「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Any of the upper second clad layer 8, diffraction grating 9, upper third clad layer 10, and contact layer 11 contains Ga and As, and etching is carried out using the same etchant.例文帳に追加

上部第２クラッド層８、回折格子９、上部第３クラッド層１０、及び、コンタクト層１１は、いずれもＧａ及びＡｓを含有しており、エッチングは、同一のエッチング液によって行われる。 - 特許庁

A control device 9 opens shielding valves 5A and 6A, to activate an injection piping 2A and an injection pump 3A, and circulates an etchant in an etching bath 1 by using an injection line A.例文帳に追加

制御装置９は、遮断弁５Ａ，６Ａを開放し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを稼働させ、注送ラインＡを用いてエッチング槽１にエッチング液を循環供給する。 - 特許庁

After the lamination of a polycrystalline ITO layer 20a and the formation of a resist mask by a photolithography process, the polycrystalline ITO layer 20a is etched using, for example, a hydrochloric acid-based etchant.例文帳に追加

多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, wherein the method reduces chipping occurring to an annular projection and efficiently discharges a processing liquid, such as an etchant and a resist liquid, to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状凸部に発生する欠けを減少させるとともにエッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエーハ外に排出可能なウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of processing a wafer, wherein the method reduces chipping occurring to an annular projection and efficiently discharges a processing liquid, such as an etchant and a resist liquid, to the outside of the wafer.例文帳に追加

環状凸部に発生する欠けを減少させるとともに、エッチング液やレジスト液等の処理液を効率良くウエハ外に排出可能なウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio.例文帳に追加

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。 - 特許庁

To provide an etchant in which an etching residue is not generated at all when a transparent conductive film undergoes wet etching and the wet etching can be conducted under gentle conditions while suppressing bubbling.例文帳に追加

透明導電膜を、ウェットエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下でウエットエッチングが行え、泡の発生も抑制したエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁

Etching is performed by using an etchant containing (a) 30 to 80 wt% of phosphoric acid, (b) 0.1 to 20 wt% of nitrate; (c) 0.1 to 20 wt% of organic acid salt and (d) water.例文帳に追加

(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。 - 特許庁

Provided is a method for forming a glass sheet having a fine groove by bringing an etchant into contact with a glass sheet GL subjected to a masking treatment to form a recessed groove in the non-masked area of the glass sheet.例文帳に追加

マスキング処理されたガラス板ＧＬにエッチング液を接触させることで、ガラス板の非マスキング部分に凹部溝を形成する、微細溝を有するガラス板の製造方法である。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

To provide a method for collecting valuable substances from effluent of copper chloride etchant, which is suitable for a comparatively small factory or the case of collecting surplus effluent in the other location.例文帳に追加

比較的小規模の工場を対象とする場合や余剰となる廃液を別の場所で回収する場合に適した塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁

This apparatus has an air knife 4 installed on an upper part and/or a lower part of the substrate 1 grasped by a conveyor roller 2 in an etching chamber, to remove an etchant remaining on the substrate.例文帳に追加

エア・ナイフ４をエッチング・チャンバー内に設置し、コンベヤ・ローラ２で把握された基板１の上部及び／または下部に取り付けることによって基板に残留するエッチング液を排除する。 - 特許庁

To provide a container in which the dispersion of a resonant frequency caused by etching can be reduced to store a plurality of piezoelectric vibrating reeds and to soak them in an etchant.例文帳に追加

エッチングによる共振周波数のばらつきを低減することが可能な、複数の圧電振動片を収容してエッチング液に浸漬するための収容器の提供を目的とする。 - 特許庁

The etching device comprises mounting a printed board displaced from a center of a principal axis and oscillating the printed board with cam, to prevent a bias of a printing pattern, scattering of etchant and the like.例文帳に追加

プリント基板を主軸の中心よりずらして取り付け、カムによってプリント基板を振動させることにより、プリントパターンの偏りやエッチング液の飛散等を防ぐことができた。 - 特許庁

To provide an etchant which is free of dissolution of liquid and the corrosion of a substrate, and low in cost and has a high etching rate for tungsten-based metal, and a removing method for the tungsten-based metal.例文帳に追加

液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。 - 特許庁

Even when a reflecting layer consisting principally of Al is used, the surface of the reflecting layer is not damaged with the etchant or etching gas, so that the reflecting layer having the high reflection factor can be obtained.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする反射層を用いても、反射層の表面がエッチング液やエッチングガスで荒らされることはないので、高反射率の反射層を得ることができる。 - 特許庁

The BHF bath 2 is a spare bath for buffering and is for cleaning off the alcohol solution attached in the former stage from each wafer 22 having an improved wettability for an etchant and familiarizing each wafer 22 with BHF.例文帳に追加

ＢＨＦ槽２は、緩衝用の予備槽で、エッチング液の濡れ性の改善がなされた各ウェハ２２に対し、前段におけるアルコール溶液を落とすと共に、ＢＨＦをなじませる。 - 特許庁

To provide a surface processing apparatus which equalizes the etching rate in an area of a processed surface where an etchant is supplied and performs desired etching on a workpiece.例文帳に追加

被処理面のエッチング液が供給されている領域内でのエッチングレートを均一化し、被処理物に対して所望のエッチングを行うことができる表面加工装置を提供すること。 - 特許庁

The buffer layer has an etching selected ratio of the sacrifice film to an etchant used when removing the sacrifice film and has a substance capable of protecting the trench sidewall when removing the sacrifice film.例文帳に追加

バッファー層は、犠牲膜を除去する時、使用されるエッチャントに対する食刻選択比を有し、犠牲膜の除去時、トレンチ側壁を保護することができる物質を有する。 - 特許庁

Since the barrier film 24 is composed primarily of copper, it can be etched using the same etchant as the aluminum film 23, and since it contains an additive element and oxygen, hillock is not generated on the aluminum film 23.例文帳に追加

バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。 - 特許庁

A high-pressure receiving housing 26 and a low-pressure receiving housing 40 are attached, with 1000 mm of level difference, to the measuring vessel 18 to which an etchant L of a specific gravity measuring object is fed.例文帳に追加

比重測定対象となるエッチング液Ｌが送水される測定槽１８に、高低差１０００ｍｍをおいて高圧受圧ハウジング２６と低圧受圧ハウジング４０が取付けられている。 - 特許庁

To provide a highly reliable etching method of a substrate and a method for manufacturing a crystal vibrator by carrying out stable etching treatment by stabilizing the temperature of an etchant.例文帳に追加

エッチャントの温度を安定化させることで安定したエッチング処理を行い、信頼性の高い基板のエッチング方法、および水晶振動子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The high projection forming efficiency can be obtained without using the selective bleeding of a component which is easy to bleed to an etchant, and acid resistance is easily compatible.例文帳に追加

このため、エッチャントに溶出しやすい成分の選択的溶出を利用しなくても高い突起形成効率を得ることができるようになり、耐酸性との両立も容易となる。 - 特許庁

A pump 11 is operated to continuously and uniformly pour the etchant onto the crystal blank 2 on the support plate 4, simultaneously realizing a uniform thickness and a smooth surface.例文帳に追加

ポンプ１１を作動させ、連続的かつ均一に支持板４上の水晶のブランク２に対してエッチング溶液を注ぎ、厚さの均一化と同時に表面の平滑さを実現する。 - 特許庁

In a manufacturing process for a memory cell, a polycrystalline silicon as a lower electrode is washed with an etchant containing hydrofluoric acid and an oxidizing agent, and the surface of the polycrystalline silicon is roughened and a surface area is increased.例文帳に追加

メモリセルの製造工程において、下部電極となる多結晶シリコンをフッ酸と酸化剤とを含むエッチング液で洗浄して、その表面を粗面化されて表面積を増大する。 - 特許庁

A metal wiring etchant according to the present invention includes hydrogen peroxide, an oxidant, a fluorine compound, a chelating agent, a nitrate-based compound, a boron-based compound, an additive, and water as the remainder.例文帳に追加

本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Since the etchant is uniformly supplied to the entire exposed face of the isolated layer 12c' due to the centrifugal force caused by the rotation of the film substrate 21, the isolated layer is etched uniformly to start.例文帳に追加

エッチング液は、フィルム基板２１の回転で発生する遠心力によって、分離層１２ｃ′の露出面全体に均一に供給されるので、分離層が均一にエッチングされ始める。 - 特許庁

To provide a process for producing highly pure copper from a hydrous impure copper powder containing chlorine compounds and oxides of copper, such as deteriorated copper etchant generated upon etching a copper-clad laminate.例文帳に追加

銅張積層板をエッチングする際に生ずる劣化銅エッチング液等の銅の塩素化合物及び酸化物を含有する含水不純銅粉から高純度の銅を製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a surface treatment method which makes the surface of a gallium arsenide semiconductor substrate insoluble or hardly soluble to etchant of gallium arsenide, and to provide a manufacturing method using it.例文帳に追加

ガリウム砒素半導体基板表面を、ガリウム砒素のエッチング液に対して不溶化あるいは難溶化させる表面処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The etchant composition for etching a surface of a single-crystal silicon substrate to form an uneven shape contains an alkali compound, an organic solvent, and a surfactant.例文帳に追加

エッチング液組成物は、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含む。 - 特許庁

To provide an etchant which has superior suppressing effects on foaming and superior wettability during etching, and can obtain highly accurate conductive patterns free from an unetched part, and to provide an etching method.例文帳に追加

エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

The process of removing the substrate 13 is performed by etching the substrate 13, using an etchant which has a larger etching rate, with respect to the interconnections 15 and 16 than with respect to the substrate 13.例文帳に追加

基体１３を除去する工程は、配線１５，１６に対するエッチングレートより基体１３に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、基体１３をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

A reflecting pixel electrode 11 (third metal film) and a second transparent conductive film 12 as a layer above it are patterned with the same mask pattern and subjected to a batch wet etching process using the same etchant.例文帳に追加

反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。 - 特許庁

A first mesa is formed by removing from the p-type InP window layer 5 to the n-type InP buffer layer 2 by a low selectively etchable Br-based etchant in an inclined forward mesa form.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からｎ型ＩｎＰバッファ層２まで、選択エッチング性の低いＢｒ系エッチャントによって傾斜型順メサ形状に除去して第一のメサを形成した。 - 特許庁

To suppress the futile consumption of a treating liquid, such as an etchant, by building a recovering unit of removing metal ions into the equipment, thereby performing liquid discharge treatment with simple constitution.例文帳に追加

装置内に金属イオンを除去する回収ユニットを内蔵することにより、簡易な構成で排液処理を行ってエッチング液などの処理液の無駄を抑制することができる。 - 特許庁

Thus, in the subsequent etching treatment, etchant intrudes from the defect 22b of the oxide film 22 into the property modification region 7, so that the etching progresses selectively along the property modification region 7.例文帳に追加

よって、その後のエッチング処理では、酸化膜２２の欠陥２２ｂから改質領域７へとエッチング剤が侵入され、改質領域７に沿ってエッチングが選択的に進展される。 - 特許庁

A silicon wafer (110) is used for a silicon wafer, and a water solution which consists mainly of tetramethylammonium hydride and is impregnated with silicon independently or together with oxidant is used for etchant.例文帳に追加

シリコンウエハに（１１０）シリコンウエハを用い、かつ、エッチング液に、水酸化テトラメチルアンモニウムを主成分とし、これにシリコンを単独で又は酸化剤と共に添加した水溶液を用いる。 - 特許庁

To conduct treatment at a high current density at the time of electrolyzing a waste ferric chloride liq. etchant to obtain a liq. consisting essentially of ferrous chloride and to reduce the floor space of the device.例文帳に追加

塩化第二鉄エッチング廃液を電解処理して塩化第一鉄を主成分とする液を得るにあたり、高電流密度で処理できるようにし、装置の設置スペ−スを小さくすること。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a copper-containing material, which prevents a shape failure of a wire in a circuit with a fine pattern and can manufacture a printed wiring board (or film) that does not cause a short circuit.例文帳に追加

微細パターンの回路配線の形状不良を防止し、ショート発生のないプリント配線板（あるいはフィルム）を製造し得る銅含有材料用エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

Since the sidewall and a part of the upper face of a data line 6a are covered with a reflecting film 44, a center layer 62 is not corroded by an etchant when the reflecting film 44 is patterned.例文帳に追加

データ線６ａの側壁および上面の一部は反射膜４４で覆われているから、反射膜４４をパターニングする際に中央層６２がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁

Moreover, in order to form the hole or the step, new wet etchant is used.例文帳に追加

本願発明は、半導体装置を構成する半導体基体の有する孔又は段差部を、前記半導体基体表面の結晶の方向性によらず順メサ形状の孔又は段差となしたものである。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

If a drop in the flow rate of the etchant is observed by analyzing the signal from a flow rate sensor 4, the control device 9 closes the shielding valves 5A and 6A, stops the injection piping 2A and the injection pump 3A; whereas, it opens shielding valves 5B and 6B to activate an injection piping 2B and an injection pump 3B so that the etchant is circulated by an injection line B.例文帳に追加

流量センサ４からの信号を解析しエッチング液流量の低下が観測されると、制御装置９は遮断弁５Ａ，６Ａを遮断し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを停止する一方、遮断弁５Ｂ，６Ｂを開放し注送配管２Ｂ及び注送ポンプ３Ｂを稼働させて送ラインＢによるエッチング液の循環供給を行う。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a surface of a radiation curable semiconductor wafer that prevents a pressure-sensitive adhesive layer from remaining on the surface of the semiconductor wafer as an etchant is absorbed by the pressure-sensitive adhesive layer exposed at a peripheral part of the semiconductor wafer, and also prevents the surface of the semiconductor wafer from being contaminated owing to entry of grinding water and the etchant due to a deficiency in adhesion.例文帳に追加

半導体ウエハ周辺部分に露出している粘着剤層にエッチング液が吸収されて、これにより半導体ウエハ表面に粘着剤層が残存することを防ぐとともに、密着性不足による研削水やエッチング液の浸入による半導体ウエハ表面の汚染を防ぐことのできる放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供する。 - 特許庁

A surface processing apparatus 1 has a chucking plate 21 supporting a work 10, and a nozzle 4 which is provided so as to be movable relative to the chucking plate 21 and has a discharge port 4a discharging an etchant to a processed surface 101 of the work 10 supported by the chucking plate 21 and a suction port 4b suctioning the etchant discharged from the discharge port 4a.例文帳に追加

表面加工装置１は、ワーク１０を支持するチャッキングプレート２１と、チャッキングプレート２１に対して移動可能に設けられ、チャキングプレート２１に支持されたワーク１０の被処理面１０１に対してエッチング液を送出する送出口４ａおよび送出口４ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４ｂを有するノズル４とを有する。 - 特許庁