「d Ra」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By providing Ra and Rz×D within the ranges, a form and directivity of a crystal comprising the stimulable phosphor layer 3 can be optimized.例文帳に追加

Ｒａ、Ｒｚ・Ｄを上述の範囲とすることで、輝尽性蛍光体層３をなす結晶の形状、指向性を最適化できる。 - 特許庁

In the two-layer film produced by successively laminating (a) a first film, (b) a photosensitive resin layer (spacer resin layer), (c) a transparent resin layer (overcoat resin layer) and (d) a second film, the surface smoothness of (a) the first film and (d) the second film is ≤0.01 μm in terms of Ra.例文帳に追加

（ａ）第1のフィルム（ｂ）感光性樹脂層(以下、スペーサ樹脂層)（ｃ）透明樹脂層(以下、オーバーコート樹脂層)及び（ｄ）第2のフィルムの順に積層された2層フィルムにおいて、（ａ）第1のフィルムと（ｄ）第2のフィルムの表面平滑性がRaで0.01μm以下であることを特徴とする2層フィルム。 - 特許庁

An X-ray protection door D is opened to move the CT gantry 40 into the blood vessel imaging room Ra, and blood vessel imaging and computed tomographing for the subject Ha are done alternately for example, every five minutes in the blood vessel imaging room Ra.例文帳に追加

Ｘ線防護ドアＤを開けてＣＴガントリ４０を血管撮影室Ｒａに移動し、血管撮影室Ｒａで被検体Ｈａに対する血管撮影とＣＴ撮影とを例えば５分間毎に交互に行う。 - 特許庁

It is preferable to adjust the surface roughness Ra in the flaw-removed portion to y or less on the μm unit, wherein y satisfies the equation (1):y=22.71×{1-(d/d_0)^2}^2+1.797×{1-(d/d_0)^2}+6.0839.例文帳に追加

なお、疵除去部の表面粗さＲａを、ｙ＝２２．７１×｛１−（ｄ／ｄｏ）^２｝^２＋１．７９７×｛１−（ｄ／ｄｏ）^２｝＋６．０８３９の式で算出されるμｍ単位でのｙ以下とすれば一層よい。 - 特許庁

The product of the refractive index (n) and the layer thickness(d) of the second dielectric layer 16 satisfies (nd)>130 nm so that the reflectance Ra of the amorphous phase region and the reflectance Rc in the crystal phase region in the recording layer 14 always have the relation of Ra>Rc.例文帳に追加

ここでは、第２誘電体層１６の屈折率ｎとその層厚ｄとの積ｎｄが ｎｄ＞１３０ｎｍ を満足するため、記録層１４のアモルファス相領域の反射率Ｒａと結晶相領域の反射率Ｒｃとの間には、 Ｒａ＞Ｒｃ が常に成立している。 - 特許庁

The dope 12 is cast on a belt 18 from a casting die 17 wherein the surface roughness (Ra value) of a die lip is set to 0.1 μm and a lip clearance (d) is set to 1.0 mm to form the film 19.例文帳に追加

ダイリップ２２の表面粗さ（Ｒａ値）を０．１μｍとし、リップクリアランスｄを１．０ｍｍとした流延ダイ１７からベルト１８上にドープ１２を流延して、フイルム１９を製膜する。 - 特許庁

By using an area opposite the first area La as a second area Ra where an optional point on the outer periphery of the disk D is sequentially rotated and moved close to the opening 16, the positions of electronic components 52 and 53 as heat generating members and an air suction hole 15A are allocated in the second area Ra.例文帳に追加

又、第１エリアＬａとは反対となる領域をディスクＤの外周上における任意の点が開口部１６に対し順次接近する方向に回転移動する第２エリアＲａとして、発熱体となる電子部品５２，５３及び吸気孔１５Ａの位置が第２エリアＲａに割り当てられる。 - 特許庁

The handle body D is turned about the axis of the turning of a bearing cylindrical part JB in a turning connection member JA to make the angle of inclination variable in the longitudinal direction RA-RA while being made turnable in the horizontal direction RB-RB about a link shaft C with respect to the turning connection member JA.例文帳に追加

柄体Ｄは、回動連結部材ＪＡにおける軸受筒状部ＪＢの回動軸線のまわりに回動して前後方向ＲＡ−ＲＡの傾斜角度が可変であると共に、回動連結部材ＪＡに対し連結軸Ｃのまわりに左右方向ＲＢ−ＲＢに回動が可能とする。 - 特許庁

The optical sheet 1 has a microlens array 3 on its surface; and the diameter (D) of microlenses 4 constituting the microlens array 3 is 10 to 100 μm and the surface roughness (Ra) is ≤2 μm.例文帳に追加

本発明の光学シート１は、表面にマイクロレンズアレイ３を有し、このマイクロレンズアレイ３を構成するマイクロレンズ４の直径（Ｄ）が１０μｍ以上１００μｍ未満、表面粗さ（Ｒａ）が２μｍ以下である。 - 特許庁

The images IA to ID of the speakers A to D and the characters of utterances RA to RD to be displayed on the display screen of a chat terminal device are displayed with colors, displaying densities and display positions corresponding to the utterance orders.例文帳に追加

チャット端末装置の表示画面に表示される、発言者Ａ〜ＤのイメージＩＡ〜ＩＤ、発言の文字ＲＡ〜ＲＤは、発言順序に対応した色、表示濃度、表示位置などでチャット端末装置に表示される。 - 特許庁

This lithium sulfur battery contains the positive electrode active material composed of sulfur element (S8) with the particle size D (v, 50%) of 10μm or less, sulfur series compound, and a mixture of these, and the average surface roughness Ra value is 5μm or less.例文帳に追加

リチウム−硫黄電池は粒度Ｄ（ｖ、５０％）が１０μｍ以下である硫黄元素（Ｓ_８）、硫黄系化合物及びこれらの混合物からなる正極活物質を含み、平均表面粗度Ｒａ値が５μｍ以下である。 - 特許庁

The optical sheet 1 has a microlens array 3 on its surface, the diameter (D) of each microlens 4 constituting the microlens array 3 is 100-1000μm and the surface roughness (Ra) of respective microlenses is ≥0.05μm and <0.1μm.例文帳に追加

光学シート１は、表面にマイクロレンズアレイ３を有し、このマイクロレンズアレイ３を構成するマイクロレンズ４の直径（Ｄ）が１００μｍ以上１０００μｍ以下で、マイクロレンズの表面粗さ（Ｒａ）が０．００５μｍ以上０．１μｍ未満である。 - 特許庁

The target rotation speed changing amount α is set to monotonically increase from zero with respect to the difference increase in a range where the difference between the basic target rotation speed Ra and the motor rotation speed R is larger than the speed difference D.例文帳に追加

目標回転速度変更量αは、基本目標回転速度Ｒａとモータ回転速度Ｒとの偏差が速度差Ｄよりも大きな値をとる範囲で、その偏差の増加に対して零から単調に増加するように設定される。 - 特許庁

The optical sheet 1 has a microlens array 3 on its surface, and the diameter (D) of microlenses 4 constituting the microlens array 3 is 100 to 1,000 μm and the surface roughness (Ra) is 0.1 to 10 μm.例文帳に追加

本発明の光学シート１は、表面にマイクロレンズアレイ３を有し、このマイクロレンズアレイ３を構成するマイクロレンズ４の直径（Ｄ）が１００μｍ以上１０００μｍ以下で、マイクロレンズの表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上１０μｍ以下である。 - 特許庁

This lighting system 1 is provided with a light emitting part 11 for generating the irradiation light LL, a ranging sensor 12 for measuring a distance D up to the irradiation area RA irradiated with the irradiation light LL, and a control part 10 for controlling the light emitting part 11.例文帳に追加

照明装置１は、照射光ＬＬを発生する発光部１１と、照射光ＬＬが照射される照射領域ＲＡまでの距離Ｄを測定する測距センサ１２と、発光部１１を制御する制御部１０とを備える。 - 特許庁

When a second GaN layer 57 is epitaxially grown on the substrate, a lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 exists merely in a region (defect region Ra) that is positioned at the upper part of the center part of the recess 53a, and there is hardly any lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 in the other regions (low defect region Rb).例文帳に追加

基板上に、第２のＧａＮ層５７をエピタキシャル成長させると、凹部５３ａの中央部の上方に位置する領域（欠陥領域Ｒａ）にのみ第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄが存在し、その他の領域（低欠陥領域Ｒｂ）には第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄはほぼ存在しない。 - 特許庁

A gas detection part 3 of a gas leak alarm 10 includes: a bridge configured of a gas detection element D, a compensation element C, resistances R1 and R2 and a variable resistance VR, wherein the series circuit of a checking switch SW and a resistance RA is connected in parallel with the resistance R1 opposite to the compensation element C.例文帳に追加

ガス漏れ警報器１０のガス検知部３は、ガス検知素子Ｄ、補償素子Ｃ、および抵抗Ｒ１、Ｒ２、及び可変抵抗ＶＲからなるブリッジを備えており、補償素子Ｃと対向する抵抗Ｒ１に並列に、点検スイッチＳＷと抵抗ＲＡの直列回路が接続されている。 - 特許庁

When A/D conversion with respect to a received signal Ra from one of sensing elements is performed, and four pieces of conversion data corresponding to data for one period Tc of an ultrasonic wave are obtained, an in-phase component Ip and a quadrature component Qp are calculated by adding and subtracting the obtained conversion data(S110-S130).例文帳に追加

一方の変換素子からの受信信号Ｒａに対するＡ／Ｄ変換を実行し、超音波の一周期Ｔｃ分に相当する４個の変換データを取得すると、その取得した変換データを加減算することにより同相成分Ｉｐ，直交成分Ｑｐを算出（S110〜S130）。 - 特許庁

The first reflector 16 is structured to reflect toward the second reflector 18 the light of the semiconductor light-emitting element 12a irradiated at a first region Ra side and an outside of a direct sunlight passing region D, and the second reflector 18 is structured to reflect the light from the first reflector 16 toward front of the vehicle.例文帳に追加

第１リフレクタ１６は、第１領域Ｒａ側でかつ直射光通過領域Ｄの外側に照射された半導体発光素子１２ａの光を第２リフレクタ１８に向けて反射するように構成され、第２リフレクタ１８は、第１リフレクタ１６からの光を車両前方に向けて反射するように構成されている。 - 特許庁

Registers Ra 11, Rb 12, Rc 13, Rd 14 for limiting currents allowed to flow into respective devices (A) 1, (B) 2, (C) 3, (D) 4 are connected to a data bus, and in the case of switching the bus cycle of respective devices 1 to 4, the bus cycle is switched without setting up an idle cycle for preventing the collision of bus signals.例文帳に追加

データバス上に、装置（Ａ）１，装置（Ｂ）２，装置（Ｃ）３，装置（Ｄ）４に流れる電流を制限する抵抗Ｒａ１１，抵抗Ｒｂ１２，抵抗Ｒｃ１３，抵抗Ｒｄ１４を接続し、装置間のバスサイクルを切り替える場合に、バス信号の衝突を防ぐためのアイドルサイクルを設定せずに切り替える。 - 特許庁