「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Renewal nuclear fuel assemblies 130 formed of renewal nuclear fuel rods 131 where Pu obtained by easy reprocessing is filled into the upper part and enriched uranium is filled into the lower part and void reactivity suppress plates 200, and hafnium hydride control rods 101 are loaded in the BWR under operation currently.例文帳に追加

簡易再処理して得られたPuを上部に充填し濃縮ウランを下部に充填してなるリニューアル核燃料棒（１３１）及びボイド反応度抑制板（２００）からなるリニューアル核燃料集合体（１３０）と水素化ハフニウム制御棒（１０１）を現在運転中のBWRに装荷する。 - 特許庁

The display element 11 holds an organic layer 14 including at least an organic light-emitting layer 14c between a negative electrode 15 and a positive electrode 13, at least either of which contains hafnium (Hf: atomic number 72).例文帳に追加

陰極１５と陽極１３との間に、少なくとも有機発光層１４ｃを含む有機層１４を挟持してなる表示素子１１において、陰極１５および陽極１３のうちの少なくとも一方は、ハフニウム（Ｈｆ：原子番号７２）を含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method of producing an FeCr-Al material by gas atomization, in addition to containing iron (Fe), chromium (Cr) and aluminum (Al), the material also contains minor fractions of one or more of molybdenum (Mo), hafnium (Hf), zirconium (Zr), yttrium (Y), nitrogen (N), carbon (C) and oxygen (O).例文帳に追加

ガス噴霧化によるＦｅＣｒＡｌ材料の製造方法であって、その材料は、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）に加えて、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）の１つ以上を微量割合で含んでいる。 - 特許庁

At the time of removing unwanted hafnium content oxides deposited on the inner part of the reactor, it is reaction-removed by mixed gas comprising at least hexafluoroacetylacetone, HF, HCl, HBr, HI, F_2, Cl_2, Br_2, I_2 or ClF_3.例文帳に追加

反応器内部に堆積した不要なハフニウム含有酸化物を除去するに際し、ヘキサフルオロアセチルアセトンと、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｆ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、またはＣｌＦ_３とを少なくとも含む混合ガスで反応除去する。 - 特許庁

To reduce interface level density on an interface between a silicon substrate and a gate insulating film, and to improve the mobility of a carrier on the gate insulating film in a field effect transistor provided with the gate insulating film, consisting of a high dielectric film containing hafnium.例文帳に追加

ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高めることにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus which is as good in mobility as a Poly-Si electrode conventionally used, by forming at least a part of a gate electrode which is in contact with a gate insulating film with a film that contains hafnium and nitrogen, and making the composition ratio of nitrogen contained in the film adequate.例文帳に追加

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムと窒素とを含む膜で形成し、そのハフニウムと窒素とを含む膜中の窒素を適性な組成比にすることで、従来から用いられているＰｏｌｙ−Ｓｉ電極とほぼ同レベルの良好な移動度を得ることを実現する。 - 特許庁

The coating film 20 contains aluminum, and further, it may contain silicon, and adequately contains niobium, titanium, hafnium, and/or chromium, and one or more intermetallic compound phase in which oxide scales 26 slowly grow is formed of the composition consisting of these elements.例文帳に追加

皮膜２０は、アルミニウムを含有しており、さらにケイ素を含んでいてもよく、適宜ニオブ、チタン、ハフニウム及び／又はクロムを含有しており、これらからなる組成物によって、酸化物スケール２６が緩やかに成長する１つ以上の金属間化合物相が形成される。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold cathode discharge tube which has both spattering resistance and deep drawing performance without using rare metal(e.g. molybdenum(Mo), niobium(Nb), vanadium(V), titanium(Ti), zirconium(Zr), hafnium(Hf) and chromium(Cr)) except nickel substantially.例文帳に追加

ニッケル以外の希少金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、クロム（Ｃｒ）、等）を実質的に用いることなく、耐スパッタ性と深絞り加工性とを両立できる冷陰極放電管用電極を提供する。 - 特許庁

A high dielectric film hk1 mainly composed of hafnium and oxygen, and a pMIS cap film Cp1 mainly composed of a first metal and oxygen and including more first metal than a stoichiometric composition are formed on a silicon substrate 1 in this order.例文帳に追加

シリコン基板１上に、順に、ハフニウムおよび酸素を主体とする高誘電体膜ｈｋ１と、第１金属および酸素を主体とし、化学量論的組成よりも多くの第１金属を含むｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１を形成する。 - 特許庁

To increase negative fixed charges and to increase the hole accumulation effect to a photodiode surface of a solid-state imaging apparatus by making it possible to perform treatment at a temperature higher than the conventional crystallization heat treatment temperature of a hafnium oxide film and increasing crystallinity.例文帳に追加

本発明は、従来の酸化ハフニウム膜の結晶化熱処理温度よりも高温での処理を可能にして、結晶性を高めることで負の固定電荷を増大させ、固体撮像装置のフォトダイオード表面への正孔蓄積効果を高めることを可能にする。 - 特許庁

In this control rod for a reactor used for output control of a boiling water reactor, and including a sheath for storing a neutron absorber and a tie rod for holding the sheath with a cross-shaped cross section, the neutron absorber is mainly composed of a hafnium oxide.例文帳に追加

本発明では、沸騰水型原子炉の出力制御に用いられ、中性子吸収体を収容するシースと、このシースを横断面十字状に保持するタイロッドとを備えた原子炉用制御棒において、中性子吸収体は、ハフニウム酸化物を主要な中性子吸収材とするようにした。 - 特許庁

The method includes a composite formation process A for forming composites 24 and 25 by coating the surface of a hafnium plate material 21 with zircalloys 22 and 23 and a quenching process B for quenching the composites 24 and 25 at a temperature equal to or higher than the α-β transformation temperature of the zircalloys 22 and 23.例文帳に追加

ハフニウム板材２１表面を、ジルコニウム合金２２、２３で被覆し複合材２４、２５を形成する複合材形成工程Ａと、前記複合材に対して前記ジルコニウム合金のα−β変態温度以上の温度での焼入れを行う焼入れ工程Ｂと、から成ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of solving the problem wherein a semiconductor device is reduced in dielectric strength due to a bonding failure, using a high-dielectric constant film formed of a hafnium oxide as a new material for a high-dielectric constant film used for a gate insulating film without increasing a film in thickness in terms of an silicon oxide film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜用の高誘電率膜の新材料としてハフニウム酸化物を用いた高誘電率膜を用いつつ、シリコン酸化膜換算膜厚の増大を招くことなく、結合欠陥による絶縁耐性の低下という問題を解消する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hafnium silicide target having reduced generation of particles and rich embrittlement resistance, and suitable for forming a HfO_2-SiO_2 film that may be used as a high dielectric gate insulation film having a characteristic alternative to that of a SiO_2 film, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、パーティクルの発生のすくない耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Japanese lacquer-coated article has an undercoat, which is formed by coating the primer consisting of a mixture of the persimmon juice and the organometallic compound (wherein the metal means titanium, zirconium or hafnium) on an article to be coated, and a Japanese lacquer coating film formed on the undercoat.例文帳に追加

また、本発明の漆塗装物は、柿渋及び有機金属化合物（但し、金属はチタン、ジルコニウム又はハフニウムである）の混合物からなる下塗剤を被塗装物に塗布して形成した下地及び該下地上に形成された漆塗膜を有する。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

To provide a control rod for a reactor capable of showing excellent functions on a clevis countermeasure of a hafnium-stainless steel in a tip structure part, a rigidity mitigation countermeasure of a flat tube or the like, and a sheath impact body countermeasure at an earthquake time or the like, and heightening safety from water-chemical and mechanical viewpoints.例文帳に追加

先端構造部におけるハフニウム・ステンレス鋼のクレビス対策、フラットチューブ等の剛性漢和対策、地震時等におけるシー衝撃体対策に優れた機能を発揮できる、水化学的および力学的面からの安全性を高めることができる原子炉用制御棒を提供する。 - 特許庁

A high dielectric film such as a hafnium oxide film is formed on a semiconductor substrate (step S1); then ozone treatment or oxygen radical treatment is performed to the high dielectric film, in which the film is exposed to an ozone atmosphere or an oxygen radical atmosphere at a low temperature of about 100 to 250°C (step S2).例文帳に追加

半導体基板に、酸化ハフニウム膜などの高誘電体膜を形成した後（ステップＳ１）、この高誘電体膜に対し、温度１００℃から２５０℃程度の低温下でオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒すオゾン処理または酸素ラジカル処理を行う（ステップＳ２）。 - 特許庁

This phase changing optical recording medium has a recording film, by irradiating light over which a reversible phase change occurs between a crystalline structure and an amorphous structure, and an interfacial film, which is formed in contact with at least one side of the recording film and is made of a compound including Hf (hafnium), O (oxygen) and N (nitrogen).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の面に接して形成された、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏ（酸素）およびＮ（窒素）を含有する化合物からなる界面膜とを有することを特徴とする相変化光記録媒体。 - 特許庁

By the addition of hafnium in an amount ranging from >0 to 5.0 wt.%, particularly in a large amount ranging from 0.15 to 5.0 wt.%, the melting point can be raised and also solid-solution strengthening can be attained, and heat resistance such as creep rupture strength can be improved.例文帳に追加

これによれば、ハフニウムを０＜〜５．０重量％の範囲、特に０．１５〜５．０重量％の多量の添加によって融点が上昇するとともに、固溶強化が図られ、クリープラプチャー強度など耐熱特性の向上を図ることができる。 - 特許庁

Powder of the composition composed of HfSi_0.82-0.98 is synthesized, pulverized to be 100 mesh or less, and thereafter subjected to hot pressing or hot isostatic pressing (HIP) at 1,700°C to 2,120°C and 150 to 2,000 kgf/cm^2, thereby the hafnium silicide target for forming a gate oxide film is manufactured.例文帳に追加

ＨｆＳｉ_０．８２−０．９８からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 - 特許庁

This alloy has a composition consisting of, by weight, 2-7% rhenium, 0.5-5.0% molybdenum, 2.0-6.0% tungsten, 0-5.0% chromium, 3.0-6.0% aluminum, 3.0-8.0% tantalum, >0-5.0% hafnium, and the balance nickel with incidental impurities.例文帳に追加

レニウム：２〜７重量％と、モリブデン：０．５〜５．０重量％と、タングステン：２．０〜６．０重量％と、クロム：０〜５．０重量％と、アルミニウム：３．０〜６．０重量％と、タンタル：３．０〜８．０重量％と、ハフニウム：０＜〜５．０重量％と、残部のニッケルおよび偶発的不純物とからなる。 - 特許庁

To obtain a highly integrated high-performance element by simplifying the manufacturing process of the element, using an ultra thin hafnium oxide (HfO_2) or ZrO_2 film formed in sol-gel method for the gate insulating film of a transistor which serves as a base in the element and improving the characteristics of the insulating film.例文帳に追加

高集積化が著しいシリコン（Si）素子（ULSI）において、ベースとなるトランジスタのゲート絶縁膜にゾルゲル法で作製した酸化ハフニウム（HfO_2）やZrO_2超薄膜を使用し、製造プロセスを簡略化し、かつ絶縁膜特性の向上により、高性能の高集積化素子（ULSI）を実現する。 - 特許庁

To improve the neutron irradiation for structural materials, especially sheaths, and hafnium as a neutron absorbing element, the flow of coolant and the behavior characteristics in terms of the strength, water permeability and stretchability in each region of a control rod over an operation cycle from the start through the stop of operation.例文帳に追加

構造材、特にシースと中性子吸収要素であるハフニウムとの中性子照射、冷却材の流れ、および運転開始から停止までの運転サイクルを通じて、制御棒の各部位における強度的な挙動特性、通水性および伸縮性等を向上する。 - 特許庁

The capacitor is laminated with a lower electrode 21, a mixed dielectric film 22, and an upper electrode 23 in that order, and is equipped with the mixed dielectric film where the hafnium oxide 22B and the aluminum oxide 22A are mixed, in a portion where the mixed dielectric film 22 is adjacent to the upper electrode 23 or the lower electrode 21.例文帳に追加

下部電極２１、混合誘電膜２２及び上部電極２３の順で積層されたキャパシタであって、混合誘電膜２２が、上部電極２３または下部電極２１と接する部分に、酸化ハフニウム２２Ｂと酸化アルミニウム２２Ａとが混合された混合誘電膜を備える。 - 特許庁

To provide an etching solution which does not damage polycrystal Si(poly-Si) and a Si oxide film (SiO_2), has a highly selective etching rate to a hafnium oxide film of a hardly-soluble high-dielectric material used as a gate insulation film, and does not include hydrofluoric acid.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、Ｓｉ酸化膜（ＳｉＯ_２）などにダメージを与えることなく、ゲート絶縁膜として用いられる難溶性の高誘電体材料であるハフニウム酸化膜等に対する選択エッチチングレートが大きく、なおかつフッ酸を含まないエッチング液を提供する。 - 特許庁

This films 2 of a 1st dielectric and thin films 3 of a 2nd dielectric whose refractive index is different from that of the 1st dielectric are alternately formed and a thin film of hafnium oxide is formed on the top of the resulting dielectric multilayer thin film to obtain the objective optical dielectric multilayer thin film.例文帳に追加

互いに光屈折率を異にする第１の誘電体薄膜２と第２の誘電体薄膜３を交互に成膜して形成した誘電体多層薄膜の最上層に酸化ハフニウム薄膜を成膜形成した光学誘電体多層薄膜。 - 特許庁

The composite material 10 having a refractive index n_COM of not less than 1.60 and an Abbe number ν_COM of not less than 20 and establishing the relationship of the formula: n_COM≥1.8-0.005 ν_COM is obtained by dispersing inorganic substance particles 11 containing at least hafnium oxide into a resin 12.例文帳に追加

酸化ハフニウムを少なくとも含む無機物粒子１１を樹脂１２に分散させることにより、屈折率ｎ_ＣＯＭが１．６０以上、アッベ数ν_ＣＯＭが２０以上であり、かつ の関係が成立するコンポジット材料１０を得る。 - 特許庁

The recording medium is the phase change optical recording medium comprising a phase change optical recording film (4), on which reversible phase changes occur between a crystalline substance and an amorphous substance due to irradiation by light, and an interface films (3a, 3b), containing hafnium oxide formed in contact with at least one of the planes for the phase change recording film (4).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす相変化光記録膜（４）と、相変化光記録膜（４）の少なくとも一方の面に接して形成されたハフニウム酸化物を含有する界面膜（３ａ、３ｂ）とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

This production method includes: forming a laminate film in which an insulating film 13 containing hafnium is formed above a silicon layer 11 and a polysilicon layer 14 is formed on the insulating film 13; and subjecting the laminate film to heat treatment in an atmosphere produced by mixing oxygen with nitrogen and having a total pressure substantially equal to a partial pressure of the above nitrogen.例文帳に追加

シリコン層１１の上方にハフニウムを含む絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の上にポリシリコン層１４が形成された積層膜を形成し、積層膜を酸素と窒素が混合され、全圧が前記窒素の分圧にほぼ等しい雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

On the high dielectric layer HK1, an oxygen supply layer HK2, which is made of hafnium oxide deposited by an ALD method and is thinner than the high dielectric layer HK1, is formed, a cap layer CL made of tantalum nitride is formed, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated.例文帳に追加

次いで、高誘電体層ＨＫ１上に、ＡＬＤ法によって堆積された酸化ハフニウムから構成され、かつ、高誘電体層ＨＫ１より薄い酸素供給層ＨＫ２を形成し、さらに、窒化タンタルから構成されるキャップ層ＣＬを形成した後、基板ＳＵＢの主面を熱処理する。 - 特許庁

xxxi) Metals, waste, or scraps of zirconium or zirconium alloys (limited to alloys with a zirconium content exceeding 50% of the total weight), or zirconium compounds (limited to those with a hafnium content level less than 1/500 the zirconium content level), and primary or semi-finished products thereof (excluding leaf with a thickness 0.1 millimeters or less 例文帳に追加

三十一　ジルコニウム若しくはジルコニウム合金（ジルコニウムの含有量が全重量の五〇パーセントを超えるものに限る。）の地金若しくはくず若しくはジルコニウム化合物（ハフニウムの含有量がジルコニウムの含有量の五〇〇分の一未満のものに限る。）又はこれらの半製品若しくは一次製品（厚さが〇・一ミリメートル以下のはくを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor.例文帳に追加

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

An epoxide is made to react with carbon dioxide in the presence of at least one catalyst selected from mixtures of one or more compounds selected from scandium alkoxides, scandium halides and scandium triflate and one or more compounds selected from metal alkoxides, metal halides and metal halide alkoxides of titanium, zirconium, hafnium or cerium.例文帳に追加

スカンジウムアルコキシド、スカンジウムハロゲン化物及びスカンジウムトリフラートの一種又は二種以上の化合物とチタン、ジルコニウム、ハフニウム及びセリウムから選ばれる金属の金属アルコキシド、金属ハロゲン化物、金属ハロゲン化物アルコキシドの一種又は二種以上の化合物の混合物から選ばれる少なくとも一つの触媒の存在下で、エポキシドと二酸化炭素を反応させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a II-VI compound semiconductor phosphor precursor is provided by which the precursor is obtained by continuously mixing an aqueous alkali metal sulfide solution containing at least one sulfide selected from the group consisting of sulfides of lanthanoids, iridium sulfide, gold sulfide and hafnium sulfide with an aqueous solution containing a group II metal salt.例文帳に追加

ランタノイド元素硫化物、硫化イリジウム、硫化金、及び硫化ハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種を含むアルカリ金属硫化物水性液とII族金属塩を含む水溶液を連続的に混合して得られるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体蛍光体前駆体の製造方法が提供される。 - 特許庁

The light-absorbing resin composition for laser welding comprises a polymer dispersing agent having a glass transition temperature of 30°C or higher and laser beam-absorbing particulates, wherein the laser beam-absorbing particulates are nitride particulates selected from titanium nitride, zirconium nitride, hafnium nitride, vanadium nitride, niobium nitride and tantalum nitride.例文帳に追加

３０℃以上のガラス転移温度を持つ高分子分散剤と、レーザー光吸収微粒子とを含有するレーザー溶着用光吸収樹脂組成物であって、レーザー光吸収微粒子が、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタルから選択される窒化物微粒子である。 - 特許庁

A novel continuous gas phase polymerization process for producing polyethylene or interpolymers of ethylene and at least one other olefin is provided wherein a non-aromatic halogenated hydrocarbon(s) is used in a predetermined amount such that the activity of the titanium, zirconium and/or hafnium containing Ziegler-Natta catalyst is increased.例文帳に追加

ポリエチレン及びエチレンと少なくとも１種の他のオレフィンとの共重合体を製造するための新規連続気相重合法を提供し、この方法においては、チタン、ジルコニウム及び／又はハフニウムを含むチーグラー・ナッタ触媒の活性を増加するような規定量の非芳香族ハロゲン化炭化水素を使用する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the capacitor 3 having a storage electrode 4 formed of tantalum (Ta), titanium (Ti), aluminum (Al), zirconium (Zr), or hafnium (Hf), or a combination of two or more of these elements, and the dielectric layer 5 formed by radical oxidation or radical nitriding of the storage electrode.例文帳に追加

タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のいずれか、またはこれらの２種以上の組合せにより構成された蓄積電極４と、この蓄積電極のラジカル酸化またはラジカル窒化により形成された誘電体層５と、を有するキャパシタ３を具備している半導体装置１。 - 特許庁

Using a hafnium metallocene-type catalyst where a substituent on a bulky ligand or a moiety is the substituent having three or more non-hydrogen atoms, preferably three or more carbon atoms, more preferably an alkyl substituent, for example n-propyl or n-butyl, the ethylene copolymer is produced and the film is produced using the resin.例文帳に追加

嵩高な配位子又は部分上の置換基が、３個以上の非水素原子、より好ましくは３個以上の炭素原子を有する置換基、好ましくはアルキル置換基、たとえばｎ−プロピル又はｎ−ブチル基である場合のハフニウムメタロセン型触媒を使用することによってエチレンコポリマーを製造し、該樹脂を使用してフィルムを製造する。 - 特許庁

The molten silicate-resistant material layer may be formed by oxide of at least one material selected from a group composed of lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, scandium, indium, zirconium, hafnium, and titanium or be formed by gadolinia-stabilized zirconia.例文帳に追加

溶融ケイ酸塩耐性の層は、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、スカンジウム、インジウム、ジルコニウム、ハフニウムおよびチタニウムからなる群から選択された少なくとも１つの材料の酸化物から形成されるか、あるいは、ガドリニア安定化ジルコニアから形成されてもよい。 - 特許庁

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel.例文帳に追加

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。 - 特許庁

The mask material used in dry etching magnetic materials with mixed gas of carbon monoxide and a compound including nitrogen is characterized in consisting of a metal (either of tantalum, tungsten, zirconium, or hafnium) of which the melting point or the boiling point rises when the material changes into a nitride or a carbide.例文帳に追加

一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属（タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか）からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材によって課題を解決した。 - 特許庁

Then impurities are introduced in source-drain regions 12 and 13, and annealing processing for activating those impurities is used to diffuse aluminum contained in the aluminum-containing titanium nitride film 8 up to an interface between the silicon oxide nitride film 5 and hafnium nitride silicate film 7 in the pMOS region R_pMOS.例文帳に追加

次に、ソース・ドレイン領域１２及び１３に不純物を導入し、これらの不純物を活性化させるアニール処理を利用して、アルミニウム含有窒化チタン膜８中に含まれるアルミニウムを、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳにおけるシリコン酸窒化膜５と窒化ハフニウムシリケイト膜７との界面まで拡散させる。 - 特許庁

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium.例文帳に追加

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。 - 特許庁