easily providing a silicon single crystal containing oxygen in high concentration.例文帳に追加

ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the melt 13 contains Ca in addition and a seed crystal grown by a micro pulling down method is used as the seed crystal 10.例文帳に追加

好ましくは、融液１３が更にＣａを含んでおり、また、種結晶１０としてマイクロ引き下げ法によって育成されたものを用いる。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus which can efficiently and easily rotate an inner crucible when a single crystal is pulled by a floating crucible method.例文帳に追加

浮遊坩堝法で単結晶体を引き上げる際に、内坩堝を効率的かつ簡便に回転できる単結晶引き上げ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dust removing apparatus and a method for a single crystal pulling apparatus capable of preventing the dust in a chamber from scattering outside during overhaul or the like of the single crystal pulling apparatus.例文帳に追加

単結晶引上装置の解体清掃時等にチャンバ内の粉塵が外部に飛散するのを抑制することができる単結晶引上装置の粉塵除去装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a graphite crucible for single crystal pulling devices allowing prolongation of the service lifetime and its manufacturing method.例文帳に追加

長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法 - 特許庁

APPARATUS FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL, GRAPHITE MEMBER USED THEREFOR AND METHOD FOR PREVENTING DEGRADATION OF GRAPHITE MEMBER例文帳に追加

シリコン単結晶引上げ装置及び該装置に使用される黒鉛部材並びに黒鉛部材の劣化防止方法 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling method, with which the diameter of a silicon single crystal is correctly controlled, and thus the silicon single crystal of high quality in which crystal defects are reduced can be obtained.例文帳に追加

シリコン単結晶の直径を正確に制御することによって、結晶欠陥の少ない高品質なシリコン単結晶を得ることが可能なシリコン単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁

The method includes storing a silicon melt 15 in a crucible 13 housed in a chamber 12, dipping a seed crystal 25 in the silicon melt 15, and pulling a silicon single crystal 11 while rotating the seed crystal, the silicon single crystal 11 free from formation of COP (Crystal Originated Particle) and dislocation clusters.例文帳に追加

チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２５を浸漬して回転させながらＣＯＰ（Crystal Originated Particle）及び転位クラスタを形成させないシリコン単結晶１１を引上げる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality sapphire single crystal, in which the occurrence of crystal defects such as fine dispersed inclusions and bubbly inclusions is suppressed, by a pulling method.例文帳に追加

微小な散乱介在物、及び、気泡介在物などの結晶欠陥を抑制した高品質のサファイア単結晶を引き上げ法で製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide the as-grown single crystal of calcium fluoride having a large diameter and small birefringence manufactured by a single crystal pulling method (Czochralski method).例文帳に追加

本発明は、大径で複屈折が小さな、単結晶引き上げ法（チョクラルスキー法）によって製造されたフッ化カルシウムのアズグロウン単結晶体を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a defect analysis method of a silicon single crystal, by which distribution of crystal defects in a silicon single crystal can be easily analyzed even in pulling a silicon single crystal by MCZ (Magnetic Czochralski) method in which a magnetic field is applied in a horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に磁場を印加するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げにおいても、シリコン単結晶の結晶欠陥の分布を容易に解析することが可能なシリコン単結晶の欠陥解析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which is capable of stably pulling a single crystal which is completely dislocation-free and good-shaped.例文帳に追加

完全無転位で且つ形状の良い結晶を有する単結晶を安定的に引上げることができる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for pulling a silicon single crystal, by which the variation in the resistivity distribution along the length direction of the crystal is suppressed.例文帳に追加

結晶の長さ方向に沿った抵抗率分布のばらつきを抑制することのできるシリコン単結晶の引上装置及び引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

This production method of a silicon single crystal is optimal for pulling a silicon single crystal having a diameter as large as 300 mm or more.例文帳に追加

このシリコン単結晶の製造方法は、直径が３００ｍｍ以上となる大口径のシリコン単結晶の引上げに最適な方法である。 - 特許庁

When the beta-barium borate (hereinafter simply referred to as BBO) single crystal 3 is produced by a pulling method, a BBO seed crystal 1 is pulled from a melted liquid 2.例文帳に追加

ベータバリウムボレイト（以下、単にＢＢＯと称する。）単結晶３を引き上げ法によって製造するときに、融解液２からＢＢＯ種結晶１引き上げる。 - 特許庁

The seed chuck holds a seed crystal upon pulling up a single crystal in a single crystal pulling device by Czochralski method, wherein the material of the seed chuck has a coefficient of thermal expansion in a range within ±25% to/from the coefficient of thermal expansion of the single crystal to be pulled.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置で単結晶を引き上げる際に種結晶を保持するシードチャックであって、シードチャックの材質の熱膨張係数が、引き上げる単結晶の熱膨張係数±２５％の範囲内のものである単結晶引き上げ装置のシードチャック。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal capable of making a cooling body function effectively with respect to a trend toward an increasingly higher pulling up speed in pulling up a single crystal by a CZ (Czochralski) method by using the cooling body and further capable of effectively preventing the crack of the single crystal due to excessive cooling of the single crystal.例文帳に追加

冷却体を用いたＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ速度の高速化に対して冷却体を有効に機能させ、且つ、単結晶の過度の冷却による単結晶の割れを効果的に防止できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently producing a bulk single crystal by a liquid phase epitaxial method for bringing a seed crystal into contact with the melt of a single-crystal raw material heated in a crucible and pulling up the seed crystal from the melt to grow a single crystal.例文帳に追加

坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。 - 特許庁

EXPANSIBLE GRAPHITE SHEET, PROTECTION METHOD FOR CARBONACEOUS CRUCIBLE USING THE SAME, AND SINGLE CRYSTAL PULLING SYSTEM例文帳に追加

膨張黒鉛シート及びこの膨張黒鉛シートを用いた炭素質ルツボの保護方法並びに単結晶引き上げ装置 - 特許庁

The single crystal pulling device is mounted with a reflection plate consisting of a high reflectivity member and whose section is a concave shape and a ring shape at the inside of the radiation shield used for pulling the single crystal in a Czockralski method.例文帳に追加

本シリコン単結晶引上装置は、チョクラルスキー法による単結晶の引上げに用いられる輻射シールドの内側に、高反射率部材からなり断面が凹状でリング形状の反射板が取付けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short time at a high yield by controlling the ratio V/G by controlling change of the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに結晶引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に、かつ高い歩留まりで製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, in which the single crystal having a desired defect area can be efficiently manufactured in a short period of time by controlling the ratio V/G by controlling a change in the crystal temperature gradient G during pulling the single crystal without reducing the pulling speed V when the single crystal is grown by a Czochralski (CZ) method.例文帳に追加

ＣＺ法により単結晶を育成する際に、引上げ速度Ｖを低速化させずに引上げ中の結晶温度勾配Ｇの変化を制御することによりＶ／Ｇを制御して、所望の欠陥領域を有する単結晶を短時間で効率的に製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a single crystal which is capable of automatically aligning precisely a crystal axis and a crucible axis, suppressing swinging of a growing single crystal and manufacturing a single crystal with high productivity.例文帳に追加

自動的に結晶軸とルツボ軸の軸芯出しを精度よく行うことができ、育成中の単結晶の振れを抑制することができ、生産性よく単結晶を製造できる単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus capable of discharging carbon-containing gas generated from a carbon crucible efficiently to the outside of a furnace without complicating the apparatus, and pulling a silicon single crystal having a low carbon concentration without increasing manufacturing cost, and to provide a pulling method of the silicon single crystal using the apparatus.例文帳に追加

装置が煩雑化することなく、カーボンルツボから発生した炭素含有ガスを効率よく炉体外に排出することができ、製造コストの増加を招くことがなく、低炭素濃度のシリコン単結晶を引上げることができるシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for determining the temperature of a single crystal under pulling, a means therefor and a method of single crystal growth using these techniques, each intended to stably produce a high-quality silicon single crystal with grown-in defects diminished to a minimum by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法にてGrown-in欠陥をできるだけ少なくした、高品質シリコン単結晶を安定して製造するための、引き上げ中単結晶の温度計測方法、計測手段およびそれらを用いた育成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which does not give a heavy load to an apparatus even when a material charge into a crucible is excessive, can suppress the occurrence of dislocation, and can improve the yield and productivity, in the method for manufacturing a single crystal by using a single crystal pulling apparatus for pulling the single crystal from a crucible by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To heighten the probability of being free from introduction of dislocation into a seed crystal in a method for producing a single crystal, which comprises gradually immersing the seed crystal free from the dislocation into a silicon melt and pulling up the single crystal when the diameter of the seed crystal becomes a prescribed size.例文帳に追加

無転位種結晶をシリコン融液中に徐々に浸漬させていき、種結晶の径が所定の大きさになった時点で引き上げて単結晶を製造する方法において、種結晶に転位が導入されない確率を高める。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing the single crystal is equipped with the pulling furnace main body 10 for pulling the single crystal from a melt in a crucible 11 by a Czochralski method and a magnetic field application apparatus 20 for applying a magnetic field to the melt in the crucible 11 from the outside of the pulling furnace main body 10.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりルツボ１１内の融液から単結晶を引上げる引上炉本体１０と、この引上炉本体１０の外側からルツボ１１内の融液に対して磁場を印加する磁場印加装置２０とを備えてなる単結晶製造装置である。 - 特許庁

To provide a method for optimizing a horizontal magnetic field in pulling up a silicon single crystal, which enables a suitable setting of a magnetic field in a silicon melt, and a method for manufacturing a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン融液中の磁場の適切な設定を可能にするシリコン単結晶引上げ水平磁場の最適化方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method capable of stably forming a shoulder and efficiently pulling a silicon single crystal by adjusting a furnace internal pressure according to the processes of pulling.例文帳に追加

引上げ過程に応じて炉内圧力を調整することにより、安定して肩部の形成を行い、効率的にシリコン単結晶を引上げることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a GaAs single crystal for improving the yield of the acquisition number of wafers, by appropriately controlling the rotation number of a crucible and the pulling speed of a pulling shaft.例文帳に追加

ルツボの回転数と引上軸の引上速度とを適切に制御することにより、ウエハ取得枚数の歩留の向上を図ったＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pulling method for a single crystal high in single crystallization rate, productivity and favorable in use efficiency of raw material silicon.例文帳に追加

単結晶化率がよく、生産性がよく、かつ、原料シリコンの利用効率のよい単結晶引上げ方法を提供する。 - 特許庁

A high purity silicon single crystal can be grown by melting the purification source material and pulling again by the Czochralski method.例文帳に追加

前記精製原料を溶融して、再度チョクラルスキー法による引き上げを行い、高純度のシリコン単結晶を育成できる。 - 特許庁