「fowler」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

I'm thomas fowler of the london times.例文帳に追加

ロンドンタイムズのトーマス・ファウラーです - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I understand you represent a mr. frank fowler.例文帳に追加

あなたはフランク・ファウラー氏の 代理ですね - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Could I arrange a meeting with mr. fowler?例文帳に追加

ファウラー氏と面会の準備が できるかな? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Yes, I have a friend named amy farrah fowler.例文帳に追加

ボクの友達の名前は エイミー・ファラ・ファウラー - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Rlene fowler would you do me the honor of being my wife?例文帳に追加

アーリーン・ファウラー 俺の妻になってくれるか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

And, along with my collaborator, james fowler例文帳に追加

私は共同研究者のジェームス・ファウラーと共に - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The fowler catches not the bird that seeks refuge in his bosom. 例文帳に追加

窮鳥懐に入れば猟師もこれを捕えず - 斎藤和英大辞典

And my colleague, james fowler and I have been studying for quite sometime例文帳に追加

私は同僚のジェームス フォウラーと かなり以前から - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The fowler does not catch the bird which seeks refuge in his bosom. 例文帳に追加

窮鳥懐に入る時は猟師も之を捕らず - 斎藤和英大辞典

Then you must come and have dinner with me and my sister when mr fowler is gone.例文帳に追加

ファウラーさんが行ったら 私達と夕食をご一緒してね - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I am thomas fowler of the london times, and i'm here to interview general th.例文帳に追加

トーマス・ファウラー ロンドン・タイムズの記者です タイ司令官にインタビューに来ました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I've decided to take your advice and have arranged to go on a date with amy farrah fowler.例文帳に追加

君のアドバイスを受けて 合意したんだ エイミー・ファラ・ファウラー とデートすること - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The pattern is described in more detail on Martin Fowler's website andWACT project website. 例文帳に追加

PageController パターンについては、 Martin Fowler のウェブサイトおよび WACT プロジェクトのウェブサイトでより詳しく説明されています。 - PEAR

LOW VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR FLASH EEPROM CELL USING FOWLER-NORDHEIM PROGRAMMING AND ERASE例文帳に追加

ファウラーノルドハイムプログラミング及び消去を利用する、低電圧単一トランジスタ型フラッシュＥＥＰＲＯＭセル - 特許庁

Sooner or later, mr fowler, one has to take sides if one is to remain human.例文帳に追加

遅かれ早かれこうなるのです ファウラーさん いずれか一方を取ることになります 人間のままありたいなら - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入でプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子ファウラー・ノルデハイム・トンネリングで消去される。 - 特許庁

A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加

セルはホット・チャンネル電子注入によりプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子のファウラー・ノルデハイム・トンネリングにより消去される。 - 特許庁

The gate insulating film 6 comprises an FN(Fowler Nordheim) tunnel film 10 which is larger in permittivity than a silicon oxide film and has FN electric conduction characteristics.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６は、酸化シリコン膜より誘電率が大きく、かつＦＮ電気伝導特性を示すＦＮトンネル膜１０を含む。 - 特許庁

In one of programming and erasing, electrons are injected into the charge trapping film 22 from the second gate electrode CG through the tunnel insulating film 23 by FN (Fowler-Nordheim) tunneling method.例文帳に追加

プログラムあるいは消去において、ＦＮトンネル方式により、第２ゲート電極ＣＧから電荷トラップ膜２２へトンネル絶縁膜２３を通して電子が注入される - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加

チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁

To provide a single transistor electrically erasable programmable memory device capable of being programmed and erased using Fowler-Nordheim tunneling and capable of being operated using low voltages.例文帳に追加

ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラミング及び消去でき、更に、低電圧を用いて作動可能な、電気的に消去及びプログラム可能な単一トランジスタのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加

本発明は、ＥＥＰＲＯＭ混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム（ＦＮ）電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The cot bed for the ambulance also has some accessories such as an accessory hook which is placed on the lower side of a fowler and a foldable porch accessory which is fixed on the contractible head part and a stretcher frame 17.例文帳に追加

救急車用簡易ベッドはまた、ファウラの下側に取り付けられたアクセサリフック、及び収縮可能な頭部分と担架フレーム１７とに固定された折り畳み可能なポーチアクセサリといった、幾つかのアクセサリを有する。 - 特許庁

High voltage is applied on both-end electrodes of the hollow structure 10 to generate Fowler-Nordheim tunnel current, and a semiconductor non-volatile memory writing and deleting information is made by injecting and discharging electrons.例文帳に追加

中空構造１０の両端の電極に高電圧を印加してＦｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍトンネル電流を発生させ、電子を注入・放出させることにより、情報を書み込み・消去する半導体不揮発性メモリとする。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

In the carbon film being formed thin and long acicular, electric field concentration factor β in the Fowler-Nordheim formula is expressed by h/r, wherein h denotes a height up to the tip end at an arbitrary position and r denotes the radius, and the film has a shape in which the radius becomes smaller toward the tip end from an arbitrary position.例文帳に追加

細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをｈ、半径をｒとして、ｈ／ｒの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える。 - 特許庁

Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon.例文帳に追加

一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート１８に第１の電圧を印加し、第２のウェルには第１の電圧と反対の極性の第２の電圧を印加し、第１のウェルには第１の電圧と同じ極性の第３の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート１６に電子を注入することで消去前書き込みを行う。 - 特許庁