「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etchant composition which is excellent in etching residue removing performance when applied to an amorphous ITO transparent conductive film, further free of deposition of solids and has a longer liquid life than conventional ones.例文帳に追加

アモルファスＩＴＯ透明導電膜に適用した場合にエッチング残渣除去性能に優れ、しかも、固形物の析出がなく従来品より液寿命が長い、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus capable of applying a uniform etching treatment to a principal plane of a substrate by preventing or suppressing the stay of an etchant at the peripheral edge part of the principal plane of the substrate.例文帳に追加

基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The etchant performs etching to nickel, chromium, nickel-chromium alloys and iron-nickel-chromium alloys, and is composed of an aqueous solution comprising sulfuric acid, hydroxycarboxylic acid and/or amino carboxylic acid.例文帳に追加

ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金をエッチングするためのエッチング液であって、硫酸と、ヒドロキシカルボン酸及び／又はアミノカルボン酸とを含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液。 - 特許庁

Further, the belt conveyor is inclined and therefore the etchant (arrow (e)) sprayed from the nozzle 7 flows in the downhill direction of the inclination and a liquid pool is not produced in about the half in the uphill direction.例文帳に追加

さらに、ベルトコンベア９が傾斜しているため、ノズル７から吹きつけられたエッチング液（矢印ｅ）は、傾斜の坂下方向に流動し、坂上方向の約半分には液溜まりを生じない。 - 特許庁

To provide an impurity concentration measuring method capable of measuring impurity concentration distribution with high accuracy, when a substrate where an inert layer to etchant of a embedded oxide film does not exist.例文帳に追加

埋め込み酸化膜等のエッチャントに対して不活性な層が存在しない基板であっても高精度に不純物濃度分布の測定を行うことができる不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the etchant provides the flow 10 flowing by crossing in diagonal different directions on the substrate, and the residual copper between circuits in a transverse direction is reduced, and the improvement in the aspect ratio of etching can be achieved.例文帳に追加

これによってエッチング液は基板上を斜めの異なる方向にクロスして流れる流れ１０となり、よこ方向の回路間の残銅を少なくし、エッチングのたて／よこ比の改良が達成できる。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22 and a gate insulation film 20 are etched with an etchant mixed with globular micropearl, and the inside of a through hole 33 is polished with the globular micropearl to surely remove a residual.例文帳に追加

球状ミクロパールを混合してなるエッチング液により層間絶縁膜２２及びゲート絶縁膜２０をエッチングし、スルーホール３３内を球状ミクロパールで研磨して残渣を確実に除去する。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a resin-molded article which is formed from a thermoplastic resin such as a polypropylene-based resin and has a metal film superior in adhesiveness formed thereon without using an etchant which gives a heavy load to the environment.例文帳に追加

環境負荷の大きなエッチング液を用いることなく、密着性に優れる金属膜が形成されたポリプロピレン系樹脂等の熱可塑性樹脂からなる樹脂成形品を安価に製造する。 - 特許庁

To provide a functional resin molded product made of thermoplastic resin such as polypropylene-based resin having a metal film formed thereon that is superior in adhesiveness without using an etchant that causes a high environmental load.例文帳に追加

環境負荷の大きなエッチング液を用いることなく密着性に優れる金属膜が形成されたポリプロピレン系樹脂等の熱可塑性樹脂からなる機能性樹脂成形体を提供する。 - 特許庁

Here, a metal bar 6 consisting of aluminum or iron is immersed in the etchant 4 in a tank 5, and the exposed surface 2a of the chromium layer 2 and the end of the metal bar 6 are brought into contact at a desired timing.例文帳に追加

その際、アルミニウム又は鉄からなる金属棒６がタンク５内のエッチング液４に浸され、所望のタイミングで、クロム層２の露出面２ａと金属棒６の端部とが接触される。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shieldable transparent laminate where discoloration of an adhesive layer due to etchant does not occur in the electromagnetic wave shieldable transparent laminate obtained through an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセス工程を経て得られる電磁波シールド性透明積層体において、エッチング液に起因する接着剤層の変色のない電磁波シールド性透明積層体を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, a KCN-based etchant is used for the etching step, thereby rapidly and stably forming the p-side electrode while maintaining the surface smoothness of the semiconductor layer in an excellent state.例文帳に追加

また、エッチング工程にＫＣＮ系エッチャントを用いることにより、半導体層の表面平滑性を良好に維持しつつ、ｐ側電極を迅速かつ安定して形成することが可能となる。 - 特許庁

Then, after setting the support substrate 20 on a stage 60, the stage 60 is turned while applying an etchant 55 onto the ground second face 10b of the semiconductor wafer 10 to spin-etch the semiconductor wafer 10.例文帳に追加

次に、支持基板２０をステージ６０に取り付けた後、研削された半導体ウエハ１０の第２の面１０ｂにエッチング液５５を塗布しつつステージ６０を回転させることで、スピンエッチングを行う。 - 特許庁

In addition, after sending the etchant is stopped (step S4), sending of isopropyl alcohol (IPA) as an environment regulator is started (step S5), so that the inside of the processing chamber is put in low relative permittivity environments.例文帳に追加

また、エッチャントの送込を停止した（ステップＳ４）後、環境調整剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の送込を開始して（ステップＳ５）、処理チャンバー内を低比誘電率環境に整えている。 - 特許庁

The etchant composition contains 50-80 wt.% of phosphoric acid, 0.5-10 wt.% of nitric acid, 5-30 wt.% of acetic acid, 0.01-5 wt.% of imidazole with respect to the total weight, and the balance water.例文帳に追加

エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。 - 特許庁

The device 1 for etching the semiconductor wafer, which supplies an etchant to a surface of the wafer to etch the surface, includes a reaction operation device 20 which operates etching reaction by positions on the wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面にエッチング液を供給してエッチングを行なう半導体ウェーハのエッチング装置１において、エッチング反応をウェーハ表面の位置ごとに操作する反応操作装置２０を備える。 - 特許庁

Next, while an etchant is supplied at a predetermined flow rate against the surface of the work piece 1 from a plurality of nozzles (supply means) 12, collection 11 of these nozzles 12 is moved along the surface.例文帳に追加

次に、複数のノズル（供給手段）１２からこの表面に向けて所定の流量でエッチング液を供給しつつ、これらノズル１２の集合体１１をこの表面に沿って移動させる。 - 特許庁

To provide an underwater use type rare earth-base permanent magnet which exhibits excellent corrosion resistance even when used by being immersed in an oxidative electrolyte solution (etchant) having high corrosiveness, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

酸化性で腐食性の高い電解質溶液（腐食液）に浸漬して使用しても優れた耐食性を発揮する水中使用型希土類系永久磁石およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The discharge head section 12 and the XY table 14 are so controlled by a controller 40 that the etchant may be discharged and applied to the desired part of the processed member to etch that part.例文帳に追加

吐出ヘッド部１２とＸＹテーブル１４とは、制御装置４０によって制御され、被処理部材の所望位置にエッチング液を吐出して塗布し、その部分をエッチングできるようになっている。 - 特許庁

The wafer (28) is arranged facedown on the top of a cylindrical tower (18), and the etchant such as hydrofluoric acid is jetted upward from a nozzle (3) on the base of the tower to the wafer.例文帳に追加

前記ウェーハ（２８）は、円筒形の塔（１８）の頂部上に、下向きに配置し、塔（１８）の基台にあるノズル（３０）から、前記ウェーハに対して、例えば弗化水素酸のようなエッチング液を、上方に噴射する。 - 特許庁

Next, the surfaces 11a, 12a of the glass substrates 11, 12 are etched with the etchant 24 with a slower rate of etching and the surfaces 11a, 12a are smoothed so as to make the glass substrates 11, 12 thick as desired.例文帳に追加

次に、エッチングレートの遅いエッチング液２４で、ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをエッチング処理し、表面１１ａ，１２ａを平滑化してガラス基板１１，１２を所望の厚みにする。 - 特許庁

To provide an etching control device which enables real time automatic control of a composition of an etchant, as the etching control device for controlling an etching device for etching a printed circuit board etc., subjected to pattern resist.例文帳に追加

パターンレジストされたプリント配線基板等をエッチングするエッチング装置を制御するエッチング制御装置において、エッチング液の組成のリアルタイム自動制御を可能にしたエッチング制御装置を提供する。 - 特許庁

The first material is less etched with the etchant than the second material, and the third material is less etched with the etching gas than the fourth material.例文帳に追加

第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 - 特許庁

The etching stop layer is made of material, the etching-proof property of which is large against etchant in plasma so as to be able to protect the lower electrode when the piezoelectric thin film is eliminated by etching.例文帳に追加

このエッチングストップ層は、圧電体薄膜をエッチングして除去したときに下部電極を保護することができるように前記プラズマ中のエッチャントに対して耐エッチング性が大きい材質からなる。 - 特許庁

The top emission type organic EL display device 1 is provided with a hole injecting layer, consisting principally of W, on a surface of a reflecting layer to make neither an etchant nor an etching gas come into contact with the reflecting layer.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ装置１において、反射層の表面に、Ｗを主成分とする正孔注入層を設け、エッチング液やエッチングガスが反射層に接触しないようにする。 - 特許庁

The metal-polishing liquid comprising an oxidizing agent for metal, an oxidized-metal etchant, a protective film-forming agent, a surfactant, and water is used while diluted by adding water or a solution.例文帳に追加

金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、界面活性剤及び水を含有する金属用研磨液を使用する際に水または水溶液を加え希釈して使用する金属用研磨液。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

The isolation layers 12 and the buffer layers 13 are formed dispersedly in lines, and etchant flow holes 16 are provided in the side of t layers 12 and 13 through the intermediary of an SiO2 growth stop film 15.例文帳に追加

分離層１２およびバッファ層１３は線状に分散して形成され、それらの側面にはＳｉＯ_2 よりなる成長防止膜１５を介してエッチング剤の流通孔１６が設けられている。 - 特許庁

In addition, in the process (II), the acceleration cavity is etched in the state where the pressure in the vessel is increased to a value higher than 1 atm and not higher than 200 atm, and the temperature of the etchant is set below 50°C.例文帳に追加

さらに、前記工程（II）において、前記容器内を１気圧より高く且つ２００気圧以下に加圧し且つ前記エッチング液の温度を５０℃以下にした状態で、前記加速空胴をエッチングする。 - 特許庁

In succession, etchant L (high-density hydrofluoric acid water solution) is discharged out near the center of the lower surface of the wafer W for a certain time to etch the thin film Fs for beveling (shown in Fig. (a) and (b)).例文帳に追加

続いて、ウエハＷ下面中心部付近に向けて、一定時間エッチング液Ｌ（高濃度のフッ酸水溶液）が吐出されて、ウエハＷ上の薄膜Ｆｓがベベルエッチングされる（図２（ａ）（ｂ））。 - 特許庁

Manufacture of the semiconductor device is preferable to include an etching process for etching the pad by using a fluorine based etchant, and has the roughning of the pad surface performed before it is patterned to a bonding shape.例文帳に追加

また、かかる半導体素子の製造において、該パッドをフッ素系エッチング剤を用いてエッチングする工程を含むこと、該パッド表面の粗面化をボンディング形状にパターン化する前に行なうことが好ましい。 - 特許庁

To provide an etchant which can perform etching to nickel, chromium, nickel-chromium alloys and iron-nickel-chromium alloys in such a manner that the dissolution of copper is suppressed to the minimum, is friendly to the environment, and has low harmfulness.例文帳に追加

ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金及び鉄ニッケルクロム合金を、銅の溶解を最小限に抑えてエッチングすることができ、環境にやさしく有害性が低いエッチング液を提供すること。 - 特許庁

The etchant for silicon nitride is used which contains, as essential components, a quaternary alkyl ammonium salt having a specific chemical structural formula, a basic compound, and an inorganic acid and/or an organic acid.例文帳に追加

特定の化学構造式を有する４級アルキルアンモニウム塩、塩基性化合物、並びに無機酸および／または有機酸を必須成分とすることを特徴とする窒化ケイ素用エッチング液を使用する。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device 100, an etchant containing hydrogen peroxide and transition metal ions is used to selectively remove a second TiW film 115 and a first TiW film 111.例文帳に追加

半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 - 特許庁

This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt.例文帳に追加

及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。 - 特許庁

The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.例文帳に追加

該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁

Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加

プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。 - 特許庁

The step of selectively etching areas of the second region exposed by the discontinuous IrOx film includes exposing the substrate to an etchant that is more reactive with the second material than the IrOx.例文帳に追加

非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲の選択的なエッチングは、ＩｒＯｘより第２の材料とよく反応するエッチャントに基板をさらすことを含む。 - 特許庁

At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of a hafnium oxide- or zirconium oxide-based material, an aqueous solution containing a fluorine compound and organic acid is used as the etchant.例文帳に追加

下層基板上に形成された酸化ハフニウム、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物及び有機酸を含む水溶液を用いる。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition method using trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit a Si-containing film over a selected region of a mixed substrate.例文帳に追加

混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

An etchant containing a hydrofluoric acid, a polyhydric carboxylic acid, and a hydrogen peroxide solution dissolves the zirconium oxide and/or hafnium oxide without damaging other semiconductor materials, such as the silicon oxide, silicon, etc.例文帳に追加

フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを溶解することができる。 - 特許庁

To provide an etchant which sufficiently copes with a need for a fine etching technology with high accuracy, without changing the composition and performance, in iodic etchants.例文帳に追加

ヨウ素系のエッチング液において、その組成および性能が変化することなく、精度の高い微細エッチング加工技術が必要とされる場合であっても十分に対応することができる、エッチング液を提供する。 - 特許庁

As the semiconductor etchant, an organic acid/hydrogen peroxide mixed solution is used which has a 10 to 20 dissolving speed ratio of a cap layer 9 of p-GaAs to a clad layer 7 of p-AlGaAs.例文帳に追加

半導体エッチング液は、ｐ−ＡｌＧａＡｓの上クラッド層７に対するｐ−ＧａＡｓのキャップ層９の溶解速度比が１０〜２０である有機酸／過酸化水素系混合溶液を用いる。 - 特許庁

After that, the entire package 1 is dipped into fuming nitric acid etchant heated at about 70°C for some 10 minutes to eliminate an electronic element protective resin 6, a resin internal wire wiring 4 and chip adhesive tape 7.例文帳に追加

その後、７０℃近傍に加熱された発煙硝酸エッチング液中へ１０分間程度、全体浸漬させて、電子素子保護樹脂６，樹脂内部ワイヤ配線４，チップ接着テープ７を除去する。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a transparent conductive film capable of etching a crystalline ITO film without damage to copper and/or a copper alloy used for an electrode material or the like.例文帳に追加

電極材料などに用いられている銅および／または銅合金に対してダメージがなく、結晶質ＩＴＯ膜をエッチングすることが可能な透明導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁