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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > deep typeに関連した英語例文

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deep typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 366



例文

These noodles are broken down into two categories including the deep-fat fried type that has been processed to quickly develop in hot water and the non-fry type that has been cooked and hot-air dried without being deep-fat fried. 例文帳に追加

油で揚げて熱湯で戻るように加工されている油揚げ麺と、加熱後油で揚げず熱風乾燥させたノンフライ麺がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To reduce area by providing deep n-type wells at the middle of a p-type semiconductor substrate, p-type wells contacting the above n-type wells and n-type wells contacted of the above p-type wells.例文帳に追加

半導体基板の中部に深いウエルを有する場合、面積低減ができ、しかも高性能な半導体素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The deep N type well regions 12 and 12 are isolated electrically by the P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

N型の深いウェル領域12,12をP型の半導体基板11によって電気的に分離する。 - 特許庁

An N-type base layer 31 and a deep N-type base layer 32 are formed on a region immediately below the drain layer 13, and a P-type base layer 33 and a deep P-type base layer 34 are formed on a region immediately below the source layer 12.例文帳に追加

そして、ドレイン層13の直下域にN型ベース層31及びディープN型ベース層32を形成し、ソース層12の直下域にP型ベース層33及びディープP型ベース層34を形成する。 - 特許庁

例文

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed.例文帳に追加

n^- 型シリコン層4にはNPNトランジスタ(pウェル領域6、n^+ 型領域7、ディープn^+ 領域10)が形成されている。 - 特許庁


例文

Besides, the N+ type embedded layer 6A is integrated with the N-type well area 2B and deep N-type well areas (2B and 6A) are formed.例文帳に追加

また、N+型の埋め込み層6Aは、N型ウエル領域2Bと一体化され深いN型ウエル領域(2B、6A)が形成される。 - 特許庁

To provide a two-part mixing type organopolysiloxane composition of the dealcoholization type that is excellent in fast curability and deep-section curability.例文帳に追加

速硬化性、深部硬化性に優れた脱アルコールタイプの2液混合型オルガノポリシロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

Each of p-type deep layers 10 has a layout where the p-type layer is divided into a plurality portions in a direction intersecting with a trench 6.例文帳に追加

p型ディープ層10をトレンチ6と交差する方向において複数に分断したレイアウトとする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING COMPLEX STRUCTURE TYPE HIGH TENSION COLD-ROLLED STEEL SHEET EXCELLENT IN DEEP DRAWABILITY例文帳に追加

深絞り性に優れた複合組織型高張力冷延鋼板の製造方法 - 特許庁

例文

DIRECT ENERGIZING GLASS MELTING DEEP BOTTOM TYPE FURNACE AND METHOD OF CLARIFYING/SUPPLYING GLASS例文帳に追加

直接通電方式深底型硝子溶融炉、及び硝子の清澄・供給方法 - 特許庁

例文

To provide a para-type wholly aromatic polyamide fiber having a deep black color.例文帳に追加

深みのある黒色を有するパラ型全芳香族ポリアミド繊維を提供すること。 - 特許庁

The deep-groove ball bearing 5 is a cap bearing provided with a contact type seal 5d in its upper side.例文帳に追加

深溝玉軸受5は、上側に接触式のシール5dを備えたキャップ軸受とした。 - 特許庁

A deep p-type layer 4 is formed so as to surround the bottom surface and both corner parts of a trench 5.例文帳に追加

トレンチ5の底面および両角部を囲むようにディープp型層4を形成する。 - 特許庁

A single pixel includes a deep N well 18 formed in a P-type epitaxial substrate 10.例文帳に追加

単一の画素はP型エピタキシャル基板10に形成された深いNウエル18を含む。 - 特許庁

In the transition region, a p-type deep diffusion layer 3c which serves as FLR is provided.例文帳に追加

遷移領域には、FLRとなるp型の深い拡散層3cが設けられている。 - 特許庁

Subsequently, a shallow N type well region 14 is formed on the deep N type well regions 12 thus fabricating a P type variable substrate bias transistor 25.例文帳に追加

N型の深いウェル領域12の上に、N型の浅いウェル領域14を形成して、P型の基板バイアス可変トランジスタ25を形成する。 - 特許庁

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

p型バックゲート領域1は、比較的浅いp型拡散領域1aと比較的深いp型拡散領域1bとを有している。 - 特許庁

A deep n-type well 133 is provided at the bottom surface side of the SRAM-P type well 185 and the SRAM-N type well 189.例文帳に追加

SRAM−P型ウェル185およびSRAM−N型ウェル189よりも底面側には、ディープN型ウェル133が設けられている。 - 特許庁

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、N型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An n-type channel layer 12 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the deep diffusion layers 14 and 14.例文帳に追加

ディープ拡散層間14,14間のp型ウェル層11表面に、n型チャネル層12が形成されている。 - 特許庁

Second conductive type deep body diffusion is performed, by which the deep body region is formed in an epitaxial region between the sidewall spacers.例文帳に追加

第2の導電型の深いボディ拡散を実行することにより、側壁スペーサ間のエピタキシャル領域内に深いボディ領域が形成される。 - 特許庁

Then, a p-type high-concentration halogen diffusion layer 15 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the n-type channel layer 12 and deep diffusion layer 14.例文帳に追加

そして、n型チャネル層12とディープ拡散層14間のp型ウェル層11表面に、p型高濃度ハロ拡散層15が形成されている。 - 特許庁

The silicon mixed crystal layers include the shallow type silicon mixed crystal layer 106 and the deep type silicon mixed crystal layer 108 formed up to deeper than the shallow type silicon mixed crystal layer 106.例文帳に追加

シリコン混晶層は、浅型シリコン混晶層106と、浅型シリコン混晶層106よりも深くまで形成された深型シリコン混晶層108とを含む。 - 特許庁

The word line driver includes an n-channel transistor 313 placed in a p-type well region located in a deep n-type well region in a p-type substrate.例文帳に追加

このワード線ドライバは、p型基板の中の深いn型ウェル領域の中に配置したp型ウェル領域に設けたnチャネルトランジスタ313を含む。 - 特許庁

To provide a multiple stage type utilization system of deep sea water, utilizing the cold heat energy of the deep sea water effectively and also supplying the deep sea water as drinking water for domestic animals and water for a plant-growing or fish-culturing.例文帳に追加

海洋深層水の冷熱エネルギーを有効に利用するとともに、海洋深層水を家畜飲用、植物生育用水、魚類生育用水として供給する多段式利用システムを提供する。 - 特許庁

The p type well region 4 is formed deep reaching the insulating layer 11 from the top surface of the n type semiconductor layer 1.例文帳に追加

p形ウェル領域4は、n形半導体層1の表面から絶縁層11に達する深さまで形成されている。 - 特許庁

To provide a multi-stage type utilization system allowing the effective use of the cold energy of deep sea water, deep lake water, LNG, and an absorption cold/hot water supply machine.例文帳に追加

海洋深層水、湖沼深層水、LNG,吸収冷温水機等の冷熱エネルギ−を有効に利用する多段式利用システムを開発する。 - 特許庁

TWO-SHAFT MECHANICAL STIRRING TYPE DEEP LAYER MIXING TREATMENT APPARATUS PERMITTING CREATION OF IMPROVED BODY HAVING RECTANGULAR CROSS SECTION例文帳に追加

矩形断面改良体の造成を可能とした2軸型機械攪拌式深層混合処理機 - 特許庁

A first conductive type deep well is arranged in the separation region at a place below the stripe-shape active region.例文帳に追加

第一導電型の深ウェルは、分離領域とストライプ状アクティブ領域の下に配置する。 - 特許庁

To diffuse an n-type dopant deep into a photoelectric conversion layer, concerning a method of manufacturing a photoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換素子の製造において、n型ドーパントを光電変換層に深く拡散させる。 - 特許庁

A cover type spherical plate 60 is provided on one end on the outer ring deep part side of the cage 40.例文帳に追加

保持器40の外輪奥部側一端には蓋状のスフェリカルプレート60が設けられる。 - 特許庁

A deep N+ type semiconductor layer 2 is high concentration N type impurities selectively from one surface side of an N- type semiconductor substrate having low concentration N type impurities.例文帳に追加

低濃度のN型不純物を有するN−型半導体基板の一方の表面側から,高濃度のN型不純物が選択拡散され,深いN+型半導体層を形成する。 - 特許庁

On the other hand, because the P type shallow well region 212 is separated by the deep element isolation region 226 and the N type deep well region 227, a plurality of P type shallow well region 212 separating each other can be formed easily.例文帳に追加

一方、P型の浅いウェル領域212は、深い素子分離領域226とN型の深いウェル領域227とによって分離されるから、互いに独立したP型の浅いウェル領域212を容易に複数形成することができる。 - 特許庁

In the corresponding deep N+ type region 14, a P+ type base region 26 for absorbing the surge is formed along the deep N+ type region 14 on the opposite side to a P+ type base region 17, and a ground electrode 27 is formed on the corresponding P+ base region.例文帳に追加

当該ディープN+型領域14においてP+型ベース領域17とは反対側にディープN+型領域14に沿ってサージ吸収用のP+型ベース領域26が形成され、当該P+型ベース領域上にグランド電極27が形成されている。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してp型ドーパントをイオン注入して深いp型注入領域を形成する。 - 特許庁

The shallow type silicon mixed crystal layer 106 is formed up to a position closer to the gate electrode 102 than the deep type silicon mixed crystal layer 108.例文帳に追加

浅型シリコン混晶層106は、深型シリコン混晶層108よりもゲート電極102に近い位置にまで形成されている。 - 特許庁

Moreover, the memory cell region Cell includes the substrate 1 and a p-type deep well region 5a that is formed under the p-type well region 2 and the n-type well region 3.例文帳に追加

また、メモリセル領域Cellは、基板1とp型ウェル領域2及びn型ウェル領域3の下に形成されたp型深ウェル領域5aを備える。 - 特許庁

Then p-type deep expansion diffusion areas 15a and 15b are formed by activating heat-treatment.例文帳に追加

その後、活性化熱処理により、p型の深部膨張形拡散領域15a,15bを形成する。 - 特許庁

Therefore, it becomes possible to suppress breakdown at the p-type deep layer 10 and obtain the high-pressure resistance.例文帳に追加

よって、p型ディープ層10でブレイクダウンすることを抑制でき、高耐圧化を図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a deep drawing type packaging machine which surely forms a space between an upper film and a lower film to form a pinching part.例文帳に追加

上側フィルムと下側フィルムとの間に確実に間隙を形成し、摘み部分を形成すること - 特許庁

COMPOSITE STRUCTURE TYPE HIGH-TENSILE HOT-DIP GALVANIZED STEEL SHEET HAVING EXCELLENT DEEP DRAWABILITY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

深絞り性に優れた複合組織型高張力溶融亜鉛めっき鋼板およびその製造方法 - 特許庁

To obtain a CIS type image reading device having a deep focal depth and allowing size and thickness to be reduced.例文帳に追加

焦点深度が深く、小型化及び薄型化が可能なCISタイプの画像読取り装置を得る。 - 特許庁

In the front surface of a p-type semiconductor substrate 1, first n-wells 3A and 3B are formed deep.例文帳に追加

P型の半導体基板1の表面には第1のNウエル3A,3Bが深く形成されている。 - 特許庁

This sprinkle type flour for deep-fried food contains potato starch, cracker flour and pregelatinized starch.例文帳に追加

馬鈴薯澱粉、クラッカー粉およびα化澱粉を含有することを特徴とするまぶしタイプの唐揚げ粉。 - 特許庁

It is a type of Satsuma-age (fried fish cake), often called 'goboten,' meaning tenpura (Japanese deep-fried dish) of burdock root. 例文帳に追加

いわゆる薩摩揚げの一種で、「ゴボウ天(ゴボ天)」(ゴボウの天ぷらの意)と呼ばれることも少なくない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thereafter, the heat treatment is carried out to form the n-type well layer up to the silicon substrate from the deep n-type well layer and also form the p-type well layer in the area surrounded by the n-type well layer.例文帳に追加

その後、熱処理を施すことによって、深いN型ウエル層からシリコン基板に至るN型ウエル層を形成すると共に、N型ウエル層に囲まれた領域にP型ウエル層を形成する。 - 特許庁

P-type well areas 205 underlying vertical transfer register sections 80 are formed at deep positions in an N-type semiconductor substrate 60 in the thickness direction of the substrate 60.例文帳に追加

垂直転送レジスタ部80の下層のP−型ウエル領域205を半導体基板60の板厚方向に深い位置まで形成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises an N-type deep well region 331 formed on a semiconductor substrate 351 and further a P-type shallow well region 332 formed on the well region 331.例文帳に追加

半導体基板351上にN型の深いウェル領域331、さらにその上にP型の浅いウェル領域332を形成する。 - 特許庁

The structure where a p-type deep layer 10 is separated entirely or partially from the inner wall surface of a trench 6, i.e. a layout where the p-type deep layer 10 is not in contact with any one of the side surface or the bottom face of the trench 6, is employed.例文帳に追加

p型ディープ層10の全部もしくは一部がトレンチ6の内壁面から離間した構造、すなわち少なくともトレンチ6の側面もしくは底面のいずれか一方と接していないレイアウトとする。 - 特許庁

例文

The floating-current blocking region 8 may exist in a p-type region, or in the region with a deep level.例文帳に追加

浮遊電流ブロック領域8は、p型領域であってもよく、深い準位をもった領域であってもよい。 - 特許庁




  
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