「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The thickness of the adsorbing layer 17 is, for example, 100nm to 500nm, and the advsorbing layer 17 consists of getter materials such as titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), tantalum (Ta), niobium (Nb), vanadium (V), barium (Ba), strontium (Sr), calcium (Ca), platinum (Pt), palladium (Pd) or nickel (Ni).例文帳に追加

この吸着層１７は、例えば厚さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、ゲッタリング作用を有する材料、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはニッケル（Ｎｉ）からなる。 - 特許庁

As the adsorbent, at least one type of metal oxide selected from a metal group consisting of a scandium, an yttrium, a titanium, a zirconium, a hafnium, a vanadium, a niobium, a tantalum, a chromium, a molybdenum, a tungsten, an aluminum, a gallium, an indium, a silicon, a germanium, a tin or metal group contained in a lanthanoid series is used.例文帳に追加

ＨＣｌ吸着剤として、スカンジウム，イットリウム，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン，アルミニウム，ガリウム，インジウム，ケイ素，ゲルマニウム，スズ及びランタノイド系列に含まれる金属群の中から選ばれた少なくとも一種以上の金属の酸化物を使用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a hafnium silicate film by an ALD method by supplying and using a material particularly required by the ALD method which has high steam pressure and a small particle size, and readily reacts with an oxygen supply source or a silicon supply source.例文帳に追加

ＡＬＤ法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法に関し、ＡＬＤ法用の原料として特に求められている、蒸気圧が高く、分子サイズが小さく、酸素供給源やケイ素供給源と反応しやすい原料を提供し、且つそれを用いてＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

In a formula (1), M is zirconium or hafnium, X is halogen.例文帳に追加

式中、Ｍはジルコニウム又はハフニウムであり、Ｘはハロゲンであり、Ｒ^１〜Ｒ^５は各々独立に水素、アリール、アルキル、ハロゲン若しくは−Ｓｉ（Ｒ^６）_３であるか、或いは１以上の環の２以上の隣接Ｒ置換基は結合して、非置換であってもよいし又はアリール、アルキル、ハロゲン若しくは−Ｓｉ（Ｒ^６）_３で置換されていてもよい縮合環を形成しているか、又は各環のＲ^１置換基は結合してこれらの環をアンサ橋架けで連結しており、Ｒ^６はアルキル基、置換アルキル基、アリール基又は置換アリール基である。 - 特許庁

This antifouling-processed product includes a metallic substrate and an antifouling coating film, where the metallic substrate comprises aluminum or zinc as a forming material; and the antifouling coating film comprises a first layer containing an alkali silicate and formed on the metallic substrate and a second layer containing at least one kind selected from a zirconium oxide, yttrium oxide, hafnium oxide and rare earth oxide, and formed on the first layer.例文帳に追加

金属基体と、前記金属基体の表面に形成された防汚コーティング膜と、を含み、金属基体は、アルミニウムまたは亜鉛を形成材料とし、防汚コーティング膜は、金属基体上に形成され珪酸アルカリを含む第１層と、第１層上に形成されるとともにジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、ハフニウム酸化物および希土類酸化物から選ばれた少なくとも１種を含む第２層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The organometal complex compound is obtained by reacting a β-diketone compound having an organic group having a photopolymerizable carbon-carbon unsaturated bond with a transition metal alkoxide compound having an atom of one transition metal selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum and tungsten, in such a proportion that the equivalent ratio of a β-diketone structure of the β-diketone compound to the atom of a transition metal is ≥2.例文帳に追加

光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を有するβ-ジケトン化合物と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタルおよびタングステンからなる群より選択されるいずれか１つの遷移金属の原子を有する遷移金属アルコキシド化合物とを、上記遷移金属の原子に対する上記β−ジケトン化合物のβ-ジケトン構造の当量比が２以上となる割合で反応させて得られる有機金属錯体化合物。 - 特許庁

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも１種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。 - 特許庁

The production method of the group III nitride semiconductor layer includes steps of: forming a carbide layer 11 selected from titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide and tantalum carbide on a base substrate 10; growing a group III nitride semiconductor layer 12 above the carbide layer 11; and removing the base substrate 10 by inducing cracks in the group III nitride semiconductor layer 12 to obtain the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む - 特許庁

The semiconductor device includes a first dielectric film 23 provided on a semiconductor substrate 11 and containing lantern aluminum silicon oxide or oxynitride, a second dielectric film 24 provided on the first dielectric film 23 and containing oxide or oxynitride containing at least one of hafnium (Hf), zirconium (Zr), titanium (Ti), and rare-earth metal, and an electrode 14 provided on the second dielectric film 24.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１上に設けられ、かつランタンアルミシリコン酸化物若しくは酸窒化物を含む第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３上に設けられ、かつハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物若しくは酸窒化物を含む第２の誘電体膜２４と、第２の誘電体膜２４上に設けられた電極１４とを含む。 - 特許庁

This catalyst for polymerizing ethylene with an α-olefin is obtained by contacting an olefin polymerization catalyst component comprising a cross-linked bis Cp hafnium compound, a non-cross-linked bis-substituted Cp zirconium compound, and a cross-linked bis Cp zirconium compound, a zinc compound, a R^1OH (R^1 is a halogenated hydrocarbon group), H_2O and silica, and an organic aluminum compound.例文帳に追加

架橋型ビスＣｐハフニウム化合物と、非架橋型ビス置換Ｃｐジルコニウム化合物と、架橋型ビスＣｐジルコニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒成分、亜鉛化合物、Ｒ^1ＯＨ（Ｒ^1はハロゲン化炭化水素基を表す）、Ｈ_2Ｏおよびシリカを接触させて得られる活性化用助触媒成分、ならびに、有機アルミニウム化合物を接触させて得られるエチレンとα−オレフィンとの重合用触媒。 - 特許庁

In this method, a polymer having a repeating unit derived from at least a kind of isoolefin monomer, at least a kind of multiolefin monomer and optionally another copolymerizable monomer is manufactured in the presence of at least a kind of organic nitro compound and AlCl_3/water and in the absence of a compound selected from the group consisting of a vanadium compound, a zirconium halide and a hafnium halide.例文帳に追加

少なくとも１種のイソオレフィンモノマー、少なくとも１種のマルチオレフィンモノマー、および任意にさらなる共重合性モノマーから誘導される反復単位を有するポリマーを、少なくとも１種の有機ニトロ化合物およびＡｌＣｌ_3／水の存在下で製造する方法であって、バナジウム化合物、ジルコニウムハロゲン化物、ハフニウムハロゲン化物からなる群から選ばれる化合物の不存在下で行われる方法。 - 特許庁

A cup electrode 4 of electrode parts 2 at both ends of a cold cathode fluorescent tube 1 uses a tungsten and/or molybdenum substrate containing 4-10 wt% at least one selected from the group comprising lanthanum oxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, hafnium oxide, and barium oxide and furthermore containing 0.05-0.5 wt% at least one of nickel, iron, cobalt, and palladium.例文帳に追加

冷陰極蛍光管１の両端の電極部２のカップ電極４に、タングステン及び／またはモリブデンの基材に、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化ハフニウム及び酸化バリウムからなる群のうちの１種または２種以上を４〜１０ｗｔ％含有し、さらに、重量比で０．０５〜０．５ｗｔ％のニッケル、鉄、コバルト及びパラジウムのうちの１種または２種以上を含有する電極を用いる。 - 特許庁

By varying an area of a pressure sensor, without making the distance between two electrodes constituting a capacitor by inputs change, whereby the output for an input is changed linearly; in addition, by using hafnium oxide having a high dielectric constant and superior insulation properties as the insulating material of the capacitor, a method with the electrostatic capacitance and sensitivity enhanced is provided.An electrostatic capacitance sensor that is manufactured using this method is provided.例文帳に追加

入力によってキャパシタを構成する二つの電極間の距離を変化させずに、圧力センサの面積を変化させることで、入力に対する出力が線形的に変化するとともに、キャパシタの絶縁物質として、高い誘電常数及び優れた絶縁性を有するハフニウム酸化物を用いることで、静電容量及び感度を高められる静電容量型圧力センサの製造方法、及びこれによって製造された静電容量型圧力センサを提供する。 - 特許庁

The cobalt-iron alloy sputtering target material is produced by a melt casting method, and composed of cobalt, iron and an additional metal(s), wherein the cobalt is contained in amount containing the increased leakage flux (PTF), and the additional metal is contained in amount of 8-20 atom% and includes at least one metal selected from tantalum, zirconium, niobium, hafnium, aluminum and chromium.例文帳に追加

本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 - 特許庁

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide.例文帳に追加

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた１種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。 - 特許庁

The conductive refractory to be soaked in molten steel is obtained by compression molding and sintering the metal powder containing tungsten power or tungsten of ≥10 wt.% and remainder of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, rhenium, rhodium, iridium and one or two kinds of platinum making ≥40 mass.% to ≤90 mass.% to total amount, and mixed with one or both of zirconium powder and alumna powder.例文帳に追加

タングステン粉末またはタングステンを10％重量以上含み、残部をチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、レニウム、ロジウム、イリジウム、白金の１種あるいは２種以上とした金属粉末を、質量％で全体の40％以上90％以下として、これにジルコニア粉末とアルミナ粉末のいずれか一方または双方を混合し、圧縮成形したのち焼結した溶鋼浸漬用導電性耐火物。 - 特許庁