「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The quatz-type glass contains SiO_2 of 51 mass% or more and which further contains at least one sort selected from the group consisting of lanthanum, aluminum, hafnium, nitrogen, scandium, yttrium and zirconium.例文帳に追加

ＳｉＯ_２を５１質量％以上含有し、且つ、ランタン、アルミニウム、ハフニウム、窒素、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウムのいずれかを１種類以上含有する石英系ガラス。 - 特許庁

The thin film contains zirconium oxide or hafnium oxide and crystallized titanium oxide and retains a contact angle to water of 40° or larger on irradiation with light.例文帳に追加

酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウム及び結晶化した酸化チタンを含む薄膜であって、光照射に対し、水に対する接触角が４０°以上を維持することを特徴とする薄膜である。 - 特許庁

To provide noncombustible etching compound for selectively etching non-easily soluble hafnium oxide without giving damage on the other semiconductor material.例文帳に追加

難溶性の酸化ハフニウムを、他の半導体材料にダメージを与えることなく、選択的にエッチングできる不燃性のエッチング組成物を提供する。 - 特許庁

A metallocene transition metal compound, e.g., dichloro{1,1'-dimethylsilylene(2,3,5-trimethylcyclopentadienyl)(2-methyl-4-phenyl-4H-azulenyl)}hafnium becomes a catalyst having the characteristics described above.例文帳に追加

メタロセン系遷移金属化合物、例えば、ジクロロ｛１，１’−ジメチルシリレン（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）（２−メチル−４−フェニル−４Ｈ−アズレニル）｝ハフニウムが上記特性を持つ触媒となる。 - 特許庁

The capacitor insulating film for use as an insulating film sandwiched between two electrodes is made of a crystal containing a hafnium element in a titanium site in place of a portion of titanium elements contained in a crystal of a strontium titanate or barium strontium titanate.例文帳に追加

２つの電極の間に挟まれて用いられるキャパシタ用絶縁膜を、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムストロンチウムのチタンサイトの一部がハフニウム元素で置換された結晶から形成する。 - 特許庁

The gate electrode 9a is constituted of a tantalum nitride film 6 formed directly on the gate insulating film 5 and a hafnium film 26 formed on the tantalum nitride film 6.例文帳に追加

ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。 - 特許庁

To provide a method for obtaining metallic zirconium from a zirconium compound containing hafnium, with a few numbers of steps and a process of producing a small amount of secondary waste.例文帳に追加

工程数が少なく、二次廃棄物の発生量が少ない方法で、ハフニウムを含むジルコニウム化合物から金属ジルコニウムを得る製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicate hafnium formation can be performed at a high speed and/or at a low temperature by allowing the catalyst to concurrently flow through the separate inlets or performing catalyst steeping.例文帳に追加

触媒を別々の入口を通して並流させるか、あるいは触媒浸漬を行うことによって、ケイ酸ハフニウム形成を高速及び/又は低温で進めることができる。 - 特許庁

To provide a novel production method for high-purity zirconium, hafnium, tantalum and niobium alkoxides (alcoholates) M(OR)_x; and to provide new tantalum and niobium compounds and their production.例文帳に追加

高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド（アルコレート）Ｍ（ＯＲ）_Ｘの新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This article equipped with a base body containing silicon and an anti-environment barrier coating, is equipped with specifically a barrier layer of hafnium silicate, and selectively of zirconium silicate.例文帳に追加

ケイ素含有基体と、耐環境障壁コーティングとして機能するバリヤ層と、を備えてなる物品に関し、特にバリヤ層はケイ酸ハフニウム、および選択的にケイ酸ジルコニウムを備える。 - 特許庁

These methods are for the formation of a field-effect semiconductor device constituted by a zirconium oxynitride (or hafnium) silicon gate dielectric of a high permittivity and a method for forming the same.例文帳に追加

誘電率の高いオキシ窒化ジルコニウム（又はハフニウム）シリコン・ゲート誘電体で構成される電界効果半導体デバイス並びにそれを形成する方法を開示した。 - 特許庁

A dielectric layer 21-1 is provided on the metal layer 19-1 and the dielectric layer 21-1 includes a silicon oxide film, a silicon nitride, a silicon oxynitride, a hafnium oxide, a tantalum oxide and the like.例文帳に追加

誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 - 特許庁

The both end parts of a heating conductor are respectively combined with one of sleeves by a metal brazing material containing at least one metal selected from titanium, zirconium, and hafnium.例文帳に追加

加熱導体の両端部がそれぞれ、チタン、ジルコニウムまたはハフニウムの少なくとも１つの金属を含有する金属ロウによってスリーブの１つと結合されている。 - 特許庁

The blades 9 consist of a clad metal which has a blade outer shell layer 15 made of the zircalloy material and a neutron absorbing element layer 16 made of the hafnium material.例文帳に追加

このブレード９はジルカロイ材から成るブレード外殻層１５と、ハフニウム材から成る中性子吸収要素層１６とを有するクラッド材から構成される。 - 特許庁

To provide a method for thermodynamically removing oxide on a copper surface, using hafnium as a barrier material, after via-etching in a manufacturing method of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、バイアエッチング後に、バリヤー材料としてハフニウムを使用して銅表面上の酸化物を熱力学的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of a hafnium oxide- or zirconium oxide-based material, an aqueous solution containing a fluorine compound and organic acid is used as the etchant.例文帳に追加

下層基板上に形成された酸化ハフニウム、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物及び有機酸を含む水溶液を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which cubic, tetragonal or orthorhombic hafnium oxide can be formed without mixing impurities, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

不純物を混ぜなくても立方晶（ｃｕｂｉｃ）、正方晶（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）又は斜方晶（ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ）のハフニウム酸化物を形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

An outer layer (22) comprises a product obtained by doping an oxide of a group IV metal chosen from the group consisting of zirconium oxide, hafnium oxide and a combination thereof with an effective amount of a lanthanide series oxide.例文帳に追加

外側層（２２）は、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及びその組合せからなる群から選択される第ＩＶ族金属の酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープしたものからなる。 - 特許庁

There is provided the production method comprising reacting a phthalic anhydride compound with trichloromethylbenzene compound in the presence of a zirconium compound and/or hafnium compound to produce the phthalic acid dichloride compound.例文帳に追加

ジルコニウム化合物および／またはハフニウム化合物の存在下、無水フタル酸化合物とトリクロロメチルベンゼン化合物とを反応させて、フタル酸ジクロリド化合物を生成させるフタル酸ジクロリド化合物の製造方法。 - 特許庁

This electron emission source 20 is formed into an acute shape, and a hafnium carbide thin film 22 is formed on an electron emission part 23 formed of the tip of the source.例文帳に追加

本発明の電子放出源２０は尖形にされており、その先端部分からなる電子放出部２３に炭化ハフニウム薄膜２２が形成されている。 - 特許庁

The oxide composite film contains desirably the titanium oxide (A) and the zirconium oxide and/or hafnium oxide (B) in a ratio of A:B=1:0.01-1:0.5 in a mole ratio.例文帳に追加

該酸化物複合膜は、酸化チタン（Ａ）と、酸化ジルコニウムおよび／または酸化ハフニウム（Ｂ）とが、モル比でＡ：Ｂ＝１：０．０１〜１：０．５の割合で含有されていることが望ましい。 - 特許庁

An etchant containing a hydrofluoric acid, a polyhydric carboxylic acid, and a hydrogen peroxide solution dissolves the zirconium oxide and/or hafnium oxide without damaging other semiconductor materials, such as the silicon oxide, silicon, etc.例文帳に追加

フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを溶解することができる。 - 特許庁

To provide a nickel-base single crystal superalloy capable of raising the melting point and improving heat resistance such as creep rupture strength by adding hafnium whose addition as strengthening element in large amounts is unprecedented.例文帳に追加

これまで強化元素として多量に添加された例のないハフニウムを多量に添加することで融点を上昇し、クリープラプチャー強度など耐熱性の向上を図ることができるニッケル基単結晶超合金を提供すること。 - 特許庁

To provide a technology of improving reliability of an MISFET in a semiconductor device having an MISFET where an insulating film containing hafnium is used in the gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜にハフニウムを含む絶縁膜を使用したＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor with a less leakage current by restraining crystallization of a capacitive insulating film consisting of hafnium oxide and preventing deterioration of the capacitive insulating film caused by chlorine contained in an electrode.例文帳に追加

酸化ハフニウムから成る容量絶縁膜の結晶化を抑制し、且つ、電極に含有される塩素に起因する容量絶縁膜の劣化を防止して、リーク電流が小さなキャパシタを提供する。 - 特許庁

The amorphous hafnium oxide is formed by so-called ALD method wherein, after low temperature adsorption of vapor phase reaction products in sequence, the vapor phase reaction products are deposited by low temperature oxidation.例文帳に追加

非晶質酸化ハフニウムは、気相反応物を順次に下部電極１４上に低温吸着後、低温酸化することにより堆積させる方法、いわゆるＡＬＤ法で形成される。 - 特許庁

The translucent yttrium oxide sintered compact contains yttrium oxide as a main component, and hafnium, wherein the linear transmittance in visible wavelength ranging from 400 nm to 6 μm excluding the specific absorption wavelength is ≥70% when the thickness is 1 mm.例文帳に追加

酸化イットリウムを主成分として、ハフニウムを含有し、波長５００ｎｍ〜６μｍにおける、特異吸収波長以外での、直線透過率が厚さ１mmで７０％以上である透光性酸化イットリウム焼結体である。 - 特許庁

The ceramics preferably contain at least one type of oxide selected from the group consisting of Y_2O_3, MgO, CaO, TiO_2 and lanthanoid oxide as a stabilizer of a hafnium oxide phase of a main component.例文帳に追加

また上記セラミックスが、主成分である酸化ハフニウム相の安定化剤としてＹ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ_２、ランタノイド酸化物から選択される少なくとも一種の酸化物を含有することが好ましい。 - 特許庁

The introduced oxygen atoms 7a, 7b react to residual impurities existent in the hafnium oxide film, and reaction products produced in this reaction are released to the outside through grain boundaries of the platinum film 6.例文帳に追加

導入された酸素原子７ａ、７ｂは、酸化ハフニウム膜中に存在する残留不純物と反応し、この反応で生成された反応生成物がプラチナ膜６の粒界を通って外部に放出される。 - 特許庁

The gate insulating film 5 is set such that the concentration of hafnium decreases monotonously and the concentration of aluminium increases monotonously from the silicon substrate 3 side toward the gate electrode 5 along the thickness direction.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５は、厚さ方向に沿ってシリコン基板３側からゲート電極５へ向けて、ハフニウム濃度が単調減少し、アルミニウム濃度が単調増加するように設定されている。 - 特許庁

An application of the method, particularly thin films of ZnSnTiOx (zirconium-tin- titanate, namely ZTT) and HfSnTiOx (hafnium-tin-titanate, namely HTT) are well studied.例文帳に追加

本方法の適用、特にＺｒＳｎＴｉＯｘ（ジルコニウム・スズ・チタネート、すなわちＺＴＴ）およびＨｆＳｎＴｉＯｘ（ハフニウム・スズ・チタネート、すなわちＨＴＴ）薄膜がうまく研究されている。 - 特許庁

The method for producing the sapphire single crystal comprises providing a heat insulating material 5 containing hafnium oxide in an amount of ≥10 wt.% in the vicinity of an iridium crucible 3 and pulling the sapphire single crystal from a sapphire melt 1.例文帳に追加

酸化ハフニウムを１０重量％以上含む断熱材５をイリジウムるつぼ３付近に使用してサファイア融液１からサファイア単結晶を引上げるサファイア単結晶の製造方法。 - 特許庁

This multilayer structure is constituted of a plurality of different layers, each has a thickness of less than 500 Å, and some layers of a plurality of layers are based on aluminum, hafnium, and oxygen.例文帳に追加

各々が５００Å未満の厚さを有する複数の別個の層を備え、前記層の幾つかがアルミニウム、ハフニウム、及び酸素に基づくことを特徴とする多層構造体を構成する。 - 特許庁

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The n-type MIS transistor Q_1 has a gate electrode 24a across a gate insulating film 5a, and a hafnium silicide film 23 is formed on the gate electrode 24a.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1には、ゲート絶縁膜５ａを介してゲート電極２４ａが形成されており、このゲート電極２４ａは、ハフニウムシリサイド膜２３から構成されている。 - 特許庁

The primer for the Japanese lacquer coating consists of persimmon juice and an organometallic compound (wherein the metal means titanium, zirconium or hafnium) mixed into the persimmon juice at the time of use.例文帳に追加

本発明の漆塗装の下塗剤は、柿渋と使用時に該柿渋に混合される有機金属化合物（但し、金属はチタン、ジルコニウム又はハフニウムである）とからなる。 - 特許庁

To provide a method for producing a high purity hafnium material particularly suitable for a sputtering target in which an oxygen content and a carbon content are extremely low.例文帳に追加

特に、酸素含有量や炭素含有量の極めて少ないスパッタリングターゲット用に適した高純度ハフニウム材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, a first hafnium silicate film 21 in a film thickness of 6 nm or less is formed on a substrate 1.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、まず、基板１上に６ｎｍ以下の膜厚の第１ハフニウムシリケート膜２１を形成する。 - 特許庁

The high water-resistant resin layer-forming agent of the present invention is composed of the persimmon tannin and organometallic compounds (wherein metals include titanium, zirconium, and hafnium), which are mixed into the persimmon tannin before use.例文帳に追加

本発明の高耐水性樹脂層形成剤は、柿渋と、使用時に該柿渋に混合される有機金属化合物（但し、金属はチタン、ジルコニウム又はハフニウムである）とからなる。 - 特許庁

To provide a technique for electrolytically producing metal, having such high economical efficiency as to reduce production amount of secondary waste, relating to the technique of separating and producing zirconium and hafnium included as an oxide in a zirconium minerals.例文帳に追加

ジルコニア鉱石中に酸化物として含まれるジルコニウム及びハフニウムを分離して製造する技術に関し、二次廃棄物の発生量が低減されるといった経済性の高い、金属の電解製造技術を提供する。 - 特許庁

The control rod 11 has four blades 12 extending from a tie-rod 1 in four directions, and each of the blades 12 has a sheath 4 and hafnium members 5U and 5L.例文帳に追加

制御棒１１は、タイロッド１から四方に伸びる４枚のブレード１２を有し、各ブレード１２が、シース４，ハフニウム部材５Ｕ，５Ｌを有する。 - 特許庁

The water-containing fuel is obtained by mixing a metal alcohol chelate fluid whose metal is silicon, titanium, zirconium, hafnium or vanadium with an ammonia water- or amine water-added alcoholic fluid and adding an ultrapin or formalin water alcohol to the resulting mixture.例文帳に追加

アンモニア水やアミン水を入れたアルコール液にシリコン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムの金属アルコールキレート液を混合し、ウルトラピンやフォルマリン水にアルコールを添加した含水燃料。 - 特許庁

To improve CMOSFET performance by setting an appropriate face density of hafnium to be introduced to a region between a gate insulating film and a gate electrode with pMOSFET and nMOSFET.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とゲート電極の間の領域に導入するハフニウムを、ｐＭＯＳＦＥＴとｎＭＯＳＦＥＴで、適した面密度とすることで、ＣＭＯＳＦＥＴの性能向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device improving a heat resistance property and a dielectric constant, inhibiting the generation of a leakage current, and having a nitrogen-added hafnium silicate film.例文帳に追加

耐熱性および誘電率を向上させて、かつリーク電流の発生を抑制した窒素添加ハフニウムシリケート膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The top barrier layer inhibits the formation of gaseous species of silicon (Si) when the article is exposed to a high temperature aqueous (steam) environment and contains at least 65 mol% of hafnium oxide.例文帳に追加

このケイ素含有基体のための上部障壁層は、高温の水性環境に曝されるときのケイ素の気体状化学種の形成を抑制し、かつ、少なくとも６５モル％の酸化ハフニウムを含む。 - 特許庁