「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The wafer 1 is set on an etching pot 8 and in a state such that the outer peripheral part of the wafer 1 is masked with a seal packing 9, the backside 1b of the wafer is etched with an etchant 7 into a prescribed depth by leaving the outer peripheral part of the wafer 1 to make thin the backside 1b.例文帳に追加

ウエハ１をエッチングポット８にセットし、シールパッキン９にてウエハ１の外周部をマスクした状態でエッチング液７にてウエハ裏面１ｂに対しウエハ１の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くする。 - 特許庁

To provide a cleaning method for component, with which generation of particle can be suppressed through improving the surface state by cleaning the surface of a component composed of specified materials of a treatment device in an etchant, after working.例文帳に追加

処理装置の特定材料よりなる構成部品の表面を、加工後にエッチング液で洗浄して表面状態を改善することにより、パーティクルの発生を抑制することが可能な構成部品の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

When the thickness of the surface non-defect layer of the annealing wafer is evaluated, the surface of the annealing wafer is etched by an etchant, and an etching allowance up to the observation of a defect on a wafer surface is evaluated as the thickness of the non-defect layer.例文帳に追加

アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the wiring board includes a process to form a wiring pattern 30 on a base substrate 10 comprising a metal layer 12 and a mask 14 formed on the metal layer 12 by being patterned by removing a part of the metal layer 12 by spraying an etchant 20.例文帳に追加

金属層１２と、パターニングされて金属層１２上に設けられたマスク１４とを有するベース基板１０に、エッチング液２０を噴射して金属層１２の一部を除去し、配線パターン３０を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backside irradiation solid state image sensor, in which etching is excellently carried out even when continuously performed using a different etchant to secure superior film thickness uniformity of a device layer.例文帳に追加

裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、異なるエッチャントを利用したエッチングを連続して行なう場合であっても良好にエッチングし、デバイス層の優れた膜厚均一性を確保することができるようにする。 - 特許庁

To provide a wet etching process which improves the anisotropic diffusion speed of an etchant existing on the surfaces of metallic electrodes in order to narrow the pitch of the terminals of the wet etching process and to manufacture lead frames of higher fineness and shadow masks of super-high fineness.例文帳に追加

ウエットエッチング法の端子ピッチの狭ピッチ化、微細化のリードフレームや、超高精細シヤドウマスク製造するため、金属極表面に存在するエッチング液の異方性拡散スピードの向上するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the maintenance method of the emboss roller for rolling the copper foil having unevenness on its surface, the emboss roller is immersed in copper etchant of pH 8-13 containing copper ammonium complex, and copper deposited on the surface of the emboss roller is dissolved and removed thereby.例文帳に追加

表面に凹凸を有する銅箔圧延加工用エンボスローラのメンテナンス方法であって、エンボスローラを、銅アンモニア錯体を含むｐＨ８〜１３の銅エッチング液に浸漬し、エンボスローラの表面に付着した銅を溶解除去する。 - 特許庁

To obtain, in a short time, an excellent semiconductor thin film by increasing the permeation speed of an etchant for peeling, and enhancing uniformity of etching speed, in a method of peeling a semiconductor thin film after formed on a substrate.例文帳に追加

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。 - 特許庁

In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.例文帳に追加

パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a conductive film which can efficiently etch a conductive film, which does not produce residues after etching, which can suppress foaming at etching, and which is excellent in terms of etching workability.例文帳に追加

導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能でエッチング作業性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device which automatically controls etchant to have predetermined nitric acid concentration, acetate concentration, and phosphate concentration, and appropriately manages liquid refill to an etching treatment bath, thereby keeping a constant etching performance all the time.例文帳に追加

エッチング液を所定の硝酸濃度、酢酸濃度及び燐酸濃度に自動制御し、かつエッチング処理槽の液補給に対して適切な管理を行ない、もってエッチング性能を常時一定化するエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In removing the semiconductor mask layer 47, the mask layer 47 is etched using an etchant whose etching rate for the semiconductor mask layer 47 is faster than that for the semiconductor layer 45 or the well area 51.例文帳に追加

そして、半導体マスク層４７を除去する際に、半導体マスク層４７に対するエッチング速度が半導体層４５及びウェル領域５１に対するエッチング速度よりも速いエッチャントを用いて半導体マスク層４７をエッチングする。 - 特許庁

Prior to discharging the etchant supplied from a first or second liquid chemical supply source 211 or 212 from a lower surface treatment nozzle 2, DIW is discharged from the lower surface treatment nozzle 2 and supplied to a wafer backside Wb.例文帳に追加

第１または第２の薬液供給源２１１，２１２から供給されるエッチング液を下面処理ノズル２から吐出するのに先立って、ＤＩＷを下面処理ノズル２から吐出させてウエハ裏面Ｗｂに供給しておく。 - 特許庁

Droplets generated by mixing etchant including fluorine containing chlorine with gas are injected to the surface of the substrate W having a natural oxidation film formed on the surface by a two-fluid nozzle 80, to etch and clean the substrate surface.例文帳に追加

二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 - 特許庁

To obtain a good semiconductor film in a short time by accelerating the penetration of an etchant for peeling so as to improve the uniformity of an etching speed in a method of forming the semiconductor thin film on a substrate and thereafter peeling it.例文帳に追加

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることのできるようにする。 - 特許庁

Next, after a gate insulation film and a semiconductor layer are formed sequentially, a conductive film of MoW alloy is stacked and patterning is carried out using the same etchant as that for the gate line to form a data line having a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成した後、MoW alloyの導電膜を積層し、ゲート線用エッチング液と同一なエッチング液でパターニングしてソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

Namely, lowering γp and γh concerned with a hydrophilic component of the surface free energy of the resist pattern suppresses permeation of an etchant from the interface between the conductor layer and resist and then fine wires can be formed.例文帳に追加

即ち、レジストパターンの表面自由エネルギーのうち親水性成分に関係するγｐとγｈを低くすることにより導体層とレジスト界面からのエッチング液の浸透を押さえることができ、微細な配線を形成することができる。 - 特許庁

The TiN anti-reflective film 21 having the flat surface is formed in order to prevent the occurrence of halation during the patterning of a layered wiring including the AlCu film 20, and also, to prevent penetration of an etchant during the wet etching.例文帳に追加

平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 - 特許庁

The individual electrodes 3a are provided with level difference to form grooves 3b, and an etching stop or etching rest is prevented by the grooves 3b leading an etchant to a portion where sacrificial layer etching hardly occurs due to the narrow gap 10 between the electrodes.例文帳に追加

個別電極３ａには段差を設けることにより溝３ｂが形成されており、電極間のギャップ１０が狭くて犠牲層エッチングがされにくい部位にエッチャントを導く溝３ｂによって、エッチストップやエッチング残が発生しない。 - 特許庁

To minimize the introduction of pressure pulses into the alter etching/deposition chamber when the deposition and etchant gas suppliers are switched on and off, a mass flow controller is used to provide a relatively constant flow of gas.例文帳に追加

デポジション及びエッチングガス供給装置がオン及びオフにスイッチされた時、交互エッチング／デポジション室への圧力パルスの導入を最小にするために、マスフローコントローラーを用いて、相対的に一定のガス流量を供給する。 - 特許庁

The heat treatment tube is cleaned, by putting the substrate fitted with a polysilicon film, on the surface of which having nonetching property to the etchant of silicon the polysilicon film is stacked, into the heat treatment tube prior to heat treatment.例文帳に追加

シリコンのエッチング液に対して非エッチング性を有する基板の表面にポリシリコン膜を堆積したポリシリコン膜付き基板を熱処理チューブ内に投入して熱処理することにより、前記熱処理チューブを清浄化するようにした。 - 特許庁

To provide an etchant with which an etching aqueous solution is prevented from changing in composition and a low reflectivity is effectively obtained inexpensively when pyramidal unevenness is formed on the surface of a silicon substrate for a solar cell by a wet etching process.例文帳に追加

湿式エッチングで太陽電池用シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸を形成するに際し、エッチング水溶液の組成変化を防止し安価かつ効果的に低反射率化することが可能なエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for electrolytical production of a liq. to be treated consisting essentially of ferrous chloride without being influenced by the concn. of ferrous ion contained in a waste liq. at the time of regenerating a ferric chloride etchant suppressing an increase in liq. amt.例文帳に追加

液量の増加を抑えた塩化第二鉄エッチング廃液の再生において、廃液内に含まれる第一鉄イオンの濃度に左右されずに塩化第一鉄を主成分とする被処理液を得る電解処理方法を提供すること。 - 特許庁

Since the wettability of the surface of the interlayer insulating film is satisfactorily improved by etching a drain signal line 14 consisting of an Al film in a wet process after the nitrogen plasma treatment, an etchant is easily put in a contact hole part and Al does not remain in the contact hole part.例文帳に追加

この窒素プラズマ処理後に、Ａｌ膜からなるドレイン信号線１４をウェットエッチングすると、層間絶縁膜表面のぬれ性が良好であるため、エッチャントがコンタクトホール部に入り込み易く、コンタクトホール部にＡｌが残らない。 - 特許庁

To provide an etchant highly selectively etching silicon nitride and producing no precipitate after etching, in a process of removing silicon nitride from an electronic substrate having silicon dioxide and silicon nitride simultaneously.例文帳に追加

二酸化ケイ素と窒化ケイ素を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁

Owing to this, by solubilizing the oxidizer-soluble inorganic filler on this surface layer in an acidic etchant, a number of anchor-shaped holes can be formed on the surface thereof such that the high adhesiveness of a plating film can be obtained.例文帳に追加

このため、この表面層の酸化剤可溶性無機充填材を酸性エッチング液に溶解させることによって、表面に多数のアンカー状の孔を形成することができ、メッキ膜の密着性を高く得ることができる。 - 特許庁

The conductor circuit 31 has a roughened surface 32 treated with an etchant containing a cupric complex and an organic acid and the solder resist layer 38 is provided on the roughened surface 32.例文帳に追加

本発明のプリント配線板３９は、はんだパッド用導体回路３１が、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面３２を有しており、ソルダーレジスト層３８が粗化面３２上に設けられている。 - 特許庁

To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

Such the projections N and N are formed by generating overhang on the lower side of regist patterns D and D by soaking the roller 10A in an etchant, after forming the dotted regist patterns D and D on the outer peripheral surface of the roller 10A.例文帳に追加

さらに、このような突起物Ｎ，Ｎ…は、ローラ１０Ａの外周面にドット状のレジストパターンＤ，Ｄ…を形成した後、ローラ１０Ａをエッチング液に漬けることでレジストパターンＤ，Ｄ…の下側にオーバーハングを生成させることで形成する。 - 特許庁

To provide a method for purifying ferric chloride aqueous solution useful as a flocculant for drinking water treatment or an etchant, in particular, a method for preparing a purified ferric chloride aqueous solution by separating manganese as an impurity.例文帳に追加

浄水処理用の凝集剤として、また、エッチング液として有用な塩化鉄水溶液の精製方法、特に不純物としてのマンガンを分離し、精製された塩化鉄水溶液を調製する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, by the use of etchant containing a hydrofluoric acid and a nitric acid, only the amorphous silicon formed in the element isolating region 2 is selectively removed by etching, and the single crystal silicon formed in the active region 5 is hardly etched.例文帳に追加

その後、フッ酸と硝酸とを含むエッチング液を用い、アクティブ領域５に形成された単結晶シリコン部分をほとんどエッチングすることなく素子分離領域２に形成されたアモルファスシリコンのみを選択的にエッチングして除去する。 - 特許庁

This manufacturing method of the dielectric element includes a process of removing a part of the dielectric film 3 by bringing the dielectric film 3 formed on the base metal film 1 and containing an oxide having Ti and Ba into contact with an etchant.例文帳に追加

卑金属膜１上に形成されたＴｉ及びＢａを有する酸化物を含む誘電体膜３をエッチング液に接触させることにより、誘電体膜３の一部を除去する工程を備える誘電体素子の製造方法。 - 特許庁

An etching vessel 1 where an etchant 2 is housed, and a substrate holding device which is fixed/held in the etching vessel while an etching surface 3a of a substrate 3 facing downward with the etching surface which forms an angle θ 45° or higher relative to a vertical plane, are provided.例文帳に追加

エッチャント２を収容するエッチング槽１、基板３のエッチング面３ａを下向きにしてかつエッチング面が鉛直面と４５度以上の角度θを成すようにしてエッチング槽中に固定保持する基板保持装置（図示しない）を設けた。 - 特許庁

To solve the problem that when an etchant such as hydrofluoric acid etc. is continuously supplied to and sucked from between a glass board and the surface of a workpiece such as a semiconductor substrate etc. by a processing head, the shape of the tip surface of the processing head affects the high flatness processing.例文帳に追加

加工ヘッドによりフッ酸等のエッチャントをガラス基板、半導体基板等の被加工物の表面との間に連続的に供給し吸引する際に、加工ヘッド側の先端面の形状が高平坦度の加工に影響を及ぼす。 - 特許庁

Since the fence 110 is formed of the decomposed layer 106, only the fence 110 can be removed without etching the film 104 and a barrier insulating film 103 by performing wet-etching by using, for example, an HF-based etchant.例文帳に追加

このフェンス１１０は変質層１０６で形成されているので、例えばＨＦ系のウェットエッチング処理を行うことにより、低誘電率膜１０４とバリア絶縁膜１０３をエッチングすることなく、フェンス１１０だけを除去することが出来る。 - 特許庁

The three-dimensional masking is adhered to the die 2 on which the resist film is formed, the pattern of the shape to be worked is transferred to the resist film by exposure and developed, and the unnecessary surfaces of the die are removed with etchant 5 which is jetted from a plurality of nozzles.例文帳に追加

レジスト膜が成膜された金型２に３次元マスキングを密着させ、露光により加工形状のパターンをレジスト膜に転写、現像し、複数のノズルから噴射するエッチング５液により前記金型の不要な表面を除去する。 - 特許庁

In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer.例文帳に追加

この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。 - 特許庁

A semiconductor wafer cut out from the GaAs crystal is dipped and etched in an ammonia-based etchant for a fixed time duration or more, dried, and then dipped in a melting KOH liquid of predetermined temperature for the fixed time duration or more, and dried so that the dislocation distribution can be made observed.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶から切り出した半導体ウェハを、アンモニア系のエッチング液に一定時間以上浸漬してエッチングし、乾燥した後、所定温度の溶融ＫＯＨ液に一定時間以上浸漬し乾燥して、転位分布を観察可能にする。 - 特許庁

To provide an etchant suitable for etching a layer, containing titanium as a main constituent within a layered product including the layer, containing titanium as a main constituent and a layer containing aluminum as a main constituent, and a layer containing aluminum as a main constituent, and to provide an etching method.例文帳に追加

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

When the Ti-free Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes are used as the base electrodes 1 in the HBT, peeling of the base electrodes 1 by Ti etching does not occur and the thermal stability of the HBT is also improved, even if a hydrofluoric acid-based etchant is used after the formation of the base electrodes 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴにおいて、ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いることで、ベース電極１形成後、ふっ酸系のエッチング液を用いてもＴｉのエッチングによるベース電極１の剥がれが生じず、熱安定性も向上する。 - 特許庁

A thin piezoelectric oscillation element is provided, where a countermeasure to sub vibration is taken, by processing a thin board by forming a protective film on a main surface in the shape of a convex lens and soaking it in etchant for dissolving a crystal, while protecting the shape of the lens, etc.例文帳に追加

凸レンズ形状の主面に保護膜を形成し、凸レンズ形状を保護しつつ、水晶を溶解するエッチング用液へ浸けるなどして、板厚を薄く加工することで副振動対策のなされた薄板の圧電振動素子を提供する。 - 特許庁

Alternatively, a method for etching a substrate in a chemical reaction can be used as a method to thin or eliminate the substrate, thus forming a stopper layer by the use of a material having resistance characteristics for an etchant used when etching is performed by the chemical reaction.例文帳に追加

または、基板の薄膜化または基板の除去の方法として、基板を化学反応によりエッチングする方法を用い、化学反応によるエッチングを行う際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料によりストッパー層を形成する。 - 特許庁

An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.例文帳に追加

本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁

Setting the above area ratio to 0.02 or more and using the above etchant enable decreasing the etching degree of the TiW film 4 caused by the battery-effect between a CrSi resistor 3 and the TiW film 4 and suppress the undercut of the TiW film 4.例文帳に追加

また、上記面積比を０．０２以上にし、上記エッチング液を用いることで、ＣｒＳｉ抵抗３とＴｉＷ膜４との間の電池効果によるＴｉＷ膜４のエッチング量を少なくでき、ＴｉＷ膜４のアンダーカットを抑制できる。 - 特許庁

When the end faces of both sides of the ridge are etched using such etchant, the trend can be improved remarkably that symmetry at the end faces of both sides becomes bad because the etching rate of the particular crystal surface becomes fast due to the crystallographic etching anisotropy.例文帳に追加

このようなエッチャントを用いてリッジ部の両サイド端面をエッチングすると、結晶学的なエッチング異方性から特定の結晶面のエッチング速度が速くなって両サイド端面の対称性が悪くなるという傾向が大幅に改善される。 - 特許庁