「feram」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Calibration of the reference voltage can be performed dynamically during normal operation of the FeRAM so that the reference voltage tracks changes in FeRAM cell performance that may be associated with temperature or aging (or secular change) effects.例文帳に追加

基準電圧の校正は、温度又は老化（又は経年変化）の影響に関連する可能性のあるFeRAMセルのパフォーマンスの変化を基準電圧が追跡するように、FeRAMの通常動作中に動的に実行できる。 - 特許庁

DAMASCENE FeRAM CELL STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ダマシンＦｅＲＡＭセル構造およびその製造方法 - 特許庁

Pt/PGO ETCHING PROCESS FOR USE IN FeRAM例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ用途のためのＰｔ／ＰＧＯエッチングプロセス - 特許庁

DYNAMIC REFERENCE VOLTAGE CALIBRATION INTEGRATED IN FeRAM例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ内に組み込まれる動的基準電圧校正 - 特許庁

The FeRAM consists of a plurality of memory cells M00 to Mnn.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭは、複数のメモリセルＭ００〜Ｍｎｎからなる。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING FeRAM CELL AND ITS TESTING METHOD例文帳に追加

ＦｅＲＡＭセルを含む集積回路およびそのテスト方法 - 特許庁

FERROELECTRICS MEMORY CELL AND FeRAM ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子 - 特許庁

The second encryption key K2 is stored in a FeRAM 5 and erased if it is read from the FeRAM 5.例文帳に追加

この第２の暗号鍵Ｋ２は、ＦｅＲＡＭ５に記憶され、ＦｅＲＡＭ５から外部へ読み出されたならば消去される。 - 特許庁

To comparutively simply retain multivalued and multibit data by an FeRAM cell, which uses a ferroelectric film as the gate insulating film of a MISFET.例文帳に追加

MISFETのゲート絶縁膜に強誘電体膜を使用したFeRAM セルにより、比較的簡単に多値、多ビットのデータを保持する。 - 特許庁

Dynamic calibration during normal use eliminates the need for a reference voltage calibration process during a manufacturing process of the FeRAM.例文帳に追加

通常使用中における動的な校正は、FeRAMの製造工程中における基準電圧校正プロセスを不要にする。 - 特許庁

An FeRAM memory based on the new material exhibited minor deterioration measured in just several percent after 1 billion rewrites. 例文帳に追加

新材料に基づくFeRAMメモリは、10億回のリライトの後にほんの数パーセントと測定される僅かな劣化しか示さなかった。 - コンピューター用語辞典

This second encryption key K2 is stored in an FeRAM 5 and is erased when being read out of the FeRAM 5 to the outside.例文帳に追加

この第２の暗号鍵Ｋ２は、ＦｅＲＡＭ５に記憶され、ＦｅＲＡＭ５から外部へ読み出されたならば消去される。 - 特許庁

To provide a method of forming an FeRAM integrated circuit which includes performing capacitor stack etching to define an FeRAM capacitor.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭキャパシタを画定するキャパシタスタックエッチングを実施することを含む、ＦｅＲＡＭ集積回路の形成方法を得る。 - 特許庁

To provide a FeRAM having a nonvolatile memory characteristic, a FeRAM having both of a memory holding characteristic for a long time and low power consumption, and a 2T-1C FeRAM.例文帳に追加

不揮発性メモリ特性を有するＦｅＲＡＭ、および、長時間のメモリ保持特性と低消費電力との両方を有するＦｅＲＡＭを提供し、さらに、２Ｔ−１ＣＦｅＲＡＭを提供すること。 - 特許庁

FeRAM WHICH CAN PERFORM COMPARISON OPERATION OF A PLURALITY OF TIMES WITH SINGLE ACCESS例文帳に追加

単一のアクセスで複数回の比較動作が可能なＦｅＲＡＭ - 特許庁

To provide an FeRAM which improves crystallinity of a PZT and which contributes to the microminiaturization of a ferroelectric capacitor and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＰＺＴの結晶性を向上すると共に、強誘電体キャパシタの微細化に寄与するFeRAM及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC ELEMENT, FERROELECTRIC ELEMENT AND FeRAM例文帳に追加

強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びＦｅＲＡＭ - 特許庁

SYSTEM ON-CHIP ARCHITECTURE USING FeRAM AND RE- CONFIGURABLE HARDWARE例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ及び再構成可能ハードウエアを利用したシステムオンチップアーキテクチャ - 特許庁

A hydrogen barrier layer 80 covers a capacitor 56, formed at an FeRAM macro 41 comprising the FeRAM cell array and a cell operation circuit part, extending as far as to the boundary which separates the FeRAM macro and logic part.例文帳に追加

水素バリヤ層８０が、ＦｅＲＡＭセルアレイとセル動作回路部とからなるＦｅＲＡＭマクロ４１に形成されているキャパシタ５６を覆って、ＦｅＲＡＭマクロとロジック部とを相互に分離する境界まで延在している。 - 特許庁

Comparison operation of a plurality of times detects the FeRAM cell 110 which may characterize operation of the FeRAM cell 110, predict, or introduce a bit error, or it is used for reading multi-bit values from the FeRAM cell 110.例文帳に追加

複数回の比較動作は、ＦｅＲＡＭセル（１１０）の動作を特徴付けるか、予言する、あるいはビットエラーを導くかもしれないＦｅＲＡＭセル（１１０）を検知する、あるいはＦｅＲＡＭセル（１１０）からマルチビット値を読み取るために用いられる。 - 特許庁

Each replica FeRAM unit constituting a replica FeRAM unit group 12 is operated by clock signals having individually different pulse widths based on operation voltage Vcc1 of a FeRAM memory cell group 10, and cross talk in a non-selection capacitor is decided.例文帳に追加

レプリカＦｅＲＡＭユニット群１２を構成する各レプリカＦｅＲＡＭユニットを、ＦｅＲＡＭメモリセル群１０の動作電圧Ｖｃｃ１に基づく個々に異なるパルス幅のクロック信号で動作させて非選択キャパシタにおけるクロストークを判定する。 - 特許庁

An FeRAM 30 stores configuration data concerning circuit configuration of the digital block 20.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ３０は、デジタルブロック２０の回路構成のコンフィギュレーションデータを格納する。 - 特許庁

The OT-FeRAM memory cells are positioned in the respective intersection regions within the layers.例文帳に追加

０Ｔ−ＦｅＲＡＭメモリ・セルは層内の各交差領域で位置付けられている。 - 特許庁

To provide a technology for preventing deterioration in the quality of a capacitor insulating film made of a ferrodielectric film of a FeRAM memory cell, and for improving the characteristics of the FeRAM memory cell.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭメモリセルの強誘電体膜からなる容量絶縁膜の膜質の劣化を防止し、ＦｅＲＡＭメモリセルの特性を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

Namely, the data stored in the past can be accurately read, and the reliability of the FeRAM is enhanced by applying such a ferroelectric capacitor to the FeRAM.例文帳に追加

すなわち、過去に記憶したデータを正確に読取り可能となり、このような強誘電体キャパシタをＦｅＲＡＭに適用することで、ＦｅＲＡＭの信頼性を向上できる。 - 特許庁

To monitor the evaluation information of FeRAM and error information to be stored in a memory cell.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭの評価情報、エラー情報をモニターし、この情報をメモリセルに記憶する。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor device in which an FeRAM and a particular sensor are mounted together.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭと特定のセンサとが混載された新規な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor device with a FeRAM and a specified sensor mixedly mounted thereon.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭと特定のセンサとが混載された新規な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The memory card with a memory module having a NAND flash ROM 18 and a FeRAM 20 uses the NAND flash ROM 18 as its main memory and the FeRAM 20 as the cache memory of the main memory.例文帳に追加

NAND flash ROM１８とＦｅＲＡＭ２０とを備えるメモリモジュ−ルを具備するメモリカ−ドであって、NAND flash ROM１８をメインメモリとして用い、当該メインメモリのキャッシュメモリとしてＦｅＲＡＭ２０を用いる。 - 特許庁

In this case, the initial value data are overwritten on change value data stored in the FeRAM.例文帳に追加

この際、ＦｅＲＡＭに記憶されていた変更値データ上に初期値データが上書きされる。 - 特許庁

Low-k interlayer insulating films 14, 17 are formed in the same manner to constitute the FeRAM.例文帳に追加

同様に、ｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１４，１７を形成してＦｅＲＡＭを構成する。 - 特許庁

Thus, a semiconductor device (FeRAM) containing a ferroelectric capacitor 130 is formed.例文帳に追加

このようにして、強誘電体キャパシタ１３０を有する半導体装置（ＦｅＲＡＭ）が形成される。 - 特許庁

A washing processing (20) after etching to the semiconductor device of FeRAM or the like is disclosed.例文帳に追加

本発明は、ＦｅＲＡＭ等の半導体デバイスに対するエッチング後の洗浄処理(20)に関する。 - 特許庁

To provide an FeRAM suppressing deterioration of a ferroelectric capacitor due to hydrogen and moisture.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの水素や水分による劣化を抑制するＦｅＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To suppress acceleration of imprint to prevent deterioration of a FeRAM cell and occurrence of a software error caused by heat stress by assembly after a selection test in a wafer stage, heat stress of soldering after shipping, or the like.例文帳に追加

ウエハー段階での選別テスト後のアセンブリによる熱ストレスや、出荷後の半田付けの熱ストレス等によるFeRAM セルの劣化やソフトエラーの発生を防止するようにインプリントの加速を抑制する。 - 特許庁

The contactless ID chip has a nonvolatile FeRAM inside the chip, and a circuit configuration for writing data for indicating whether data are written to the FeRAM when writing peculiar information, and prevents new information from being written to the FeRAM inside the ID chip when data exist.例文帳に追加

非接触型ＩＤチップにおいて、チップ内部に不揮発性のＦｅＲＡＭを有し、ＦｅＲＡＭに書き込みがおこなわれたかどうかを示すデータも、固有情報書き込み時に書き込みをおこない、そのデータがあるときにはＩＤチップ内部のＦｅＲＡＭに情報が新たに書き込めないような回路構成を有する。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING TREATMENT METHOD FOR THIN FILMS OF SIO2, TI AND IN2O3 APPLIED TO FERAM DEVICE例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ装置に適用するＳｉＯ２、ＴｉおよびＩｎ２Ｏ３薄膜の選択的エッチング処理法 - 特許庁

To provide a chain FeRAM type semiconductor storage device wherein the quality of a ferroelectric film is made uniform.例文帳に追加

強誘電体膜の膜質を均一化するチェインＦｅＲＡＭ型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an FeRAM including a capacitor of planar stack structure in which variation of characteristics and yield are enhanced.例文帳に追加

プレーナスタック構造のキャパシタを含むＦｅＲＡＭにおいて、その特性のバラツキや歩留まり向上を図る。 - 特許庁

To prevent oxidation of the W plug under the capacitor of a COP type FeRAM cell with a thin barrier layer.例文帳に追加

ＣＯＰ型ＦｅＲＡＭセルのキャパシタ下のＷプラグの酸化を薄いバリア層で防止すること。 - 特許庁

To provide a technique which reduces plasma damage during etching and improves the characteristics of FeRAM memory cells.例文帳に追加

エッチング時のプラズマダメージを低減させ、ＦｅＲＡＭのメモリセルの特性を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

To allow a reference voltage generator of a FeRAM to provide high data integrity over a long period of time by periodically calibrating reference voltage so as to track the changes in a memory cell due to a factor such as temperature and aging.例文帳に追加

FeRAMの基準電圧発生器は、周期的に温度及び老化のような要因によるメモリセルの変化を追跡するように基準電圧を校正することによって、長期にわたって、高いデータの完全性を提供する。 - 特許庁

To realize a nondestructive read FeRAM which can be read without reversing remaining polarization, to increase the operation speed, to decrease power consumption, to increase the number of times of rewrite and to improve reliability of the FeRAM.例文帳に追加

読み出し時に残留分極の反転が行われることなく非破壊読み出しのＦｅＲＡＭを実現し、ＦｅＲＡＭの高速動作化、低消費電力化、書き換え回数を増加し、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

In the storage area of an FeRAM 11, a user data area 111 and a block address area 112 are secured.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ１１の記憶領域には、ユーザーデータ領域１１１及びブロックアドレス領域１１２が確保される。 - 特許庁

The capacitor can be applied to all kinds of electronic elements such as FeRAM element and pyroelectric sensor.例文帳に追加

このようなキャパシタは、ＦｅＲＡＭ素子、ピロ電気センサなどの各種の電子素子に適用することが可能である。 - 特許庁