「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

When the device 11 is used for etching a silicon wafer 1, the wafer 1 is housed in the wafer housing hole 13 and the device 11 is dipped in the etchant.例文帳に追加

そして、エッチング処理を行うときには、ウエハ収容穴１３内にシリコンウエハ１を収容し、エッチング装置１１をエッチング液中に浸す。 - 特許庁

The substrate 1 is isotropically etched by the etchant containing hydrofluoric acid using the patterned thin film 2 as the etching mask.例文帳に追加

この後前記パタ−ニングされた薄膜２をエッチンングマスクとして、フッ化水素酸を含有するエッチング液により、前記基板１を等方的にエッチングする。 - 特許庁

To provide a laminate for a wiring board having low coefficient of water absorption and coefficient of thermal expansion and capable of being efficiently machined by an alkaline etchant.例文帳に追加

吸水率及び熱膨張係数が低く、アルカリ性エッチング液によって効率的に加工できる配線基板用積層体の提供。 - 特許庁

To provide an electronic device which has a structure preventing an etchant from easily flowing to the exterior of a cover part covering a cavity part in which an MEMS structure is located.例文帳に追加

ＭＥＭＳ構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a workpiece is disposed within an etchant solution having a composition comprising a dilute acid and a non-ionic surfactant.例文帳に追加

１つの実施形態において、加工物は、希酸と非イオン性界面活性剤を含む組成物を有するエッチャント溶液内に配置される。 - 特許庁

The silicon wafer etchant is made by adding dithionite salt of more than 0.001 mols/L to alkaline aqueous solution the nickel ion concentration of which is 0.2 ppb or less.例文帳に追加

ニッケルイオン濃度が０．２ｐｐｂ以下であるアルカリ水溶液に、亜二チオン酸塩を０．００１モル／Ｌ以上添加してなるシリコンウェハーエッチング液。 - 特許庁

A quinone compound, such as 2,5-dihydroxy-1,4-benzoquinone, shown in formula (1) is added to the etchant at a concentration of 0.05 to 20.0% by mass.例文帳に追加

前記エッチング液に、2,5-ジヒドロキシ-1,4-ベンゾキノンのような下記式（１）で示されるキノン化合物を０．０５〜２０．０質量％の濃度で添加する。 - 特許庁

The etchant is used for a semi-additive processing method, and includes an oxidizing agent, an acid, a surface active agent and a lipophilic hydrocarbon.例文帳に追加

セミアディティブ工法用エッチング液であって、酸化剤と、酸と、界面活性剤と、親油性炭化水素類とを含むことを特徴とするエッチング液。 - 特許庁

The etchant which etches an SiN film selectively contains hydrogen fluoride, ether based solvent and/or fluorination ether based solvent, and if it is necessary water is contained further.例文帳に追加

フッ化水素、エーテル系溶媒及び／又はフッ素化エーテル系溶媒、必要に応じてさらに水を含む、SiN膜を選択的にエッチングするエッチング液。 - 特許庁

To the peripheral edge part of the surface of a wafer W where the copper film is formed, an etchant is supplied from a second washing liquid supply nozzle 331.例文帳に追加

銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 - 特許庁

Etchant passages (50, 54, 56, 58) are arranged on the second substrate (40) except at least the paste schedule region (44) of the semiconductor thin film (20).例文帳に追加

第２の基板（４０）の、少なくとも半導体薄膜（２０）貼り付け予定領域（４４）外にエッチング液通路（５０、５４、５６、５８）を設ける。 - 特許庁

To provide etchant which can etch a layer of gold or silver, or an alloy thereof of a substrate surface uniformly in a short time.例文帳に追加

同基板表面の金又は銀もしくはこれらの合金の層を短時間で均一にエッチングすることが可能なエッチング液を提供すること。 - 特許庁

An alkaline solution is used as an etchant to selectively remove the crystal reversal region 32 by etching, and divide the substrate 3.例文帳に追加

エッチャントとしてアルカリ性水溶液を用いることにより、結晶反転領域３２が選択的にエッチング除去され、基板３が分割される。 - 特許庁

Although masking is done on the circular groove using the spin-on glass, the wafer's front surface is exposed to an etchant, which etches the peripheral lip preferentially.例文帳に追加

円形溝はスピン・オン・ガラスによってマスキング処理されるが、ウエハの前面はエッチング剤にさらされて外周リップを優先的にエッチングする。 - 特許庁

The heavy metal contained in the etchant and adhered to the etch residues 1 is removed by removing the etch residues 1 from the silicon substrate.例文帳に追加

エッチング残り１がシリコン基板から除去されることにより、エッチング液に含まれエッチング残り１に付着していた重金属は除去される。 - 特許庁

To etch an aluminum oxide and a silicon oxide film formed thereon with the same etchant in accordance with selectivity to a wiring made of an aluminum film.例文帳に追加

アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。 - 特許庁

In the bottom face 121 of the shielding plate 12, openings 122a, 122b, 122c for discharging an etchant, pure water, and nitrogen gas, respectively, are formed.例文帳に追加

遮断板１２の下面１２１には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されている。 - 特許庁

Discharge opening arrangement (48) surrounding the tower guides air and the discharged etchant vapor radially from nearby the wafer (28) to the outer side.例文帳に追加

前記塔を取り囲んでいる排出口配置（４８）は、空気及び逃げたエッチング液蒸気を、ウェーハ（２８）近傍から外側に放射状に引き取る。 - 特許庁

To provide a wet type process station for a semiconductor wafer which prevents an etchant or a processing solution from reaching the reverse side of the wafer.例文帳に追加

エッチング液又は処理溶液がウェーハの裏側に達することを防止する半導体ウェーハのための湿式プロセス・ステーションを提供する。 - 特許庁

While the etchant is spouted out of the 2nd washing liquid supply nozzles 331 and 351, gas is blown out of gas supply nozzles 336 and 356.例文帳に追加

第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からエッチング液が吐出されるのと同時に、ガス供給ノズル３３６，３５６からガスを吐出させる。 - 特許庁

When the isolated layer is etched by a prescribed amount, the etchant is stopped supplying, and pure water is supplied onto a face to be etched through a pipe 35.例文帳に追加

分離層が所定量エッチングされた時、エッチング液の供給を停止し、配管３５を通して被エッチング面上に純水を供給する。 - 特許庁

Since the sections 62 and 68 are etched off with the etchant containing aqueous hydrofluoric acid, wiring which is not in contact with an insulator is formed.例文帳に追加

シリコン酸化物層間膜部62、68は、フッ化水素酸を含む溶液でエッチングされるので、絶縁物に接触していない配線が形成される。 - 特許庁

Thus, a margin of evading the corrosion and disconnection of the lower layer wiring 8a by the influence of the etchant used in other processes is increased.例文帳に追加

よって他の工程で用いられるエッチャントの影響による下層配線８ａの腐食、断線を回避するマージンを、大きくすることができる。 - 特許庁

After the step of supplying the high-temperature etchant, a rotation speed of the wafer W is reduced to a predetermined low rotation speed (for instance, 10 rpm).例文帳に追加

高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。 - 特許庁

The solid rollers (222a to f) are parallelly arranged on the hollow roller (206b), are contacted with the both side boards 204 and make etchant films covering the same more uniform.例文帳に追加

中実ローラ（２２２ａ〜ｆ）は中空ローラ（２０６ｂ）上に平行に配置され、両面ボード（２０４）に接触しそれを覆うエッチャントフィルムをより均一にする。 - 特許庁

To provide a method for processing a wafer capable of reducing chips generated in an annular reinforcement and capable of efficiently discharging a treatment liquid such as an etchant to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状補強部に発生する欠けを減少させ、エッチング液等の処理液を効率良くウエハ外に排出可能なウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Then while the outer circumference of the wafer 20 is sealed with a gasket, the wafer 20 is made thin by being etched except the sealed part with an etchant to a specified depth.例文帳に追加

その後、ウエハ２０の外周部をパッキンにてシールした状態でエッチング液にてウエハ２０をシール部を残して所定深さまでエッチングして薄くする。 - 特許庁

Then the silicon oxide interlayer film sections 62 and 68 are removed by dipping the substrate 2, having the formed opening 74 in an etchant containing at least aqueous hydrofluoric acid.例文帳に追加

この開口部74が形成された基板を少なくともフッ化水素酸を含むエッチング溶液に浸し、シリコン酸化物層間膜部62、68を除去する。 - 特許庁

In etching steps, a first etching step is performed by wet etching in which an etchant is used, and a second etching step is performed by dry etching in which an etching gas is used.例文帳に追加

エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 - 特許庁

To provide a method for profitably recovering cerium by removing dissolved chromium from a waste chromium etchant containing ammonium cerium (IV) nitrate used for etching chromium.例文帳に追加

クロムエッチングに使用された硝酸アンモニウムセリウム（IV）を含むクロムエッチング廃液から溶解したクロムを除去し、セリウムを経済的に回収する方法を提供する。 - 特許庁

The AlGaInP system semiconductor layer and the other semiconductor layers are etched by using the etchant made of an acid solution including a halogen oxygen acid ion.例文帳に追加

ハロゲン酸素酸イオンを含有する酸性溶液からなるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層をエッチングする。 - 特許庁

A prism 3 with an inclined light emission surface 3A is formed by introducing etchant from this opening 34A to process the insulating film 28.例文帳に追加

この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。 - 特許庁

Further, the damaged layer is reduced even when an alkaline etchant of ≤20 wt.% in concentration is used to eliminate an increase in depth of an etch pit and a decrease in flatness.例文帳に追加

また、濃度２０ｗｔ％以下のアルカリ性エッチング液を使っても加工変質層が減り、エッチピットの深さ増大や平坦度低下が解消される。 - 特許庁

To provide an etching system which is contrived to uniformly etch the whole surface of an object to be treated with a small amount of etchant.例文帳に追加

少量のエッチング液で被処理物の全面にわたって均一なエッチングによる加工を施すことができるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Using the etchant of hydrofluoric acid, the insulating film 3 of SiO_2 and the mask 2 of SiO_2 are etched to make a crestal plane 1RS of the ridge 1R exposed (Figure 1.D).例文帳に追加

フッ酸系のエッチング液により、SiO_2から成る絶縁膜３とSiO_2から成るマスク２をエッチングし、リッジ１Ｒの頂面１ＲＳを露出させる（図１．Ｄ）。 - 特許庁

The etchant composition comprising fluoride with a concentration (excluding hydrofluoric acid) of 0.01-5 mass% and a specified oxidizing agent with a concentration of 0.1-50 mass%.例文帳に追加

ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。 - 特許庁

Related to the etchant, its main component is chlorine metal solution (MeCln+H2O) of weak acid while nonionic surfactant and dispersing agent added to it.例文帳に追加

エッチャントとしては、主成分を弱酸性の塩素系金属溶液（ＭeＣln＋Ｈ_2Ｏ）とし、これにノニオン系界面活性剤と拡散剤を添加したものを用いる。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus comprises at least two rows of protruding structures 8 and 9 arrayed on a peripheral portion of a lid 1 on the inner side thereof and opposed to an etchant 3.例文帳に追加

蓋１のエッチング液３と対向する内側には、その周縁部に少なくとも２列の突起構造物８、９が複数配列されている（例えば、２列）。 - 特許庁

An altered section 1a, which can be easily etched by an etchant used for forming a cavity 2, is formed in a scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。 - 特許庁

The rugged structure is formed by anisotropic etching using an aqueous solution containing hydrobromic acid as an etchant, without relying on a mask forming process.例文帳に追加

凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 - 特許庁

The semiconductor film made of any of an AlGaInP film, an AlGaAs film and a GaAsP film is etched by using the etchant composition to roughen the surface.例文帳に追加

本発明のエッチング液組成物を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ膜、ＡｌＧａＡｓ膜、ＧａＡｓＰ膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 - 特許庁

To surely protect a resistance element from an etchant by making the resistance element formable at the same as with the electrode and the capacitor of an insulated gate FET.例文帳に追加

絶縁ゲート型ＦＥＴの電極やキャパシタの形成と共に抵抗素子を形成できるようにし、かつエッチャントから抵抗素子を確実に保護する。 - 特許庁

A first isotropic etchant is introduced into the opening parts (26) and the transparent material (14) on the exposed positions is etched to form initial lens shapes (28).例文帳に追加

開口部内に第１の等方性エッチャントを導入し、露出された個所の透過材料をエッチングすることにより、初期のレンズ形（２８）が形成される。 - 特許庁

As the connection supporter 40, there is used one provided with a gap for transmitting the etchant in a direction vertical to the surface of the substrate 11 or in a direction parallel to the surface.例文帳に追加

連結支持体としては、基板１１の面に垂直な方向又は平行な方向に、エッチング液を通過させる空隙を備えたものを用いる。 - 特許庁

After a latent image is formed on the photosensitive resin material 12 using mask, the latent image is developed using etchant to form a desired pressure chambers 13.例文帳に追加

感光性樹脂材料１２にマスクを用いて潜像を形成した後、エッチャントを用いて現像を行い所望の圧力室１３を作成する。 - 特許庁