「cu 4」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This high carbon steel sheet excellent in surface properties is the one contg., by weight, 0.3 to 1.3% C, ≥0.1% Si, 0.02 to 0.1% Ni, 0.02 to 0.1% Sn and 0.02 to 0.3$ Cu and also satisfying the relational inequality of Cu+3×Sn<4×Ni.例文帳に追加

重量％で、 C:0.3〜1.3%,Si:0.1%以上,Ni:0.02〜0.1%,Sn:0.02〜0.1%,Cu:0.02〜0.3%を含有し、かつ、Cu＋ 3×Sn＜ 4×Niの関係式を満足することを特徴とする表面性状に優れた高炭素鋼板。 - 特許庁

The steel can comprise ≤0.5% V, or ≤0.1% Al, or one or two kinds selected from ≤4% Mo and ≤4% Cu.例文帳に追加

さらに、上記成分に加え、本発明では、Vを0.5％以下、もしくはAlを0.1％以下、もしくはMo：4％以下、Cu：4％以下のいずれか１種または２種を含有することができる。 - 特許庁

A Cu film 4 is laminated on the alloy film 3 (insulating film 1) so that the Cu film 4 fills the wiring groove 2 after covering of the alloy film 3.例文帳に追加

この合金膜３の被着後、合金膜３（絶縁膜１）上に、Ｃｕ膜４が配線溝２を埋め尽くすように積層される。 - 特許庁

The thickness of the Sn layer 4 formed on the surface of Cu-Sn intermetallic compound layer is ≥0.3 μm and ≤0.8 μm.例文帳に追加

また、Cu-Sn金属間化合物層の表面に形成するSn層４の膜厚は0.3μｍ以上0.8μｍである。 - 特許庁

It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.例文帳に追加

金属膜４は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁

Cu ions in the chemical 4 are exchanged with Al of the metal plate 5 and Cu is deposited on a surface of the metal plate 5, so that the Cu ions in the chemical are removed.例文帳に追加

薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。 - 特許庁

In the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, the Cu film 3 or the Ag film 4 is formed by electroplating.例文帳に追加

そして、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程では、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を電解めっきによって形成している。 - 特許庁

An Ni plating is applied to the base metal of the metal strip, then a Sn-(1-4 mass%)Cu plating containing no brightener is applied onto it.例文帳に追加

金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上に光沢剤を含まないSn-(1〜4mass%)Cuめっきを施す。 - 特許庁

In the laminated material 1, a Cu plate 2 comprising Cu or Cu alloy is joined with one side surface 4a of the ceramic plate 4, and an Al plate 3 comprising Al or Al alloy is joined with the other side surface 4a of the ceramic plate 4, each by a discharge plasma sintering method.例文帳に追加

積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 - 特許庁

The voltage is applied to the target 14 by the RF application device 4 (the pipe 20 is grounded), and discharge is generated between the target 14 and the pipe 20 to deposit Cu on an inner surface of the pipe 20.例文帳に追加

そしてRF印加装置4によりターゲット14に電圧を印加し（パイプ20はグランド接地）ターゲット14、パイプ20間で放電をおこし、Cuをパイプ20内面に付着する。 - 特許庁

The conversion circuit 4 comprises a 3-phase bridge circuit of first - sixth main switches S_1-S_6 and first - sixth capacitors Cu-Cz connected in parallel to the first - sixth switches S_1-S_6.例文帳に追加

変換回路4を第1〜第6の主スイッチS1〜S6の3相ブリッジ回路と、第1〜第6のスイッチS1〜S6に並列接続した第1〜第6のコンデンサCu〜Czとで構成する。 - 特許庁

The negative electrode 2 and the Cu target 3 are connected to a power source 4, and the potential of the Cu target to the negative electrode 2 is controlled by the power source 4.例文帳に追加

陰極２及びＣｕターゲット３に電源４を接続し、該電源４によってＣｕターゲット３の陰極２に対する電位を制御する。 - 特許庁

A wiring material layer 4a is formed by depositing Cu over the whole surface (e), and the unwanted Cu layer is removed by CMP, RIE, etc., and a Cu wiring 4 is formed (f).例文帳に追加

全面にＣｕを堆積して配線材料層４ａを形成し（ｅ）、ＣＭＰ、ＲＩＥ等により不要のＣｕ層を除去してＣｕ配線４を形成する（ｆ）。 - 特許庁

A conductive pattern 4 is formed on a base material 1 with the use of a Cu foil 2.例文帳に追加

基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。 - 特許庁

When layers 3, 4 comprising Cu or Cu alloy are dry etched, use is made of gas containing a halogen compound and oxygen as etching gases.例文帳に追加

Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 - 特許庁

In the power module including an organic insulating layer 2 between a Cu base substrate 1 and a Cu substrate 4, a Cu migration preventing layer is formed on a surface of the Cu base substrate and/or the Cu substrate to which a positive voltage is applied, which is brought into contact with the organic insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 - 特許庁

A gear shift position sensor 4 and a steering angle sensor 5 are connected to the surrounding supervisory CU 1.例文帳に追加

周辺監視ＣＵにはギアシフト位置センサ４、操舵角センサ５が接続している。 - 特許庁

In the formula, M represents Zn, Cu, Fe or Mn, and m represents 4 to 8.例文帳に追加

Ｍ^２＋［Ｓ−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ］^２− …（１） （式中、Ｍ＝Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ又はＭｎであり、ｍ＝４〜８である。） - 特許庁

Cu conductive layers 14 and 26 are provided to the inside of each low relative permittivity film 4.例文帳に追加

各低比誘電率膜４の内部にＣｕ導電層１４，２６が設けられている。 - 特許庁

The absorption layer 4 is made typically of a compound containing Cu, In and Se.例文帳に追加

光吸収層４は典型的にはＣｕ、ＩｎおよびＳｅを含む化合物からなる。 - 特許庁

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

Cu atoms consisting a Cu film 6 by performing a reflow treatment on a semiconductor substrate 1 are made to flow into a groove 4 through fluidization phenomenon.例文帳に追加

半導体基板１にリフロー処理を施して、Ｃｕ膜６を構成するＣｕ原子を流動現象によって溝４の内部へ流し込む。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

A Cu pattern 13A is provided at the center of a bend portion (BAL) of a flexible board 4, and a Cu pattern 13B is provided at an end portion of a mounting area.例文帳に追加

フレキシブル基板４の折り曲げ部（ＢＡＬ）の中央にはＣｕパターン１３Ａが設けられ、実装エリアの端部にはＣｕパターン１３Ｂが設けられている。 - 特許庁

A tungsten (W) film 4 as an adhesion metal is formed on a side wall of the Cu plug to increase the adhesion between the HSQ film 3 an Cu plug.例文帳に追加

Ｃｕプラグの側壁には、ＨＳＱ膜３とＣｕプラグとの密着性を高めるための密着用メタルであるＷ（タングステン）膜４が形成されている。 - 特許庁

Then, the metal layer 6 is etched so as to be left on the surface of the Cu foil 5, on the side of the resin film 4 and on the surface of the Cu plating layer 3.例文帳に追加

次いで、Ｃｕ箔５の表面上、樹脂フィルム４の側面上及びＣｕメッキ層３の表面上に残存するように金属層６をエッチングする。 - 特許庁

The inner layer 4 is formed of P-Cu alloy containing P 0.7-3.2 wt.%, or pure Ni or Ni-Cu alloy containing Ni 4.0 wt.% or more.例文帳に追加

前記内層４はＰを０．７〜３．２mass％含むＰ−Ｃｕ合金又は純ＮｉあるいはＮｉを４．０mass％以上含むＮｉ−Ｃｕ合金で形成される。 - 特許庁

A barrier metal layer 4 consisting of TaN is formed all over the surface, and then a Cu layer 5 is made by electrolytic plating method, using the seed layer consisting of Cu.例文帳に追加

全面にＴａＮからなるバリアメタル層４を製膜した後、Ｃｕからなるシード層を用いて電解めっき法によりＣｕ層５を形成する。 - 特許庁

A Cu layer 3 formed on a surface of a substrate 1 is overlaid with a photo resist pattern 4 that constitutes a mask corresponding to Cu wiring to be formed.例文帳に追加

基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。 - 特許庁

In succession, a resin film 4 is etched by the use of a laser beam using the Cu foil 5 as a mask, by which the tapered (trapezoidal) resin film 4 is left on the Cu plating layer 3, so as to become gradually larger in cross-sectional area going toward the Cu plating layer 3.例文帳に追加

続いて、例えばレーザを使用しＣｕ箔５をマスクとして樹脂フィルム４をエッチングすることにより、Ｃｕ箔５側からＣｕメッキ層３側にかけて面積が広くなるテーパ形状（台形状）に樹脂フィルム４を残存させる。 - 特許庁

A Cu film is then formed on the Ru film by thermal CVD, for example, or the like (step 4).例文帳に追加

次に、例えば、熱ＣＶＤ法等によりＲｕ膜上にＣｕ膜を成膜する（ＳＴＥＰ４）。 - 特許庁

The unnecessary Cu film 7 and the barrier metal film 6 on the cap film 4 are removed by CMP.例文帳に追加

キャップ膜４上の不要なＣｕ膜７及びバリアメタル膜６をＣＭＰにより除去する。 - 特許庁

Unnecessary parts outside the wiring groove 2 of the Cu film 4 and the barrier film 5 are removed.例文帳に追加

次いで、Ｃｕ膜４およびバリア膜５の配線溝２外の各不要部分が除去される。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁

In the interconnection forming method for forming buried interconnects 7 by chemical mechanical polishing, a substance 4 that brings an effect of increasing the polishing rate is added at least to a Cu-based conductive material 3 to be polished and composed of Cu or a Cu alloy mainly composed of Cu, or to an abrasive 6.例文帳に追加

化学的機械的に研磨して埋込配線７を形成する際に、研磨されるＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金からなるＣｕ系導電材料３或いは研磨剤６の少なくとも一方に研磨速度を向上させる効果をもたらす物質４を含有させる。 - 特許庁

An alloy wire rod of a Cu-Ag alloy, a Cu-Nb alloy, a Cu-Fe alloy or a Cu-Cr alloy is wire-drawn to a final wire diameter ϕ of ≤0.1 mm, and, after that, heat treatment is performed to control its tensile strength to ≥450 MPa, elongation to ≥4%, and electric conductivity to ≥50% IACS.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｇ合金，Ｃｕ−Ｎｂ合金，Ｃｕ−Ｆｅ合金，Ｃｕ−Ｃｒ合金の合金線材を線径φ０．１ｍｍ以下の最終線径まで伸線した後、熱処理を施して引張強さ４５０ＭＰａ以上、伸び４％以上、導電率５０％ＩＡＣＳ以上にする。 - 特許庁

Via-holes 3 and trenches 4 are formed in a first insulation film 2, and a Cu film 5 is formed on the entire face.例文帳に追加

第１絶縁膜２中にビアホール３とトレンチ４を形成し、全面にＣｕ膜５を形成する。 - 特許庁

A diffusion preventing layer 4 is provided to prevent Cu diffusion on a silicon oxide film 2 of an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン酸化膜２上にＣｕ拡散を防止する拡散防止層４を設ける。 - 特許庁

Also, the electrical conductivity of the sheet is regulated to ≤52-{4×(%Mg)+2×(%Cu)+2×(%Ag)}.例文帳に追加

さらに板の導電率≦５２−｛４×（％Ｍｇ）＋２×（％Ｃｕ）＋２×（％Ａｇ）｝に規制する。 - 特許庁

Further a low-cost Cu film 4 of low resistance is formed on the Au film 3 by an electrolytic plating.例文帳に追加

さらに、そのＡｕ膜３上に、電解メッキ法で低抵抗で低コストなＣｕ膜４を形成する。 - 特許庁

A Cu-plated film 3 is patterned on an lumina substrate 1 with a base layer in between, and a first Ni-plated film 4 is stacked on the Cu-plated film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１上に下地層２を介してＣｕメッキ膜３がパターン形成されており、Ｃｕメッキ膜３上に第１のＮｉメッキ膜４が積層されている。 - 特許庁

A Zn layer, a Cu layer and the NiP plated film are successively formed on the surface of an aluminum alloy substrate and the Cu layer has 0.2 to 4 g/m^2 deposit.例文帳に追加

アルミニウム合金基板の表面上に、Ｚｎ層、Ｃｕ層及びＮｉＰメッキ膜が順次形成されており、前記Ｃｕ層の付着量は、０．２乃至４ｇ／ｍ^^２である。 - 特許庁

Thus, the method improves uniformity and quality of the barrier layer 6 and improves an effect to prevent scattering of Cu from Cu film 7 buried inside of the groove pattern 4.例文帳に追加

これによって、バリア層６の付き廻りや膜質が改善されて、溝パターン４の内部に埋め込まれたＣｕ膜７からのＣｕの拡散を防止する効果が向上する。 - 特許庁

Cu-reinforcing plugs 16 and 28, which are connected to the Cu conductive layers 14 and 26 and penetrates the SiCN films 3 on the lower sides of each low relative permittivity film 4, are provided to the Cu conductive layers 14 and 26.例文帳に追加

また、Ｃｕ導電層１４，２６には、これらＣｕ導電層１４，２６に接続されるとともに、各低比誘電率膜４のそれぞれの下側のＳｉＣＮ膜３を貫通してＣｕ補強プラグ１６，２８が設けられている。 - 特許庁

A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.例文帳に追加

配線基板１上の端子部３が、Ｃｕ等の下地電極層４と、該下地電極層の表面に形成されたＮｉ層５と、該Ｎｉ層５の表面に形成されたＣｕ層６と、該Ｃｕ層６の表面に形成されたＳｎ層７とからなる４層構造とされている。 - 特許庁