「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the upper electrode 15a is formed on the dielectric layer 14, the dielectric layer 14 can be patterned by using the upper electrode as a mask, impurities can be restrained from diffusing into the dielectric layer 14, and the dielectric layer 14 can be prevented from being exposed to etchant, developer or the like, thus providing the capacitor 10 that has the dielectric layer 14 of high quality.例文帳に追加

誘電体層１４上に上部電極１５ａが形成されることにより、この上部電極をマスクとして誘電体層１４をパターニングすることが可能となり、誘電体層１４内への不純物の拡散を抑制し、また、誘電体層１４がエッチング液、現像液等に曝される事態を防止し、高品質な誘電体層１４を備えるコンデンサ１０を提供することができる。 - 特許庁

The etchant is an aqueous solution containing at least one inorganic acid selected from among phosphoric acid, sulfuric acid, and nitric acid, an oxidant containing at least one chemical species corresponding to an electrode reaction with a standard electrode potential of +0.75V or higher, and a surfactant having a plurality of structures of an aromatic sulfonic acid or aromatic sulfonic acid salt in the molecule.例文帳に追加

リン酸、硫酸および硝酸よりなる群から選ばれた１種または２種以上の無機酸と、標準電極電位＋０．７５Ｖ以上の電極反応に該当する化学種を１種または２種以上含有する酸化剤と、分子中に複数の芳香族スルホン酸または芳香族スルホン酸塩の構造を有する界面活性剤とを含む水溶液からなる銀合金薄膜用エッチング液。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

An etchant that selectively etches an oxide film containing hafnium and silicon, an oxide film containing hafnium and aluminium, an oxide film containing zirconium and silicon, or an oxide film containing zirconium and aluminium with respect to a thermally oxidized film; a method for producing an etching material that etches materials to be etched on which the above oxide films and a silicon oxide film are formed; and the etching material obtained from the method are provided.例文帳に追加

熱酸化膜（THOX）に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜，ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜，ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液；該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法；該方法により得ることができるエッチング処理物。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the azole compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed aqueous solution of an acidic etchant and the azole compound.例文帳に追加

アゾール化合物と酸性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びアゾール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜を酸性エッチング液とアゾール化合物の混合水溶液で処理して、酸化膜のエッチングと同時にアゾール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the imidazole-alcohol compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed solution of an alkaline etchant and a specific imidazole-alcohol compound.例文帳に追加

イミダゾールアルコール化合物とアルカリ性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びイミダゾールアルコール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜をアルカリ性エッチング液と特定イミダゾールアルコール化合物の混合溶液で処理して、酸化膜をエッチングと同時にイミダゾールアルコール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant.例文帳に追加

１５０ｎｍよりも薄い反射防止膜５を半導体基板１の上に形成する工程と、前記反射防止膜５の上にレジスト６を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト６を露光する工程と、露光された前記レジスト６を現像する工程と、現像された前記レジスト６をマスクに使用して前記反射防止膜５を通して前記半導体基板１に不純物を注入する工程と、前記レジスト６と反射防止膜５を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。 - 特許庁

The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程１１に続いて洗浄工程１２を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１８と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１９とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁