「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a production method of electronic part in which contact bumps of geometric shape can be formed, decomposition of H2O2 can be reduced, temperature of etchant mixture liquid can be controlled and redeposition of Pb and undercut of entire metallization stack can be suppressed.例文帳に追加

幾何学的形状のコンタクト・バンプの形成、Ｈ_2Ｏ_2の分解低減、エッチャント混合液の温度制御、ならびにＰｂの再堆積およびメタライゼーション・スタック全体のアンダーカットの抑制を可能にする電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Etchant comprises alkaline solution used when the silicon substrate is wet-etched through the mask pattern in the prescribed shape and formed of the oxide film, and it comprises at least one type of metal in Pb, Al, Ca, Mg, Zn or Sn.例文帳に追加

酸化膜からなる所定形状のマスクパターンを介してシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 - 特許庁

To provide an etching solution capable of selectively removing SiO_2 system deposit and CF system deposit in the same process, while controlling etching of a thermal oxidation film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using, such etchant.例文帳に追加

熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).例文帳に追加

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁

To provide a method by which an AlGaInP system semiconductor layer and the other semiconductor layers can be respectively etched at relatively close etching speed by using an easily handleable etchant, and also, a smooth surface can be obtained after etching.例文帳に追加

手軽に取り扱うことのできるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層を比較的近いエッチング速度でエッチングすることができ、なおかつ、エッチング後に平滑な表面が得られる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a conductive film capable of efficiently etching a conductive film, especially a transparent conductive film whose main component is an indium tin oxide, an indium zinc oxide, or the like, with no residue left after etching.例文帳に追加

導電膜、特に酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛などを主たる成分とする透明導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じない導電膜用エッチング液組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for etching a gallium nitride improved such that the etching rate of gallium nitride can be stabilized by suppressing the variation thereof while reducing an environmental load and cost by reducing the quantity of etchant.例文帳に追加

窒化ガリウムのエッチング速度のばらつきを抑えて安定化させること、およびエッチャント量低減による環境負荷およびコストの低減を図ることができるように改良された、窒化ガリウムのエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

The etchant composition contains at least one kind of a fluorine compound selected from a group comprising hexafluorosilicic acid, metal salt or ammonium salt of hydrofluoric acid, and metal salt or ammonium salt of hexafluorosilicic acid, and contains an oxidant.例文帳に追加

本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 - 特許庁

To provide an etchant by which etching of silicon nitride is highly selectively performed without generating deposits after etching, in a step of removing silicon nitride from an electronic substrate having both a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer.例文帳に追加

本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁

The etchant of gold or silver, or an alloy thereof contains iodine, iodine compound and a compound, which has nitrogen atoms and/or oxygen atoms in a main chain and has at least one alcohol type hydroxyl group in a side chain, as solute.例文帳に追加

溶質としてヨウ素、ヨウ素化合物及び主鎖に窒素原子及び／又は酸素原子を有し、側鎖にアルコール型水酸基を少なくとも１つ有する化合物を含有することを特徴とする、金又は銀もしくはこれらの合金のエッチング液。 - 特許庁

This regenerating method comprises cooling a copper-etching waste liquid which contains sulfuric acid, hydrogen peroxide and a hydrogen peroxide stabilizer, and has etched copper at 20-40°C, to 10°C or lower to precipitate/separate copper sulfate, supplying a regenerated etchant to the etching tank, and reusing it for etching.例文帳に追加

硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する２０〜４０℃でエッチングした銅エッチング廃液を１０℃以下に冷却して硫酸銅を析出分離し、再生エッチング液をエッチング槽に供給し、エッチングに再利用する。 - 特許庁

To provide a lead-free insulating glass material having acid resistance, which is not eroded by the etchant (such as nitric acid) when a metal gate electrode is chemically etched, for the development of an electronic material substrate represented by a field emission type display.例文帳に追加

電界放出型ディスプレイに代表される電子材料基板開発で、金属ゲート電極をケミカルエッチングする際に、そのエッチャント（例えば硝酸など）によって侵食されない耐酸性を有する無鉛絶縁性ガラス材料が求められている。 - 特許庁

In a microcrack 32 portion, since etching is promoted by the intrusion of the etchant into the interface between the lower electrode 14 and the piezoelectric body 16, wet etching which makes a chemical circulate in the microcrack 32 is more effective than Dry etching.例文帳に追加

マイクロクラック３２部は下部電極１４と圧電体１６との界面にエッチャントが侵入することでエッチングが促進されるので、Ｄｒｙエッチングよりもマイクロクラック３２内部に薬液が回りこむＷｅｔエッチングのほうがより効果が大きい。 - 特許庁

To provide a master carrier for magnetic transfer, its manufacturing method, and a magnetic recording medium in which it is possible to prevent erosion of a transfer pattern by an etchant in a wet etching process of shaping a master into substantially a doughnut shape in a master fabricating process.例文帳に追加

マスター作製工程でマスターを略ドーナッツ形状に加工するウエットエッチング工程でのエッチング液の転写パターンへの侵食を防ぐことができる磁気転写用マスター担体及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

The diffused wafer having been beveled in a beveling stage has one surface 21a etched in sheet form in a sheet one-surface etching stage, by uniformly supplying an etchant 32 to respective parts of the surface 21a of a non-diffused layer of the diffused wafer.例文帳に追加

面取り工程によって、面取りされた拡散ウェーハが、枚葉片面エッチング工程によって、拡散ウェーハの非拡散層の表面２１ａの各部にエッチング液３２を均一に供給されて、拡散ウェーハの片面２１ａが枚葉でエッチングされる。 - 特許庁

Since an outside conductor 5 is a tin-plated copper wire, tin and copper solve out in the etchant, such outside conductor 5 as of part exposed from a mask 7 is removed, and an insulator of Teflon (registered trade mark) is exposed at such part as removed.例文帳に追加

すると、外側導体５は錫メッキ銅線であるので、錫や銅はエッチャント中に溶出し、マスク７から露出している部分の外側導体５が除去され、この除去された部分にテフロン（登録商標）からなる絶縁体８が露出する。 - 特許庁

The etching method is used for etching a thin film formed on a substrate with an etchant, and the etching method comprises a step of just-etching the thin film by sensor control, and a step of overetching the thin film just-etched in a predetermined period of time by time control.例文帳に追加

基板に形成された薄膜をエッチング液によってエッチング処理するエッチング方法において、上記薄膜をセンサ管理によってジャストエッチングする工程と、ジャストエッチングされた薄膜を時間管理によって所定時間オーバエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

In such a case, the acidic solution prepared to 0.3 to 0.98, more preferably 0.56 to 0.93 in the ratio X of the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and hydrogen ions to the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and fluoride ions is used as the etchant.例文帳に追加

この場合、エッチング液としては、フッ酸とフッ化物イオンの各々１モル当りの濃度の和に対するフッ酸と水素イオンの各々１モル当りの濃度の和の比率Ｘが、０．３〜０．９８、好ましくは０．５６〜０．９３に調製した酸性溶液を使用する。 - 特許庁

In the single-wafer etching device 10, the top face 11a and edge face 11b of the wafer 11 are etched by supplying the top face 11a of the wafer 11 with an etchant 15 while rotating the thin discoidal wafer 11 obtained by slicing a semiconductor ingot.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液を供１５給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする装置である。 - 特許庁

Next, after a protective film is stacked and patterned to form a contact hole for exposing the drain electrode, an IZO is laminated on the protective film and patterned using the etchant having been used for the etching of the gate line and the data line, and thus a pixel electrode to be linked with the drain electrode is formed.例文帳に追加

次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極を露出する接触孔を形成した後、保護膜の上部にＩＺＯを積層し、ゲート線及びデータ線をエッチングした液でパターニングしてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。 - 特許庁

While a spin base 2 is rotated by a motor 10 in a state in which a wafer W on whose surface a thin film is formed is held by a holding member 3, an etchant is supplied from a treatment liquid ejecting part 6 to the back face of the wafer W held by the holding member 3.例文帳に追加

表面に薄膜が形成されたウエハＷを保持部材３で保持した状態で、スピンベース２をモータ１０によって回転させながら、処理液吐出部６から保持部材３に保持されたウエハＷの裏面にエッチング液を供給する。 - 特許庁

The invented etchant etches materials with both doped and non-doped oxide films on the basis that etching rates for thermal oxide (THOX) and Boron Phosphosilicate Glass (BPSG) films are below 100Å/min at 25°C, and the BPSG etching rate/THOX etching rate is below 1.5.例文帳に追加

熱酸化膜（ＴＨＯＸ）及びボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）のエッチングレートが２５℃で１００Å／ｍｉｎ以下、かつＢＰＳＧのエッチングレート／ＴＨＯＸのエッチングレートが１．５以下である、ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜を有する被エッチング物をエッチングするためのエッチング液。 - 特許庁

The etchant is an aqueous solution containing 0.01-3.0 mol/L of at least one of fluorine compounds within ammonium fluoride and hydrogen fluoride, and 0.1-5.0 mol/L of at least one acid selected from a group comprising hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid and acetic acid.例文帳に追加

エッチング液は、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を０．０１〜３．０ｍｏｌ／Ｌと、塩酸、硝酸、燐酸及び酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸を０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌとを含有する水溶液である。 - 特許庁

To provide a device and etching method therefor with which the controllability and productivity of an etching process are improved by having the etching rate improved, while the concentration of the etchant used is maintained constant during the etching process.例文帳に追加

エッチング工程の遂行時、エッチング液の濃度を一定に維持し、エッチング率が向上させて工程制御及び生産性が向上させる半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを利用した半導体素子の湿式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of removing an organic material of a semiconductor wafer for removing an organic material and cleaning completely without using an expensive specific etchant and realizing drastic improvement in yield and in manufacturing cost.例文帳に追加

高価な特殊エッチャントを用いることなく有機物を完全に除去洗浄することができ、それによって生産性の大幅な向上と製造コストの大幅な低減とを図ることができる半導体ウエハの有機物除去洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

The space 11 is formed by a method wherein, after forming the movable piece 10 for a switch, a film for forming a space consisting of a zinc oxide arranged in a region for forming the space 11 is removed by etching using an etchant consisting of a weak acid aqueous solution.例文帳に追加

この空間１１は、スイッチ用可動片１０形成した後に、空間１１形成領域に設けられた酸化亜鉛からなる空間形成用膜を弱酸水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングして除去することにより形成される。 - 特許庁

The etchant for a transparent electrode includes an aqueous solution containing: one or more compounds selected from a group consisting of a polycarboxylic acid and a salt thereof; and one or more compounds selected from a group consisting of a hydrofluoric acid and a salt thereof.例文帳に追加

多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。 - 特許庁

The etchant for a transparent electrode includes an aqueous solution containing: one or more compounds selected from a group consisting of a hydrobromic acid and a salt thereof; and one or more compounds selected from a group consisting of a hydrofluoric acid and a salt thereof.例文帳に追加

臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。 - 特許庁

The pattern shape is formed such that a ratio occupying in a direction parallel to the dicing line 4 is larger than a ratio occupying in a direction vertical to the dicing line 4, and includes a flowage region 13 facilitating flow of an etchant for forming the pattern shape.例文帳に追加

このパターン形状は、ダイシングライン４に平行な方向に占める比率が、ダイシングライン４に垂直な方向に占める比率よりも大きく形成され、パターン形状を形成するためのエッチング液の流動を促す流動領域１３を含んでいる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which has an electromagnetic wave shielding function with high reliability without the need to connect electromagnetic wave shielding layers to ground and in a manufacturing process of which the electromagnetic wave shielding layers and conductors can be etched using the same etchant, and a method for manufacturing the printed wiring board.例文帳に追加

電磁波シールド層をグランドに接続させなくとも電磁波シールド機能を有し、かつその信頼性が高く、また、製造の際には電磁波シールド層および導電体を同じエッチング液でエッチングできるプリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the TAB tape for semiconductor device, the inner lead 6 and a wiring pattern 5 are formed by patterning a conductor foil 11 by a wet-etching process using an etchant to which an inhibitor constituted of an organic compound or an inorganic compound is added.例文帳に追加

本発明の半導体装置用ＴＡＢテープでは、インナーリード６および配線パターン５が、有機化合物または無機化合物からなるインヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングプロセスによって導体箔１１をパターン加工することにより形成されている。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 50 has a roughened surface 33, which is processed with an etchant having a 2nd copper complex and an organic acid, and the lower- layer conductor circuit 24 and via hole 49 are connected through the roughened surface 33.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板５０は、下層導体回路２４が、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面３３を有しており、下層導体回路２４とバイアホール４９とが粗化面３３を介して接続されてなる。 - 特許庁

Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁

After the photoresist pattern and antireflective film are removed, the silicon nitride film 29 is etched by plasma etching using the silicon nitride film 30 as an etching mask while a light emission spectrum due to byproducts of reaction between nitrogen in the silicon nitride film 29 and etchant gas is monitored.例文帳に追加

フォトレジストパターンおよび反射防止膜を除去した後、窒化シリコン膜２９中の窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、酸化シリコン膜３０をエッチングマスクとして用いて窒化シリコン膜２９をプラズマエッチングによりエッチングする。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate comprises subjecting the surface of the liquid crystal polyester film to surface roughening with an etchant composed of an alkali, an aliphatic amino alcohol derivative having a hydroxyl group in the molecule and water, then forming the conductive metallic film by a plating process on the roughened surface then heat treating the same.例文帳に追加

液晶ポリエステルフィルムの表面を、アルカリと分子中に水酸基を有する脂肪族アミノアルコール誘導体と水とで成るエッチング液で粗面化し、次いで、前記粗面上にメッキ法によって導電性金属膜を形成した後、それを加熱処理する。 - 特許庁

Then, a part formed on the bottom face of at least the recessed part 22 in the insulation layer 28 is etched with a second etchant having the property that at least the insulation layer 28 is etched without forming any residue in the conductive part 30 so that the conductive part 30 can be exposed.例文帳に追加

導電部３０に残留物を形成することなく少なくとも絶縁層２８をエッチングする性質の第２のエッチャントによって、絶縁層２８のうち少なくとも凹部２２の底面に形成された部分をエッチングして導電部３０を露出させる。 - 特許庁

To provide a vacuum etching system having a suction tube, in which the problem that a sprayed etchant flows toward a traveling direction of a substrate, which causes the defect of a difference in the longitudinal and transverse etching of a substrate is solved, and by which a uniform etching characteristic can be obtained.例文帳に追加

吸引管を有する真空エッチング装置において、吹き付けられたエッチング液が基板の走行方向に流れるため、基板のたてとよこのエッチングに差が生じる欠点を改良し、均一なエッチング特性を得ることのできるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

At that time, the temperature of the etchant supplied from each nozzle 12 and the moving velocity of the nozzle collection 11 are so controlled that their values may be determined by a processing depth determined from a difference between the target profile and the profile before processing, at each position on the surface of the work piece.例文帳に追加

その際、各ノズル１２から供給されるエッチング液の温度及びノズル集合体１１の移動速度を、被加工物表面上の各位置において目的プロファイルと加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる値になるように制御する。 - 特許庁

To suppress an increase in liquid quantity by using electrolysis in regenerating a fatigued iron-chloride-based etchant containing the ions of metal, such as nickel, copper, chromium and cobalt, contained in a material to be etched and to reduce the mixing-in of these metal ions into the resultant electrolytically regenerated solution.例文帳に追加

ニッケル、銅、クロム、コバルト等の疲エッチング材に含まれる金属のイオンを含む塩化鉄系エッチング疲労液を再生する際、電解を用いて液量の増加を抑えるとともに、電解再生液中のこれらの金属イオンの混入を少なくすること。 - 特許庁

On the other hand, the semiconductor substrate 4 is oxidized by playing a role of imparting electrons and then dissolves in etchant.例文帳に追加

エッチング液５に添加した、電気陰性度が半導体基板の電気陰性度より大きい金属イオンが、電子濃度の高いＮ型領域から選択的に電子を奪って金属となって析出し、一方半導体基板４は電子を与える役割を果たして酸化され、エッチング液に溶解する。 - 特許庁

These wire- shaped semiconductor films 2a play the role as protective films to protect the leader wiring 14 and protect the leader wiring 14 from an etchant of a contact hole forming process step even in case of the occurrence of pinholes in insulating films 15 covering the leader wiring 14.例文帳に追加

この線状半導体膜２ａが引出し配線１４を保護する保護膜としての役割を果たすのであり、引出し配線１４を覆う絶縁膜１５にピンホールが生じた場合にも、コンタクトホール形成工程のエッチング液から引き出し配線１４を保護する。 - 特許庁

Even if the gate insulation film 12 is removed selectively by etching after formation of the photoresist film 13, etchant does not soak along the interface of the photoresist film 13 and the gate insulation film 12 and thereby dielectric breakdown strength of the gate insulation film is not damaged.例文帳に追加

フォトレジスト膜１３を形成した後、ゲート絶縁膜１２を選択的にエッチング除去しても、フォトレジスト膜１３とゲート絶縁膜１２との界面に沿って、エッチング液がしみ込まなくなり、ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐性が損なわれることがなくなる。 - 特許庁

When two or more metals of the same kind whose manufacturing methods are different from each other are selectively etched, an etching method using the etchant of reaction rate-controlling characteristics, and a method for manufacturing the printed wiring board using the etching method are provided.例文帳に追加

製法の異なる２つ以上の同種金属を選択的にエッチングする際、反応律速性となるエッチング液を用いてエッチングを行う方法、およびその方法を用いたプリント配線板の製造方法を提供することで上記課題を解決した。 - 特許庁

The etchant uses the cerium recovered by the above method for recovering the cerium.例文帳に追加

この抽剤にアルカリ水溶液を供給してセリウムを水相側に回収しセリウムの沈殿物を得、更に酸化剤を供給して３価セリウムを４価セリウムにすると同時にクロムを溶解除去するセリウムの回収方法及びこれらの方法を用いて回収したセリウムを用いたエッチング液。 - 特許庁

The etching method consisting of etching the Ti-base films on a semiconductor substrate by using a solution containing hydrogen peroxide and a chelate agent and the etchant for the Ti-base films on the semiconductor substrate consisting of the solution containing the hydrogen peroxide and the chelate agent.例文帳に追加

過酸化水素とキレート剤を含有する溶液を用いて半導体基板上のＴｉ系膜のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法、及び過酸化水素とキレート剤を含有する溶液からなる半導体基板上のＴｉ系膜用エッチング剤。 - 特許庁