「crystal pulling method」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for producing a silicon single crystal by Czochralski method, the silicon single crystal is pulled in a tail growing step by controlling the furnace inner pressure of a pulling device to be in the range from 0.5 to 0.8 times as the pressure when a step of growing a straight body portion is finished.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、テール部育成工程における引き上げ装置の炉内圧を直胴部育成工程終了時の０．５から０．８倍の範囲に下げてシリコン単結晶の引き上げを行う。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal.例文帳に追加

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The single crystal pulling-up method is characterized in that the above raw material crystal is used, and a melting operation is performed while sinking a non-melted remaining crystals in a solid state into a melted liquid so as to reduce the area of crystal portion exposed above the surface of the melted liquid.例文帳に追加

融け残っている固体状態の結晶塊の融液から露出した部分の面積を減らすように前記融け残った結晶を前記融液中に沈み込ませながら溶融を行うことを特徴とする単結晶引き上げ方法である。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a silicon single crystal pulling apparatus, wherein a Chokralsky method is used and active silicon oxide adhering to the inside of a furnace and an exhaust pipe during pulling a silicon single crystal containing a dopant added at a high concentration and having a low resistivity is efficiently removed by oxidation combustion before disassembling and cleaning the apparatus.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paramagnetic garnet crystal which is easily produced in high yield by a rotation pulling method, contains terbium and has excellent optical properties and crystallinity, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

回転引き上げ法によって容易に歩留り良く製造することができ、光特性や結晶性に優れたテルビウムを含有する常磁性ガーネット結晶とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加

化合物半導体単結晶９を引き上げ育成する初期段階で、原料融液４である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ５の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

In the method for pulling a silicon single crystal, in order to control the V/G value with high accuracy, the distance Δt between the melt surface 13a of the silicon melt 13 and the heat shielding member 17 that is disposed so as to oppose to and to partially cover this melt surface 13a is continuously measured while pulling (growing) the silicon single crystal 15.例文帳に追加

本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 - 特許庁

This single crystal pulling-up method is characterized in that the time required for passing the temperature region of 1,150-1,050°C is regulated to more than 50 min and/or that of 1,050-950°C is regulated to less than 40 min in a process for pulling up the single crystal while growing from a nitrogen- doped silicon raw material melted liquid.例文帳に追加

(1) 窒素がドープされたシリコン原料融液から単結晶を成長させながら引上げる方法であって、前記単結晶の引上げ過程で1150〜1050℃の温度領域の通過時間を50分以上、または／および1050〜 950℃の温度領域の通過時間を40分以下とすることを特徴とする単結晶の引上げ方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of reducing crystal defects such as COPs when manufacturing silicon single crystals without lowering cooling power of a cooling body, and preventing generation of cracks or fractures from occurring even when dislocations occur in the silicon single crystal, and an apparatus for pulling a silicon single crystal for use for the method.例文帳に追加

冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるＣＯＰ等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。 - 特許庁

In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed.例文帳に追加

エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース（ＥＦＧ）法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり３０４の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板１３０を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にＣｕデポジション欠陥が検出されないＮ領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Ｆのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal having desired resistivity, to which a sublimable dopant is reliably added, can be grown without depending on the duration of time until a first half of a straight body part of the silicon single crystal is formed.例文帳に追加

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus growing a silicon single crystal having desired resistivity to which a sublimable dopant is reliably added at high concentration without depending on a time period until a first half of a cylindrical portion of the silicon single crystal is formed, and to provide a method for producing a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring leakage of silicon melt, and detecting touch of a seed crystal, and in addition, attaining reinforcement of a quartz glass crucible to be endurable during pulling for a long time, and decrease of impurity concentration of a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a process of pulling up single crystal from molten liquid of a semiconductor material while supplying a doping material gas to the semiconductor material and a process of separating the semiconductor wafer doped with nitrogen from the pulled-up single crystal.例文帳に追加

該方法は、半導体材料の溶融物から単結晶の引上げる工程、その際ドーピング物質ガスを半導体材料に供給する、及び引上げた単結晶から窒素をドープした半導体ウェハを分離する工程を含む。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing single crystal ingot equipped with a cooler for cooling ingot during single crystal pulling, where the tail part can be formed without elevating temperature by additionally heating the crucible.例文帳に追加

単結晶引上げ中インゴットを冷却するためのクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、ルツボを余分に加熱して温度を上げることなしにテール部を形成することができる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal using the pulling device, which prevents variation in addition amount of a dopant due to sublimation of the dopant during addition or flipping on a liquid surface of a silicon melt, prevents blow-off of the silicon melt upon blowing a gas to the silicon melt, and allows addition of a dopant even during growing a silicon single crystal.例文帳に追加

ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a means which controls the variation of the amount of zinc in a melt for growing a zinc-added GaP single crystal by preventing the volatilization of Zn by evaporation in manufacturing the zinc-added GaP single crystal by a liquid encapsulated pulling method (LEC method).例文帳に追加

液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）によるＺｎ添加ＧａＰ単結晶の製造において、Ｚｎの蒸発による揮散を防止して、Ｚｎ添加ＧａＰ単結晶成長用融液におけるＺｎ量のばらつきを抑制する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a method stably producing a nondefective silicon single crystal with good reproduction by a simple method and clearing the relation between the amount of variation caused when the capability for cooling a silicon single crystal by a cooler is changed and the amount of correction of other pulling conditions.例文帳に追加

クーラによってシリコン単結晶を冷却する能力が変化したときの変化量と、他の引上げ条件の修正量との関係を明らかにし、簡単な方法で再現よく無欠陥のシリコン単結晶を安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal having good controllability of the outer diameter while efficiently utilizing the raw material by stably maintaining the temperature controlling accuracy of the melt from the beginning of the growth to the finishing of the growth when growing the crystal by a pulling method.例文帳に追加

引上げ法により結晶を成長させる際に、成長初期から成長完了までに亘って、融液の温度制御精度を安定に保ち、原料を無駄なく活用しつつ、外径の制御性の良い結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus, wherein the increase of the apparatus manufacturing cost is suppressed and a single crystal almost free from crystal defects is obtained by easily forming thermal environments being high in degree of freedom according to the kinds or sections of single crystals to be grown, and a method for controlling the same.例文帳に追加

装置製造コストの増大を抑制し、育成する単結晶の種類や部位に応じた自由度の高い熱環境を容易に形成することにより、結晶欠陥の少ない単結晶を得ることのできる単結晶引上装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a unidirectional solidified silicon ingot C has a process for dipping a polycrystalline silicon seed crystal S into a silicon molten liquid L stored in a crucible 1 and pulling up the silicon ingot with the seed crystal, wherein the seed crystal is planar.例文帳に追加

一方向凝固させたシリコンインゴットＣを作製する方法であって、ルツボ１内に貯留させたシリコン融液Ｌに多結晶シリコンの種結晶Ｓを浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状である。 - 特許庁

To produce the as-grown single crystal of an alkaline earth metal fluoride such as calcium fluoride and the like having sufficiently small transmittance with visible light, having no cloudiness at a peripheral wall surface when the single crystal having a diameter at its cylindrical body of 17 cm or more is produced by a single crystal pulling method.例文帳に追加

単結晶引き上げ法によって製造され、直胴部の直径が１７ｃｍ以上のフッ化カルシウム等のフッ化アルカリ土類金属のアズグロウン単結晶体において、周壁表面が白濁しておらず、可視光の透過率が十分に小さいものを製造すること。 - 特許庁

To provide a C/C member suitable as a member used at a high temperature, e.g. a supporting crucible for a quartz crucible, a heater, a shielding plate or the like, which is incorporated in a single crystal pulling device based on a CZ-method.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶引上げ装置に使用される、例えば石英ルツボの支持ルツボやヒータ、遮蔽板などの高温部材として好適なＣ／Ｃ部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a CZ method base single crystal pulling-up equipment provided, with a cooler and a heat shield in a furnace, and capable of smoothly performing additional charge and recharge of raw materials.例文帳に追加

ＣＺ炉内にクーラー及び熱遮蔽体を備えると同時に、特に原料の追いチャージやリチャージの動作を円滑に行うことができるＣＺ法単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

A sapphire single crystal can be produced by filling a crucible with spherical α-alumina obtained by the production method, melting the α-alumina by heating, and crystallizing the resultant melt under pulling.例文帳に追加

本発明の製造方法により得た球状αアルミナを坩堝に充填し、加熱溶融したのち、溶融物を引き上げながら結晶化させてサファイア単結晶を製造できる。 - 特許庁

This method is optimal upon pulling a silicon single crystal having a diameter of 450 mm by using a quartz crucible in a size of 36 inches (914 mm) to 44 inches (1,118 mm).例文帳に追加

この製造方法は、直径が４５０ｍｍのシリコン単結晶を３６インチ（９１４ｍｍ）〜４４インチ（１１１８ｍｍ）の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。 - 特許庁

To provide a mass-producing method for a suitable oxide or fluoride single crystal being hardly changing composition and where yield at the production of a higher harmonic wave-generating element by a micro pulling-down method can be increased.例文帳に追加

マイクロ引き下げ法により、組成変動が少なく、高周波発生素子製造の際の歩留りを高くできる好適な酸化物あるいはフッ化物単結晶を量産可能とする製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for suppressing the adhesion of a black substance to the surface of a seed crystal which often occurs when a metal fluoride single crystal is produced by the Czochralski method, avoiding a phenomenon that a single crystal sheds a raw material molten liquid, and thereby improving a probability that contact of a seed crystal to a raw material molten liquid is successful at one time when pulling up is started.例文帳に追加

チョクラルスキー法でフッ化金属単結晶体を製造する際にしばしば生じる、種結晶体表面への黒色物質の付着を抑制し、種結晶体が原料溶融液を弾いてしまう現象を回避し、もって引上げ開始時の種結晶体と原料溶融液との接触が一回で成功する確率を高くする方法を提供する。 - 特許庁

In this method, a ring made of the same material with a crucible is set on the upper end of the crucible, and the location of a work coil relative to the crucible is varied during pulling and cooling of the cone part of the crystal, in the manufacturing method of a rare earth silicate single crystal ingot by Czochralski process by radio-frequency induction heating.例文帳に追加

高周波誘導加熱によるチョクラルスキー法による希土類珪酸塩単結晶インゴットの製造方法において、ルツボ上端にルツボと同じ材質でできたリングを設置し、該結晶のコーン部の引上げ時と冷却時において、ルツボに対するワークコイル位置を変化させる。 - 特許庁

In the method, mixing of CO into a sealant melt is accelerated by supplying CO gas into a high pressure pulling furnace 11, then rotating an accommodated liquid raw material and a liquid sealant by rotating a crucible 12 and agitating the sealant melt by an agitation tool 21 before pulling the GaAs single crystal after a crystal raw material has been melted.例文帳に追加

結晶原料が融解した後、ＧａＡｓ単結晶を引き上げる前に、高圧引上げ炉１１内にＣ０ガスを供給し、るつぼ１２を回転することにより収容された液体原料と液体封止剤とを回転させ、攪拌治具２１によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するＣＯの混入を促進する。 - 特許庁

In a method of producing the fluoride single crystal such as a calcium fluoride single crystal, comprising growing the single crystal from a melt of a fluoride raw material by the pulling method, solid impurities floating on the surface of the melt of the fluoride raw material are removed by scooping-up, or the like, with a removing member provided in a chamber.例文帳に追加

原料フッ化物の溶融液から、引き上げ法により単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、該原料フッ化物の溶融液表面に浮遊する固体不純物を、チャンバー内に設けた除去部材により掬い取る等して除去することを特徴とするフッ化カルシウム等のフッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a C/C crucible for pulling an Si single crystal, which is produced by a simple method at a low cost and has excellent corrosion resistance to gaseous SiO and high durability, and to provide methods of producing and repairing the same.例文帳に追加

簡便な方法により低コストで、ＳｉＯガスに対する耐蝕性に優れ、耐久性の高いＳｉ単結晶引き上げ用のＣ／Ｃルツボ、その製造方法、および補修方法を提供する。 - 特許庁

This carbonaceous crucible for pulling up the single crystal comprises a C/C(carbon fiber-reinforced carbon material) substrate-SiC composite product prepared by filling 35-50 vol.% of the total pore volume of the C/C substrate with the SiC deposited by CVI method.例文帳に追加

Ｃ／Ｃ基材の全気孔容積の３５〜５０ vol％がＣＶＩ法により析出したＳｉＣで充填されたＣ／Ｃ材とＳｉＣの複合体からなる単結晶引き上げ用炭素質ルツボ。 - 特許庁

(3) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicon single crystal wafer which is doped with nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3 and is grown with a pulling-up velocity of ≥1.2 mm/min.例文帳に追加

(3) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3以下の濃度でドープされ、引き上げ速度が1.2mm/min以上の条件で育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a quartz glass crucible used for pulling a silicon single crystal, which is superior in erosion resistance during use for a long time at a high temperature and is hardly deformed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

シリコン単結晶の引き上げに使用される石英ガラスルツボであって、高温、長時間での使用に対する耐熔損性にすぐれ、かつ変形しにくい石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silica glass crucible for pulling up a silicon single crystal which can stably suppress the surface vibration of silicon melt with which the crucible is filled and has long life, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

内部に充填したシリコン融液の湯面振動を安定して抑制することができ、かつ長寿命のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal, which includes a melting process for a silicon melt, by which a homogeneous silicon melt can be stably and surely formed without causing deformation or deterioration of a crucible.例文帳に追加

ルツボの変形や劣化を引き起こすことなく、安定して均一なシリコン融液を確実に形成することが可能なシリコン融液の溶融工程を有するシリコン単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling device and a method in which a means for avoiding hazard associated with damages in a cooling piping system is improved by improving the configuration of the cooling piping system constituting a cooler.例文帳に追加

クーラーを構成する冷却配管系の構成を改善することにより、冷却配管系の破損に伴う危険を回避する手段を改善した単結晶引上げ装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into the silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, silicon polycrystal is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

Further the method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, a silicon multicrystal rod is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

および、シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶棒を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal consists of setting a cylindrical heater 5 around a crucible 3 containing raw materials; heating the crucible 3 by the heater 3 to melt the materials in the crucible 3; bringing a seed crystal 2 into contact with a melt 6 of the materials, and gradually pulling the seed to grow a single crystal 10.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、原料を入れたるつぼ３の周囲に筒状のヒータ５を配置し、ヒータ５によりるつぼ３を加熱して内部の原料を融解し、融解した原料融液６に種結晶２を接触させてこれを徐々に引上げることにより単結晶１０を育成する。 - 特許庁

The method and apparatus for growing a semiconductor crystal include steps of pulling the semiconductor crystal from melt at a predetermined pull speed and modulating the pull speed by combining a periodic pull speed with an average speed.例文帳に追加

半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。 - 特許庁