「dummy reference」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The margin region and the dummy region are alternately laid out with reference to the wiring pattern 102.例文帳に追加

マージン領域とダミー領域は、配線パターン１０２を基準として交互にレイアウトされる。 - 特許庁

A control circuit 8 performs control to give at least a first reference voltage to the dummy pixel 2 to read out the pixel signal of the dummy pixel 2 for i frame and to give a second reference voltage to read out the pixel signal of the dummy pixel 2 for j frame.例文帳に追加

制御回路8は、ダミー画素2に、少なくとも、第1の基準電圧を与えてiフレーム分のダミー画素2の画素信号を読み出し、第2の基準電圧を与えてjフレーム分のダミー画素2の画素信号を読み出す制御を行う。 - 特許庁

Dummy patterns (patterns which are not used for measurement) 3 and 4 are formed inside and outside the reference pattern 11 as the reference mark 10.例文帳に追加

基準マーク１０として、基準パターン１１の内側と外側にダミーパターン（測定に使用しないパターン）３，４を形成する。 - 特許庁

A comparator circuit CP1 compares the reference voltage with an output voltage of a dummy buffer circuit A2.例文帳に追加

比較回路ＣＰ１は、基準電圧とダミーバッファ回路Ａ２の出力電圧とを比較する。 - 特許庁

A dummy packet, whose adaptation field includes a value of a dummy PCR(program clock reference) for decoding actual time and time ratio information of a transfer time to a actual time is prepared.例文帳に追加

実時間を復元するためのダミーＰＣＲの値と、転送時間と実時間との時間比率情報がアダプテーションフィールドに入ったダミーパケットが用意される。 - 特許庁

Since the dummy scanning electrode 50 is connected to the inverting input terminal of an operational amplifier 32, the voltage of the dummy scanning electrode 50 is maintained at a reference voltage "VGND."例文帳に追加

ダミー走査電極５０は演算増幅器３２の反転入力端に接続されるから、その電位は基準電位ＶＧＮＤに保持される。 - 特許庁

The SSA 31 outputs a reference level of 11/10 to a main bit line GBLN4 by balancing potentials of dummy cells connected to both dummy word lines.例文帳に追加

ＳＳＡ３１は両ダミーワード線に接続されたダミーセルの電位をバランスさせて１１／１０のリファレンスレベルを主ビット線ＧＢＬＮ４に出力する。 - 特許庁

On the other hand, the capacitor 82 and the capacitor 92 are provided in a dummy cell 80 and a dummy cell 90 respectively which are provided separately from the reference cell and the memory cell.例文帳に追加

一方、キャパシタ８２およびキャパシタ９２は、リファレンスセルおよびメモリセルと別に設けられたダミーセル８０およびダミーセル９０内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The controller accesses the dummy data from the main memory in turning on power, and accesses the main data from the main memory when the dummy data accessed from the main memory coincide with the reference data stored in the reference data storage device.例文帳に追加

そしてコントローラはパワーアップ時、メインメモリからダミーデータにアクセスし、メインメモリからアクセスされたダミーデータが基準データ貯蔵装置に貯蔵された基準データと一致する時、メインメモリからメインデータをアクセスする。 - 特許庁

Hereby, the dummy pixel 102 can output properly a reference level equivalent to a bias voltage.例文帳に追加

これによりダミー画素１０２は、バイアス電圧に相当する基準レベルを適切に出力することができる。 - 特許庁

The memory cell array is constituted of a data cell array 12, a reference cell array 13A and dummy cell arrays 13B, 13C.例文帳に追加

メモリセルアレイは、データセルアレイ１２、レファレンスセルアレイ１３Ａ及びダミーセルアレイ１３Ｂ，１３Ｃから構成される。 - 特許庁

An isolator 7 consisting of a circulator 71 and a dummy load 72 is provided in a reference signal supply section 6.例文帳に追加

基準信号供給部６内にサーキュレータ７１とダミーロード７２とからなるアイソレータ７を設ける。 - 特許庁

The movement of the mirror in the projection system PL is detected as shifts in the dummy positions of the reference makers 11, 14.例文帳に追加

投影システムＰＬ内のミラーの動きが、基準マーカ１１、１４の見かけの位置のシフトとして検出される。 - 特許庁

The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3.例文帳に追加

第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。 - 特許庁

In the process of producing a dummy pattern on a scribe line, the scribe line is divided for every chip, and the dummy pattern is produced at a specified gap from the center point of the chip as the reference point of production in the dummy producing region assigned to each chip.例文帳に追加

スクライブライン上にダミーパターンを発生するにあたり、スクライブラインをチップ毎に分割し、チップ毎に割り当てられたダミー発生領域に、チップの中心点を発生基準点として規定ギャップ値をもってダミーパターンを発生させる。 - 特許庁

In a suspended state, when a specific reference command is received from the AP 11, the device driver 12 returns a dummy response to the reference command to the AP 11 without notifying the printer of the reference command.例文帳に追加

サスペンド状態の場合、ＡＰ１１から特定の照会コマンドを受信すると、デバイスドライバ１２がその照会コマンドをプリンタ２０へ通知せずにＡＰ１１へ照会コマンドに対するダミーレスポンスを返却する。 - 特許庁

Second terminal of the circulator 71 is connected with the dummy load 72 and the third terminal is connected with a reference signal generator 61.例文帳に追加

サーキュレータ７１の第２端子をダミーロード７２に接続し、第３端子を基準信号発振器６１に接続する。 - 特許庁

In the case that the peak is higher than an input limit power of a transmission amplifier AP, a dummy symbol generating section DM generates a dummy symbol to reference the detected peak and to cancel it.例文帳に追加

ピークが送信増幅器ＡＰの入力制限電力より大きい場合には、検出されたピークを参照してこれを打ち消すようなダミーシンボルをダミーシンボル生成部ＤＭで生成する。 - 特許庁

A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.例文帳に追加

ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁

To provide a DRAM in which an appropriate bit line reference potential can be set by using a dummy cell of a capacity coupling type.例文帳に追加

容量結合型のダミーセルを用いて適切なビット線の参照電位を設定することを可能としたＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A dummy cell (a reference potential generating circuit) DC is provided with a paraelectric capacitor DCC1 and a ferroelectric capacitor DCC2.例文帳に追加

ダミーセル（参照電位発生回路）ＤＣは、常誘電体キャパシタＤＣＣ１及び強誘電体キャパシタＤＣＣ２を有する。 - 特許庁

Similarly, the SSA 32 outputs a reference level of 01/00 to a main bit line GBLT4 by balancing potentials of both dummy cells.例文帳に追加

同様に、ＳＳＡ３２は両ダミーセルの電位をバランスさせて０１／００のリファレンスレベルを主ビット線ＧＢＬＴ４に出力する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a plurality of dummy wordlines independently formed with normal wordlines; a plurality of dummy wordline drivers for driving the dummy wordlines; a plurality of control circuits for controlling the dummy wordline drivers; a plurality of comparing units for comparing a voltage level of the dummy wordline and the predetermined reference voltage level; and a plurality of units for outputting signals outputted from the comparing units to the outside.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、ノーマルワードラインと別に形成されるダミーワードラインと、前記ダミーワードラインを駆動するダミーワードラインドライバと、前記ダミーワードラインドライバを制御する制御回路と、前記ダミーワードラインに印加される電圧レベルを所定の基準電圧と比較する比較手段と、前記比較手段から出力される信号を外部に出力するための手段とを含む。 - 特許庁

In one arrangement, each dummy bidirectional predictive image is a one-directional predictive image, and the method further includes the step of predicting each dummy bidirectional predictive image from a reference image.例文帳に追加

１つの構成では、それぞれダミーの双方向予測ピクチャは、１方向性の予測ピクチャであり、本方法は、参照画像からそれぞれダミーの双方向予測ピクチャを予測するステップをさらに含んでいる。 - 特許庁

One detector sensor is provided for each dummy pixel group at outside the effective display area to continuously control the dummy pixel to emit light at the same gradation level for the input display data of the reference pixel.例文帳に追加

一組のダミー画素に対して１つの検出センサーを有効表示領域の外側に配置し、基準画素に対応する入力表示データの階調値でダミー画素を継続的に発光制御する。 - 特許庁

Dummy valve mechanisms 34 are arranged by two on one of cam pieces 33 of the reference camshaft 31, respectively and the dummy valve mechanisms 34 are lifted and driven twice while the respective cam pieces 33 rotate once.例文帳に追加

基準カムシャフト３１のカムピース３３一つについて二つずつの模擬バルブ機構３４が設けられており、各カムピース３３が１回転する間に模擬バルブ機構３４を２回リフト駆動する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor memory device comprises a process of forming dummy cells 61_1 to 61_8 so as to be situated next to a reference cell 41_2, and a process of injecting an impurity into the dummy cells 61_1 to 61_8 using a mask for covering the reference cell 41_2.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、リファレンスセル４１_２に隣接するようにダミーセル６１_１〜６１_８を形成する工程と、リファレンスセル４１_２を覆うマスクを用いて、ダミーセル６１_１〜６１_８に不純物を注入する工程と、を含んでいる。 - 特許庁

As the reference sense line RSN is shared, dummy sense line capacitors CS are added to the sense line SN to balance the capacity of the reference sense line RSN and the sense line SN.例文帳に追加

参照センス線ＲＳＮを共有としたことに伴い、センス線ＳＮには、参照センス線ＲＳＮとの容量バランスをとるためにダミーセンス線容量ＣＳが付加される。 - 特許庁

Since a reference level can be generated without using a dummy cell, a ferroelectric memory characteristic of high speed and high reliability is implemented.例文帳に追加

ダミーセルを用いることなく、リファレンスレベルを発生できるため、高速かつ信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供できる。 - 特許庁

A dummy rail generating means drives the gate of the transmission transistor M1 to provide a PRAIL reference voltage which is lower than that of the 1st node.例文帳に追加

疑似レール生成手段は、伝送トランジスタＭ１のゲートを駆動し、第１のノードよりも低いＰ_ＲＡＩＬ基準電圧を提供する。 - 特許庁

When a bell prize and a dummy are both won, bell symbols are drawn onto an effective line in reference to a second control table.例文帳に追加

ベルとダミー役とが重複当選した場合には、第２制御テーブルを参照し、ベル図柄を有効ライン上に引き込む制御を行う。 - 特許庁

A pre-charge level of a data line is VDD, a part of the dummy cells DMC may be used as a memory cell for generating a reference level.例文帳に追加

また、データ線のプリチャージレベルはＶＤＤとし、ダミーセルＤＭＣの一部を参照レベル発生用のメモリセルとして利用しても良い。 - 特許庁

A potential outputted from the dummy memory cells DMC selected by the dummy wordline DWL to a dummy bit line DBL, is monitored by a comparison circuit 24, and a comparison signal CMP of a comparison result is given to a timing signal generating circuit 22 when the potential becomes a reference voltage REF or lower.例文帳に追加

ダミーワード線ＤＷＬで選択されたダミーメモリセルＤＭＣからダミービット線ＤＢＬに出力される電位を比較回路２４で監視し、参照電圧ＲＥＦ以下になったときに比較結果の出力信号ＣＭＰをタイミング信号生成回路２２に与える。 - 特許庁

A test system 200 controls magnitude of voltage difference indicated between bit lines by enabling a first dummy cell 130 to transfer first reference electric charges on a first bit line and enabling a second dummy cell 140 to transfer second reference electric charges on a second bit line.例文帳に追加

テストシステムは第一基準電荷を第一ビット線上へ転送させるために第一ダミーセルをイネーブルさせ且つ第二基準電荷を第二ビット線上へ転送させるために第二ダミーセルをイネーブルさせることによって、ビット線間に表れる電圧差の大きさを制御する。 - 特許庁

By constituting this, even if one of the separated dummy elements 22 is disconnected, since the sum of the outputs of the other dummy elements 22 which are connected in parallel is outputted as a dark current decrease in a reference current for correction is low, so that this output can be used as the reference for correcting the dark current.例文帳に追加

分割したダミー素子２２の一個が接続不良となっても，並列接続された残りのダミー素子２２の出力の和が暗電流として出力されるから，補正の基準電流の低下率が小さくこの出力を暗電流補正の基準として使用することができる。 - 特許庁

To enable a satellite signal radiolocation device for GPS, etc., to autonomously compute a correction value for correcting dummy distance data obtained by a satellite signal tracking device in the inside, without requiring a dummy distance correction value from a reference station.例文帳に追加

ＧＰＳなどの衛星信号測位装置において、基準局からの擬似距離補正値を必要とせず、衛星信号追尾装置で得られた擬似距離データを補正する補正値を自己の内部で自律演算すること。 - 特許庁

In the process of injecting any impurity, the impurity is injected into the dummy cells 61_1 to 61_8 such that the impurity oozes from the dummy cells 61_1 to 61_8 to the reference cell 41_2.例文帳に追加

ここで、不純物を注入する工程においては、リファレンスセル４１_２にダミーセル６１_１〜６１_８から上記不純物が染み出すように、ダミーセル６１_１〜６１_８に上記不純物を注入することを特徴とする。 - 特許庁

Through operation of a constant voltage dummy circuit 20, charging the output from the main power supply section 8 has a predetermined voltage of the constant voltage dummy circuit 20, and thereby a divided voltage Vd can be made equal to or lower than a reference voltage Vref.例文帳に追加

定電圧ダミー回路20の動作により、主電源部８の充電出力は、定電圧ダミー回路20の所定の電圧になるため、分圧電圧Ｖｄを基準電圧Ｖｒｅｆ以下とすることができる。 - 特許庁

When a bell and a dummy winning combination are doubly won, control is performed in reference to a second control table to draw a bell pattern onto an effective line.例文帳に追加

ベルとダミー役とが重複当選した場合には、第２制御テーブルを参照し、ベル図柄を有効ライン上に引き込む制御を行う。 - 特許庁

To provide technique in which the increase in the device area is small and in which a reference potential can be easily obtained, in a ferroelectric storage device generating the reference potential using a dummy cell.例文帳に追加

ダミーセルを用いて参照電位を発生する強誘電体記憶装置において、デバイス面積の増加が少なく、かつ容易に参照電位が得ることを可能とする技術を提供すること。 - 特許庁

A current source 63 for supplying an intermediate current between '0' and '1' is connected to the reference data line RDL, and a dummy data line capacitor CR corresponding to the capacity of the data line DL is connected to the reference data line RDL.例文帳に追加

参照データ線ＲＤＬには“０”，“１”セルの中間の電流を流す電流源６３が接続され、またデータ線ＤＬの容量に対応するダミーデータ線容量ＣＲが接続される。 - 特許庁

In this semiconductor device, portions of each layer to be originally nondense are provided with dummy patterns 4c, 4d, 14c, 14d, 24, and these dummy patterns are electrically connected to the reference wiring that is either of a power supply wiring 25 and a ground wiring 26.例文帳に追加

半導体装置は、各層の本来疎になる部分にはダミーパターン４ｃ，４ｄ，１４ｃ，１４ｄ，２４を備えており、これらのダミーパターンは、電源配線２５およびグランド配線２６のいずれか一方である基準配線と電気的に接続されている。 - 特許庁

The dummy data line is equalized to all plurality of signal lines at the time of pre-charge and made floating at the time of reading, and reset to a reference potential at the time of reset.例文帳に追加

ダミーデータ線は、プリチャージ時に複数の信号線全てとイコライズされ読み出し時にフローティングになり、リセット時には基準電位にリセットされる。 - 特許庁

On a second glass substrate 70, a dummy bank 75 which has the same height as a scanning electrode bank 72 with reference to the second glass substrate 70, is provided.例文帳に追加

第２ガラス基板７０には、第２ガラス基板７０の面に対して走査電極用バンク７２と同じ高さのダミーバンク７５が設けられている。 - 特許庁