| 例文 |
dummy referenceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 112件
After that, a difference between a generator frequency 30 detected by a frequency detection means 28 and a preset frequency reference 33 is obtained, and the current adjuster 26 is controlled so that the load amount of the dummy load 24 varies according to the difference.例文帳に追加
その後は、周波数検出手段28により検出された発電機周波数30と予め設定された周波数基準33との偏差を求め、この偏差に応じてダミーロード24の負荷量が変化するように電流調整装置26を制御する。 - 特許庁
In this inspection method, after a solution is applied to a partitioning area P of a dummy region, a surface shape of a solution pool k2 of the solution applied on the partitioning area is measured in three dimensions, and is compared with a reference surface shape defined beforehand.例文帳に追加
この検査方法では、ダミー領域の区画領域Pに対して溶液を塗布した後、当該区画領域に塗布された溶液の溶液溜りk2の表面形状を立体的に計測し、あらかじめ定義されている基準表面形状と比較する。 - 特許庁
In order to equalize the impedance of a global bit line 4 connecting an IV conversion circuit M2 and each cell array with impedance of a dummy global bit line 6 connecting an IV conversion circuit R3 and a reference cell array, the device is provided with a constitution where an equalized wiring path can be formed at a reference side in a path, wiring length, and wiring with formed at a main side.例文帳に追加
IV変換回路M2と各セルアレイとを接続するグローバルビット線4のインピーダンスと、1V変換回路R3とリファレンスセルアレイとを接続するダミーグローバルビット線6とのインピーダンスとを同一にするために、メイン側で形成された経路と配線長及び配線幅において、同一となる配線経路をリファレンス側で形成することができる構成を備えることにより実行する。 - 特許庁
In order to provide a semiconductor device on which a desired position can be located easily and a method for searching for a predetermined position on the semiconductor device, the semiconductor device is configured using indication lines or an indication pattern together with a dummy pattern or a reference plane.例文帳に追加
本発明の目的は、所望の位置を容易に探せる半導体素子とその半導体素子上の所定位置を探す方法とを提供するものであって、これを達成するために半導体素子に表示線または表示用パターンをダミーパターンまたはレファレンスプレーンと共に構成する。 - 特許庁
After the average is calculated, the differential average calculator 22, and a comparison and determination part 23 determine columns at which random noise is generated based on the inputted black dummy signals in specified lines, a signal level for each column and a reference value calculated by the average calculator 21.例文帳に追加
差分平均値算出部22および比較判定部23では、平均値が算出された後、入力された所定ライン数分の黒ダミー信号を基に、カラムごとの信号レベルと、平均値算出部21からの基準値とを基に、ランダムノイズが発生しているカラムが判定される。 - 特許庁
When determining that a difference between the initial value and the caption display time of the broadcast caption corresponding to the reproduction order next to the selected caption text is larger than the reference time, the control unit 23 stores a time obtained by adding a predetermined time to the initial value and a dummy caption in the storage part 18 by relating them to each other.例文帳に追加
制御部23は、当該初期値と選択された放送字幕の次の再生順番に対応する放送字幕の字幕表示時刻との差が基準時間より大きいと判別した場合、当該初期値に所定の時間を加えた時間とダミー字幕とを対応付けて記憶部18に記憶する。 - 特許庁
When an external power supply voltage VCC is low, the voltage Vcomp inputted into the detection circuit 20 becomes the output voltage Vpump of the dummy circuit 10 having the same output characteristics as the pump circuit 25, instead of a reference voltage Vref, so that the pump activation signals PEN will not be generated.例文帳に追加
外部電源電圧VCCが低電圧の場合には、検知回路20に入力される電圧Vcompは、基準電圧Vrefの代わりにポンプ回路25と同様の出力特性を有するダミーポンプ回路10の出力電圧Vpumpとなるためポンプ活性信号PENは生成されない。 - 特許庁
When the first storage time is longer than the reference time, a dummy storage time of charge is set within the frame time of one frame at a storage time change section 35, and the first storage time is changed to a second storage time which is shorter than the first storage time.例文帳に追加
そして、前記第1の蓄積時間が基準となる基準時間よりも大きい場合、蓄積時間変更部35において、1フレームのフレーム時間内に電荷のダミーの蓄積時間を設定して、前記第1の蓄積時間を当該第1の蓄積時間よりも小さい第2の蓄積時間に変更する。 - 特許庁
In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加
この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスZ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁
And in a period in which a digital to current conversion (DCC) circuit DC for transmitting the signal to the pixel circuit does not perform storing operation, a dummy DCC circuit DCd which has the same configuration as the DCC circuit and which outputs no signal is provided and the reference current Istd is always made to flow through either the DCC circuit DC or DCd.例文帳に追加
そして、画素回路に信号を送信するデジタル/電流変換(DCC)回路DCが記憶動作をしない期間において、DCC回路と同等の構成を持った信号を出力しないダミーDCC回路DCdを設け、基準電流Istdを常時、DCC回路DC・DCdのいずれか1つに流す。 - 特許庁
The roller 11 is provided with a reference groove 11a and a dummy groove 11b in an axial direction on the outer periphery of the magnet M, and the respective centers of the grooves 11a and 11b are arranged at equal intervals in a peripheral direction, and also the grooves 11a and 11b have the equal area (s) within a cross section orthogonal to the axial direction.例文帳に追加
マグネットローラ11は、円筒形状マグネットMの外周に軸方向の基準溝11a及びダミー溝11bを有し、基準溝11a及びダミー溝11bのそれぞれの中心が周方向に等間隔で配置されているとともに、基準溝11a及びダミー溝11bの軸方向に直交する断面内の面積sは互いに等しいことを特徴とする。 - 特許庁
Offset depending on voltage difference between offset control voltage Vofd and Vofr from a voltage generating circuit 55 and 56 is given to through current of the data line LIO and LIOr, a reference current Iref passing through the dummy cell is set at an intermediate level of levels of two kinds corresponding to stored data of a data read current Idat passing through the selection memory cell.例文帳に追加
電圧発生回路55および56からのオフセット制御電圧VofdおよびVofrの電圧差に応じたオフセットがデータ線LIOおよびLIOrの通過電流間に与えられて、ダミーセルを通過する基準電流Irefは、選択メモリセルを通過するデータ読出電流Idatの記憶データに応じた2種類のレベルの中間レベルに設定される。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|