「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

FILM LAMINATE PACKAGE ETCHANT AND ELECTRODE FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

積層膜一括エッチング液およびこれを用いた電極形成方法 - 特許庁

To efficiently conduct wet etching in a short time by a small quantity of an etchant.例文帳に追加

少量のエッチング液で、ウェットエッチングを効率よく短時間で行う。 - 特許庁

ETCHANT, ROUGHENING TREATING METHOD FOR SILICON-WAFER SUBSTRATE SURFACE AND ETCHING EQUIPMENT例文帳に追加

エッチング液、シリコンウエハ基板面の粗面化処理方法、及びエッチング装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHANT USED THEREFOR例文帳に追加

半導体素子の製造方法およびこの方法に使用されるエッチング液 - 特許庁

ETCHANT FOR COPPER AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD USING THE SAME例文帳に追加

銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法 - 特許庁

The device for etching a gallium nitride comprises a chamber 2 for etching a gallium nitride 1, an ozone gas generator 8, an etchant supply chamber 5 for restoring the oxidizing power of etchant by blowing an ozone gas, a pump 4 for delivering etchant 9 from the etching chamber 2 to the etchant supply chamber, and oxidation-reduction potentiometers 6 and 7 for monitoring the oxidizing power of the etchant.例文帳に追加

窒化ガリウムのエッチング装置は、窒化ガリウム１をエッチングするためのエッチング槽２と、オゾンガスを発生させるためのオゾン発生器８と、オゾンガスの吹き込みによってエッチャントの酸化力を回復させるためのエッチャント供給槽５と、エッチング槽２からエッチャント供給槽へエッチャント９を流出させるためのポンプ４と、エッチャントの酸化力をモニタするための酸化還元電位計６，７を備える。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁

A release hole 6 is provided for pouring a sacrificial layer etchant.例文帳に追加

また、犠牲層エッチング液を注入するためのリリース孔６を備えている。 - 特許庁

In the process, a mixed solution of phosphoric acid and sulfuric acid is used as an etchant.例文帳に追加

このとき、エッチング液として、リン酸および硫酸の混合液を用いる。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHANT COMPOSITION USED FOR SILICON MICROFABRICATION AND ETCHING METHOD例文帳に追加

シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHANT COMPOSITION USED FOR SILICON MICROFABRICATION AND ETCHING METHOD例文帳に追加

シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 - 特許庁

An etchant includes an aqueous solution containing hydrochloric acid, nitric acid, and a cupric ion source.例文帳に追加

塩酸、硝酸及び第２銅イオン源を含むエッチング水溶液とする。 - 特許庁

LIQUID ETCHANT FOR WET-ETCHING RESIN MEMBRANE AND ETCHING PROCESS USING THE SAME例文帳に追加

樹脂膜のウエットエッチング用エッチング液及びそれを用いて成るエッチング方法 - 特許庁

An etchant (9) is supplied to an inner surface of the wall (8) to flow on the wall (8) so that the etchant (9) is brought into contact with a wafer surface (7).例文帳に追加

この流液壁（８）の内面にエッチング液（９）を供給し、流液壁（８）を流下してエッチング液（９）がウエーハ面（７）に接触するようにする。 - 特許庁

ETCHANT, ITS MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF LIQUID INJECTION HEAD例文帳に追加

エッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁

The GaAs (111) A substrate 1 is removed by wet etching by ammonia based etchant.例文帳に追加

GaAs（111）Ａ基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁

ETCHANT COMPOSITION FOR AMORPHOUS ITO TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ETCHING METHOD例文帳に追加

アモルファスＩＴＯ透明導電膜用エッチング液組成物及びエッチング方法 - 特許庁

ETCHANT, ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID INJECTION HEAD例文帳に追加

エッチング液及びエッチング加工方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁

The etchant is the iodic etchant characterized by its vapor pressure of 2 kPa or lower at 25°C, and an organic solvent compatible with water contained therein.例文帳に追加

ヨウ素系エッチング液であって、２５℃での蒸気圧が２ｋＰａ以下であり、水と相溶する有機溶剤を含むことを特徴とする、前記エッチング液。 - 特許庁

ETCHANT FOR THIN SILVER ALLOY FILM AND PATTERN FORMATION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

銀合金薄膜用エッチング液およびこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

An iodine etchant, a sulfuric acid etchant, and a sulfuric acid etchant are each used as etchants for a p-AlGaAs window layer 6a, a p-GaAs layer 5a, and an n-AlInP lower clad layer 4a respectively.例文帳に追加

ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａのエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層５ａのエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層４ａのエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いる。 - 特許庁

To provide a nozzle preventing a device from corroding with an etchant by receiving the etchant having not been sucked fully from a suction opening, to provide an etchant supply device equipped with the nozzle, and to provide an etching method.例文帳に追加

吸引口から吸引しきれなかったエッチング液を受けることにより、エッチング液による装置の腐食を防止することのできるノズル、このノズルを備えたエッチング液供給装置およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To prolong the service life of an etchant in an etching method where an etchant composed essentially of ferric chloride is supplied to a material to be etched while circulating the etchant and also to stabilize the quality of the material to be etched after the etching treatment.例文帳に追加

被エッチング材に対し塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を循環しながら供給するエッチング方法において、エッチング液の使用寿命を延ばし、且つエッチング処理後の被エッチング材の品質を安定させること。 - 特許庁

To provide an etchant not containing chromium for a Si substrate and SiGe substrate, a method for revealing a defect by using this etchant, and a process for processing the Si substrate and the SiGe substrate by using this etchant.例文帳に追加

Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、このエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびこのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセスを提供する。 - 特許庁

To target an etchant of a silicon nitride film using a phosphoric acid aqueous solution, and very easily remove silicon compounds produced in the etchant to make it further suitable for an industrial process, and reduce regeneration expenses of the etchant.例文帳に追加

燐酸水溶液を使用する窒化珪素膜のエッチング液を対象とし、該エッチング液中において生成する珪素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減すること。 - 特許庁

To provide a method of regenerating an etchant targeting an etchant of silicon nitride and/or silicon nitride oxide containing sulfuric acid, extremely easily removing a silicon compound produced in the etchant, suitable for an industrial process, reducing regeneration process expense of the etchant, and capable of reducing waste liquid.例文帳に追加

硫酸を含む窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素のエッチング液を対象とし、前記エッチング液中において生成するケイ素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに適し、エッチング液の再生処理経費を低減して、廃液を低減することが可能なエッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method for soaking a silicon wafer into an etchant for etching, before etching, the silicon wafer is so heated that the temperature of the silicon wafer becomes the same as the temperature of the etchant or the temperature in a predetermined temperature range from the etchant temperature, and then the heated silicon wafer is soaked into the etchant.例文帳に追加

シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温と同温又は該液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにした。 - 特許庁

A mixed gas of SF_6, CHF_3 and Ar is employed for the etchant gas here.例文帳に追加

このときのエッチングガスには、ＳＦ_6、ＣＨＦ_3及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

ETCHANT FOR CONDUCTIVE POLYMER, AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER例文帳に追加

導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁

To easily enable selective etching of AlGaAs of the mirror surface with an HF system etchant.例文帳に追加

ＨＦ系エッチャントで容易に鏡面のＡlＧaＡs選択エッチングを可能にする。 - 特許庁

METHOD OF ETCHING SILICON SUBSTRATE, ETCHANT FOR SILICON SUBSTRATE AND ETCHING DEVICE OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板のエッチング液、シリコン基板のエッチング装置 - 特許庁

With H3PO4 as the etchant, the SiN film is etched to form an opening 7.例文帳に追加

Ｈ_3ＰＯ_4をエッチング液としてＳｉＮ膜をエッチングし、開口７を形成する。 - 特許庁

SILICON WAFER ETCHANT COMPOSED OF HIGH PURITY ALKALINE, AND ETCHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

高純度アルカリからなるシリコンウェハーエッチング液及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁

The etchant is formed of HF, deionized water, and anionic surfactant.例文帳に追加

ＨＦと、純水と、陰イオン性界面活性剤と、から形成されるエッチング液。 - 特許庁

A second etchant is an aqueous solution containing hydrochloric acid and salt iron (III).例文帳に追加

また、第２のエッチング液は、塩酸と、塩鉄（ＩＩＩ）とを含む水溶液とする。 - 特許庁

The systems include supplying etchant to an edge bead removal chamber.例文帳に追加

本発明は、エッチャントをエッジビード除去チャンバへ供給するシステムが提供される。 - 特許庁

As a result, even among the centers of wafers W, the etchant starts to flow and temperature distribution of etchant in the entire part of the gaps among the adjacent wafers W is uniformized.例文帳に追加

結果、ウェーハＷの中心部間でもエッチャントが流れるようになり、隣接するウェーハＷ間の隙間全域でのエッチャントの温度分布が均一化する。 - 特許庁

To achieve such a surface condition as this on the occasion of etching, etchant is used whose concentration of nitric acid is 2% or less, and average temperature of the etchant is made 10°C or below.例文帳に追加

このような表面状態を実現するには、エッチングに際して、硝酸濃度が２％以下のエッチング液を用い、エッチング液の平均温度を１０℃以下とする。 - 特許庁

At that time, after the etchant supply is stopped, the thin film is additionally etched for a certain time by the residual etchant on the substrate, thereby the thickness of the film reaches the reference value.例文帳に追加

この際に、エッチング液供給が停止した後、一定の時間、基板上の残留エッチング液により薄膜が追加エッチングされて薄膜の厚さが基準値に到達する。 - 特許庁

Specific gravity measurement is not affected substantially by fluctuation of an etchant flow rate because the flow rate of the etchant L to the measuring vessel 18 is not required to be held constant.例文帳に追加

また、測定槽１８へのエッチング液Ｌの流量を一定に保持する必要がないので、液流量変動による比重測定への影響は殆ど見られない。 - 特許庁

When a substrate 14 for thin-film formation is removed, it is etched by using an acidic etchant at low concentration or by mixing a liquid for viscosity increase with the acid etchant.例文帳に追加

薄膜形成用基板１４の除去の際に、濃度の低い酸性エッチング液を用い、あるいは粘度増加用液体を混入してエッチングを行うものである。 - 特許庁

The etchant for the metal layer includes water, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid, and the concentration of water in the etchant for the metal layer is less than 21 wt%.例文帳に追加

金属層用エッチング液は、水、りん酸、硝酸および酢酸を含んでおり、また金属層用エッチング液における水の濃度は２１重量％よりも小さくなっている。 - 特許庁

In addition, the apparatus has a thickness measuring system that measures thickness of a thin film and a main controller that transfers an etchant supply stop signal to the etchant supply controller.例文帳に追加

また、この装置は、薄膜の厚さを測定する厚さ測定システムとエッチング液供給制御器にエッチング液供給停止信号を伝達する主制御器を具備している。 - 特許庁

The non-isotropic spread of the etchant is corrected by the layer of the DIW, so that etching irregularities caused by the local concentration of the etchant are prevented.例文帳に追加

エッチング液の非等方的な広がりはＤＩＷの層によって修正されるため、エッチング液の局所的な集中に起因するエッチングむらが防止される。 - 特許庁

To provide a specific gravity measuring device, capable of accurately measuring the specific gravity of an etchant in real time by measuring the hydraulic pressure of the etchant, which is circulated in a circulation channel.例文帳に追加

循環路内を循環するエッチング液の液圧を測定することで、その比重をリアルタイムで精度良く測定することのできる比重測定装置を提供する。 - 特許庁