「group vb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR REMOVING GROUP IVb AND Vb METAL IMPURITIES FROM GROUP IVb METAL TETRAHALIDE例文帳に追加

ＩＶｂ族金属四ハロゲン化物からのＩＶｂ族およびＶｂ族金属汚染物除去方法 - 特許庁

WASTE CONTAINING GROUP Vb HEAVY METAL ELEMENT IN DISPOSABLE FORM AND METHOD OF CONVERTING MATTER CONTAINING GROUP Vb HEAVY METAL ELEMENT INTO DISPOSABLE FORM例文帳に追加

処分できる形態のＶｂ族重金属元素を含む廃棄物およびＶｂ族重金属元素を含むものを処分できる形態のものにする方法 - 特許庁

The method for producing the polyketone is to react the polyol with hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst which is obtained by reacting hydrogen peroxide with at least one species selected from a group consisting of tungsten metal, molybdenum metal, a tungsten compound comprising tungsten and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element and a molybdenum compound comprising molybdenum and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element.例文帳に追加

タングステン金属、モリブデン金属、タングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびモリブデンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるモリブデン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、前記ポリオール類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするポリケトン類の製造方法。 - 特許庁

SULFURATION CATALYST OF AT LEAST ONE ELEMENT SELECTED FROM GROUP IIIB, GROUP IVB, AND GROUP VB AND ITS USAGE例文帳に追加

第ＩＩＩＢ族、第ＩＶＢ族および第ＶＢ族から選ばれる少なくとも１つの元素の硫化触媒およびその使用法 - 特許庁

The catalyst can additionaly contain at least one element selected from the group consisting of the elements of group VB and group VIB.例文帳に追加

この触媒はさらに第ＶＢ族および第VIＢ族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含にでもよい。 - 特許庁

To recover metal materials of IVB group element or VB group element efficiently from a separator of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池のセパレータからＩＶＢ族元素もしくはＶＢ族元素の金属材料を効率的に回収可能とする。 - 特許庁

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

The semiconductor film has a composition with a group Ia element and a group Vb element doped in a compound semiconductor of a chalcopyrite structure comprising a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

本発明の半導体膜は、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ｉａ族元素およびＶｂ族元素が添加された組成を有する。 - 特許庁

Further, the different element of the group IIIB is introduced into the carbon nanotube of a positive electrode, and the different element of the group VB is introduced into a negative electrode, respectively.例文帳に追加

また、プラス極のカーボンナノチューブには第IIIＢ族異元素を、マイナス極には第ＶＢ族異元素をそれぞれに導入する。 - 特許庁

To efficiently recover a metal material of a group IVB element or a group VB element from a separator of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池のセパレータからＩＶＢ族元素もしくはＶＢ族元素の金属材料を効率的に回収可能とする。 - 特許庁

HYDROCRACKING CATALYST CONTAINING ZEOLITE Y OF NON- DEALUMINIZATION AS A WHOLE, GROUP VB ELEMENT, AND COCATALYST ELEMENT SELECTED FROM GROUP CONSISTING OF BORON, PHOSPHORUS, AND SILICON例文帳に追加

全体的非脱アルミニウムゼオライトＹと、第ＶＢ族の元素と、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる助触媒元素とを含む水素化クラッキング触媒 - 特許庁

The tungsten compound is at least one kind of compound selected e.g. from metallic tungsten, a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group IVb element, a tungsten compound composed of tungsten and a group Vb element and a tungsten compound composed of tungsten and a group VIb element.例文帳に追加

タングステン化合物としては、例えばタングステン金属、タングステンと第IIIb族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第IVb族族元素とからなるタングステン化合物、タングステンと第Vb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステンと第VIb族元素とからなるタングステン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of rapidly forming films by the use of a solid as a film forming raw material on a semiconductor material which contains either a group IIIB elements, group IVB element, or group VB element.例文帳に追加

ＩＩＩＢ族元素、ＩＶＢ族元素、ＶＢ族元素のうちの何れかを含む半導体材料において、成膜用原料として固体を用いて、高速で成膜を行うことが可能な装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an improved process for removing trace of Group IVb metal and Group Vb metal impurities from Group IVb metal tetrahalides, particularly a process for removing zirconium tetrachloride from titanium tetrachloride.例文帳に追加

ＩＶｂ族金属四ハロゲン化物から痕跡量のＩＶｂ族金属汚染物およびＶｂ族金属汚染物を除去する改良方法、特に四塩化チタンから四塩化ジルコニウムを除去する方法、を提供すること。 - 特許庁

The electrodes 12 are divided into a group of electrodes 12a to which the waveform voltage Va is applied, a group of electrodes 12b to which the waveform voltage Vb is applied, and a group of electrodes 12c to which the waveform voltage Vc is applied.例文帳に追加

そして、これらの電極１２は、波形電圧Ｖａが印加される電極群１２ａ、波形電圧Ｖｂが印加される電極群１２ｂ、波形電圧Ｖｃが印加される電極群１２ｃにわかれている。 - 特許庁

To provide a technology for stably disposing the group Vb heavy metal elements so as not to have a significant effect on the environment.例文帳に追加

Ｖｂ族重金属元素を安定的に処分でき、環境に大きな影響を与えないようにする技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of forming compound thin films through atomic layer deposition using high-k dielectric Group VB species.例文帳に追加

本発明は、高ｋ誘電体の第ＶＢ族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。 - 特許庁

In the general formula (1), M denotes a periodic table group Vb atom; R_1, R_2, and R_3 denote substituted or unsubstituted aryl group and may be respectively the same or be different from each other.例文帳に追加

・・・（１）（一般式（１）において、Ｍは、周期律表Ｖｂ族原子を示し、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、置換又は非置換のアリール基を表し、それぞれは、同一でも異なっていてもよい。） - 特許庁

The light emitting element 11 is preferably a solid-state light emitting element including a group IIIb-Vb compound semiconductor or a group IIb-VIb compound semiconductor as a luminescent layer.例文帳に追加

発光素子１１は、ＩＩＩｂ−Ｖｂ族系化合物半導体又はＩＩｂ−ＶＩｂ族系化合物半導体を発光層として含む固体発光素子であることが好ましい。 - 特許庁

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The benzene is reacted with the carboxylic acid and the molecular oxygen in the presence of the catalyst comprising palladium, at least one kind of element selected from the groups consisting of IIIb group, IVb group, Vb group and VIb group in periodic table and at least one kind of element selected from the groups consisting of IIIa group and IVa group in the periodic table to produce the phenyl ester.例文帳に追加

パラジウムと、周期律表のＩＩＩｂ族、ＩＶｂ族、Ｖｂ族及びＶＩｂ族からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素と、周期律表のＩＩＩａ族及びＩＶａ族からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を含む触媒の存在下に、ベンゼンとカルボン酸と分子状酸素を反応させてフェニルエステルを製造する。 - 特許庁

A first reactant gas of a Group VB element is injected into the reaction chamber, where it is chemisorbed as an atomic layer on the substrate surface.例文帳に追加

第ＶＢ族元素の第１の反応物ガスが反応チャンバへ注入され、そこで、その元素は基板表面上に原子層として化学吸着される。 - 特許庁

The barrier layer for the silicon-containing substrate to prevent formation of gaseous species of silicon when exposed to a high temperature aqueous environment comprises aluminosilicate of group IIA and/or group IIIB such as barium - strontium aluminosilicate and an oxide of group VB.例文帳に追加

高温の水性環境に曝されたときにガス状珪素類の形成を防止する、珪素含有基材のためのバリヤ層は、アルミノ珪酸バリウムストロンチウムなどのＩＩＡ族および／またはＩＩＩＢ族のアルミノ珪酸塩と、ＶＢ族の酸化物とからなる。 - 特許庁

The molding composition is a fiber-non-reinforced thermoplastic molding composition containing a metal powder as a thermal stabilizer, wherein the metal powder has a weight-average particle diameter (dm) of 1 mm at the maximum; and a metal in the metal powder is selected from the group consisting of metal elements of group VB, group VIB, group VIIB and group VIIIB in periodic table and mixtures thereof.例文帳に追加

熱安定剤として金属粉末を含む非繊維強化熱可塑性成形組成物に関し、該金属粉末は最大でも１ｍｍの重量平均粒径（ｄｍ）を有し、該金属粉末中の金属は、周期表のＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＢ族およびＶＩＩＩＢ族からの元素金属ならびにこれらの混合物からなる群から選択される。 - 特許庁

In compliance with request, a composition containing each element of (a) one or more kinds selected from Cu, Ag and Au of, by weight, 3 to 10%, (b) 0.2 to 5% Si, (c) one or more kinds selected from the group IVB and VB and (d) ≤10% Fe is given.例文帳に追加

所望により、(a)Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕから選ばれる１種又は２種以上３〜１０％、(b)Ｓｉ０．２〜５％、(c)第IVB族，VB族から選ばれる１種又は２種以上、(d)Ｆｅ１０％以下の各元素を含有する組成が与えられる（含有量は重量％）。 - 特許庁

The cemented carbide base material is composed of WC, 3 to 8 wt.% of Co, and less than 0.5 wt.% of carbide of group IVb, Vb or VIb metals in the periodic table.例文帳に追加

この超硬合金基材は、ＷＣと、３〜８ｗｔ％のＣｏと、周期律表のＩＶｂ、ＶｂまたはＶＩｂ族金属の＜０．５ｗｔ％の炭化物とから成る。 - 特許庁

In this formula, M is metal selected from Group IVB, VB, VIB and VIIB of the periodic table of the elements, x is about 5-40 atomic%, and y is about 5-40 atomic%.例文帳に追加

上式で、Ｍは元素周期表のＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢまたはＶＩＩＢ族から選択された金属、ｘは約５から約４０原子％、ｙは約５から約４０原子％である。 - 特許庁

To perform the hydrocracking of a vacuum fractional distillation type feedstock containing nitrogen by incorporating zeolite of non- dealuminization as a whole, a group VB element, and a specified cocatalyst element in a catalyst for the hydrocracking of a hydrocarbon feedstock.例文帳に追加

全体的非脱アルミニウムゼオライトＹと、第ＶＢ族の元素と、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる助触媒元素とを含む水素化クラッキング触媒を提供する。 - 特許庁

In the formula, Iso is an isocyanate after removing one isocyanate group or a residue of a polyisocyanate, E is an element such as P or the like of the group VB of the periodic table, R_10 has a negative charge or is a hydrocarbon group including H and C having the node with C, and R_11 has a negative charge or is an ester residue of a phosphoric acid.例文帳に追加

（Ｉｓｏは、１つのイソシアネート基を除去した後のイソシアネートもしくはポリイソシアネートの残基、Ｅは、Ｐ等の周期表第ＶＢ族の元素、Ｒ_１０は、負電荷であるかその結合点がＣであるＨ及びＣを含む炭化水素基、Ｒ_１１は負電荷あるいはリン酸のエステル残基である。） - 特許庁

In the formula, A is an element of the group IIA, IIIA, IVA, VA, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB or VIII of the long-form periodic table; X is a halogen atom; p is an integer of 0-10; q is an integer of 1-10; and r is an integer of 1-35.例文帳に追加

（式中、Ａは長周期律表においてIIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、IIＢ、IIIＢ、IVＢ、ＶＢ、VIＢ、VIIＢ、VIII属の元素、Ｘはハロゲン原子、ｐは０〜１０、ｑは１〜１０、ｒは１〜３５の整数を示す。） - 特許庁

A semiconductor thin film 13 which becomes a light absorption layer is formed on an insulating layer 12 containing Ia group element or Vb group element partially provided on a back electrode 11 and the back electrode 11 or the partially provided insulating layer 12.例文帳に追加

裏面電極膜１１の上に部分的に設けたＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を含む絶縁層１２と裏面電極１１あるいは部分的に設けた絶縁層１２の上に光吸収層となる半導体薄膜１３を形成した構成を含む薄膜太陽電池。 - 特許庁

A carried catalyst contg. at least one element selected from the group consisting of the groups IIIB, IVB and VB elements including lanthanoids and actinoids is sulfurized by contact with at least one source of elemental sulfur in an atmosphere of at least one reducing gas other than hydrogen.例文帳に追加

触媒の硫化方法は、ランタノイドおよびアクチノイドが含まれる第IIIB族、第IVB族および第VB族よりなる群の中から選ばれる少なくとも１つの元素を含む担持触媒の硫化方法において、前記触媒を、水素以外の少なくとも１つの還元剤の雰囲気下に少なくとも１つの元素状硫黄源と接触させることを特徴とする。 - 特許庁

On the other hand, the second device group 30 is operated by the operating power supply VB of comparatively high voltage in a regulated (or normal) state and is operated by power supply voltage substantially equal to the operating power supply VA in the standby state.例文帳に追加

一方、第２デバイス群３０には、規定（又は通常）状態では、比較的高電圧の動作電源ＶBにて動作し、待機状態では、上述した動作電源ＶAと実質的に等しい電源電圧で動作させる。 - 特許庁

The metallocene compound is represented by the general formula: (Cp)_zMR_wX_y (wherein Cp represents an unsubstituted or substituted cyclopentadienyl ring, M represents a IVB or VB-group transition metal, R represents a hydrocarbyl group having 1-20C, X represents a halogen, 1≤z≤3, 0≤w≤3 and 0≤y≤3).例文帳に追加

メタロセン化合物は、一般化学式（Ｃｐ）zＭＲwＸyにより表され、ここで、Ｃｐは未置換または置換シクロペンタジエニル環を表し、ＭはＩＶＢまたはＶＢ族の遷移金属を表し、Ｒは、１から２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、１≦ｚ≦３、０≦ｗ≦３、０≦ｙ≦３である。 - 特許庁

This exhaust gas treating catalyst contains the oxide of at least one metal selected from Cr, Co, Fe, Cu and Mn as a component imparting an active point mainly and the oxide of at least one element selected from group VA, group VIA and group VB in the periodic table as a component imparting an adsorbing point mainly.例文帳に追加

主に活性点を与える成分としてＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎのうちの少なくとも１種の酸化物を含み、主に吸着点を与える成分として周期律表５Ａ族、６Ａ族、５Ｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴とする排ガス処理触媒を用いて、焼却炉等から排出される排ガス中の有害物質の分解、除去を行う。 - 特許庁

WC having a hard phase with the average crystal grain size of 0.5 μm or below is used as the main component for the cutting edge portion of at least a die cutter 3 between the die cutter 3 and an anvil roll 5, and it is formed with a cemented carbide having one or more of group metal carbides of groups IVb, Vb, VIb.例文帳に追加

ダイカッター３およびアンビルロール５のうち、少なくともダイカッター３の切刃部分を、硬質相が平均結晶粒子径が０．５μｍ以下のＷＣを主成分とし、IVｂ、Vｂ、VIｂ属金属炭化物の中のいずれか一つ以上を有する超硬合金から形成した。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The tool holder is colored by an outermost thin transparent non-oxide layer, preferably a carbide, nitride or carbonitride layer of a metal from the group comprising groups IVB, VB or VIB of the periodic table, Al, Si and B or mixtures thereof, preferably Ti and/or Al.例文帳に追加

工具ホルダは、薄い最外層の透明な非酸化物層によって彩色され、好ましくは周期律表の第ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の群、Ａｌ、Ｓｉ及びＢまたはそれらの混合物からなる群からの金属、好ましくはＴｉ及び／またはＡｌの炭化物、窒化物、または炭窒化物によって与えられる。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery preventing an expansion of the battery in charge/discharge caused by reduction of an electrolyte and having very low self discharge, in the battery using a negative electrode containing a negative active material comprising a group IIB, IIIB, IVB, or VB element in the periodic table forming a lithium compound or solid solution.例文帳に追加

リチウムと化合物または固溶体を形成する周期律表ＩＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族およびＶＢ族の元素からなる負極活物質を含む負極を用いるリチウム二次電池において、電解液の還元分解による充放電サイクル時の電池の膨れを防止し、自己放電性の非常に小さい電池とする。 - 特許庁

The oxidation reaction catalyst is prepd., e.g. by heat-treating a gold compd. at 150-800°C and mixing the resultant superfine gold particles with a palladium compd. and a compd. contg. at least one element selected from the group consisting of the groups IIA, IIIA, VIA, IIB, VB and VIII elements of the Periodic Table and the alkali metals.例文帳に追加

酸化反応用触媒は、例えば、金化合物を１５０℃〜８００℃で熱処理を行うことによって金超微粒子を得た後、該金超微粒子と、パラジウム化合物と、周期表IIＡ族、 IIIＡ族、VIＡ族、IIＢ族、ＶＢ族、VIII族、およびアルカリ金属からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む化合物とを混合することにより調製される。 - 特許庁

Preferably, the electrocatalytic film moreover contains the oxides of any of the group IVA, VA and VB metals of tin, antimony, tantalum and niobium, bismuth and iridium are used as the main components, and the tin, antimony and niobium are small amounts of components.例文帳に追加

亜鉛、銅、ニッケル、およびコバルトを生成させるための電気冶金学的プロセスにおいて、またクロム、ニッケル、および貴金属を付着させるための化学電気的プロセスにおいて、マンガンの存在下にて硫酸または硫酸塩を含有する電解質から酸素を発生させるためのアノードとして使用するのに適した新規タイプの電極が説明されている。 - 特許庁

A catalyst contains at least one oxide type amorphous or imperfectly crystallized matrix, at least one of group VB elements, at least one zeolite.beta, at least one catalyst element selected from boron, phosphorus and silicon and at least one element selected from groups VIB, VIII elements.例文帳に追加

酸化物型の少なくとも１つの非晶質または不完全結晶化マトリックスと、第ＶＢ族の少なくとも１つの元素と、少なくとも１つのゼオライト・ベータと、ホウ素、リンおよびケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの助触媒元素と、第VIＢ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む触媒である。 - 特許庁