「dummy reference」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell array 1 has a memory cell MC, having a ferroelectric capacitor CM storing binary data in a non-volatile state according to positive or negative residual polarization, and a dummy cell DC having a capacitor CD for reference generating reference voltage.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、残留分極の正負に応じて二値データを不揮発に記憶する強誘電体キャパシタＣＭを持つメモリセルＭＣと、参照電圧を発生する参照用キャパシタＣＤを持つダミーセルＤＣとを有する。 - 特許庁

To perform padding with dummy data when recording data is below a reference amount of data in the case of a need for recording the data of more than the reference amount of data and to permit rapid suspension of recording when a user desires to suspend the recording.例文帳に追加

基準のデータ量以上のデータを記録することが必要な場合に、記録データが基準データ量に満たない場合にダミーデータでパディングし、ユーザが記録を中止したい場合に、迅速に記録を中止可能とする。 - 特許庁

A reflector alignment system uses an alignment beam AB1 which is transmitted in the projection system PL having a group of mirrors for measuring dummy relative positions of two reference makers fixed to a reference frame RF on both sides of the projection system.例文帳に追加

反射体アライメント・システムは、ミラー群を備える投影システムＰＬ中を伝わるアライメント・ビームＡＢ１を使用して、投影システムの両側で基準フレームＲＦに固定された２つの基準マーカの見かけの相対位置を測定する。 - 特許庁

A stamper has three-dimensional patterns in a dummy region, and the three-dimensional patterns have a repeatable run out of 1 nm or less between the fifteenth order and 40th order, when the rotational frequency is the first order is set as the reference.例文帳に追加

ダミー領域の凹凸パターンは、そのリピータブルランアウトが回転周波数を基準の１次とした場合に１５次から４０次の間で１ｎｍ以下であるスタンパ。 - 特許庁

A plurality of dummy cells DMC for generating reference potential corresponding to additional capacitances of bit lines have first and second diffused layers 51, 52, a floating gate, and a control gate.例文帳に追加

ビット線の付加容量に対応した参照電位を発生する複数のダミーセルＤＭＣは、第１、第２の拡散層５１、５２及び浮遊ゲート及び制御ゲートを有している。 - 特許庁

On the other hand, a correcting means 10 corrects the values of currents that flow through the current detecting shunt resistors Rs1 and Rs4, using the dummy resistor Rd and the calibration reference 2.例文帳に追加

また、補正手段１０は、ダミー抵抗Ｒｄ及び校正基準２を用いて、電流検出用シャント抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４に流れる電流値を補正する。 - 特許庁

A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第１読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第２読み出し動作が実行される。 - 特許庁

In another arrangement, the predicting step further includes the step of predicting each dummy bidirectional predictive image from a single field associated with the reference image.例文帳に追加

別の構成では、該予測するステップは、該参照画像に関連される１つのフィールドからそれぞれダミーの双方向予測ピクチャを予測するステップをさらに含んでいる。 - 特許庁

A dummy transistor dT11 is arranged near the transistor T11 for a gain connected to a memory cell to be accessed, a bit line BL made for reference by the dummy transistor dT11 is driven, and the influence of a variation in the threshold of the transistor for a gain is offset by using the potential or current of the bit line as a reference signal of a reading determination.例文帳に追加

アクセスされるメモリセルに接続されたゲイン用トランジスタＴ１１の近傍にダミートランジスタｄＴ１１を配置し、それによって参照用とされるビット線ＢＬを駆動して、そのビット線の電位または電流を読み出し判定の参照信号として使用することでゲイン用トランジスタの閾値ばらつきの影響を相殺する。 - 特許庁

To solve such a problem that it is required for a dummy cell to gener ate a reference potential for every read-out of each data cell connected to the same cell array, deterioration of dummy cells of which the number of times of read-out is more than that of data cells is aggravated, and an intermediate potential cannot be generated correctly.例文帳に追加

同一のセルアレイに接続された各データセルを読み出す毎にダミーセルは参照電位を発生させる必要があり、データセルと比較して読み出し回数の多いダミーセルのみ劣化が進み、正しく中間電位を発生させることができなくなる。 - 特許庁

NOR type flash memory (nonvolatile semiconductor storage device) 1 includes: a memory cell array 11; a dummy memory cell array (reference circuit) 12; a sense amplifier 13; load circuits 14 and 15; pre-charge circuits 16 and 17; and a reference voltage generation circuit 20.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ（不揮発性半導体記憶装置）１は、メモリセルアレイ１１と、ダミーメモリセルアレイ（リファレンス回路）１２と、センスアンプ１３と、負荷回路１４及び１５と、プリチャージ回路１６及び１７と、基準電圧発生回路２０とを備えている。 - 特許庁

In the reference markers 30, square-shaped dummy patterns are formed in the proximity of the matching patterns 36 in each of four regions partitioned by the straight lines 38 and 40.例文帳に追加

また、基点標識３０は、直線３８、４０によって区画された４つの領域のそれぞれに、合わせパターン３６に近接して正方形状のダミーパターンが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory adopting a sense amplifier circuit system in which the area of dummy data line capacitors for generating a reference potential is reduced and chip area can be reduced.例文帳に追加

参照電位発生のためのダミーデータ線容量の面積を減らし、チップ面積を小さくすることができるセンスアンプ回路方式を採用した半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

After a distance eye point reference point and a frame supporting member for the measuring jig are positioned, the outer surfaces of a pair of dummy lenses 10 are pressed against the low-repulsive materials of a pair of lens carrying units.例文帳に追加

測定治具の遠用アイポイント基準点およびフレーム支持部材の位置決めをした後、ダミーレンズ１０の外側の表面を一対のレンズ載置部の低反発性素材に押し付ける。 - 特許庁

Thereby, ink is charged to a group of projection bars, and a reference mark 31, first determination mark 32, and second determination mark 33 are formed on the surface of each of the dummy lenses 10 (mark forming step).例文帳に追加

これにより突起バー群にインクが充填され、ダミーレンズ１０の表面に基準マーク３１、第１の判定マーク３２、および第２の判定マーク３３が形成される（マーク形成工程）。 - 特許庁

When the crosstalk from the plurality of signal electrodes 14 and 14 occurs, a current "Ix" flows through a resistor 34 so as to maintain the voltage at the dummy scanning electrode 50 at the reference voltage "VGND."例文帳に追加

ここで、信号電極１４，１４……からのクロストークが生じると、ダミー走査電極５０の電位をＶＧＮＤに保持するように、抵抗器３４に電流Ｉｘが流れる。 - 特許庁

Since a dummy switch SW3 having the same configuration as input changeover switches SW1 and SW2 is inserted into a path for feeding charge of the reference voltage VR1, noise resulting from the clamp circuit, the switch, or the like is also included in the reference voltage VR1.例文帳に追加

また、基準電圧ＶＲ１の電荷を供給する経路には、入力切り替えスイッチＳＷ１およびＳＷ２と同じ構成のダミースイッチＳＷ３を介挿するので、クランプ回路やスイッチ等に起因するノイズが、基準電圧ＶＲ１にも含まれる。 - 特許庁

A Ref comparative inspection means 31b compares the selected reference image data with other image data to calculate a second threshold value not detecting a dummy flaw at every other image data on the basis of the comparison result.例文帳に追加

Ｒｅｆ比較検査手段３１ｂは、選択された参照画像データと他の画像データとを比較し、比較結果に基づいて他の画像データごとに擬似欠陥を検出しない第２の閾値を算出する。 - 特許庁

Bit lines MBL1, MBL3 connected to each drain of the dummy cells D1, D3 are coupled mutually by an equalizing switch EQSA so that intermediate reference potential in a read-cycle is generated.例文帳に追加

ダミーセルＤ１，Ｄ３の各々のドレインに接続されたビット線ＭＢＬ１，ＭＢＬ３は、リードサイクルにおいて中間のリファレンス電位を生成するように、イコライズスイッチＥＱＳＡにより互いに連結される。 - 特許庁

An output signal fref' having a different phase in terms of a reference signal fref is obtained through a dummy circuit 13 which includes a capacitor having the same structure as that of a capacitor subjected to correction in a VCO circuit 11, a working circuit.例文帳に追加

実動作回路であるＶＣＯ回路１１中の補正対象キャパシタと同一構造のキャパシタを含むダミー回路３により，基準信号frefに対し位相の異なる出力信号fref'を得る。 - 特許庁

In a pixel array 3, an effective pixel 1 outputs at least a pixel signal based on an incident light quantity and a dummy pixel 2 outputs a pixel signal based on the voltage value of a given reference voltage.例文帳に追加

画素アレイ3において、有効画素1は、少なくとも、入射光量に基づく画素信号を出力し、ダミー画素2は、与えられた基準電圧の電圧値に基づく画素信号を出力する。 - 特許庁

In the continuous mode, the correlated double sampling circuits 8, 9 carry out the correlated double sampling based on photo charge voltages read from the pixels 2-5 and reference voltages read from the dummy pixels 6, 7.例文帳に追加

コンティニュアスモードでは、画素２〜５から読み出されるフォトチャージ電圧と、ダミー画素６、７から読み出されるリファレンス電圧とに基づいて、相関二重サンプリング回路８、９で相関二重サンプリングを行う。 - 特許庁

An SAR11 includes an input terminal 116, a reference terminal 117, a first capacitor set 111a, a second capacitor set 111b, a dummy capacitor, a comparator 112, a switch 114, and an SARL113.例文帳に追加

ＳＡＲ１１は、入力端子１１６と、参照端子１１７と、第１キャパシタセット１１１ａと、第２キャパシタセット１１１ｂと、ダミーキャパシタと、比較器１１２と、スイッチ１１４と、ＳＡＲＬ１１３を備える。 - 特許庁

A reference signal generation circuit 13 generates a reference signal REFE having a phase coincide with a monitor signal MONI when a phase of the monitor signal MONI in which a start signal DX inputted in a liquid crystal panel 1 is outputted via a dummy element 50 is appropriate.例文帳に追加

基準信号生成回路１３は、液晶パネル１に入力したスタート信号ＤＸがダミー素子５０を経由して出力されるモニタ信号ＭＯＮＩの位相が適正であるときに、モニタ信号ＭＯＮＩと一致するような位相を持つ基準信号ＲＥＦＥを生成する。 - 特許庁

The paste applicator is constituted so that the paste is applied on a dummy substrate having no rib to previously detect the gap between the coating reference position of the paste and the reference position of a sensor, the amount of the gap is previously stored as the amount of the mechanical gap and the paste is applied on a real substrate.例文帳に追加

リブのないダミー基板を用いてペーストを塗布して、ペーストの塗布基準位置とセンサの基準位置とのずれを予め計測して、そのずれ量を機械的ずれ量として、予め記憶しておき、実基板にペーストを塗布する構成としたペースト塗布機とした。 - 特許庁

A pixel area for error measurement 140 of a dummy pixel area 120 in a solid state image sensing element is regarded as one of layers composing a pixel of the solid state sensing element as a reference layer and is provided with a measuring pattern displaced in phase in two dimensional (x, y) directions to the reference layer.例文帳に追加

固体撮像素子のダミー画素領域１２０の誤差測定用画素領域１４０には、固体撮像素子の画素を構成するあるレイヤーの１つを基準レイヤーとし、この基準レイヤーに対して２次元（ｘ，ｙ）方向に段階的にずらした測定用パターンが設けられている。 - 特許庁

After dummy data ranging equal to or exceeding a maximum spot deviation amount (a maximum amount of a position deviation amount in a radius direction between a servo spot and a recording spot) is recorded in an adjacent area on near side with respect to a recording start address on the reference surface, data instructed to be recorded is recorded following the recording area of the dummy data.例文帳に追加

基準面上の記録開始アドレスに対して手前の隣接領域に、最大スポットずれ量（サーボスポットと記録スポットとの半径方向における位置ずれ量の最大量）以上の範囲にわたるダミーデータの記録を実行させた上で、ダミーデータの記録領域に続けて記録指示されたデータを記録する。 - 特許庁

A TFT (thin film transistor) 184 in a dummy circuit 180 samples the reference pulse Ref supplied to one end of the input side of the monitor signal line 173 in a panel 100 for a dummy data line 115, on the basis of a signal obtained by logically operating a signal Br and the pulse Ma by an AND circuit 182, to obtain a detection signal Det.例文帳に追加

ダミー回路１８０におけるＴＦＴ１８４は、信号ＢrとパルスＭaとをＡＮＤ回路１８２によって論理演算された信号に基づいて、パネル１００におけるモニタ信号線１７３の入力側の一端に供給された基準パルスＲefをダミーデータ線１１５にサンプリングして、検出信号Ｄetを得る。 - 特許庁

When a request for reference to a resource on a SaaS (software as a service) application server 180 is received from a user's browser 120, a relay function section 150 transfers the request and writes an answer in a dummy data holding section 156.例文帳に追加

中継機能部１５０は、利用者のブラウザ１２０からＳａａＳアプリケーションサーバ１８０上のリソースに対する参照要求を受けると、要求を転送して応答をダミーデータ保持部１５６に書き込む。 - 特許庁

When the projection region is in the dummy exposure region, the SLM driving device fixes the dimming state of the SLM 24 to make the scanning intervals of the selection range of the dimming element including the drive target longer than the reference scanning intervals.例文帳に追加

また、投影領域がダミー露光領域にあるとき、駆動対象が含まれる調光要素の選択範囲の走査周期を基準走査周期よりも長くするようにＳＬＭ２４の調光状態を固定する。 - 特許庁

The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加

読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。 - 特許庁

In normal data reading, one of word lines WL0, WL1,... is selected and one of dummy word lines DWL0, DWL1 is selected, and data is read by a selected normal memory cell 20 and access to a reference cell 21.例文帳に追加

通常のデータ読出では、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…のうちの１本とダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の一方とが選択されて、選択された正規メモリセル２０およびリファレンスセル２１へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device involving a voltage generating circuit which can vary a dummy capacitor driving voltage to be used to generate a reference potential to be used for a sense amplifier following voltage fluctuation of sense amplifier supply voltage.例文帳に追加

センスアンプ供給電圧の電圧変動に追随して、センスアンプにて使用する参照電位を発生させるために用いられるダミーキャパシタ駆動電圧を変動可能な電圧発生回路を含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An output of a replica circuit 20 is supplied to a comparing circuit 26 through a dummy load circuit 24 and a low pass filter 25, this signal is compared with reference voltage Vref, and a pulse of a count up signal or count down signal is generated.例文帳に追加

レプリカ回路２０の出力がダミー負荷回路２４及びローパスフィルタ２５を介して比較回路２６に供給され、これが参照電圧Ｖｒｅｆと比較されて、カウントアップ信号又はカウントダウン信号のパルスが生成される。 - 特許庁

DC currents are detected respectively by charging and discharging gates of a dummy memory cell transistor (MCT) and a reference floating gate transistor (DT) in which a floating gate and a control gate are short-circuited, and gate capacity of these transistors (MCT, DT) is calculated.例文帳に追加

ダミーメモリセルトランジスタ（ＭＣＴ）およびフローティングゲートとコントロールゲートが短絡された参照フローティングゲートトランジスタ（ＤＴ）のゲートを充放電して、直流電流をそれぞれ検出して、これらのトランジスタ（ＭＣＴ，ＤＴ）のゲート容量を算出する。 - 特許庁

Read-out of data is performed accurately by generating reference voltage based on detection voltage from a dummy memory cell in which data '1' is recorded by which output voltage is not changed when read-out operation of data is performed, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、データの読み出し動作を行ったときに出力電圧に変化が起こらないデータ“１”の記録されたダミーメモリセルからの検知電圧を基に基準電圧を発生させることにより、データの読み出しを正確に行う。 - 特許庁

Reference pitch sets and timbre numbers for open strings corresponding to dummy strings 20a1, 20a2, 20a3, and 20a4 of a string input part 20 are stored in a table respectively corresponding to a plurality of 4-stringed instruments such as a ukulele, a bass, a mandolin, and a violin of various tuning types.例文帳に追加

弦入力部２０の疑似弦２０ａ１，２０ａ２，２０ａ３，２０ａ４にそれぞれ対応する開放弦用の基準ピッチセットと音色番号とについて、各種チューニングタイプのウクレレ、ベース、マンドリン、バイオリン等の複数の４弦楽器に対応してそれぞれテーブルに記憶しておく。 - 特許庁

And the column selecting section 27 selects one memory cell column in a first mode, and connects a bit line BL or BL# connected to one selecting memory cell and reference data lines DLr0, DLr1 connected to the dummy memory cells to a data read-out circuit 60.例文帳に追加

列選択部２７は、第１のモードでは、１つのメモリセル列を選択して、１個の選択メモリセルと接続されたビット線ＢＬまたはＢＬ♯と、ダミーメモリセルと接続された参照データ線ＤＬｒ０，ＤＬｒ１をデータ読出回路６０と接続する。 - 特許庁

During data reading, the source line potential of the selected row is changed, a differential potential is generated in the pair of a selected bit line (BLa) with which the selected memory cell is connected and a reference bit line (BLb) with which the dummy cell is connected, and the differential potential is detected to read data.例文帳に追加

データ読出時、選択列のソース線電位を変化させ、選択メモリセルが接続する選択ビット線（ＢＬａ）およびダミーセルが接続するリファレンスビット線（ＢＬｂ）の対に差動電位が生じ、この差動電位を検出してデータ読出を行なう。 - 特許庁

When the projection region is not in the dummy exposure region located in the periphery of the substrate S, the SLM driving device 25 scans the selection range of a dimming element including a drive target at reference scanning intervals tailored to scanning of the substrate S.例文帳に追加

ＳＬＭ駆動装置２５は、投影領域が基板Ｓの外周部に位置するダミー露光領域以外にあるとき、基板Ｓの走査に合わせた基準走査周期で駆動対象が含まれる調光要素の選択範囲を走査する。 - 特許庁

In the self-reference sense circuit 21, a first value is read from a test object cell before writing of writing data for the dummy cell of the test object, and a second value is read from the test object cell after writing of writing data for the test object cell.例文帳に追加

セルフリファレンスセンス回路２１は、テスト対象のダミーセルに対する書込データの書込み前にテスト対象セルから第１の値を読出して保持し、テスト対象セルに対する書込データの書込み後にテスト対象セルから第２の値を読出す。 - 特許庁

By controlling a back gate voltage of MOS transistors(TRs) Q3, Q4 of the dummy inverter 32 and the inverter 31 receiver so that the threshold voltage Vth is coincident with an external reference voltage VR. the threshold voltage Vth of the inverter 31 is controlled.例文帳に追加

そのスレショルド電圧Ｖthが外部の基準電圧ＶRに一致するように、ダミーインバータ３２およびインバータ３１をそれぞれ構成するＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のバックゲート電圧を制御することにより、インバータ３１のスレショルド電圧Ｖthを制御する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

On a test mode, each of the word lines WL0, WL1, ... is not selected, both of the dummy word lines DWL0, DWL1 are selected, data is read by mutual access to the reference cell 21 in a state in which one of reference voltages VREF0 and VREF1 is set to a level different from that during normal data reading.例文帳に追加

テストモードでは、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…の各々は非選択とされる一方で、ダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の両方が選択され、さらに、基準電圧ＶＲＥＦ０およびＶＲＥＦ１の一方を通常のデータ読出時とは異なるレベルに設定した状態でリファレンスセル２１同士へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a memory cell, a comparison unit comparing a first level in accordance with a state stored by the memory cell with a reference level, and a dummy cell supplying a second level discriminating as that it is not set in the prescribed range when the comparison unit is compared with the reference level to the comparison unit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルが記憶する状態に応じた第１のレベルを参照レベルと比較して第１のレベルが所定範囲に設定されているか否かを検出する比較ユニットと、比較ユニットが参照レベルと比較したときに所定範囲に設定されていないと判断する第２のレベルを比較ユニットに供給するダミーセルを含む。 - 特許庁