「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The width G of gaps each formed between the side faces on both sides of the hafnium member 3U and the inner face of the sheath 6 facing the side faces is kept at 0.3 mm falling in the range of 0.2 mm<G≤1.0 mm during operation of a BWR.例文帳に追加

ハフニウム部材３Ｕの両側の側面とこれらの側面に向かい合っているシース６の内面との間に形成される各間隙の幅Ｇは、ＢＷＲの運転中において、０．２mm＜Ｇ≦１．０mmの範囲にある０．３mmに保持される。 - 特許庁

To provide a raw material for depositing a thin film, which is a precursor which is used for supplying hafnium to the thin film and to which the properties coincident with those of a CVD raw material are imparted.例文帳に追加

薄膜にハフニウムを供給するプレカーサにおいて、ＣＶＤ原料として合致する性質を付与された薄膜形成用原料を提供すること。 - 特許庁

An etchant that selectively etches an oxide film containing hafnium and silicon, an oxide film containing hafnium and aluminium, an oxide film containing zirconium and silicon, or an oxide film containing zirconium and aluminium with respect to a thermally oxidized film; a method for producing an etching material that etches materials to be etched on which the above oxide films and a silicon oxide film are formed; and the etching material obtained from the method are provided.例文帳に追加

熱酸化膜（THOX）に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜，ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜，ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液；該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法；該方法により得ることができるエッチング処理物。 - 特許庁

(f) Zirconium (containing hafnium contained in the zirconium at a natural ratio), beryllium, magnesium, or alloys thereof with a weight-based purity level of 97 % and in a powder state or more particle diameter of which is 60 micrometers or less 例文帳に追加

ヘ　重量比による純度が九七パーセント以上のジルコニウム（天然の比率でジルコニウムに含まれるハフニウムを含む。）、ベリリウム、マグネシウム又はこれらの合金であって、粒子の径が六〇マイクロメートル未満の粉末状のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The high refractive index layer contains one or more types of ultrafine particles of metal oxide selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, indium oxide, hafnium oxide, tin oxide and niobium oxide.例文帳に追加

また、高屈折率層が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化インジウム、酸化ハフニウム、酸化錫または酸化ニオブ のいずれか１種または２種以上の超微粒子の金属酸化物を含有する上記反射防止体である。 - 特許庁

To provide new photoresists that are particularly useful for ion implant lithography applications and can exhibit good adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride, hafnium silicate, zirconium silicate and other inorganic surfaces.例文帳に追加

ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。 - 特許庁

The advantageous of the carburized zone 28 are particularly remarkable in the case the parts are composed of a superalloy contg. one or more kinds of fire resistant metals such as tantalum, tungsten, molybdenum, rhenium, titanium, chromium, hafnium and zirconium at a relatively high level.例文帳に追加

この浸炭されたゾーンの利点は、部品がタンタル、タングステン、モリブデン、レニウム、チタン、クロム、ハフニウムおよびジルコニウムなどのような耐火金属の１種以上を比較的高レベルで含有する超合金である場合に特に顕著である。 - 特許庁

After the fine semiconductor particles are treated with a metal alkoxide solution where a metal is selected among a group consisting of scandium, yttrium, lanthanoid, zirconium, hafnium, tantalum, gallium, indium, germanium and tin; the dye is adsorbed onto the fine semiconductor particles.例文帳に追加

半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のアルコキシドの水溶液で処理した後、前記半導体微粒子に色素を吸着させることを特徴とする光電変換素子の作製方法。 - 特許庁

After the fine semiconductor particles are treated with a metal halide solution where a metal is selected among a group consisting of scandium, yttrium, lanthanoid, zirconium, hafnium, tantalum, gallium, indium, germanium, and tin; the dye is adsorbed onto the fine semiconductor particles.例文帳に追加

半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のハロゲン化物の水溶液で処理した後、半導体微粒子に色素を吸着させる。 - 特許庁

In the method for producing metal tetra(1-alkylisobutyl alkoxide), a metal halide (wherein a metal is selected from zirconium, hafnium and titanium) and 1-alkylisobutyl alcohol are reacted with each other in a hydrocarbon solvent in the presence of an amine compound.例文帳に追加

金属ハロゲン化物（金属は、ジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムから選ばれる）と１−アルキルイソブチルアルコールとを、アミン化合物の存在下、炭化水素溶媒中で反応させることを特徴とする、金属テトラ（１−アルキルイソブチルアルコキシド）の製造方法。 - 特許庁

The graphite crucible 4 which is disposed on the lower part in a heating furnace body 2 has on its inner face, a coated film 5 comprising the nitride of at least one material selected from hafnium, niobium, zirconium, tungsten, vanadium, molybdenum, rhenium, iridium, ruthenium and osmium.例文帳に追加

加熱炉本体２内の下部に配置される黒鉛るつぼ４の内側面に、ハフニウム、ニオブ、ジルコニウム、タングステン、バナジウム、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムから選ばれる少なくとも１種の材料の窒化物でなる被覆膜５を形成した。 - 特許庁

It is desirable that 0.1-4% by weight ratio of one kind or two kinds or more are contained out of groups made of lanthanum trioxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, barium oxide, thorium dioxide, and lanthanum boride.例文帳に追加

酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化トリウム、硼化ランタンからなる群のうちの１種又は２種以上を重量比で０．１〜４％含有させておくのが好ましい。 - 特許庁

In the tool, the entirety or a tip end part 106 including a pin part 104 is formed by using molybdenum group two-phase alloy comprising a molybdenum phase or molybdenum solid solution and ceramics composed of at least one kind among carbide ceramics of titanium, zirconium and hafnium.例文帳に追加

全体或いはピン部１０４を含む先端部１０６を、モリブデン相またはモリブデン固溶体と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムの炭化物セラミックスのうち、少なくともいずれかの１種類から成るセラミックスとから成るモリブデン基二相合金により形成している。 - 特許庁

A surface-treated layer of hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, or the like is formed in the slide glass which are capable of carrying oligonucleotide or DNA fragments on the surface.例文帳に追加

オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能なスライドグラスにおいて、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とするスライドグラス。 - 特許庁

This thin film has high dielectric constant with respect to silicon dioxide and is a high dielectric constant film formed by containing a) doping metal, b) metal selected from among a group consisting of zirconium(Zr) and hafnium(Hf) and c) oxygen.例文帳に追加

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、ａ）ドーピング金属と、ｂ）ジルコニウム（Ｚｒ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される金属と、ｃ）酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。 - 特許庁

The gold wire for connecting a semiconductor includes one or more elements selected from each of an element group selected from among calcium and rare earth elements, and an element group selected from titanium, vanadium, chrome, hafnium, niobium, tungsten and zirconium, in a limited amount.例文帳に追加

カルシウム、希土類元素から選ばれる元素群と、チタン、バナジウム、クロム、ハフニウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウムから選ばれる元素群から、それぞれ１種以上の元素を限定した範囲で含有する半導体接続用金線である。 - 特許庁

The method comprises the step of providing the substrate (12) comprising cobalt or a cobalt-chromium alloy: an interlayer (16) consisting essentially of at least one of hafnium, manganese, niobium, palladium, zirconium, titanium, or alloys or combinations thereof; and the porous tantalum structure (10).例文帳に追加

本方法は、コバルトまたはコバルトクロム合金を含む基板（１２）と、必須的にハフニウム、マンガン、ニオブ、パラジウム、ジルコニウム、チタンのうち少なくとも１つ若しくはそれらの合金またはそれらの組み合わせからなる中間層（１６）と、多孔性のタンタル構造体（１０）と、を用意する段階を備える。 - 特許庁

The piston ring is formed of a shape memory alloy comprising nickel of 34.7 to 48.5 mol%, at least either zirconium or hafnium of 9 to 22.5 mol%, niobium of 1 to 30 mol%, and the balance titanium with inevitable impurities.例文帳に追加

ピストンリングを、３４．７ｍｏｌ％以上４８．５ｍｏｌ％以下のニッケルと、９ｍｏｌ％以上２２．５ｍｏｌ％以下の、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも一方と、１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下のニオブと、残部のチタンと、不可避的不純物と、からなる形状記憶合金によって形成する。 - 特許庁

A solid substrate which can carry oligonucleotide or a DNA fragment on its surface has a surface treatment layer of a hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, etc., on its surface.例文帳に追加

本発明の固体支持体は、オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能な固体支持体において、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the hard film is characterized by applying the composite sol obtained from a sol containing at least one selected from the group consisting of zirconia, hafnia and a zirconium and/or hafnium-containing lamellar compound, and humic acid on the surface of the substrate.例文帳に追加

ジルコニア、ハフニア並びにジルコニウム及び／又はハフニウム含有層状化合物から成る群より選ばれる少なくとも一種を含むゾルとフミン酸とから得られる複合ゾルを基材表面に塗工することを特徴とする硬質膜の製造方法。 - 特許庁

The granular material is selected from the group consisting of alumina (1), yttria (2), aluminum silicate (3), a rare earth metal element (4), an alkali earth metal element, aluminum, oxygen, yttrium, nitrogen, niobium, tantalum, hafnium, zirconium, carbon, silicon and their mixture.例文帳に追加

この粒状材料は、（１）アルミナ、（２）イットリア、（３）ケイ酸アルミニウム、（４）希土類元素、アルカリ土類元素、アルミニウム、酸素、イットリウム、窒素、ニオブ、タンタル、ハフニウム、ジルコニウム、炭素、およびケイ素のそれぞれの化合物、およびこれらの混合物からなる群から選択される。 - 特許庁

The multilayer structure comprises a plurality of separate layers such having a thickness less than 500 Å, wherein at least one of the layers is based on hafnium dioxide (HfO_2), zirconium dioxide (ZrO_2) or alumina (Al_2O_3).例文帳に追加

各々が５００Å未満の厚さを有する複数の別個の層を備え、前記層の少なくとも１つが二酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、及びアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）に基づくことを特徴とする多層構造体を構成する。 - 特許庁

The present invention can provide the high purity hafnium material containing 1 wt. ppm or lower of zirconium and other impurity elements by a method based on the solvent extraction method using a TBP (tributyl phosphate) solvent, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ＴＢＰ溶媒を用いた溶媒抽出法をベースとした方法によって、ジルコニウムおよびその他不純物元素が１重量ｐｐｍ以下の高純度ハフニウム材料およびその製造方法を提供することができる。 - 特許庁

The electrocatalyst composed of either one or more of metal borate selected from a group composed of tantalum borate, zirconium borate, chromium borate, and hafnium borate, the membrane electrode assembly using this electrode catalyst as an oxygen reduction catalyst, and the solid polymer fuel cell using this membrane electrode assembly are provided.例文帳に追加

ホウ化タンタル、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、及びホウ化ハフニウムからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属ホウ化物からなる電極触媒、この電極触媒を酸素還元触媒として用いた膜電極接合体、及び、この膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

In an exhaust gas cleaning catalyst that cleans an exhaust gas under plasma discharge, the catalyst essentially consists of 2-15 wt.% hafnium oxide, 10-25 wt.% zirconium oxide, 10-25 wt.% manganese oxide, and 20-30 wt.% carbon.例文帳に追加

プラズマ放電下でガスを浄化するガス浄化用触媒において、少なくとも酸化ハフニウムを２〜１５重量％、酸化ジルコンを１０〜２５重量％、酸化マンガンを１０〜２５重量％、炭素を２０〜３０重量％含有することを特徴とする。 - 特許庁

The alloying element is selected from boron (B), carbon (C), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), vanadium (V), manganese (Mn), chrome (Cr), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), hafnium (Hf), bismuth (Bi) and tungsten (W).例文帳に追加

合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。 - 特許庁

The slurry comprises an aqueous solution, a supply source of a rare earth oxide and one or plural transient liquid additives, and the aqueous solution comprises a fluid having the affinity to the supply source of hafnium oxide, the transient fluid additive, the substrate and a deposited layer thereof.例文帳に追加

上記スラリは、水溶液と、希土類元素の酸化物の供給源と、１つまたは複数の一過性の流体状の添加物と、を含み、上記水溶液は、ハフニウム酸化物の供給源や一過性の流体状の添加物や基体およびその堆積層に対して親和性のある流体を含む。 - 特許庁

As the main component of the sterilization durable component, an optical crystal material which contains at least one component of Zr (zirconia), Y (yttrium), Gd (gadolinium), Ta (tantalum), Nb (niobium), La (lanthanum), and (Hf) hafnium, and whose refractive index is ≥1.8 is used.例文帳に追加

前記滅菌耐久性組成物の主成分として、Ｚｒ（ジルコニア），Ｙ（イットリウム），Ｇｄ（ガドリニウム），Ｔａ（タンタル），Ｎｂ（ニオブ），Ｌａ（ランタン），Ｈｆ（ハフニウム）のうち少なくともいずれかの成分を含み、屈折率が１．８以上である光学結晶材料。 - 特許庁

A metallic base material is subjected to overlay coating (for example, MCrAL coating) containing ≥1 kinds of the oxygen active elements (for example, yttrium, hafnium and silicon) by a general overlay process like low-pressure plasma thermal spraying.例文帳に追加

低圧プラズマ溶射といった一般的なオーバーレイプロセスによって、１種類以上の酸素活性元素（例えば、イットリウム、ハフニウムおよびシリコン）を含有するオーバーレイコーティング（例えば、ＭＣｒＡｌコーティング）を金属基材に施す。 - 特許庁

To provide a cathode formed of a high-melting-point metal containing an oxide of a IVa group element represented by zirconium oxide or hafnium oxide, instead of thorium oxide contained tungsten cathode, with an electron emitting material having an improved dispersed condition and an improved electron emission characteristic, and its manufacturing method.例文帳に追加

酸化トリウム入りタングステン陰極に代って、酸化ジルコニウムや酸化ハフニウムなどに代表されるIVａ族元素の酸化物入り高融点金属からなる陰極を用い、電子放出材料の分散状態を改善し、電子放出特性を改善した陰極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diameter Dcd of the electron emitting region CDN is defined by the hafnium layer Hf provided on the surface of the cathode disk CD and is smaller than the electron beam passing hole diameter Dg1 of the first grid G1 that is arranged opposed to the cathode K.例文帳に追加

この電子放出領域ＣＤＮの径Ｄｃｄは、カソードディスクＣＤ表面に設けられたハフニウム層Ｈｆによって規定されるとともに、カソードＫに対向して配置された第１グリッドＧ１の電子ビーム通過孔径Ｄｇ１よりも小さい。 - 特許庁

A tetravalent zirconium compound and/or a tetravalent hafnium compound and any one or more kinds of acidic compounds of sulfonic acids, heteropoly acids and superstrong acids are used as a catalyst in combination to produce the aromatic ester compound from the phenols and aliphatic carboxylic acid.例文帳に追加

４価のジルコニウム化合物及び／又はハウニウム化合物と、スルホン酸、ヘテロポリ酸及び超強酸のうちのいずれか１種以上の酸性化合物とを触媒として併用することで、フェノール類と脂肪族カルボン酸から芳香族エステル化合物を製造する。 - 特許庁

The alloying element is selected from boron (B), carbon (C), manganese (Mn), copper (Cu), yttrium (Y), zirconium (Zr), rhodium (Rh), silver (Ag), cadmium (Cd), ytterbium (Yb), hafnium (Hf), iridium (Ir), platinum (Pt), gold (Au), bismuth (Bi) and thorium (Th).例文帳に追加

前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びトリウム（Ｔｈ）から選択される。 - 特許庁

In the optical element 1 having this sort of configuration, the high refractive index film made of a titanium oxide-based thin film in a thin film for composing the optical multilayer film 3 is formed by titanium oxide containing at least one type selected from zirconium oxide, yttrium oxide, and hafnium oxide.例文帳に追加

このような構成を有する光学素子１において、光学多層膜３を構成する薄膜のうち、酸化チタン系薄膜からなる高屈折率膜は酸化ジルコニウム、酸化イットリウムおよび酸化ハフニウムから選ばれる少なくとも1種を含有する酸化チタンにより形成されている。 - 特許庁

In the first NMIS transistor forming region AreaA of the semiconductor substrate 11, a first NMIS transistor having a gate insulating film 21a made of a metal oxide film like a hafnium oxide film and a gate electrode 22a made of a metal film like a tungsten film is formed.例文帳に追加

半導体基板１１の第１のＮＭＩＳトランジスタ形成領域AreaAには、ハフニウム酸化膜のような金属酸化膜からなるゲート絶縁膜２１ａとタングステン膜のような金属膜からなるゲート電極２２ａを有する第１のＮＭＩＳトランジスタを形成する。 - 特許庁

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, incidental impurities, and optionally hafnium.例文帳に追加

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、随伴不純物と、随意的にハフニウムとである。 - 特許庁

The holding apparatus is further provided with coating materials being formed on a surface of a joint section equivalent to the predetermined clearance between blocks being adjacent to each other of the plurality of blocks and containing at least one metal selected from the group of tungsten, molybdenum, tantalum, niobium, rhenium, hafnium, zirconium and titanium.例文帳に追加

また、前記複数のブロックにおける隣接したブロック同士の、前記空隙に相当する接合部の表面に形成された、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、レニウム、ハフニウム、ジルコニウム及びチタンからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属を含む被覆材を具える。 - 特許庁

The raw material for depositing the thin film contains a new hafnium compound shown by general formula (1) (wherein R^1 is a methyl group; R^2 is a group selected from a methyl group, an ethyl group and an isopropyl group; and n is 1).例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるハフニウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料及び下記一般式（I）において、Ｒ^1がメチル基であり、Ｒ^2がメチル基、エチル基及びイソプロピル基から選ばれる基であり、ｎが１である新規ハフニウム化合物。 - 特許庁

The electrode for the discharge lamp is a porous metal layer 31 formed on the surface of a base metal 30 by sintering fine particles of metal with a high melting point, wherein the porous metal layer 31 is impregnated with hafnium carbide 32.例文帳に追加

本発明の放電灯用電極は、電極となる基体金属３０の表面に、高融点金属よりなる微粒子をポーラス状に焼結した金属ポーラス層３１を形成し、この金属ポーラス層３１に、ハフニウムカーバイト３２が含浸されていることを特徴とする。 - 特許庁

This thermal type sensor having a thin film heater on a diaphragm formed of a silicon oxide film and/or a silicon nitride film is provided with a hafnium oxide layer between the diaphragm formed of the silicon oxide film and/or the silicon nitride film, and the thin type heater.例文帳に追加

シリコン酸化膜及び／あるいはシリコン窒化膜から形成されたダイアフラム上に薄膜ヒータを有する熱型センサにおいて、シリコン酸化膜及び／あるいはシリコン窒化膜から形成される上記ダイアフラムと薄型ヒータとの間に酸化ハフニウム層を有する熱型センサ。 - 特許庁

A PMOSFET is provided with a gate insulating film which is composed of a silicon oxide film 12, a hafnium silicate film 13, and an aluminum oxide film 14; and a gate electrode having a p-type polysilicon film 16 formed on the gate insulating film.例文帳に追加

また、ＰＭＯＳＦＥＴは、シリコン酸化膜１２と、ハフニウムシリケート膜１３と、アルミニウム酸化膜１４とからなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成されたＰ型ポリシリコン膜１６を有するゲート電極とを備える。 - 特許庁

An FET 1 comprises a silicon substrate 3, a seed layer 4 formed of silicon oxide on the silicon substrate 3, a gate insulating film 5 formed of amorphous hafnium aluminate on the seed layer 4, and a gate electrode 6 formed of polysilicon on the gate insulating film 5.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、シリコン基板３と、シリコン基板３上に形成された酸化シリコンからなるシード層４と、シード層４上に形成された非晶質のハフニウムアルミネートからなるゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成されたポリシリコンからなるゲート電極６とを有している。 - 特許庁

This semiconductor device 1 is composed of a field effect transistor provided with the gate electrode 15 through the gate insulated film 14 on a semiconductor substrate 11, and at least the side of the insulated film 14 of the gate electrode 15 is composed of the film containing hafnium and silicon.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムとシリコンとを含む膜からなるものである。 - 特許庁

A second insulating film 8, having a high dielectric constant and obtained by containing deuterium in a thin film containing hafnium such as HfSiON or HfAlO_x at a ratio larger than the ratio of deuterium existing in nature to hydrogen, is used as the gate insulating film of the field effect transistor.例文帳に追加

ＨｆＳｉＯＮまたはＨｆＡｌＯ_ｘなどのハフニウムを含む薄膜に対して、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素を含有させた高誘電率の第２絶縁膜８を電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として使用する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with the capacitor 51 having an MIM structure which consists of a capacitive insulation film 15 formed of an amorphous hafnium oxide, and a top electrode 16 and a bottom electrode 14 which each consist of a metal film and are arranged on both sides of the capacitive insulation film 15.例文帳に追加

非晶質酸化ハフニウムで構成される容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５の両側に配置される、それぞれ金属膜から成る上部電極１６および下部電極１４とを有するＭＩＭ構造のキャパシタ５１を備える。 - 特許庁