「cu ta」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加

初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁

Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.例文帳に追加

次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The connection hole plug is provided with a Ta film 9(barrier metal), Cu film 10, and TaN film 21 whose film thickness is about 30 nm on the Cu film 10.例文帳に追加

接続孔プラグは、Ｔａ膜９（バリアメタル）、Ｃｕ膜１０、及びＣｕ膜１０上の膜厚約３０ｎｍのＴａＮ膜２１を有する。 - 特許庁

The wafer 101 is formed by successively depositing a Ta film and a Cu film on a Si substrate.例文帳に追加

ウェハ１０１は、Ｓｉ基板上にＴａ膜及びＣｕ膜をスパッタ法で順次堆積したものである。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

Then a Ta film 28 is formed in the via groove 27a and wiring groove 27b after the plasma irradiation, and buried with Cu.例文帳に追加

そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。 - 特許庁

The target material may contain 0<B≤25 at.% and 0<(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Ta+Mo+W+Mn+Re+Ru+Os+Rh+Ir+Ni+Pd+Cu+Ag+Au+C)≤40 at.%.例文帳に追加

さらに０＜Ｂ≦２５ａｔ％、０＜（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｍｎ＋Ｒｅ＋Ｒｕ＋Ｏｓ＋Ｒｈ＋Ｉｒ＋Ｎｉ＋Ｐｄ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｃ）≦４０ａｔ％含むことも可能である。 - 特許庁

The Ta barrier film 42 covers the side face of a via hole 28 and the upper surface of the Cu interconnection 23.例文帳に追加

そして、Ｔａバリア膜４２は、ビアホール２８の側面およびＣｕ配線２３の上面に被着されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can improve reliability of Cu wiring by preventing oxidation of Ta during the annealing process when Ta is used as a barrier film.例文帳に追加

Ｔａをバリア膜とする場合に、アニール時におけるＴａの酸化を防止することで、Ｃｕ配線の信頼を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁

The leakage current density of the MIM capacitor is lowered by interposing a Ta film 5 for preventing the diffusion/oxidation of Cu between a Cu film and a Ta_2O_5 film 7.例文帳に追加

Ｃｕ膜とＴａ_２Ｏ_５膜７間にＣｕの拡散防止・酸化防止のためのＴａ膜５を挿入することにより、キャパシタのリーク電流密度を低減した。 - 特許庁

Each insertion layer includes at least one of Cr, Ta, Ti, W, Ru, V, Cu, Mg, aluminum oxide, and MgO.例文帳に追加

各挿入層は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ、Ｖ、Ｃｕ、Ｍｇ、酸化アルミニウム、ＭｇＯのうち少なくとも一つを含む。 - 特許庁

The layer containing Ti may contain any one among Ba, Sr, Ca, Mg, Ni, Co, Cu, Ta, Nb, and Zn.例文帳に追加

Ｔｉを含む層は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｎのいずれかを含有していてもよい。 - 特許庁

The powdery composition may further contain at least one of compounds of Mg, Ca, Sr, Ba, Pb, rare earth metals, Ti, Zr, Hf, Sn, V, Nb, Ta, Bi, Sb, W, Mo, Cr, Mn, Cu, Ni, Co, Fe, Zn, Al and Si.例文帳に追加

前記チタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物と、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、希土類金属、Ti、Zr、Hf、Sn、V、Nb、Ta、Bi、Sb、W、Mo、Cr、Mn、Cu、Ni、Co、Fe、Zn、AlおよびSiの化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含むチタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物。 - 特許庁

The electrically conductive layer preferably comprises at least one metal selected from Au, Pt, Ni, Cu, Ag and Ta and/or an alloy containing one or more metals of Au, Pt, Ni, Cu, Ag and Ta, diamond-like carbon or silicon carbide.例文帳に追加

導電層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｇおよびＴａから選択される少なくとも１種の金属および／または上記金属を１種以上含む合金、あるいは、ダイヤモンドライクカーボン、もしくは、炭化ケイ素より構成されていると良い。 - 特許庁

Furthermore, a Ta barrier layer and a Cu seed layer are sequentially formed on the bottom surface and the side surface of the connection hole 30 and the bottom surface and the side surface of the groove 31 for wiring by the use of a Ta chamber and a Cu camber of the identical PVD device.例文帳に追加

さらに、同一のＰＶＤ装置のＴａチャンバ及びＣｕチャンバを用いて、接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａバリア層及びＣｕシード層を順次形成する。 - 特許庁

To etch a slug after blowing a Cu fuse (30) containing a barrier metal liner (18) such as Tax, Ny, Ta, Ti, and TixNy by a laser.例文帳に追加

バリヤー金属ライナー(18)（例えば、Ｔａ_xＮ_y、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔｉ_xＮ_y）を含むＣｕヒューズ(30)をレーザーでとばした後のスラグのエッチング。 - 特許庁

Preferably, it is incorporated with 30≥Cr≥10 at%, 7≥Ta>0 at%, 30≥Ni≥5 at% and 5≥(Ti+ Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au)>0 at%.例文帳に追加

好ましくは３０≧Ｃｒ≧１０ａｔ％、７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ≧５ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ）＞０ａｔ％を含有させる。 - 特許庁

To improve the Cu barrier property of TaN film the superior reproducibility in depositing a TaN film used, e.g. as a barrier layer for a Cu wiring film by means of reactive sputtering using a Ta target.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層などとして用いられるＴａＮ膜を、Ｔａターゲットを用いて化相スパッタすることにより形成する際に、ＴａＮ膜のＣｕバリア性をより一層かつ再現性よく高める。 - 特許庁

The plasmonic antenna is preferably constructed of AuX, where X is Cu, Ni, Ta, Ti, Zr or Pt having a concentration less than 5 atomic percent.例文帳に追加

プラズモンアンテナは、好ましくは、ＡｕＸから構成され、Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはＰｔであり、５原子パーセント未満の濃度を有する。 - 特許庁

As the second component, at least one is selected from the group consisting of Zr, Ce, Gd, Re, Nb, Ta, Ti, Mo, W, Fe, Co, Ni, Cu and Si.例文帳に追加

第二成分にはＺｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉからなる群より少なくとも１種が選択される。 - 特許庁

One or more metals selected from a group consisting of Ta, Nb, V, Cr, Ru, Cu, and Ag are formed directly on one surface of an Fe or FeCo film.例文帳に追加

このため、Ｆｅ又はＦｅＣｏ膜の一方の面に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｇの群から選ばれた一つ以上の金属を直に形成する。 - 特許庁

Then, a Cu film is formed on the interlayer insulating film with a Ta film 8 in-between in a manner that the first wiring groove 7 is embedded, and they are polished by CMP method, thereby forming a first embedded wiring 9a wherein only the first wiring groove 7 is embedded by the Cu film with the Ta film 8 in between.例文帳に追加

その後、第１配線溝７内を埋め込む状態で、層間絶縁膜上にＴａ膜８を介してＣｕ膜を形成し、これらをＣＭＰ法によって研磨することにより、第１配線溝７内のみにＴａ膜８を介してＣｕ膜を埋め込んでなる第１埋め込み配線９ａを形成する。 - 特許庁

The surfaces of the SiC films expected to come into contact with the Ta film 28 is placed in an Si rich state and then the Ta film 28 can be controlled into a crystal structure suppressing penetration of Cu.例文帳に追加

Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

The hydrogen-permeable alloy membrane contains at least one element selected from V, Nb, and Ta and at least one element selected from Co, Ni, and Cu and the total element concentration comprising V, Nb, and Ta is lower in the hydrogen penetration side than in the hydrogen permeation side.例文帳に追加

Ｖ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれた少なくとも１種と、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれた少なくとも１種とからなる水素透過合金膜であって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの合計元素濃度が水素透過側よりも水素侵入側で低くなっている。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed by using the Ru group alloy added with ≥1 kind of the material selected from among the group consisting of C, Cu, W, Mo, Cr, Ir, Pt, Re, Rh, Ta, and V into Ru.例文帳に追加

中間層３は、Ｒｕ中にＣ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。 - 特許庁

The pad base layer 22 is made of single crystal aluminum and contains at least a metal segregated among Cu, Ta, W and Ti.例文帳に追加

そして、上記のパッド下地層２２は、単結晶アルミニウムで形成されると共に、Ｃｕ，Ｔａ，Ｗ，及びＴｉのうち少なくとも１種類の金属が偏析している。 - 特許庁

Each of the inorganic gas barrier layers contains an oxide, nitride or oxynitride of at least one metal selected from Si, Al, In, Sn, Zn, Ti, Cu, Ce and Ta.例文帳に追加

無機ガスバリア層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、又はＴａから選ばれる一種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物を含む。 - 特許庁

The high purity Ta constituting the sputtering target contains 0.001-20 ppm of at least one element selected from Ag, Au and Cu each having self-sustaining discharge characteristics.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｔａは、自己維持放電特性を有するＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有する。 - 特許庁

The heat cycle characteristics are improved by adding one or more kind of element from a group consisting of Mg, Al, Mn, Zn, La, Ta and Ce into Sn-Cu based alloy.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ基合金に、Ｍｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｔａ及びＣｅよりなる群から選ばれる一種以上を含有させることにより熱サイクル特性を改善した。 - 特許庁

The steel may further contain one or two or more kinds of Cr, Cu, Ni, Co, Mo, W, B, La, Ca, Y, Ce, Zr, Ta, Hf, Re, Pt, Ir, Pd and Sb.例文帳に追加

さらにＣｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｌａ、Ｃａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｓｂの１種又は２種以上を含有しても良い。 - 特許庁

It is preferable that the composition can contain, by atom, >0-7% Ta, >0-30% Ni and >0-5% of (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+B) independently or in combination.例文帳に追加

本発明は、好ましくは７≧Ｔａ＞０ａｔ％、３０≧Ｎｉ＞０ａｔ％および５≧（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｃｕ＋Ａｇ＋Ａｕ＋Ｂ）＞０ａｔ％を、それぞれもしくは複合で含むことが可能である。 - 特許庁

The metals here include Cu, Ta, Co, Ti, W, Mo, Ni or V, etc., and the high-melting point metal silicide includes Wsi, MoSi, NiSi or VSi, etc.例文帳に追加

前記金属は、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ又はＶ等であり、前記高融点金属シリサイドは、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＮｉＳｉ又はＶＳｉ等である。 - 特許庁

Because the potential difference between Al and Ti or Ta is retained around 0.9 V as well as the potential difference between Al-Si-Cu and Ti or Ta is maintained around 1.5 V, the cell reaction between the IC electrode 6 and the mounting electrode 2a is suppressed to prevent corrosion of the electrode.例文帳に追加

ＡｌとＴｉ，Ｔａ間では約０．９Ｖ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕとＴｉ，Ｔａ間では１．５Ｖ程度の電位差を保持していることから、ＩＣ電極６および実装電極２ａ間の電池反応を抑制し、腐食を防止することができる。 - 特許庁

The first material is one or more selected from Ti, Al, Ta, W, Mo, Cu, Cr, Nd, Fe, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, and Pt.例文帳に追加

第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。 - 特許庁

To provide a Ta sputtering target having an improved in-plane uniformity of thickness of a formed film, such as a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film.例文帳に追加

Ｔａスパッタターゲットにおいて、Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などの膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にすることが望まれている。 - 特許庁

A microwave assisted magnetic recording (MAMR) structure 20 comprises: an PMA multilayer 23 such as [CoFe/Ni]_X overlying on a composite seed layer 22 having a Ta/M1/M2 configuration where, for example, M1 is Ti and M2 is Cu.例文帳に追加

ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。 - 特許庁

The matrix-forming metal alloy is an alloy selected from the group consisting of W, Co, Cr, Fe, Ni, Mo, Al, Si, Cu, Y, Ag, P, Zr, Hf, B, Ta, V, Nb, and alloys thereof.例文帳に追加

マトリックス形成合金はW、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂから成るグループから選ばれる合金およびその合金類である。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁