etchantを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 968件
HAFNIUM OXIDE ETCHANT AND ETCHING METHOD例文帳に追加
酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法 - 特許庁
Thereby the control of etchant is dispensed with, and precision is high also.例文帳に追加
エッチング液の管理が不要であり、また、精度も高い。 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE例文帳に追加
有機発光ダイオード表示装置のエッチング液組成物 - 特許庁
ETCHANT FOR CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD例文帳に追加
導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁
ETCHANT FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ETCHING METHOD例文帳に追加
透明導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁
The method for manufacturing the wiring board includes using the etchant.例文帳に追加
また、該エッチング液を用いた配線基板の製造方法。 - 特許庁
At the same time, the convection of etchant can be suppressed.例文帳に追加
同時にエッチング液の対流も抑制することができる。 - 特許庁
ETCHANT FOR REMOVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL FILM例文帳に追加
高誘電率材料膜除去用エッチング液 - 特許庁
METHOD FOR REGENERATING ETCHANT AND ETCHING APPARATUS例文帳に追加
エッチング液の再生方法およびエッチング装置 - 特許庁
METHOD OF CONTROLLING CONCENTRATION OF ETCHANT CONSTITUENT例文帳に追加
エッチング液成分の濃度制御方法 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD例文帳に追加
エッチング液組成物およびエッチング方法 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD例文帳に追加
エッチング液組成物及びエッチング方法 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
透明導電膜用エッチング液組成物 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加
透明導電膜のエッチング液組成物 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR REGENERATING ETCHANT例文帳に追加
エッチング液の再生方法及びエッチング液の再生装置 - 特許庁
The liquid etchant contains hydrofluoric acid and an organic solvent.例文帳に追加
フッ酸と有機溶媒とを含んでなるエッチング液。 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION FOR THIN FILM HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT例文帳に追加
高誘電率薄膜エッチング剤組成物 - 特許庁
METHOD FOR REGENERATING FATIGUED IRON-CHLORIDE-BASED ETCHANT例文帳に追加
塩化鉄系エッチング疲労液の再生方法 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
エッチング剤組成物及びパターン形成方法 - 特許庁
METHOD FOR CIRCULATING ETCHANT AND CIRCULATION TANK例文帳に追加
エッチング液循環方法および循環槽 - 特許庁
The etchant composition has a composition including an inorganic acid and a metallic compound.例文帳に追加
無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。 - 特許庁
A liquid etchant 3 is supplied to an etchant vessel 4, the etchant is vaporized with a vaporization unit 6, and the fragile layer 1a such as the porous layer is selectively etched with the vaporized etchant.例文帳に追加
エッチング剤容器4に液体のエッチング剤3を入れ、これを気化ユニット6によって気化させ、気化したエッチング剤で多孔質層等の脆弱層1aを選択エッチングする。 - 特許庁
ETCHANT COMPOSITION FOR COPPER-CONTAINING MATERIAL例文帳に追加
銅含有材料用エッチング剤組成物 - 特許庁
The etching device includes a first etchant supply part 211 supplying a relatively small amount of the etchant to the coating layer; and a second etchant supply part 221 disposed at the subsequent stage of the first etchant supply part 211 and supplying a relatively large amount of the etchant to the coating layer.例文帳に追加
エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部211と、第一給液部211よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部221とを備える。 - 特許庁
This apparatus includes an etchant tank 162 capable of storing the etchant, a sensor for sensing a level of the etchant that is contained in the etchant tank, and a mixing tank 168 that mixes one or more chemical components into the etchant that is supplied to the etchant tank in response to the sensed level.例文帳に追加
本装置は、エッチャントを貯蔵することができるエッチャントタンク162と、エッチャントタンク内に容れられているエッチャントのレベルを検知するセンサと、検知されたレベルに応答して1つまたはそれ以上の化学成分をエッチャントとして混合し、エッチャントタンクへ供給する混合タンク168を有している。 - 特許庁
At the point of time when the ferrous ion concentration in the etchant exceeds a set value, the etchant is discharged out of the system.例文帳に追加
そしてエッチング液内の第一鉄イオン濃度が設定値を越えた時点で当該エッチング液を系外に排出する。 - 特許庁
An etching device comprises a crystal blank support device 1 and an etchant discharging device 3 for pouring etchant on a crystal blank 2.例文帳に追加
水晶のブランクの支持装置1と、水晶のブランク2の上にエッチング液を浴びせるためのエッチング液放出装置3とから構成する。 - 特許庁
ETCHANT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE INCLUDING CONDUCTIVE WIRING USING ETCHANT AND RESULTANT STRUCTURE THEREOF例文帳に追加
エッチング液、エッチング液及びその結果構造物を用いた導電性配線を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法 - 特許庁
An aqueous solution containing an oxalic acid and a fluorochemical surfactant is used as an etchant (etchant composition for conductive film).例文帳に追加
シュウ酸と、フッ素系界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液(導電膜用エッチング液組成物)として用いる。 - 特許庁
While the wafer W is rotated, an etchant 43 is supplied to the peripheral part of the wafer W from an etchant supply nozzle 4.例文帳に追加
その一方で、ウエハWの周縁部に向けて、エッチング液供給ノズル4から、エッチング液43が供給される。 - 特許庁
Upon lapse of the prescribed time, the display panel is pulled up from an etchant of the etching vessel, and the etchant is removed (step S53).例文帳に追加
そして、所定時間が経過すると、表示パネルをエッチング槽のエッチング液から引き上げ、エッチング液を除去する(ステップS53)。 - 特許庁
Consequently, when both the semiconductor wafers 1 are dipped in an etchant, the etchant does not come into contact with the non-etching surfaces 1b.例文帳に追加
このため、両半導体ウエハ1をエッチング液に浸漬した場合にエッチング液が非エッチング面1bに接触しない。 - 特許庁
The etchant is the iodic etchant characterized by its vapor pressure of 2 kPa or lower at 25°C, and an organic solvent compatible with water contained therein.例文帳に追加
ヨウ素系エッチング液であって、25℃での蒸気圧が2kPa以下であり、水と相溶する有機溶剤を含むことを特徴とする、前記エッチング液。 - 特許庁
The first etchant supply part 211 supplies an amount of the etchant, which removes a surface layer portion of the coating layer, to the coating layer.例文帳に追加
第一給液部211は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 - 特許庁
The etchant gas concentration and inert gas concentration are determined and the latter concentration is used to normalize the etchant gas concentration.例文帳に追加
エッチャント・ガス濃度および不活性ガス濃度を決定し、後者の濃度を使用してエッチャント・ガス濃度齲を正規化する。 - 特許庁
The etchant contains a chelating agent, so Ni and Cu in the etchant are removed to prevent metal contamination of wafers.例文帳に追加
エッチング液はキレート剤を含むので、エッチング液中のNi、Cuが除去され、ウェーハの金属汚染を防げる。 - 特許庁
The liquid etchant can be used in place of a conventional liquid etchant which is used in a conventional semiconductor element forming process.例文帳に追加
このエッチング液は、従来の半導体素子形成プロセスに用いられるエッチング液の代わりに用いることができる。 - 特許庁
To provide a liquid etchant which is not easily affected by a trench structure, and to provide a method for forming an isolation structure using the liquid etchant.例文帳に追加
トレンチ構造の影響を受けにくいエッチング液とそれを用いたアイソレーション構造の形成方法の提供。 - 特許庁
The etchant gas concentration and an inert gas concentration are determined, and the latter concentration is used to normalize the etchant gas concentration.例文帳に追加
エッチャント・ガス濃度および不活性ガス濃度を決定し、後者の濃度を使用してエッチャント・ガス濃度齲を正規化する。 - 特許庁
In a step of supplying a high-temperature etchant, the high-temperature etchant (approximately 60°C) is supplied to the surface of a wafer.例文帳に追加
高温エッチング液供給工程では、高温(約60℃)のエッチング液がウエハの表面に供給される。 - 特許庁
The etching is as follows: an etchant composed of hydrochloric acid is cooled at 5°C or lower and a phosphorus semiconductor layer is immersed in the etchant.例文帳に追加
塩酸からなるエッチャントを5℃より低温に冷却して、エッチャントにリン系半導体層を浸漬してエッチングを行う。 - 特許庁
The etchant has the mixing ratio of H_2SO_4:H_2O_2:H_2O=3:1:1.例文帳に追加
前記エッチング液がH_2SO_4:H_2O_2:H_2O=3:1:1の混合比である。 - 特許庁
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