「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A second face 38 of the semiconductor substrate 10 is etched with a first etchant having the property that the etching amount of the semiconductor substrate 10 is larger than that of the insulation layer 28 so that the conductive part 30 can be protruded in the condition of being coated with the insulation layer 28.例文帳に追加

半導体基板１０に対するエッチング量が絶縁層２８に対するエッチング量よりも多くなる性質の第１のエッチャントによって、半導体基板１０の第２の面３８をエッチングし、絶縁層２８にて覆われた状態で導電部３０を突出させる。 - 特許庁

In the etching apparatus, 21 nozzles 1 for ejecting an etchant are installed on a plate member that swings in the direction rectangularly crossing the transfer direction of a substrate 2 (e.g., copper thinly formed on a polyimide film) in a manner that all of the positions of swing direction are different from each other.例文帳に追加

エッチング液を噴射する２１個のノズル１は、被エッチング材（例えば、ポリイミドフィルム上に薄く形成された銅）２の搬送方向とは直交する方向へ揺動する板部材に設置されているが、その揺動方向の位置が全て異なるように配列されている。 - 特許庁

In the manufacturing step of the sensor chip 3; a silicon oxide film 32 having resistivity to an etchant is formed on the front surface of a silicon substrate 31, and many apertures 17 for exposing the silicon substrate 31 is formed within a ring domain between the circumferential edge and the center area of the silicon oxide film 32.例文帳に追加

センサチップ３の製造工程では、シリコン基板３１の表面に、エッチング液に対する耐性を有するシリコン酸化膜３２が形成されて、そのシリコン酸化膜３２の周縁部と中央部との間の環状領域に、シリコン基板３１を露出させる多数の開口１７が形成される。 - 特許庁

In certain embodiments, the etchant gas mixture includes only the two components, COS and O_2, but in other embodiments additional gases, such as at least one of molecular nitrogen (N_2), carbon monoxide (CO) and carbon dioxide (CO_2) can be further employed to perform etching on carbonaceous layers.例文帳に追加

所定の実施形態において、エッチャントガス混合物はＣＯＳとＯ_２の２つの成分しか含まないが、その他の実施形態では分子窒素（Ｎ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ_２）の少なくとも１つ等の追加のガスを更に用いて炭素質層をエッチングしてもよい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor device which can prevent characteristics and reliability from becoming worse, owing to reaction products on the outermost surface of a semiconductor layer etched by a wet etching method using an adequate etchant by removing the reaction products.例文帳に追加

適当なエッチャントを用いた湿式エッチング法によりエッチングされた半導体層の最表面の反応生成物を除去することにより反応生成物に起因する特性及び信頼性の劣化を防止することができる化合物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

As an etchant for wet etching of a ridge stripe provided on a compound semiconductor substrate having an off angle to the [111] direction or [1-1-1] direction from the crystal surface (100), a solution including hydrogen fluoride, a solution including boron, or a buffered hydrofluoric acid is used.例文帳に追加

（１００）結晶面から［１１１］方向または［１−１−１］方向にオフ角を有する化合物半導体基板上に設けられたストライプ状のリッジ部をウェットエッチングするエッチャントとして、フッ化水素を含有する溶液、臭素含有溶液、またはバッファードフッ酸を用いる。 - 特許庁

In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.例文帳に追加

続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁

Since the metal oxide membrane 11a is arranged between the glass substrate 20a and the metal membrane 12a in the peripheral part of the substrate, when the dielectric 13a is etched by hydrofluoric acid, the etchant does not penetrate into the interface, thereby the metal membrane 12a (electrode) is not separated from the substrate, preventing a defect.例文帳に追加

基板周縁部には、ガラス基板２０ａ，金属膜１２ａ間に金属酸化膜１１ａが配置されていることにより、誘電体１３ａをフッ酸でエッチングした場合に、エッチャントがその界面に浸透することはなく、金属膜１２ａ（電極）が基板から剥離する不具合を防止できる。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

Further, the drive parts 20, 22, and 24 in one embodiment are swing shafts 36 of a swing mechanism which swings the etchant, the swing shafts 36 are covered by a bearing plate 35, and the washing parts 28 and 34 supply the interior of a bearing plate 25 with the washing water.例文帳に追加

また、ひとつの実施形態で駆動部２０、２２、２４は、エッチング液を揺動させる揺動機構の揺動軸３６であり、前記揺動軸３６は軸受けプレート３５に覆われており、前記洗浄部２８、３４が、前記軸受けプレート２５の内部に前記洗浄水を供給する。 - 特許庁

The etchant is a mixed solution of EDTA/2Na (disodium ethylenediamine tetraacetate ) and EDA (ethylenediamine ), and the cleaning solution is a diluted solution prepared by diluting with pure water any one of a mixed solution of EDTA/2Na and EDA, EDTA/2Na, and EDA.例文帳に追加

前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 - 特許庁

The method is employed to accurately compart the trench section 32 on the thermal ink jet print head 10 to be etched in the region of a substrate surface 34 and performs etching by protecting the element of an adjacent liquid-drop generator from being damaged by exposing the element to a silicon etchant with a rigid mask.例文帳に追加

サーマルインクジェットプリントヘッド(10)のトレンチ部分(32)を、エッチングされる基板表面(34)の領域を正確に画定し、且つシリコンエッチング液に曝されることによる損傷から近接する液滴発生器の構成要素を保護する強靱なマスクを使用してエッチングする方法。 - 特許庁

The centrifugal force by the rotation of the wafer W hardly acts on the DIW supplied to the surface of the wafer W, and accordingly the DIW supplied to the center part of the surface of the wafer W stays in the center part and the etchant remains in a peripheral part of the surface of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。 - 特許庁

When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film.例文帳に追加

裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an etching process, using an etchant 5 that includes H_2SO_4 of 86 wt.%-97.9 wt.%, HF of 0.1 wt.%-10 wt.%, and H_2O of 2 wt.%-4 wt.%, wherein ozone of 10 ppm or higher is dissolved therein.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 - 特許庁

In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to discharge gas (air) 31 toward the reverse surface 21b of the diffused wafer, and the gas (air) 31 is so controlled that the etchant 32 dripped on the surface 21a of the diffused wafer penetrates a beveled part 23 of the reverse surface 21b.例文帳に追加

枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハの裏面２１ｂ側に向けて、ガス（エア）３１が吐出され、拡散ウェーハの表面２１ａに向けて滴下されたエッチング液３２が裏面２１ｂの面取り部２３に浸透するように、ガス（エア）３１が制御される。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a thin film having a high dielectric constant to be used in manufacturing processes of a semiconductor device which uses a thin film having a high dielectric constant, specifically, a semiconductor device which uses an extremely thin gate insulation film layer and a gate electrode which are essential to a higher degree of integration and rapid operation of a MOSFET.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film solar battery, which high photoelectric conversion efficiency by obtaining sufficient light confinement effect by forming desired holes and unevenness on the surface of a transparent conductive film by a low-cost easy manufacturing method, and its manufacturing method, and an etchant.例文帳に追加

透明導電層に対して、安価かつ容易な製造方法により、透明導電層の表面に所望の穴および凹凸を形成することで、十分な光閉込効果を得て、高い光電変換効率を有する薄膜太陽電池およびその製造方法ならびにエッチング液を提供する。 - 特許庁

The treatment method includes an etching step of etching a ZnO single crystal substrate having a Zn polar surface as a main surface using a solution containing an EDTA chelate compound as an etchant, and a cleaning step of, after the etching, cleaning the substrate using an electrolyte solution having a ligand as a cleaning solution.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。 - 特許庁

Thus, the nozzle 10 with high machining accuracy can be obtained because dimensional accuracy when machining the inlet 12 and the outlet 114 is kept as it is even though the nozzle plate 21 is submerged into the etchant 130 in the inlet 112 and the outlet 114 formed of a metal insoluble to the alkaline etching liquid.例文帳に追加

このように、アルカリエッチング液に対して不溶性の金属で形成された入口１１２及び出口１１４は、ノズルプレート２１をエッチャント１３０に浸漬しても、入口１２及び出口１１４の加工時の寸法精度がそのまま維持されるため、加工精度の高いノズル１０を得ることができる。 - 特許庁

Reaction with silicon ions in the test solution reduces the concentration of fluoride ions, which are present in stoichiometric excess, so that the silicon concentration of the etchant solution can be calculated from the difference between the predetermined and measured concentrations of fluoride ions in the test solution.例文帳に追加

試験溶液中のケイ素イオンとの反応により、フッ化物イオン濃度を低下させ、このフッ化物イオンは、試験溶液中のフッ化物イオンの所定濃度と測定濃度との差からエッチング剤溶液のケイ素濃度を計算できるように化学量論的に過剰で存在する。 - 特許庁

Furthermore, in the manufacturing method for a semiconductor in a second invention, a gold film is formed on a semiconductor substrate where the surface treatment is performed, and patterning is performed in etchant, whereupon only the gold film is etched, and the surface of the gallium arsenide semiconductor substrate is not etched.例文帳に追加

さらに、第２の発明の半導体装置の製造方法は、上記表面処理を行った半導体基板上に金膜を形成してヨウ素系エッチング液でパターニングを行うと、金膜のみがエッチングされ、露出するガリウム砒素半導体基板表面は、エッチングされない。 - 特許庁

The etching liquid 15 passivates the surface of the layer 10 and contains a passivation material which serves as a material that prevents the layer 10 from being etched by an etchant or an etching material prior to the irradiation of the layer 10 with light rays.例文帳に追加

チタン酸ストロンチウム層が酸とHFとを含む被不動態化エッチング液に浸漬され、集束光がエッチングされる部分のチタン酸ストロンチウム層の表面に当てられ、被不動態化面のパッシベーションを打ち消して、視準光を受ける表面においてのみチタン酸ストロンチウム層をエッチングする。 - 特許庁

A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.例文帳に追加

ワードライン構造物１２４は、導電膜１０８をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン１２６及び電荷トラッピング膜パターン１２８は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜１０６及び電荷トラッピング膜１０４をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁

The composition of the etchant for the transparent conductive film comprises an aqueous solution containing oxalic acid and a compound having two or more -OSO_3 radicals in a molecule (a compound with unsaturated fatty acid polymer sulfurized or a compound with tri-acyl glycerol sulfurized or their salt for example).例文帳に追加

シュウ酸及び分子中に２個以上の−ＯＳＯ_３基を有する化合物（不飽和脂肪酸の重合物を硫酸化した化合物若しくはトリアシルグリセロールを硫酸化した化合物及又はそれらの塩が例示される。）を含有する水溶液からなる透明導電膜用のエッチング液組成物。 - 特許庁

Under the presence of metal for interconnection lines or electrodes which has a good conductivity, the substrate made of tungsten and/or titanium-tungsten alloy is etched with the etchant of pH 7 or below which contains hydrogen peroxide aqueous solution and an alkali component, to dissolve and remove an unwanted part of the metal film.例文帳に追加

配線又は電極用の良導電性を有する金属の存在下、過酸化水素水及びアルカリ成分を含むｐＨ７以下のエッチング液により、タングステン及び／又はチタン−タングステン合金の基板をエッチングすることにより、不要部の該金属膜を溶解除去する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus comprising an etching chamber, piping portion located upper inside of the etching chamber and having a plurality of nozzles injecting etchant, mask substrate located under the piping portion, transfer means located under the mask substrate for transferring the substrate.例文帳に追加

エッチングチャンバと、前記エッチングチャンバの内部上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、前記配管部下側に位置するマスク基板と、前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段と、を含むことを特徴とするエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive etchant for collectively etching a multilayer film including a transparent electroconductive film and a metallic film by one operation with one liquid, without selectively etching each film, and for inhibiting side etching of each film.例文帳に追加

透明導電膜および金属膜を含む積層膜に対して、各膜をそれぞれ選択エッチングすることなく、１液で透明導電膜および金属膜を含む積層膜を一括エッチングすることが可能であり、かつ各膜のサイドエッチングを抑制することが可能な安価なエッチング液を提供する。 - 特許庁

To solve a problem of corrosion of an Al conductive film by the etchant for a transparent conductive film and a problem of galvanic corrosion due to direct contact between an Al conductive film and a transparent conductive film in an electronic device having an Al conductive film and a transparent conductive film without using a barrier film.例文帳に追加

Al導電膜および透明導電膜を有する電子装置において、透明導電膜用のエッチャントによるAl導電膜の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接コンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いることなく解決すること。 - 特許庁

The copper-containing alloy material is immersed into an etchant which is prepared by adding an organic acid forming a complexing agent to the lead and the complexing agent having high complex ion formability and has neutral or weakly acidic buffer action and the lead particles existing on the surface of the copper-containing alloy material are removed.例文帳に追加

鉛含有銅合金材を、鉛と錯イオン形成能力の大きい錯化剤に錯化剤を形成する有機酸を加えた中性もしくは弱酸性の緩衝作用を持つエッチング液に浸漬し、前記鉛含有銅合金の表面に存在する鉛粒子を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an N-type epitaxial wafer 11, an etching preventing electrode provided on the wafer 11, and a P electrode which is provided on the etching preventing electrode and is etched, in a prescribed electrode pattern by an etchant which is different from that used for etching the etching preventing electrode.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャルウェハー１１と、Ｎ型エピタキシャルウェハー１１上に設けられたエッチング防止電極と、エッチング防止電極の上に設けられ、エッチング防止電極をエッチングするエッチング剤とは異なるエッチング剤でエッチングされ、所定の電極パターンが形成されるＰ電極とを備える。 - 特許庁

By this setup, a device forming region located at the center of the top surface of the wafer W is covered with the recirculation water, and the etchant fed to the peripheral edge of the top surface of the wafer W is carried away by the recirculation water flowing from the center to peripheral edge of the top surface of the wafer W.例文帳に追加

これにより、ウエハＷの上面の中央部のデバイス形成領域は還元水に覆われた状態となり、ウエハＷの上面の周縁部に供給されたエッチング液は、ウエハＷの上面の中央部から周縁に向けて流れる還元水により押し流される。 - 特許庁

The inlet 112 and the outlet 114 of a nozzle 10 are formed on the thin film layers 108, 110, thereafter a nozzle plate 21 is submerged into the alkaline etching liquid so called a etchant 130, the base material 106 is dissolved to form a through hole 118 making the inlet 112 and the outlet 114 of the nozzle 10 communicate with each other.例文帳に追加

この薄膜層１０８、１１０にノズル１０の入口１１２及び出口１１４を形成した後、ノズルプレート２１をアルカリエッチング液、いわゆるエッチャント１３０に浸漬し、基材１０６を溶解させ、ノズル１０の入口１１２と出口１１４を連通する連通穴１１８を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.例文帳に追加

レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁

In this method, the cladding (42, 46, 50) is treated with a chemical etchant of the metal that the cladding (42, 46, 50) is made of for a period of time sufficient to remove at least the portion of the cladding (62, 66) adhering to the at least one surface (54, 58) of the substrate (38).例文帳に追加

この方法においては、クラッド（４２、４６、５０）は、該クラッドが造られている金属の化学エッチング液を用いて、基体（３８）の少なくとも１つの表面（５４、５８）に接着されたクラッドの少なくとも一部分（６２、６６）を除去するのに十分な時間にわたり処理される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hollow structure, a manufacturing method for an MEMS element, and a manufacturing method for an electron beam mask capable of easily and inexpensively manufacturing by using a metallic film as a sacrificial layer and optimally combining a film material constituting the structure and an etchant of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層に金属膜を用い、且つ、構造体を構成する薄膜材料、及び犠牲層のエッチング液を最適に組み合わせて、容易且つ安価に製造し得る中空構造体の製造方法、ＭＥＭＳ素子の製造方法及び電子線マスクの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

This method of detecting etching end point includes a step of etching a prescribed portion of a semiconductor wafer 5, by dipping the wafer 5 in an etchant 18 put in an etching system 1 and a step of stopping the etching by deciding the end point of the etching, according to the amount of emission of an etching gas 26 generated during etching the wafer 5.例文帳に追加

エッチング装置１内のエッチング液１８に半導体ウエハ５を浸漬し、当該ウエハ５の所定の部位をエッチングする工程と、半導体ウエハ５のエッチング時に発生するエッチングガス２６の発生量に応じて、エッチングの終点を決定しエッチングを停止させる工程を備える。 - 特許庁

An aqueous solution containing oxalic acid, a surfactant of polyoxyalkylene alkylether sulfate and/or polyoxyalkylene alkylphenylether sulfate, and at least one kind selected from a group of polyoxyalkylene monoalkylether, polyoxyalkylene block polymer, polyoxyalkylene fatty acid ester and polyoxyalkylene denatured silicon oil is employed as an etchant.例文帳に追加

シュウ酸と、界面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩と、ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する水溶液。 - 特許庁

The etchant including at least ferric chloride for etching metals containing copper, etc., is comprised of ferric chloride of, for instance, 28-33 wt.%, hydrochloric acid of 0.1-0.2 mol/liter, and ammonium chloride of, for instance, 25-75 g/liter.例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、銅などを含む金属をエッチングするエッチング液であって、塩化第二鉄と、０．１〜０．２モル／リットルの濃度の塩酸と、塩化アンモニウムとを含有するエッチング液とし、塩化第二鉄の濃度は例えば２８〜３３重量％、塩化アンモニウムの濃度は例えば２５〜７５ｇ／リットルとする。 - 特許庁

Using the same etchant containing ethylene glycol added 16-30 vol% (preferably 20-22 vol%) to a buffered hydrofluoric acid water solution, the aluminum oxide and the silicon oxide film formed thereon are etched in accordance with selectivity to the wiring made from the aluminum film.例文帳に追加

バッファードフッ酸水溶液に１６〜３０体積％（好ましくは２０〜２２体積％）のエチレングリコールを添加したエッチャントを用いることでアルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。 - 特許庁

The self-aggregate single molecule layer is removed from a lower substrate following the second pattern by bringing the inert etchant into contact with the exposed portion of the IZO or ITO film.例文帳に追加

ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集合単分子層については不活性であるエッチャントと、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触させることにより、第２のパターンにしたがって、下側の基板から除去される。 - 特許庁

The method is also used for etching by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt, a layer containing titanium as the main constituent within a layered product including the layer containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent, and a layer containing aluminum as the main constituent at the same time.例文帳に追加

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 - 特許庁

After that, a resist layer 6 for protecting the upper electrode 33 and the insulating layer 4 is formed at one surface side of the support substrate 1, the etchant is introduced through the opening 7 of the resist layer 6 and each etching hole 5, and the cavity 2 is formed by etching the scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。 - 特許庁