「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a wiring circuit board capable of forming an insulating film, without exposing it to an etchant.例文帳に追加

絶縁膜がエッチング液に晒されないで形成することができる配線回路基板の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In a substrate treatment apparatus 1, a substrate 9 is conveyed by a plurality of conveyer rollers 15, arranged along a liquid surface of an etchant.例文帳に追加

基板処理装置１は、エッチング液の液面に沿って配列された複数の搬送ローラ１５により基板９を搬送する。 - 特許庁

At this time, the first metal layer 22 in the multilayer body is etched selectively into a predetermined pattern using etchant for the metal layer.例文帳に追加

この際、積層体の第１金属層２２は、金属層用エッチング液を用いて所定パターンで選択的にエッチングされる。 - 特許庁

A liquid feeding and discharging block 23 is positioned at a point immediately above the pot 1 or its vicinity and temporarily stores a prescribed amount of etchant.例文帳に追加

給排液ブロック２３はエッチングポット１の真上近傍に配置され、所定量のエッチング液が一時的に貯留される。 - 特許庁

The first portion of dielectric material is exposed to an etchant that contains reactive species from a mixture, including NH_3 and NF_3.例文帳に追加

誘電材料の該第１の部分は、ＮＨ_３およびＮＦ_３を含む混合物からの反応種を含むエッチャントに暴露される。 - 特許庁

To provide an etchant for optionally setting dissolution rates for two different metals, and a method for manufacturing a circuit board therewith.例文帳に追加

２種の異なる金属の溶解速度が任意に設定できるエッチング液とそれを用いた回路基板の製法を提供する。 - 特許庁

Then, by using the pseudo-etching mask M, a second dry etching is performed with the chlorine gas as etchant anda rough structure is formed.例文帳に追加

次いで、この擬似エッチングマスクＭを用い、塩素系ガスをエッチャントとして第２のドライエッチングを行い、凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The laminated conductive thin film 15 having the aluminum-based conductive thin film 12 and the molybdenum-based conductive thin films 11 and 13 is brought into contact with the etchant containing (a) phosphorous acid, (b) nitrate, (c) organic acid and (d) water, or the etchant containing nitric acid further.例文帳に追加

アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a printed wiring board which adjust the temperature of an etchant that is a mixture of a plurality of components, while suppressing the heat-caused side reaction, separation and decomposition of the etchant, thereby allowing formation of uniform wiring on the printed wiring board.例文帳に追加

複数の成分が混合したエッチング液を加熱による副反応や分離、分解反応を抑制して温度調節することができ、プリント配線基板の配線を均一に形成可能なプリント配線基板の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

The temperature control means 9 is configured so that each of the parts on the surface to be treated 101 is kept at a predetermined temperature before the etchant is fed, and cooled to a temperature lower than the predetermined temperature after the fed etchant is suctioned from the suction port 4b.例文帳に追加

温度制御手段９は、被処理面１０１の各部を、エッチング液が供給される前は所定温度に保ち、エッチング液が供給され吸引口４ｂから吸引された後に所定温度よりも低い温度に冷却するよう構成されている。 - 特許庁

To provide an etchant of copper which improves the removal property of a seed layer in a manufacturing process of a substrate and, at the same time, hardly causes the undercutting when removing such a seed layer and to provide a method of manufacturing substrate using such an etchant.例文帳に追加

本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an etchant of a compound semiconductor, capable of removing Ga_xIn_1-xP semiconductor (0.9≤x≤1.0), along with an etching method of the compound semiconductor using the relevant etchant, and a method of manufacturing a compound semiconductor light emitting device using the relevant etching method.例文帳に追加

Ｇａ_xＩｎ_1-xＰ半導体（0.9≦ｘ≦1.0）を除去することができる化合物半導体のエッチング液、当該エッチング液を用いた化合物半導体のエッチング方法、及び当該エッチング方法を用いた化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching nozzle 41 while moved relatively to the workpiece supplies an etchant from an inside opening 44 of an inside pipe 42 to the workpiece surface, and sucks and collects the etchant from an outside opening 45 of an outside pipe 43 to carry out etching processing.例文帳に追加

エッチングノズル４１は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管４２の内側開口４４から被加工物表面に供給し、かつ外側管４３の外側開口４５から吸引回収することによりエッチング加工を行う。 - 特許庁

The nozzle 4 uniformly suctions the etchant, discharged from the discharge port 4a and supplied to the processed surface 101, through the suction port 4b, thereby equalizing the etching rate in an area of the processed surface 101 to which the etchant is supplied.例文帳に追加

また、ノズル４は、送出口４ａから送出され被処理面１０１に供給されたエッチング液を、吸引口４ｂから偏りなく均一に吸引することにより、エッチング液が供給された被処理面１０１内の領域のエッチングレートを均一化する。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁

To provide a function for assuring circulation of an etchant by effectively removing the gas, generated from the etchant, from within an injection line and an injection pump, while using a pump of blade water pump type which does not cause pulsation to be generated in injection pressure at low cost.例文帳に追加

安価で注送圧力に脈動を発生させない羽根水車式のポンプを使用しながらも、エッチング液から発生するガスを注送ライン内及び注送ポンプ内から効果的に取り除き、エッチング液の循環を確保する機能を提供する。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the reflection type electrode substrate includes a process of etching the metal oxide layer by using an etchant composed of oxalic acid and a process of etching the inorganic compound layer by using an etchant composed of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, 0.05 to 0.70% by weight of L-ascorbic acid or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または／および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液に０．０５〜０．７０ｗｔ％のＬ−アスコルビン酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

After a trench 7 has been formed by dry etching, a wet etching treatment is performed using a mixed solution of H2O2 and HF as an etchant.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてトレンチ７が形成された後に、H_2O_2とHFとを含む混合液をエッチャントとして用いて、ウェットエッチングが実行される。 - 特許庁

To improve stability of the step when etching a layer containing copper and a layer containing titanium by using a non-hyperhydrating etchant.例文帳に追加

銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。 - 特許庁

An etchant composition for a crystalline transparent conductive film is made of an aqueous solution containing a fluorine compound of 1 to 10 wt.%.例文帳に追加

１〜１０重量％のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。 - 特許庁

The wafer W is held on the substrate holding plane 11a, with an active face facing downwards, and is supplied with an etchant E from the upper side.例文帳に追加

ウエハＷは活性面を下方に向けて基板保持面１１ａ上に保持され、上面側からエッチング液Ｅが供給される。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching a feature part in a carbonaceous layer with an etchant gas mixture including molecular oxygen (O_2) and gas including a carbon sulfur terminal ligand.例文帳に追加

分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。 - 特許庁

To provide a zinc (Zn) oxide-based thin film transistor, a method of fabricating the same, a zinc oxide etchant, and a method of forming the same.例文帳に追加

Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of analyzing a process solution for semiconductor processing, especially determining a silicon concentration in an etchant solution of a silicon wafer.例文帳に追加

半導体加工処理溶液の分析、特にケイ素ウエハのエッチング剤溶液中のケイ素濃度を決定する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an etchant for etching a group III-V compound semiconductor containing arsenic as a group V at a stable etching rate.例文帳に追加

Ｖ族として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を安定したエッチングレートでエッチングすることができるエッチング液を得る。 - 特許庁

This new etchant does not contain chromium, and makes it possible to realize a significantly sufficient etching speed and a significantly satisfactory etching result.例文帳に追加

この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。 - 特許庁

To provide an etchant capable of etching an ITO transparent electrode (or an IZO transparent electrode) and a ZAO transparent electrode with the same liquid.例文帳に追加

ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant capable of selectively removing a high dielectric constant material and selectively leaving an SiN film, and an etching method.例文帳に追加

高誘電率材料を選択的に除去し、かつ、SiN膜を選択的に残すことができるエッチング液、およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The etchant composition for a thin film having a high dielectric constant is an aqueous solution containing an oxidant, a chelating agent, and a water-soluble fluorine compound.例文帳に追加

酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁

The silicon oxide film 12 remaining on the silicon substrate 11 is etched and removed using an etchant 17 to the silicon oxide.例文帳に追加

シリコン酸化物に対するエッチャント１７を用いてシリコン基板１１上に残存したシリコン酸化膜１２をエッチングして除去する。 - 特許庁

In a manufacturing method, the engraved part is formed in the substrate by introducing an isotropic etchant from the holes or the slits, which are opened in the filter layer.例文帳に追加

製造方法としては、フィルター層に開けられた孔またはスリットから等方エッチャントを導入して、基板に彫込みを形成する。 - 特許庁

To provide a method for processing an optical device wafer, in which handling, control, recovery, disposal, and the like of an etchant is more easily conducted and which has a low environmental load.例文帳に追加

エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Removing from the first portion of the cavity the sacrificial material underlying the device structure by introducing the release etchant from the back side of the substrate via the second portion of the cavity allows the release etch to be performed without exposing the device structure to the release etchant.例文帳に追加

基板の背面から空洞の第２の部分を介してリリースエッチャントを導入することによって、デバイス構造の下に位置する犠牲材料を空洞の第１の部分から除去することで、デバイス構造がリリースエッチャントに曝されることなくリリースエッチングを行うことができる。 - 特許庁

The main surface of a silicon-on-insulator wafer 14 is fixed with a sheet 13 having an adhesive layer, and a surface opposite to the main surface of the wafer 14 is exposed to an etchant from a blow-up guide 16, and the etchant is absorbed from around the wafer so that it does not make contact with the adhesive layer.例文帳に追加

シリコンオンインシュレータウェハ１４の主面側を接着層をもつシート１３によって固定して、上記ウェハの主面と逆の面を吹き上げガイド１６からのエッチャントにさらし、上記エッチャントは上記ウェハの周囲から上記接着層に触れないように吸い込ませる。 - 特許庁

The nozzle 4 has a plurality of discharge openings 42 on its wafer facing face 41 and the etchant 43 is supplied from the discharge openings 42 to a plurality of etchant supplying positions 46 arranged on a straight line 45 crossing the peripheral part of the wafer W.例文帳に追加

エッチング液供給ノズル４は、ウエハ対向面４１に複数の吐出口４２を有し、この複数の吐出口４２からのエッチング液４３は、ウエハＷの周縁部を横切る直線４５上に並んだ複数のエッチング液供給位置４６に向けてエッチング液４３を供給する。 - 特許庁

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.例文帳に追加

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide an etchant which is used for wet anisotropic etching on silicon and consists of a solution of a quaternary ammonium compound such as tetramethyl ammonium hydroxide, the etchant having a fast etching speed, forming no stuck material, and being free of a decrease in etching speed even when continuously used.例文帳に追加

シリコンの湿式異方性エッチングで使用するテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の第４級アンモニウム化合物の水溶液からなるエッチング液であって、エッチング速度が速く、付着物を形成することがなく、連続使用してもエッチング速度が低下し難いエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The etching apparatus comprises a holding and driving mechanism 1 to drive a semiconductor wafer to rotate in the circumferential direction by vertically holding the wafer, and an etching vessel 21 to contain etchant and etch the circumferential edge of the semiconductor wafer to be driven to rotate with the holding and driving mechanism by soaking the wafer into the etchant.例文帳に追加

半導体ウエハをほぼ垂直に保持して周方向に回転駆動する保持駆動機構１と、エッチング液が収容されるとともに保持駆動機構によって回転駆動される上記半導体ウエハの周縁部が上記エッチング液に浸漬してエッチングされるエッチング槽２１とを具備する。 - 特許庁

An etching device 10 is provided with a support base 12, a chemical tank 14 for containing an etchant 13 supplied to the substrate 11 held on the base 12, and a control mechanism 14 which controls the supply of the etchant 13 from the tank 14 to the substrate 11 held on the base 12.例文帳に追加

支持台１２と、該支持台上に保持された半導体基板１１に供給されるエッチング液１３を収容する薬液タンク１４と、該薬液タンクから支持台１２上の半導体基板１１へのエッチング液１３の供給を制御するための制御機構１４とを含む。 - 特許庁

To provide a method for recovering cerium ions as cerium oxide in good yields from a waste etchant containing chromium ions and cerium ions.例文帳に追加

クロムイオンおよびセリウムイオンを含有するエッチング液の廃液から、セリウムイオンを酸化セリウムとして収率よく回収する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant that selectively etches a hafnium based oxide film and a zirconium based oxide film with respect to a silicon oxide film such as THOX or TEOS.例文帳に追加

THOX、TEOSなどのシリコン酸化膜に対し、ハフニウム系酸化物膜、ジルコニウム系酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液を提供する。 - 特許庁

To improve a display grade in both of a reflection area and a transmission area, and also to prevent the corrosion due to the etchant of a pixel electrode.例文帳に追加

反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止する。 - 特許庁

After a thick dielectric film 7 used as a mask is removed, a second cap layer 6 is selectively etched by using a hydrochloric acid-based etchant.例文帳に追加

マスクとして用いた厚膜の誘電体膜７を除去した後、塩酸系エッチャントを用いて第２のキャップ層６を選択エッチングする。 - 特許庁