「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An upper part hafnium tubular body 9A and a lower part hafnium tubular body 9B are mounted on a handle 3 and the lower part support member 5, respectively.例文帳に追加

上部ハフニウム筒状体９Ａをハンドル３に、下部ハフニウム筒状体９Ｂを下部支持部材５に取り付ける。 - 特許庁

PHOSPHORIC ACID SALT CONTAINING ZIRCONIUM OR HAFNIUM AND MANGANESE例文帳に追加

ジルコニウム又はハフニウム、及びマンガン含有りん酸塩 - 特許庁

The metal includes at least either one of hafnium and zirconium.例文帳に追加

金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 - 特許庁

METHOD FOR SEPARATING HAFNIUM FROM ZIRCONIUM BY ANODIC ELECTROLYSIS例文帳に追加

アノード電解によるジルコニウムとハフニウムの分離方法 - 特許庁

HIGH-PURITY ZIRCONIUM AND HAFNIUM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらの製造方法 - 特許庁

A preferable metal is hafnium, zirconium, or a mixture thereof.例文帳に追加

金属はハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの混合物であるのが好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY HAFNIUM COMPLEX Hf(DPM)4例文帳に追加

高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 - 特許庁

To provide a cleaning method for removing unwanted oxides deposited on the inner wall and the inner part of a reactor, such as a jig in a device for depositing hafnium oxides, such as hafnium oxide, silica oxide hafnium and aluminum oxide hafnium, which are useful in semiconductors.例文帳に追加

半導体分野で有用な酸化ハフニウム、酸化珪素ハフニウム、酸化アルミニウムハフニウム等のハフニウム酸化物を成膜する装置において、内壁、冶具等の反応器内部に堆積したこれらの不要な酸化物を除去するクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

γ-RAY DECAY ACCELERATOR OF NEUTRON-IRRADIATED HAFNIUM CONTROL ROD例文帳に追加

中性子照射済ハフニウム制御棒のγ線崩壊加速装置 - 特許庁

The contents of aluminum and hafnium are simultaneously reduced.例文帳に追加

また、同時にアルミニウム・ハフニウムの含有量も低減することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING HAFNIUM COATING FILM, AND THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

ハフニウムコーティング膜の形成方法及び薄膜作製装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF HAFNIUM SILICIDE TARGET FOR FORMING GATE OXIDE FILM例文帳に追加

ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットの製造方法 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR DEPOSITING THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM AND HAFNIUM COMPOUND例文帳に追加

薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びハフニウム化合物 - 特許庁

To provide a composition for etching, wherein it gives no damage to a semiconductor material, such as silicon oxide, and it can selectively etch a hafnium compound, such as hafnium silicate and hafnium aluminate, and further, it prevents the sticking of etched hafnium, and moreover, it is flame-resistant and can be used safely.例文帳に追加

酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつエッチングしたハフニウムの付着を防止すると共に難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

A hafnium compound containing at least oxygen atoms and hafnium atoms as constitutive elements is doped with a metal element having a valence number higher than that of hafnium.例文帳に追加

少なくとも酸素原子とハフニウム原子とを構成元素とするハフニウム化合物に、ハフニウムよりも高い価数を有する金属元素をドーピングすることによって、解決した。 - 特許庁

To provide an incombustible etching composition that can selectively etch hardly soluble hafnium components, especially, hafnium silicate and hafnium aluminate.例文帳に追加

難溶性のハフニウム化合物、特にハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネートを選択的にエッチングでき、不燃性のエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

For a preferred embodiment, the insulating intermediate layer comprises aluminum nitride or aluminum oxinitride, and the gate dielectric comprises a hafnium oxide, hafnium silicate, or hafnium oxinitride.例文帳に追加

好ましい実施形態においては、絶縁中間層は、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウムであり、ゲート誘電体は、酸化ハフニウム、ケイ酸ハフニウム又は酸窒化ハフニウムシリコンである。 - 特許庁

After the deposition of the amorphous hafnium oxide by ALD method, the amorphous hafnium oxide is re-oxidized by an oxygen radical generated by low temperature remote plasma, etc., to obtain an amorphous hafnium oxide film having little dopant.例文帳に追加

ＡＬＤ法により堆積させた後、低温リモートプラズマなどで生成される酸素ラジカルにより再酸化させることにより、非晶質で、不純物の少ない酸化ハフニウム膜を実現することが可能である。 - 特許庁

The incombustible etching composition containing a fluoride, phosphoric acid, and bromide and/or chloride can selectively etch hafnium silicate, hafnium silicate nitride, hafnium aluminate, hafnium aluminate-hafnium silicate nitride, etc., without giving any damage to another semiconductor material, such as the oxidized silicon etc.例文帳に追加

フッ化物、リン酸、さらに臭化物及び／又は塩化物を含んでなるエッチング用組成物では、酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等を選択的にエッチングできるとともに、不燃性である。 - 特許庁

A capacitance insulating film comprising a laminate film of hafnium oxide films 102, 103, 104 of first to third layers is formed on a lower electrode 101 of a capacitor, an oxygen ratio of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers to hafnium is greater than the oxygen ratio of the hafnium oxide film 103 of the second layer to hafnium.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１０１上に、第１層〜第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０３、１０４の積層膜で構成される容量絶縁膜が形成され、第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４のハフニウムに対する酸素比率は、第２層のハフニウム酸化膜１０３のハフニウムに対する酸素比率よりも大きい。 - 特許庁

The method for producing high-purity tetrakis(dialkylamino)hafnium comprises reacting hafnium tetrachloride with a dialkylaminolithium in an organic solvent having ≤100 ppm water content under an inert gas atmosphere and then fractionating the resultant crude tetrakis(dialkylamino)hafnium.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気下、含水量が１００ｐｐｍ以下である有機溶媒中で、四塩化ハフニウムとジアルキルアミノリチウムとを反応させた後、得られた粗製テトラキス（ジアルキルアミノ）ハフニウムを分留することを特徴とする高純度テトラキス（ジアルキルアミノ）ハフニウムの製造法。 - 特許庁

The method is suitable for depositing a High-k hafnium oxide dielectric body used for a gate dielectric body or a capacitor dielectric body on the silicon surface subjected to hydrogen termination treatment by using a hafnium nitride precursor and a hafnium chloride precursor.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよび塩化ハフニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

In the method for separating hafnium from zirconium, this method is characterized by anodically electrolyzing metals containing both components in an organic electrolytic solution, thereby anodically dissolving hafnium into the electrolytic solution, collecting hafnium from the electrolytic solution, and collecting enriched zirconium from the electrolysis residue.例文帳に追加

ジルコニウムとハフニウムの分離方法において、両性分を含む金属を有機電解液中でアノード電解し、これによってハフニウムを電解液にアノード溶解し、電解液からハフニウムを回収し、電解残滓からジルコニウムを富化して回収することを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for separating zirconium from hafnium comprises the steps of: adding disulfonic acid and/or the salt thereof to an aqueous solution containing zirconium and hafnium; and bringing the resulting aqueous solution into contact with the cation exchange resin to selectively adsorb the hafnium on the cation exchange resin.例文帳に追加

ジルコニウムとハフニウムを含む水溶液にジスルホン酸及び／又はその塩を添加した後、該水溶液と陽イオン交換樹脂とを接触させ、ハフニウムを陽イオン交換樹脂に選択的に吸着させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a composition for etching that can selectively etch hafnium compounds such as hafnium silicate and hafnium aluminate without damaging semiconductor materials such as silicon oxide and can be used safely because of its flame retardancy, and to provide a processing method for the etching.例文帳に追加

酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつ難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物及びエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

In this way, only ionized hafnium particles having a high charge mass ratio and high activity reach the substrate, so that the hafnium particles and an organic gas are reacted even without heating the substrate, and a thin film of hafnium carbide is deposited.例文帳に追加

このように、本発明によれば、電荷質量比の大きい、活性の高いイオン化されたハフニウム粒子のみが基板に到達するので、基板を加熱しなくてもハフニウム粒子と有機ガスとが反応し、炭化ハフニウムの薄膜が形成される。 - 特許庁

Hungarian chemist who studied radioisotopes and was one of the discoverers of the element hafnium (1885-1966) 例文帳に追加

ハンガリーの化学者で、放射性同位元素を研究し、元素ハフニウムの発見者の1人（1885年−1966年） - 日本語WordNet

To selectively arrange ferritin and inorganic particles on zirconium and hafnium on silicon oxide.例文帳に追加

酸化シリコン上のジルコニウムやハフニウムに選択的にフェリチン及び無機粒子を配置する。 - 特許庁

An iridium - hafnium alloy coating is formed on the surface of a nickel based superalloy.例文帳に追加

ニッケル基超合金の表面にイリジウム−ハフニウム合金被膜を形成する。 - 特許庁

(In the formula, M^2 represents a titanium atom, a zirconium atom or a hafnium atom).例文帳に追加

（式中、Ｍ^２はチタン原子、ジルコニウム原子またはハフニウム原子を表わす。） - 特許庁

The metal oxide layer may contain hafnium oxide or zirconium oxide.例文帳に追加

該金属酸化物層は、酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムを含んでいても良い。 - 特許庁

A hafnia sol liquid is prepared by dissolving a hafnium tetrachloride (HfCl_4) in ethanol under a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

四塩化ハフニウム（HfCl_4）を窒素雰囲気下にてエタノールに溶解し、ハフニヤゾル液を作る。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY ZIRCONIUM, HAFNIUM, TANTALUM AND NIOBIUM ALKOXIDES例文帳に追加

高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイドの製造方法 - 特許庁

PRECURSOR FOR HEAPING ZIRCONIUM OXIDE THIN FILM AND HAFNIUM OXIDE THIN FILM例文帳に追加

ジルコニウム酸化物薄膜およびハフニウム酸化物薄膜を堆積するための前駆体 - 特許庁

To provide a method capable of producing high-purity tetrakis(dialkylamino)hafnium in good yield.例文帳に追加

高純度テトラキス（ジアルキルアミノ）ハフニウムを収率よく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁

The NOx is treated under a coexistence of oxygen and moisture using a catalyst containing hafnium oxide.例文帳に追加

酸化ハフニウムを含有する触媒を用いて酸素と水分の共存下でＮＯｘを処理する。 - 特許庁

To provide a method for separating zirconium efficiently from hafnium by using a cation exchange resin.例文帳に追加

陽イオン交換樹脂を用い、ジルコニウムとハフニウムを効率的に分離する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ZIRCONIUM OXIDE AND HAFNIUM OXIDE FOR MATERIAL HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT例文帳に追加

高誘電率材料のための酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムを形成する方法 - 特許庁

In one embodiment, the high-k dielectric material layer contains hafnium silicon oxynitride.例文帳に追加

一実施形態において、高ｋ誘電物質層は、酸窒化シリコンハフニウムを含む。 - 特許庁

The first annealing treatment is conducted in the first nitrogen-added hafnium silicate film 21a.例文帳に追加

次に、第１窒素添加ハフニウムシリケート膜２１ａの第１アニール処理を行う。 - 特許庁

ARTICLE HAVING HAFNIUM-SILICON-MODIFIED PLATINUM- ALUMINUM BOND OR ENVIRONMENTAL COATING例文帳に追加

ハフニウム—ケイ素—変性白金—アルミニウムの接合皮膜または環境皮膜を持つ物品 - 特許庁

This hafnium silicide target for forming gate oxidized film comprises HfSi_1.02-2.00.例文帳に追加

ＨｆＳｉ_１．０２−２．００からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット。 - 特許庁

A platinum film 6 is formed on the gate insulating film 5 composed of a hafnium oxide film.例文帳に追加

酸化ハフニウム膜よりなるゲート絶縁膜５上に、プラチナ膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a new method for separating hafnium from zirconium.例文帳に追加

ジルコニウムとハフニウムの新規な分離方法を提供することをねらいとするものである。 - 特許庁

A neutron absorption part is constituted of an irradiation growth material 1 and a hafnium material 2.例文帳に追加

中性子吸収部は、照射成長材１及びハフニウム２から構成される。 - 特許庁