「etchant」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, when an inorganic acid is added to the hydrofluoric acid, polyhydric carboxylic acid, and hydrogen peroxide solution, the etching rate of the etchant is improved.例文帳に追加

またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。 - 特許庁

A wet etching process using an etchant containing at least hydrochloric acid and acetic acid is applied to the grown InP layer.例文帳に追加

成長されたＩｎＰ層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。 - 特許庁

The pattern is exposed to isotropic wafer liquid etchant, and the feature dimensions are reduced to second smaller dimensions.例文帳に追加

続いて、そのパターンを、等方性ウェハ液体エッチャントにさらして、フィーチャ寸法を第２のより小さな寸法に縮小する。 - 特許庁

In the process for forming the cavity 25, the SiGe layer 11 is etched while etchant is in contact with the dummy pattern DP.例文帳に追加

空洞部２５を形成する工程では、ダミーパターンＤＰにエッチング液を触れさせながらＳｉＧｅ層１１をエッチングする。 - 特許庁

Here, an etchant having strong selectivity in crystalline plane orientation is used so that a recessed sidewall is made to have a normal mesa form.例文帳に追加

このとき、エッチャントとして結晶面方位の選択性の強いものを用いて、凹部側壁を順メサ形状とする。 - 特許庁

In an etching process, an optimum formation condition of a via-hole is obtained from a combination of selection of a semiconductor material and an etchant parameter.例文帳に追加

エッチングプロセスは、半導体材料の選択とエッチャントパラメータとの組み合わせから、ビアホールの最適な形成を得る。 - 特許庁

Furthermore, the etchant can be supplied selectively only to the lower surface of the substrate 9, regardless of the shape of the substrate 9.例文帳に追加

また、基板９の形状にかかわらず、基板９の下面のみに選択的にエッチング液を供給することができる。 - 特許庁

PROCESS FOR MANAGING ETCHANT FOR EPOXY RESIN CURED MATERIAL AND PROCESS FOR ETCHING EPOXY RESIN CURED MATERIAL USING THIS MANAGEMENT PROCESS例文帳に追加

エポキシ樹脂硬化物用エッチング液の管理方法およびその管理方法を用いたエポキシ樹脂硬化物のエッチング方法 - 特許庁

To provide an etchant composition and an etching method which are capable of reliably forming a texture of appropriate shape.例文帳に追加

適切な形状のテクスチャーを確実に形成することができるエッチング液組成物およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

By stripping the photoresist and exposing the transparent material (14) to a second isotropic etchant, the radius of each lens shape is increased.例文帳に追加

フォトレジストを剥離して、透過材料を第２の等方性エッチャントに曝すことにより、レンズ形の半径が拡大される。 - 特許庁

An etching device supplies an etchant to a coating layer coating a main surface of a substrate to process the coating layer.例文帳に追加

エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。 - 特許庁

The cleaning liquid for the semiconductor device contains an oxidant, a metal etchant, and a surfactant, and has a pH of 10-14.例文帳に追加

酸化剤、金属エッチング剤、および界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１４である半導体デバイス用洗浄液。 - 特許庁

To form an air gap in a microstructure by degrading a sacrificial membrane material by diffusion of a chemical etchant through a membrane.例文帳に追加

化学エッチング液の膜を通じた拡散による犠牲膜材料の分解により、微細構造のエアギャップを形成する。 - 特許庁

At first, the surfaces 11a, 12a of the glass substrates 11, 12 are etched with the first etchant 23 with a faster rate of etching.例文帳に追加

まず、エッチングレートの早い第１のエッチング液２３で、ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをエッチング処理する。 - 特許庁

The distances from the center of rotation of the wafer W to the etchant supplying positions 46 are substantially different from each other.例文帳に追加

複数のエッチング液供給位置４６は、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なっている。 - 特許庁

The etchant composition further comprises one or more compounds selected from among glycine, asparaginic acid and iminodiacetic acid.例文帳に追加

さらにグリシン、アスパラギン酸、イミノ二酢酸から選択される１種または２種以上を配合してなるなるエッチング液組成物。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an etchant capable of removing a titanium nitride film without making a CoSi film thin.例文帳に追加

ＣｏＳｉ層を薄膜化せず、窒化チタン膜を除去することができる半導体素子の製造方法及びエッチング液。 - 特許庁

To obtain a ferroelectric element in which etchant and moisture are prevented from entering the element from a defective part occurring at the time of forming the element.例文帳に追加

強誘電体素子において、素子形成時に生じた欠陥部からのエッチャントや水分の浸入を防止する。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center nozzle 5 to the center of the lower surface of the wafer W, the etchant reaches the upper surface of the wafer W through the peripheral end face of the wafer W and forms a liquid film which comes into contact with the wafer facing face 45 of the annular member 32.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

A plurality of notches 7 are provided on support bars 6, and an angle θmade by a support plate 4 with respect to a support 5, that is, an angle at which the etchant discharging device 3 pours the etchant (water solution of HF:NH_4F=9:1, and HF:NH_4F=5:5) is made variable.例文帳に追加

支持棒６に複数の刻み７を設けて支持板４が支持台５に対してなす角度θ、すなわちエッチング液放出装置３からエッチング液（ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝９：１、ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝５：５の水溶液）を浴びせる際の角度を可変とする。 - 特許庁

Start (step S3) of cleaning with a processing fluid supplying an etchant mixed into SCCO2 to a processing chamber makes methanol to be included in the etchant, and puts the inside of the processing chamber in high relative permittivity environments.例文帳に追加

エッチャントをＳＣＣＯ2に混合させた処理流体を処理チャンバーに供給して洗浄処理を開始する（ステップＳ３）が、エッチャント内にメタノールを含有させて洗浄処理の開始時点より処理チャンバー内を高比誘電率環境に整えている。 - 特許庁

After the template 62 and wafer W are brought into contact with each other and while this state is kept as it is, the etchant is supplied from an etchant supply opening 72 to the wafer W through the flow passage 66 from openings 65 to form through-holes in the wafer W.例文帳に追加

このテンプレート６２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、エッチング液供給口７２から流通路６６を介して開口部６５からウェハＷに対してエッチング液を供給することで、ウェハＷに貫通孔を形成する。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center axis nozzle 5 to the center, on the lower surface of the wafer W, the etchant surrounds the peripheral end face of the wafer W, and reaches its upper surface, resulting in the formation on a liquid film in contact with the wafer opposite surface 45.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。 - 特許庁

When an etchant is supplied from a center axis nozzle 5 to the center on the lower surface of the wafer W, the etchant surrounds the peripheral end face of the wafer W and reaches its upper surface, resulting in forming a liquid film 50 in contact with the wafer opposite surface 45.例文帳に追加

中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜５０を形成する。 - 特許庁

To prevent a lower structure from being damaged by an oxide film etchant by adjusting an etchant proportion in a step of applying specified etching added to a nitride film strip process to remove a natural oxide film on a nitride film.例文帳に追加

窒化膜ストリップ工程に、酸化膜エッチャントを用いた所定のエッチングを行う段階を追加して窒化膜上の自然酸化膜を除去するが、エッチャントの割合を調節してエッチャントによる下部構造物の損傷を防止することを目的としている。 - 特許庁

This etching system is arranged on plural hollow rollers (206b) for supporting both side boards (204) and is provided with plural 1st etchant nozzles (214), plural solid rollers (222a to f), plural second etchant nozzles (224a to c) and plural air nozzles (226a, b).例文帳に追加

エッチング装置は、両面ボード（２０４）支持用の複数の中空ローラ（２０６ｂ）上に配置され、複数の第１エッチャントノズル（２１４）、複数の中実ローラ（２２２ａ〜ｆ）、複数の第２エッチャントノズル（２２４ａ〜ｃ）、複数のエアーノズル（２２６ａ，ｂ）を備えている。 - 特許庁

To provide an etchant composition which can efficiently roughen (forming a concavity and convexity) a surface of a semiconductor film constituting a light extraction surface of an LED by etching without using a special technique, and to provide an etching method using the etchant composition.例文帳に追加

特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the gate oxide film 14 is formed by adjusting the partial pressure of the mixed gas of an oxidizing agent with an etchant so that the oxidizing agent (such as an N2O and an CO2) is combined with the etchant (such as H2) and the thin (to 12 Å) and high-quality oxide film 14 is controllably grown.例文帳に追加

ゲート酸化物（１４）が、酸化剤（例えばＮ_2Ｏ、ＣＯ_2）をエッチング剤（例えばＨ_2）と組合わせ、薄い（〜１２Å）高品質の酸化物（１４）を制御自在に成長させるように、分圧を調節することによって形成される。 - 特許庁

To provide a method which can stably etch without adopting the above-mentioned remedy without changing the etching speed even when a basic etchant is used repeatedly when a silicon is anisotropically etched by using the basic etchant.例文帳に追加

塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant performing etching of copper or a copper alloy which suppresses the decomposition of hydrogen peroxide comprised therein, is economical, and has excellent liquid stability, and to provide a method for stabilizing hydrogen peroxide contained in an etchant.例文帳に追加

銅または銅合金をエッチングするエッチング液に関して、エッチング液に含まれる過酸化水素の分解を抑制し、経済的かつ液安定性に優れたエッチング液、また、エッチング液に含まれる過酸化水素を安定化させる方法を提供する。 - 特許庁

A second nozzle 16 being opposed to the edge face 11b of the wafer 11 and supplying the edge face 11b of the wafer 11 with the etchant 15 is further fitted in addition to a first nozzle 14 supplying the top face 11a of the wafer 11 with the etchant 15.例文帳に追加

ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。 - 特許庁

The etchant circulation tank which stores the etchant used for etching of a metallic foil such as a wiring board and has a rectangular shape, comprises at least one partition perpendicularly contacted with one side of an inner wall of the circulation tank, and a circulating pump for circulating the etchant in the circulation tank, outside the circulation tank.例文帳に追加

配線板などの金属箔のエッチングにおいて使用するエッチング液を貯留する矩形のエッチング液循環槽であって、前記エッチング循環槽は当該循環槽の内壁の一辺に垂直に接する少なくとも一つの仕切りを有し、当該循環槽内でエッチング液を循環させる循環ポンプを当該循環槽の外側に有することを特徴とするエッチング液循環槽。 - 特許庁

By this reason, even if the part up to the gate insulating film 26 is immersed in etchant when etched, the short-circuit between the electrodes never occurs.例文帳に追加

このため、エッチング時にはエッチャントがゲート絶縁膜２６まで浸漬しても、電極同士の短絡を引き起こすことはない。 - 特許庁

To process a liquid crystal display device into thin structure without causing a defect due to entry of an etchant between stuck substrates.例文帳に追加

貼り合わせ基板間へのエッチング液侵入による不良を発生させることなく、液晶表示装置の薄型加工を行う。 - 特許庁

To provide a treatment device that achieves a reduction in device stop time by facilitating automation of replacement of an etchant.例文帳に追加

エッチング液の交換を自動化し易くし、装置の停止時間の短縮を図ることを目的とした処理装置を提供する。 - 特許庁

A dopant source may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit the doped Si-containing film.例文帳に追加

ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。 - 特許庁

According to such a device, etching is performed by using an etchant including a compound which reacts with copper to form an insoluble substance.例文帳に追加

かかる装置により、銅と反応して不溶性の物質を形成する化合物を含むエッチング液を用いてエッチングを行う。 - 特許庁

A glass board 1, including a patterned chromium layer 2 and a resist layer 3 on a surface, is immersed in an etchant 4 and wet-etched.例文帳に追加

パターニングされたクロム層２及びレジスト層３を表面に有するガラス基板１をエッチング液４に浸しウェットエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a vibrator, for manufacturing the vibrator regardless of a process of diffusion and properties and the state of a wet etchant.例文帳に追加

拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, SO_2 is employed as etchant gas and He, Ar or the like is employed as the carrier gas in the dry etching of the organic reflection preventing film.例文帳に追加

その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。 - 特許庁

The casing 12 has a wafer housing hole 13 and the lid body 14 has an etchant passing port 14A.例文帳に追加

そして、ケーシング１２にはウエハ収容穴１３を設け、蓋体１４にはエッチング液が流通する通液口１４Ａを設ける。 - 特許庁

Thus, a wafer rotating speed is accelerated, the supply amount of the etchant is reduced, and the etching width is reduced.例文帳に追加

このため、ウエハ回転速度を上げたりエッチング液の供給量を少なくすることができ、エッチング幅を小さくすることができる。 - 特許庁

The etchant forms a solid reaction product by the protruding structure, and the solid reaction product may be removed from the substrate.例文帳に追加

該エッチャントは該突出構造によって固体反応生成物を形成し、該固体反応生成物は該基板から除去されてもよい。 - 特許庁

Etchant (not illustrated) flows through a groove 202 in the direction from A to B in the figure and flows out of an outlet 202b.例文帳に追加

エッチャント（図示略）が、図中のＡ方向から図中のＢ方向へ溝２０２を流動し、流出口２０２ｂから流出する。 - 特許庁

According to such a constitution, it is possible to protect the side surface 54 of the SiO_2 film 53 formed inside the hollow part from etchant.例文帳に追加

このような構成であれば、空洞部内に形成されたＳｉＯ_２膜５３の側面５４をエッチャントから保護することができる。 - 特許庁