「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a fourth epitaxial layer to serve as a (p) base region is deposited as a top-side element structure on a surface of the third epitaxial layer.例文帳に追加

ついで、第３エピタキシャル層の表面に、おもて面素子構造として、ｐベース領域となる第４エピタキシャル層を堆積する。 - 特許庁

The electroluminescent element is structured of a support substrate 1, an EL layer 2, a cover glass 3, an adhesive layer 4, and a prism sheet 8.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子は、支持基板１と、ＥＬ層２と、カバーガラス３と、粘着層４と、プリズムシート８とを含んで構成されている。 - 特許庁

The second STI separating layer 33 is used to electrically separate the transistor element 31 together with the first STI separating layer 32.例文帳に追加

第２ＳＴＩ分離層３３は、第１ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。 - 特許庁

The n-type thermoelectric element layer is a thin film layer and turned to an n-type semiconductor by adding Se to Bi-Te.例文帳に追加

一方、ｎ型熱電素子層は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｅを添加することによりｎ型半導体としたものである。 - 特許庁

In this organic EL element 1, an organic layer 4 having at least the luminescent layer 4b is formed between a positive electrode 3 and a negative electrode 5.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、少なくとも発光層４ｂを有する有機層４を陽極３と陰極５との間に形成してなる。 - 特許庁

To cope with unleading a sealing layer, and restrain an adverse effect on an element caused by vaporization of a soft metal layer for the sealing.例文帳に追加

封止層の無鉛化に対応するとともに、この封止用の軟質金属層の気化による素子の悪影響を抑制するる。 - 特許庁

The first hard bias layer and the second hard bias layer have the same magnetization direction, but bias magnetic fields supplied to the element parts are orthogonal.例文帳に追加

第１ハードバイアス層及び第２ハードバイアス層は、同じ着磁方向であるが各素子部に供給されるバイアス磁界は直交している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element having a high reflection factor and excellent electrical contact of a light reflection layer and a semiconductor layer.例文帳に追加

反射率ならびに光反射層および半導体層の電気的な接触性がいずれも高い半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To heighten the stability of a display element by preventing crystallization in forming another organic compound layer through lamination on a light-emitting layer.例文帳に追加

発光層上に積層して別の有機化合物層を形成する際の結晶化を防止して表示素子の安定性を高める。 - 特許庁

The heat roll 92 used in an image forming apparatus includes: an insulating pipe 81; a resistance heating element layer 82; and a releasing layer 83.例文帳に追加

画像形成装置に使用されるヒートロール９２は、絶縁パイプ８１と、抵抗発熱体層８２と、離型層８３と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 5 (active layer) is formed by using a semiconductor in a polycrystalline form of ZnO doped with a Group-V element or the like.例文帳に追加

半導体層５（活性層）は、例えばＶ族元素が添加されたＺｎＯの多結晶状態の半導体を用いて形成される。 - 特許庁

The organic EL element 11 is provided with a first electrode 13, an organic layer 14 containing at least a light-emitting layer, and a second electrode 15.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１は、第１電極１３と、少なくとも発光層を含む有機層１４と、第２電極１５とを備えている。 - 特許庁

In the substrate 6 and the epitaxial layer 7, isolation regions 1, 2, 3 are formed to divide the substrate 6 and the epitaxial layer 7 into a plurality of element formation regions.例文帳に追加

基板６及びエピタキシャル層７には、分離領域１、２、３が形成され、複数の素子形成領域に区分されている。 - 特許庁

A package element has a first insulating layer 21, and a plurality of holes 22 are arranged in a first surface of the first insulating layer.例文帳に追加

パッケージ要素は第１の絶縁層２１を有しており、複数のホール２２が該第１の絶縁層の第１の表面上に配置される。 - 特許庁

The diode element 22 is composed of an Se layer 26 on the side of a first address line and a CdSn alloy layer 28 stacked hereon.例文帳に追加

ダイオード素子２２は第１のアドレスライン側のＳｅ層２６とこの上に積層されたＣｄＳｎ合金層２８から構成される。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element has an insulating layer 23, a light-absorbing layer 15, and a couple of counter electrodes 17 laminated on a substrate 11 in this order.例文帳に追加

半導体受光素子は、基板11上に、絶縁層23、光吸収層15、一対の対向電極17がこの順に積層されている。 - 特許庁

Specifically, the oxide semiconductor layer is used by adding a halogen element to the oxide semiconductor layer and then heat-treating it to remove the impurity.例文帳に追加

具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。 - 特許庁

This organic electroluminescence element is formed by arranging an anode 2, a light-emitting layer 5, an electron transport layer 7 and a cathode 8 in this order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、陽極２、発光層５、電子輸送層７及び陰極８がこの順で形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

To manufacture an organic EL element so that an organic layer in an excellent amorphous state may be maintained by preventing the crystallization of the organic layer.例文帳に追加

有機層の結晶化を防ぎ、良好なアモルファス状態の有機層を保つように有機EL素子を製造することを目的とする。 - 特許庁

An induction element (1) has a laminate structure by which an insulating layer and a wiring layer are alternately laminated on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明による誘導素子（１）は、半導体基板上に絶縁層と配線層とが交互に積層された積層構造を有する。 - 特許庁

Ionic impurities are ionized, and tend to become mobile ions, and they degrade a liquid crystal layer or an electroluminescent layer, which is used for a display element.例文帳に追加

イオン性不純物はイオン化し、可動イオンになりやすく、表示素子に用いられる液晶層や電界発光層を劣化させる。 - 特許庁

A stopper layer is formed on one surface of a substrate, an element is formed on the stopper layer, and the substrate is thinned from its other side.例文帳に追加

基板の一方の面上にストッパー層を形成し、ストッパー層上に素子を形成し、基板を基板の他方の面から薄膜化する。 - 特許庁

A boundary layer 23 containing the second conductivity-type impurity is formed in between the silicon mixed crystal layer 22 and the element forming region 12.例文帳に追加

シリコン混晶層２２と素子形成領域１２との間には、第２導電型の不純物を含む境界層２３が形成されている。 - 特許庁

By using the insulating layer consisting of the polyimide-based resin as the insulating layer (30), the element is excellent in weathering ability and reliability.例文帳に追加

素子表面に露出する絶縁層（３０）としてポリイミド系樹脂からなる絶縁層を用いたことで耐候性、信頼性に優れる。 - 特許庁

A collector region 3 is formed in the central part of a unit cell 1 at the surface layer part of the element forming layer 6b of an SOI substrate 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板６の素子形成層６ｂの表層部のうち単位セル１の中心部にコレクタ領域３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a silicon substrate 10, a strain imparting layer 20, a silicon layer 30, an FET 40, and an element isolation region 50.例文帳に追加

半導体装置１は、シリコン基板１０、歪み付与層２０、シリコン層３０、ＦＥＴ４０、および素子分離領域５０を備えている。 - 特許庁

A Si layer 13 and a SiGe layer 11 are formed on a Si substrate 1 and a groove h1 is also formed along the external circumference of an element region.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ層１３／ＳｉＧｅ層１１を成膜し、素子領域の外周に沿って溝ｈ１を形成する。 - 特許庁

To provide a pressure wave generating element capable of preventing reduction of output due to oxidization of a thermal insulating layer consisting of a porous silicon layer.例文帳に追加

多孔質シリコン層からなる断熱層の酸化による出力低下を防止することができる圧力波発生素子を提供する。 - 特許庁

COMPOSITE ELEMENT MADE OF POLYURETHANE MATERIAL WITH SURFACE COMPOSED OF THERMOPLASTIC SUBSTANCE LAYER OR METALLIC LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

熱可塑性物質層又は金属層から成る表面を有するポリウレタン材料から作られた複合要素及びその製造方法 - 特許庁

The element comprises a p-type nitride semiconductor layer and a p-side electrode 18 comprising a palladium oxide film 30 on the surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 - 特許庁

The exhaust gas treatment element can also include a second catalyst layer containing a second promoter arranged on the first catalyst layer.例文帳に追加

排ガス処理エレメントはまた、第１の触媒層の上に配置される第２の助触媒を含む第２の触媒層を含むことができる。 - 特許庁

On the first layer elastic body 3, the second layer elastic body 4 is piled upward from the vicinity of the periphery of the pressure-sensing element 2.例文帳に追加

第１層目弾性体３上には、感圧素子２の外周近傍から上方に向かって第２層弾性体４が積層されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas sensor element in which a protection layer may be prevented from peeling off while retaining a function of the protection layer.例文帳に追加

保護層の機能を維持しながら、その保護層の剥離を防止することができるガスセンサ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

And at least the metal oxide film 25 of the lower layer gap layer 26 is provided directly under the magnetic tunnel junction element 27.例文帳に追加

そして、下層ギャップ層２６のうち、金属酸化膜２５は、少なくとも磁気トンネル接合素子２７の直下に位置して設けられている。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR PREVENTING ELECTRICAL SHORT CIRCUIT OF UPPER LAYER INTERCONNECTION AND LOWER LAYER INTERCONNECTION BASED ON FLUIDITY OF PLANALIZATION FILM例文帳に追加

平坦化膜の流動に基づく下部配線と上部配線の間の電気的ショートを防止するための半導体素子の製造方法 - 特許庁

The polarizing optical element 12 includes first and second two transparent substrates 30 and 32, a PBS layer 34 and a hologram layer 36.例文帳に追加

偏光性光学素子１２は、第１及び第２の２つの透明基板３０、３２と、ＰＢＳ層３４とホログラム層３６とからなる。 - 特許庁

In (3), the compound semiconductor used for the light emitting element having a layer thickness of the light emitting layer over 5Å and below 500 Å described (1) or (2) is provided.例文帳に追加

〔３〕発光層の層厚が５Å以上５００Å以下である〔１〕又は〔２〕記載の発光素子用化合物半導体。 - 特許庁

The translucent member 14 is provided on the light-emitting element 11 and has a first layer 14-1 and a second layer 14-2.例文帳に追加

透光性部材１４は、発光素子１１上に設けられており、第１の層１４−１および第２の層１４−２を有している。 - 特許庁

The constituting element of the negative electrode current collector 11 is preferably spread in both the first layer 12A and the second layer 12B.例文帳に追加

負極集電体１１の構成元素は、第１層１２Ａおよび第２層１２Ｂの両方に拡散していることが好ましい。 - 特許庁

A light-emitting element consisting of a p-semiconductor layer 5 and n-semiconductor layer 6 is formed in the crossing part of the one- dimensional structural bodies 2, 3.例文帳に追加

１次元構造体２、３の交差部にｐ型半導体層５およびｎ型半導体層６からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

At least one side of the first conductive layer 12 and the second conductive layer 13 is constituted by adding a rare earth element to an oxide.例文帳に追加

第１導電層１２および第２導電層１３の少なくとも一方が酸化物に希土類元素を添加して構成されている。 - 特許庁

The fluorescent element 48 includes a fluorescent layer 45 and filter layers 44, 47 which are opposed to each other with the fluorescent layer 45 interposed therebetween.例文帳に追加

蛍光素子４８は、蛍光体層４５と、蛍光体層４５を間にして互いに対向するフィルタ層４４，４７とを有している。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT FOR FORMING PHOTO-ALIGNING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

光配向用液晶配向膜を形成するための液晶配向剤、液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示素子 - 特許庁

A reflecting layer is formed on a part of a resin scattering layer and a contact part in a reflective display region of the element substrate.例文帳に追加

素子基板において反射層は、反射表示領域の樹脂散乱層上及びコンタクト部上の一部に形成されている。 - 特許庁

The light-emitting element also comprises a nitride film (e.g. a silicon nitride film or a titanium nitride film) 6 of a semiconductor material or a metal on the uppermost layer of the mask layer 4.例文帳に追加

マスク層４の最上層に、半導体材料または金属の窒化膜（たとえば、窒化シリコン膜または窒化チタン膜）６を有する。 - 特許庁