「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A clearance 18 through which cooling water flows is formed between the hafnium members 6U, 6L and the sheath 9.例文帳に追加

ハフニウム部材６Ｕおよび６Ｌとシース９の間に、冷却水が流れる隙間部１８が形成されている。 - 特許庁

For the gate dielectric layers 6, 7, zirconium oxide or hafnium oxide is employed as main constituent material.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６、７には主構成材料として酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムが用いられる。 - 特許庁

The gate insulating film 3 has an oxide film which has a higher dielectric constant than that of silicon oxide and contains hafnium.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３は、酸化シリコンよりも誘電率が高く、ハフニウムを含む酸化膜を有している。 - 特許庁

The gate insulating film 11 has an oxide film which has a higher dielectric constant than that of silicon oxide and contains hafnium.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１は、酸化シリコンよりも誘電率が高く、ハフニウムを含む酸化膜を有している。 - 特許庁

Boron carbide 7 fills the neutron absorber packing hole 4, while hafnium 8 is filled within the neutron absorber packing hole 5.例文帳に追加

炭化ホウ素７が中性子吸収材充填孔４内に充填され、ハフニウム７が中性子吸収材充填孔５内に充填される。 - 特許庁

The curable coating material composition includes hafnium, a carboxylic acid containing a double bond in the molecule and a polyfunctional (meth)acrylate compound.例文帳に追加

ハフニウムと、分子内に二重結合を有するカルボン酸と、多官能（メタ）アクリレート化合物とを含有する硬化性塗料組成物である。 - 特許庁

A base insulating film including hafnium and oxygen is formed on a silicon oxide (SiO_2) film formed on a main surface of a substrate.例文帳に追加

基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Also, as a material for the insulation portion, one among silicon nitride, silicon oxynitride, hafnium oxide, and tantalum oxide is used.例文帳に追加

また、絶縁部３０の材料としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化タンタルのうちいずれか１つを用いる。 - 特許庁

CVD RAW MATERIAL COMPOSITION FOR DEPOSITING ZIRCONIUM AND HAFNIUM SILICATE FILM, ITS PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR DEPOSITING SILICATE FILM USING THE SAME例文帳に追加

ジルコニウムおよびハフニウムシリケート膜形成用ＣＶＤ原料組成物とその製法ならびにそれを用いたシリケート膜の製法 - 特許庁

Crevice holding members 10 formed in the sheath 4 is in contact with the lateral faces on both sides of the hafnium member 5U.例文帳に追加

シース４に形成された複数の間隙保持部材１０は、ハフニウム部材５Ｕの両側の側面とそれぞれ接触している。 - 特許庁

HIGH-PURITY TETRAKIS(DIMETHYLAMINO)HAFNIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING GATE INSULATION FILM BY USING THE SAME例文帳に追加

高純度テトラキスジメチルアミノハフニウムとその製造方法およびそれを用いたゲート絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

A plurality of recesses 10 formed in the sheath 6 are individually positioned in contact with the side faces on both sides of the hafnium member 3U.例文帳に追加

シース６に形成された複数の窪み部１０は、ハフニウム部材３Ｕの両側の側面にそれぞれ接触している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing both crystallization and silicidation in an insulating film containing hafnium.例文帳に追加

ハフニウムを含む絶縁膜の結晶化及びシリサイド化の両方を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The blade 2 includes a sheath 9 having a lateral cross-section of a U shape and hafnium members 6U, 6L of a flat elliptical tube.例文帳に追加

各ブレード２は、横断面がＵ字状をしているシース９、扁平な楕円形状の筒であるハフニウム部材６Ｕ，６Ｌを有する。 - 特許庁

Each of the blades 2 has a sheath 6 whose cross section is U-shaped and a hafnium member 3U, a flat cylinder.例文帳に追加

各ブレード２は、横断面がＵ字状のシース６、扁平な筒であるハフニウム部材３Ｕを有する。 - 特許庁

The gate length is subminiaturized by utilizing the easy processability of the tantalum nitride film 6, and the threshold voltage is adjusted by using the hafnium film 26.例文帳に追加

そして、窒化タンタル膜６の加工容易性を利用してゲート長を微細化するとともに、ハフニウム膜２６によりしきい値電圧を調整する。 - 特許庁

The blades 2 each have a sheath 6 having a U-shaped lateral cross-section and hafnium members 3U, 3L of a flattened ellipsoidal tube.例文帳に追加

各ブレード２は、横断面がＵ字状をしているシース６、扁平な楕円形状の筒であるハフニウム部材３Ｕ，３Ｌを有する。 - 特許庁

An insert 21 of hafnium or zirconium inserted into the tip of a cupper holder 22 is extended ahead of the tip face of the copper holder 22.例文帳に追加

銅ホルダ２２の先端部に挿入されたハフニウムまたはジルコニウムのインサート２１が、銅ホルダ２２の先端面より前方に突出している。 - 特許庁

To optimize the threshold voltage of a CMOS transistor using a gate insulating film made of a hafnium-based high dielectric material.例文帳に追加

ハフニウム系高誘電体材料からなるゲート絶縁膜を用いたＣＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を最適化する。 - 特許庁

In the method, hafnium oxide is formed by using a nitrate ligand of a first precursor as an oxidizing agent for a second precursor.例文帳に追加

この方法は、第１のプリカーサのニトレート配位子を、第２のプリカーサのための酸化剤として用いて、酸化ハフニウムを形成する。 - 特許庁

Each of the blades 2 includes a sheath 6 whose cross section is U-shaped and hafnium members 3U and 3L which are flat cylinders.例文帳に追加

各ブレード２は、横断面がＵ字状をしているシース６、扁平な筒であるハフニウム部材３Ｕ，３Ｌを有する。 - 特許庁

A gate insulating film constituted of a natural oxide film 13 and a hafnium oxide 14 is formed on a silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上に、自然酸化膜１３と酸化ハフニウム１４とにより構成されるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Moreover, the similarity between physical properties other than the neutron absorption cross section of zirconium and those of hafnium can prevent thermal stress from appearing.例文帳に追加

また、中性子吸収断面積以外の物性がハフニウムと類似しているため、熱応力の発生を防止することも可能である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently removing a trace element, such as hafnium, from a titanium solution by simple chemical operation.例文帳に追加

簡単な化学操作で効率的に、チタン溶液からハフニウムなどの微量元素を除去する方法を提供することが本発明の課題である。 - 特許庁

A gate insulating film 11 of hafnium oxide as high-dielectric material is deposited a few nm thick on the main surface of a substrate 10.例文帳に追加

まず、基板１０の主面上に、厚さが数ｎｍで高誘電体材料である酸化ハフニウムからなるゲート絶縁膜１１を堆積する。 - 特許庁

COMPOSITION CONTAINING HAFNIUM OXIDE AND SECOND COMPOUND, USE OF THE SAME, DEVICE OF THE SAME AND METHOD OF FORMING DIELECTRIC LAYER ON SUBSTRATE例文帳に追加

Ｈｆ２および第２の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法 - 特許庁

A tie rod 6 has a dovetail groove 42, and the hafnium plate 10 has a tab 43 to be engaged with the dovetail groove 42.例文帳に追加

タイロッド６は、蟻溝４２を有し、ハフニウム板１０は、蟻溝４２に嵌合されるタブ４３を有する。 - 特許庁

The electrode material 2 is made of metal such as hafnium, and a discontinuous part 5 is formed in a prescribed position in the depth direction from the tip end surface 1a.例文帳に追加

電極材２はハフニウム等の金属からなり、先端面１ａから深さ方向の所定位置に不連続部５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a zirconium oxide film and a hafnium oxide film wherein oxygen is hard to be dispersed and a film formation device.例文帳に追加

酸素が拡散しにくい酸化ジルコニウム膜と酸化ハフニウム膜の成膜方法と成膜装置を実現する。 - 特許庁

To especially curb a required amount of hafnium and improve flow properties in a control rod for a nuclear reactor used for a boiling water reactor.例文帳に追加

沸騰水型原子炉に使用される原子炉用制御棒、特にハフニウムの所要量抑制および通水特性の向上等を図る。 - 特許庁

To provide a multifunctional material having a hafnium oxide layer excellent in durability (high hardness, scratch resistance, wear resistance, chemical resistance and heat resistance) as a surface layer.例文帳に追加

表面層として耐久性（高硬度、耐スクラッチ性、耐摩耗性、耐薬品性、耐熱性）に優れた酸化ハフニウム層を有する多機能材を提供する。 - 特許庁

The first gate insulating film 107 contains hafnium and aluminum, and is more concentrated in aluminum at a central portion than at upper and lower portions.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜１０７は、ハフニウム及びアルミニウムを含み、且つ中央部において上部及び下部よりもアルミニウムの濃度が高い。 - 特許庁

To flatten a nuclear lifetime distribution in the shaft direction of a control rod, and to extend the nuclear lifetime of hafnium.例文帳に追加

制御棒軸方向の核的寿命分布を平坦化し、ハフニウムの核的寿命を延長できるようにする。 - 特許庁

The shield region 6 contains a plurality of shield assemblies 11 having a plurality of shielding bars filled with hafnium hydroxide.例文帳に追加

遮蔽体領域６には、水素化ハフニウムを充填した複数の遮蔽棒を有する複数の遮蔽体集合体１１が配置されている。 - 特許庁

The hafnium member 3U is held by a fixing pin 12 mounted on a languet 11U of the handle.例文帳に追加

ハフニウム部材３Ｕがハンドルの舌状部１１Ｕに取り付けられた固定用ピン１２によって保持される。 - 特許庁

Fast neutrons and γ-rays, which have reached the shield region 6 from the core fuel region, are shielded by an action of the hafnium hydroxide.例文帳に追加

炉心燃料領域から遮蔽体領域６に到達した高速中性子及びγ線は、水素化ハフニウムの作用によって遮蔽される。 - 特許庁

There are provided a material and a coating consisting of a zirconia base and/or a hafnium base of high purity for the applications of high-temperature cycle.例文帳に追加

本発明は、高温サイクル用途の高純度ジルコニアベース及び／又はハフニアベースの材料及び被覆を対象とする。 - 特許庁

To ensure the weight reduction and integrity of a control rod by securing the reactivity value of it and restraining the requirement of hafnium.例文帳に追加

制御棒の反応度価値を確保し、ハフニウムの必要量を抑制し、制御棒の軽量化、健全性を確保する。 - 特許庁

A titanium tetrachloride feedstock containing the trace of impurities of zirconium tetrachloride or hafnium tetrachloride is contacted with a sufficient amount of titanium hydride for converting zirconium tetrachloride or hafnium tetrachloride to a low volatility compound.例文帳に追加

痕跡レベルの四塩化ジルコニウム又は四塩化ハフニウム不純物を含有している四塩化チタン供給原料を、四塩化ジルコニウムまたは四塩化ハフニウムをより低揮発性の化合物に変えるのに十分な量の水素化チタンと接触させるようにする。 - 特許庁

To solve the problem that the risk of irradiation assisted stress corrosion cracking (IASCC) becomes higher with long-term irradiation because conventional reactor control rods made of hafnium have stainless sheathes though hafnium as a neutron absorbing member has longer life than boron carbide.例文帳に追加

中性子吸収部材としてのハフニウムはボロンカーバイドよりも長寿命だが、従来のハフニウム製の原子炉制御棒はステンレス製のシースを有しており、長期間の照射に伴ってＩＡＳＣＣのリスクが高くなる。 - 特許庁

The manufacturing method for obtaining the ansa-metallocene derivative represented by general formula (1) comprises using a composite of an ether or an amine, capable of forming a composite with a titanium, zirconium or hafnium atom, with a halide of titanium, zirconium or hafnium.例文帳に追加

本発明の製造方法は、下記一般式（１）で示される、アンサ−メタロセン誘導体の製造方法であって、チタン、ジルコニウム又はハフニウム原子と複合体を形成し得るエーテル類又はアミン類と、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのハロゲン化物との複合体を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The method for separating a specific organic zirconium compound and a specific organic hafnium compound (hereinafter simply referred to as a zirconium compound and a hafnium compound respectively) from each other each having very similar characteristics other than the crystallization characteristics thereof comprises a simple crystallization fractionation step.例文帳に追加

特定の有機ジルコニウム化合物と有機ハフニウム化合物（以下に簡単にジルコニウム化合物とハフニウム化合物とする）であって、他の特性が非常に類似している化合物同士を、互いに簡単な分別結晶によって分離する。 - 特許庁

By using a hafnium nitride precursor and an aluminum precursor, the method is suited for depositing a High-k oxidation hafnium/aluminum oxide nanolaminate dielectric, used for a gate dielectric or a capacitor dielectric on a silicon surface which is subjected to hydrogen terminal treatment.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム／酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

To prevent corrosion or the like by facilitating inflow of water into a sheath, without strongly restraining hafnium plates, to secure moving margin to irradiation elongation of the hafnium plate 10, and to improve the integrity of the sheath.例文帳に追加

ハフニウム板を強く拘束せず、シース内に水が流入し易く腐食等を防止することができ、ハフニウム板１０の照射伸び等に対する移動余裕を確保するとともに、シースの健全性向上等を図ることができるようにする。 - 特許庁

To prevent corrosion by making water easy to flow in a sheath by not restraining a hafnium plate strongly, to secure a margin of movement for irradiation extension etc., of the hafnium plate, and to achieve improvement in soundness of the sheath etc.例文帳に追加

ハフニウム板を強く拘束せず、シース内に水が流入し易く腐食等を防止することができ、ハフニウム板の照射伸び等に対する移動余裕を確保するとともに、シースの健全性向上等を図ることができるようにする。 - 特許庁