「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical recording medium is manufactured by directly irradiating a thin film for the light absorption part or a thin film for forming the heat insulation part layered on the substrate with a laser beam to transform the thin film, removing unnecessary parts by an etchant and forming a thermal control region so that the light absorption parts and the heat insulation parts alternately come in contact with the recording layer.例文帳に追加

基板上に積層された光吸収部用薄膜もしくは断熱部形成用薄膜を直接レーザ光照射により変質させ、不要部分をエッチング液で除去し、光吸収部と断熱部が交互に記録層に接するように熱制御領域を形成し光記録媒体を作製する。 - 特許庁

The etchant for conductive films is characterized in that it contains at least ceric ammonium nitrate; an etching agent (a) for conductive film having at least one selected from the group consisting of perchloric acid, nitric acid and acetic acid; and a compound (b) represented by general formula (1): (Rf1SO_2)(Rf2SO_2)NX.例文帳に追加

少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。 - 特許庁

After a lower film of Al-Nd alloy and an upper film of MoW alloy are stacked sequentially on an insulation substrate, a gate line including a gate electrode is formed by patterning the resulting film using an etchant including 50 to 60% of phosphoric acid, 6 to 10% of nitric acid, 15 to 25% of acetic acid, 2 to 5% of stabilizer, and ultrapure water.例文帳に追加

絶縁基板の上部にAl-Nd alloyの下部膜とMoW alloyの上部膜を順次に積層した後、５０-６０％範囲のリン酸、６-１０％範囲の硝酸、１５-２５％範囲の酢酸及び２-５％の安定剤とその他に超純水を含むエッチング液でパターニングしてゲート電極を含むゲート線を形成する。 - 特許庁

In the production method for an electronic circuit board, a thin film substrate conductive layer 2 and a thin film substrate conductive layer 3 formed on an insulation board 1 are selectively etched with the etchant by spraying so as to form a circuit wiring 6A having a stable shape without causing side etch.例文帳に追加

そして本発明の電子回路基板の製造方法では、このエッチング液を用い、スプレー法で、絶縁基板１上に形成されている薄膜下地導電層２及び薄膜下地導電層３を選択的にエッチングし、サイドエッチのない、形状の安定した回路配線６Ａを形成するようにしている。 - 特許庁

In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface.例文帳に追加

曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for an element forming substrate includes a step for preparing a GaN substrate 120 which has an a-surface or m-surface as a principal surface, a step for masking the principal surface of the GaN substrate 120 with a mask 160, and a step for exposing the masked GaN substrate 120 to an etchant to form the crystallographic surface.例文帳に追加

素子形成用基板の製造方法は、ａ−面またはｍ−面を主面とするＧａＮ基板１２０を準備するステップと、ＧａＮ基板１２０の主面をマスク１６０によってマスキングするステップと、マスキングされたＧａＮ基板１２０をエッチング液に曝して、結晶学的な表面を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

This method comprises the surface of a substrate to a plating treatment of forming a plating film on this surface by bringing the surface into contact with a plating solution and an etching treatment of etching portions of the plating film formed on the surface of the substrate by bringing the substrate after the plating into contact with an etchant and subjecting the surface again to the plating treatment after the etching treatment.例文帳に追加

めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

Next, a line-and-space type resist mask extended in a [1-10] direction is formed thereon, and then, the semiconductor constituent material layer is etched using low-temperature hydrochloric acid as an etchant, thereby forming a semiconductor constituent material layer having a stripe-like mesa structure having a (111) face and a (11-1) face as an opposing side face.例文帳に追加

次に、その上に［１−１０］方向に延伸したライン・アンド・スペース型のレジストマスクを形成した後、低温の塩酸をエッチャントとして上記半導体構成材料層をエッチングして、（１１１）面および（１１−１）面を対向側面とするストライプ状のメサ構造を有する半導体構成材料層を形成する。 - 特許庁

The substrate transfer apparatus transfers the substrate during the etching process of the substrate, and includes a substrate support base which supports both sides of the substrate which is curved to cause the etchant to flow on both sides of the substrate, and a transfer drive section which moves the substrate support base to transfer the substrate.例文帳に追加

本発明は、基板のエッチング工程中に基板を移送させる基板移送装置であって、基板が湾曲され、基板の両側にエッチング液が流れるように基板の両側を支持する基板支持台と、 基板が移送されるように基板支持台を移動させる移送駆動部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A controller 156 controls the dose of O2 gas so that the amounts of the etchant and the by-product measured are equal to those previously set according to an increase in the aspect ratio of the contact hole to dope the processing gas with the O2 gas, wherein the dose of the O2 gas is increased according to an increase in the aspect ratio.例文帳に追加

制御器３０２は，測定される各含有量と，予め設定されているコンタクトホール２０４のアスペクト比の増加に対応するエッチャントと副生成物の各含有量とが同一になるようにＯ_2の添加量を調整し，アスペクト比の増加に応じて添加量が連続的に増加されるＯ_2が処理ガスに添加される。 - 特許庁

A triple-seal structure of the protection wall pattern 5, seal pattern 3, and sealing pattern 6 is formed at the outer peripheral part of the couple of stuck substrates, so even if the seal pattern 3 and sealing pattern 6 have defects, the etchant is stopped by the protection wall pattern 5 from entering a space between the couple of stuck substrates.例文帳に追加

貼り合わせた一対の基板の外周部分に保護壁パターン５、シールパターン３および封止パターン６の三重シール構造が形成されているため、シールパターン３や封止パターン６に欠陥があっても、保護壁パターン５によって貼り合わせた一対の基板間へのエッチング液侵入が阻止される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing a protective insulating film from abnormally being grown even when an amorphous conductive film is patterned in a specified shape by using a specified etchant and the protective insulating film is formed so as to cover the patterned conductive film.例文帳に追加

本発明は、非晶質の導電性膜を所定のエッチャントを用いて、所定の形状にパターニングし、当該パターニングされた導電性膜を覆うように保護絶縁膜を形成したとしても、当該保護絶縁膜の異常成長を防止することができる、液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In addition, the first thermally oxidized film 4 and the surface section of the element isolating film 16 are wet-etched until the film 4 is removed by using an etchant containing a hydrogen fluoride (Fig.1 (E)) and, after a pressure-reduced oxide film 30 is formed on the etched surface, a polysilicon layer 36 which is used as a resistance element or transistor element is formed.例文帳に追加

次に、第１の熱酸化膜４が除去されるまで、第１の熱酸化膜４および素子分離膜１６の表面部を、フッ化水素を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし（図１の（Ｅ））、その上に、減圧酸化膜３０を形成した後、抵抗素子やトランジスタ素子とするポリシリコン層３６を形成する。 - 特許庁

A metal layer 26 is formed on a portion of the conductive film 18 by electrolytic plating for allowing current to flow to the conductive film 18, and the conductive film 18 is etched with the metal layer 26 as a mask by a first etchant having etching operation stronger to the conductive film 18 than the metal layer 26.例文帳に追加

導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８の一部上に金属層２６を形成し、導電膜１８に対して金属層２６に対するよりも強いエッチング作用のある第１のエッチャントによって、金属層２６をマスクとして導電膜１８をエッチングする。 - 特許庁

To provide an etchant composition which is used for etching a metallic thin film and a metal oxide film, in a process of manufacturing electronic equipment such as a semiconductor device and a flat panel display device, has no problem with an odor of acetic acid, has superior etching performance, is easily handled and has superior practicability.例文帳に追加

半導体装置ならびにフラットパネルディスプレイ装置等の電子装置の製造工程において、金属薄膜及び金属酸化物膜をエッチングする際に用いることができる、酢酸の臭気の問題がなく、エッチング性能に優れ、また取り扱いが容易で実用性に優れている、エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide, by an easy and inexpensive method, an etching protective material having all of excellent durability against an etchant (alkali and acid), heat resistance in processing, excellent adhesiveness to a wafer subjected to an etching treatment, and removability after the etching treatment; and to provide a method of manufacturing a device substrate using the same.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light-emitting element, the method preventing luminous intensity from decreasing owing to electrode peeling and manufacturing a stable electrode in good yield by preventing GaP etc., at an electrode periphery from being etched when a light-emitting element surface is dipped in an anisotropic etchant to be roughened.例文帳に追加

発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for circulating an etchant, which solves unevenness in an etching rate due to dispersion of a temperature of a chemical solution without upsizing or pluralizing a tank, performs a rapid and uniform stirring in a circulation tank, uniformly keeps concentration of the chemical solution in the circulation tank, and performs stable etching, and to provide the circulation tank.例文帳に追加

槽を大型、複数化することなく、薬液温度のばらつきにより発生するエッチング速度のむらを解消し、また循環槽内の撹拌を迅速且つむらなく行い槽内の薬液濃度を均一に保持し、安定したエッチングを可能にするエッチング循環方法および循環槽を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate with a circuit pattern which can be finely patterned and can keep down a manufacturing cost and reduce the effects on the environment without using a large amount of chemicals such as a developer and an etchant, and never cause laser irradiation defects, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

微細なパターニングが可能であり、大量の現像液やエッチング剤等の薬液等を使用せず製造コストおよび環境負荷を抑制すること等ができ、さらにレーザ照射欠陥が生じない、回路パターンを有するガラス基板の製造方法、およびこれにより製造される回路パターンを有するガラス基板の提供。 - 特許庁

This method comprises repeating a plurality of times a series of a chemical polishing step of allowing the etchant to flow downwardly along the surface of the glass sheet GL which is kept slanted, an immersion step of immersing the glass sheet having been subjected to the chemical polishing step in a removing liquid, and a washing step of washing the glass sheet taken out from the removing liquid with a washing liquid.例文帳に追加

傾斜状態に保持されたガラス板ＧＬの表面に沿って、エッチング液を流下させる化学研磨工程と、化学研磨工程を経たガラス板を除去液に浸漬する浸漬工程と、除去液から取り出したガラス板を洗浄液で洗浄する洗浄工程とを複数回繰り返す。 - 特許庁

The etching system has an outer tank storing a cooling or heating medium, a hollow container which is rotatably set up in the outer tank, has a shield plate on its internal surface, and stores a prescribed amount of etchant, and a rotating means which rotates the container around the center axis of the container.例文帳に追加

冷却または加熱するための媒体を貯留した外槽と、上記外槽の内部に回動自在に配設された内部が中空の容器であって、当該容器の内面に遮蔽板を突設するとともに、当該容器の内部に所定量のエッチング液を貯留した容器と、上記容器を当該容器の中心軸周りに回転させる回転手段とを有する。 - 特許庁

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension.例文帳に追加

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。 - 特許庁

The surface of an electronic component package 1 is polished with a polishing paper until an electronic element 3 is exposed on the top of an electronic element 3 to be analyzed, and a nitrohydrofluoric acid etchant in which a hydrofluoric acid and a nitric acid are mixed at a ratio of 3:1 or a potassium hydroxide solution is used in this state to dissolve and eliminate the exposed electronic element 3.例文帳に追加

電子部品パッケージ１の表面を、解析対象となる電子素子３の上部の電子素子３が露出するまで研磨紙などで研磨し、この状態でフッ化水素酸と硝酸が３対１の比率で混合されたフッ硝酸エッチング液、または水酸化カリウム水溶液を用いて、露出した電子素子３を溶解して除去する。 - 特許庁

The etchant for copper oxide contains at least one of chelating agent selected from the group consisting of α,ω-diamine acetic acid, α,ω-diamine succinic acid, α,ω-diamine propionic acid, 1,2-diaiminopropane tetraacetic acid, citric acid, isocitric acid, fumaric acid, adipic acid, succinic acid, glutamic acid, malic acid, tartaric acid and salts of these.例文帳に追加

本発明の酸化銅用エッチング液は、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種以上のキレート剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A material having resistance against alkali is adopted for the active layer, a material having properties dissolved to alkali is adopted for the source/drain electrodes, and etching is made by alkali etchant when patterning the source/drain electrodes, thus patterning the source/drain electrodes on an upper layer by etching without damaging the lower-layer active layer.例文帳に追加

活性層にアルカリ耐性を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極にアルカリに溶解する性質を有する材料を採用し、ソース／ドレイン電極のパターニングの際に、アルカリ性のエッチャントを用いてエッチングをすることで、下層の活性層にダメージを与えること無く上層のソース／ドレイン電極をエッチングによりパターニングすることが可能になる。 - 特許庁

The manufacturing method of the crystal wafer includes a through hole formation step of forming at least one through hole 11 on a plurality of crystal wafers 10, a supporting step of inserting a pin 20 into the through hole 11 for supporting the plurality of crystal wafers 10, and an etching step of soaking the crystal wafers 10 supported by the pin 20 in an etchant 30 for etching.例文帳に追加

複数の水晶ウエハ１０に、少なくとも一つの貫通穴１１を形成する貫通穴形成工程と、貫通穴１１にピン２０を挿入し、複数の水晶ウエハ１０を支持する支持工程と、ピン２０に支持された水晶ウエハ１０を、エッチング液３０に浸漬して、エッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.例文帳に追加

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁

In the above steps, the etchant is an aqueous solution containing chromic anhydride, an inorganic acid salt, and a fluoride, the pickling solution or the activation agent is an aqueous solution containing an inorganic phosphate and a fluoride, and the electroless nickel plating solution contains nickel oxycarboxylate, a pyrophosphate, a hypophosphite and a fluoride, and is adjusted to pH in weak alkalinity with ammonia water.例文帳に追加

ここで、エッチング剤が、無水クロム酸、無機酸塩、及びフッ化物を含有する水溶液であり、酸浸漬液又は活性化処理剤が、無機燐酸塩、及びフッ化物を含有する水溶液であり、無電解ニッケルめっき液が、オキシカルボン酸ニッケル、ピロリン酸塩、次亜燐酸塩、及びフッ化物を含み、アンモニア水により弱アルカリ性にpH調整してなるものである。 - 特許庁

The etchant composition of a metal oxide film consists of a solution containing (A) 5-20 mass% of 2-hydroxy ethane sulfonic acid or its salt in terms of 2-hydroxy ethane sulfonic acid, and (B) 0.05-5 mass% of at least one kind of fluoride compound selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, potassium fluoride, sodium fluoride and lithium fluoride.例文帳に追加

（Ａ）２−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、２−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で５〜２０質量％と、（Ｂ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物０．０５〜５質量％とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。 - 特許庁

In the process for producing electric wiring, a metal layer 25 becoming a conductor is formed on a substrate layer 12, unnecessary portion 26 of the metal layer 25 is removed by laser ablation, and then the residue 27 of unnecessary portion 26 of the metal layer 25 remaining on the substrate layer 12 is removed by etching the metal layer 25 with an etchant.例文帳に追加

本発明の電気配線の製造方法は、基材層１２上に導体となる金属層２５を形成し、レーザアブレーションにより金属層２５の不要部分２６を除去した後、腐食液で金属層２５をエッチング処理することにより、レーザアブレーション後に基材層１２上に残っている金属層２５の不要部分２６の残渣２７を除去する。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

Since the guide plate 4 carries the substrate 1 in which dry films are stuck on both faces of the metal plate (foil) 2, in flexibility controlled state along the thickness direction, it is hard to flexibly deform when spraying etchant, developer or cleaning fluid in the thickness direction, and the substrate 1 fallen off between the rollers 8, 8 can be surely prevented.例文帳に追加

上記先導板４により、金属板(箔)２の両面にドライフイルム３を貼り付けた基板１は、厚さ方向に沿う撓みを抑制された状態で搬送されるため、エッチング液、現像液、又は洗浄液を厚さ方向から噴射されても撓んで変形しにくくなり、搬送ローラ８，８の間から基板１が脱落する事態を確実に防止できる。 - 特許庁

A protective film 51 is formed on a surface of the silicon substrate, a surface layer of the protective film 5 is processed by irradiation with laser light to form a processed portion 52 in an area where a recessed portion 115 is formed, and the silicon substrate where the protective film 51 having the processed portion 52 is dipped in an etchant to form the recessed portion 115 on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の表面に保護膜５１を形成し、保護膜５１の表層をレーザ光を照射して加工することにより凹部１１５が形成される領域内に加工部５２を形成し、加工部５２を有する保護膜５１が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬することにより、シリコン基板に凹部１１５を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the aluminum electrode foil for use of the electrolytic capacitor for applying AC current to the aluminum foil in an etchant to roughen the surface, the AC current has a current waveform including a first period in which a current value is constant during an initial stage and a second period subsequent to the first period, in which the maximum current value appears.例文帳に追加

エッチング液中でアルミニウム箔に交流電流を印加して表面を粗面化する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、交流電流は、初期において電流値が一定の第１の期間と、該第１の期間に続き、最大電流値が出現する第２の期間とを備えた電流波形を備えている。 - 特許庁

In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated.例文帳に追加

Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

When combining a semiconductor substrate 20 for forming the first structural layer 101 becoming an actuator 6 and a glass substrate 96 for forming the second structural layer 102 becoming a prism via a separation layer 97 so that the respective structural layers 101 and 102 are opposed, an introducing passage 80 of an etchant is secured between microstructure groups 59 to be chipped.例文帳に追加

アクチュエータ６となる第１の構造層１０１が形成された半導体基板２０と、剥離層９７を介してプリズムとなる第２の構造層１０２が形成されたガラス基板９６とを、各々の構造層１０１および１０２が対面するように組み合わせる際に、チップ化される微細構造グループ５９の間にエッチャントの導入路８０を確保する。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon wafer includes: a process of obtaining a slice wafer by slicing a single-crystal silicon ingot; a process of grinding only one surface of the wafer; and a smoothing process of smoothing the other surface of the wafer by controlling the application of an etchant corresponding to the surface shape of the other surface of the wafer.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライスウェーハを得る工程と、ウェーハの一方の面のみを片面研削する工程と、ウェーハの他方の面の表面形状に応じてエッチング液の適用を制御することによりウェーハの他方の面を平滑化する平滑化工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.例文帳に追加

1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁

To provide a resist pattern peeling method, wherein a good via hole pattern of an interlayer film is formed, if a resist pattern is required to be reformed as exposure error, etc., in a lithographic process takes place, by preventing such failures as peeling off of a resist pattern caused by the infiltration of a wet etchant due to decomposing of an interlayer film under O2 plasma.例文帳に追加

リソグラフィー工程での露光ミスなどにより、再度レジストパターン形成を行う必要が生じた場合に、層間膜がＯ_2プラズマによって変質することによりウェットエッチング液がしみ込み、レジストパターンの剥がれが生じる等の不具合を防止し、良好な層間膜のビアホールパターンを形成することができるレジストパターン剥離方法の提供。 - 特許庁

A conductor foil stuck on one surface of an insulating substrate having the device hole is pattern-processed by wet etching using an etchant to which an inhibitor is added to make the top width wider than the bottom width, and a bottom side is caused to stick into an electrode pad of the semiconductor chip, thereby achieving secure bonding to the electrode pad on an insulating substrate side in the device hole.例文帳に追加

デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。 - 特許庁

The etchant for copper oxide contains a chelating agent, an oxidant and a surfactant, wherein the chelating agent is at least one selected from the group consisting of α,ω-diamine acetic acid, α,ω-diamine succinic acid, α,ω-diamine propionic acid, 1,2-diaiminopropane tetraacetic acid, citric acid, isocitric acid, fumaric acid, adipic acid, succinic acid, glutamic acid, malic acid, tartaric acid and salts of these.例文帳に追加

本発明の酸化銅用エッチング液は、キレート剤と酸化剤と界面活性剤とを少なくとも含み、該キレート剤が、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which can suppress side etching without corroding electronic members, various lamination films and the like on a substrate, for the substrate which has a lamination structure of tungsten and/or titanium-tungsten alloy which are used for electrodes and interconnection lines for a semiconductor device and a thin film transistor of a liquid crystal display or for interconnection lines and barrier metal for the electrodes.例文帳に追加

半導体装置や液晶表示装置の薄膜トランジスタの電極や配線、またこれらの電極の配線やバリアメタルとして用いられているタングステン及び／又はチタン−タングステン合金の積層構造を有した基板において、基板上の電子部材、各種積層膜等を腐食することなく、サイドエッチングを抑制したエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The coarse surface making method of the semiconductor substrate for the solar cell has the steps of: preparing a tape 10 for masks in which predetermined hole patterns are formed; sticking the tape 10 for masks to a front surface of a semiconductor substrate W; and removing the tape 10 for masks, while immersing the semiconductor substrate W in etchant and selectively etching the front surface of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

本発明の太陽電池用半導体基板の粗面化方法は、所定の孔パターンが形成されたマスク用テープ１０を準備する工程と、マスク用テープ１０を半導体基板Ｗの表面に貼合する工程と、半導体基板Ｗをエッチング液に浸漬し、半導体基板Ｗ表面を選択的にエッチングするとともに、マスク用テープＷを除去する工程とを有する。 - 特許庁

In this measurement method for the etching accuracy, two sheets of metal foils of the same kind and thickness are superposed and stuck to a plate, chemical etchant is sprayed thereon, the plate is taken out before the whole of the upper metal foil is removed by etching, the two metal foils are cut to have the same area as they are still superposed, and the etching amount is examined by comparison of weight.例文帳に追加

同じ種類で同じ厚さの２枚の金属箔を重ねて板に貼り合わせ、化学エッチング液をスプレー噴霧し、上側の金属箔が全てエッチング除去されないうちにその板を取り出し、その２枚の金属箔を重ねたまま同じ面積になるように切断し、その重量を比較することによりエッチング量を調査するエッチング精度の測定方法。 - 特許庁

The etchant for copper which contains a sulfate exclusive of copper sulfate and/or a hydrogensulate, sulfuric acid and hydrogen peroxide and in which the molar ratio of the sulfate exclusive of the sulfric acid and copper sulfate and/or the hydrogensulfate is ≥1 and more particularly the sulfate and the hydrogensulate are ions of a metal baser than sulfuric acid ions and hydrogen.例文帳に追加

硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩と、硫酸と、過酸化水素とを含み、硫酸と硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩のモル比が１以上であることを特徴とする銅のエッチング液であり、特に、前記硫酸塩または硫酸水素塩が、硫酸イオンと水素よりも卑な金属のイオンである銅のエッチング液である。 - 特許庁