「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Additionally, aluminum (Al) and titanium (Ti) in a hard mask 8a composed of a titanium aluminum nitride (TiAlN) film diffuse into the hafnium oxide nitride (HfON) film 6, thereby aluminum (Al) and titanium (Ti), as elements, are added to the hafnium oxide nitride (HfON) film 6.例文帳に追加

また、チタンアルミニウムナイトライド（ＴｉＡｌＮ）膜からなるハードマスク８ａ中のアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）とがハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６へ拡散することによって、ハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６に元素としてアルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）とが添加される。 - 特許庁

Thus, the insulation film forming apparatus 1 can form the nitrided hafnium silicate film 76 that can function as a high dielectric constant gate insulation film easily in a short time by performing a process of depositing the hafnium fine particles 73 on the substrate 70 and a process of emitting the active particles 74 consisting of a nitrogen plasma thereto.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

In an element formation region RP, as heat treatment is performed under a temperature of about 700 to 900°C, aluminum (Al) in an aluminum (Al) film 7a diffuses into a hafnium oxide nitride (HfON) film 6, thereby aluminum (Al), as an element, is added to the hafnium oxide nitride (HfON) film 6.例文帳に追加

温度約７００〜９００℃のもとで施す熱処理に伴い、素子形成領域ＲＰでは、アルミニウム（Ａｌ）膜７ａ中のアルミニウム（Ａｌ）がハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６へ拡散することによって、ハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６に元素としてアルミニウム（Ａｌ）が添加される。 - 特許庁

The capacitance insulating film has: a first layer (7a) containing hafnium oxide; a second layer (7b) formed in an upper layer of the first layer and containing alumina; a third layer (7c) formed in a lower layer of the first layer and containing alumina; and a fourth layer (7d) formed in an upper layer of the second layer and containing hafnium oxide.例文帳に追加

容量絶縁膜は、酸化ハフニウムを含む第１層（７ａ）と、第１層の上層に形成されており、アルミナを含む第２層（７ｂ）と、第１層の下層に形成されており、アルミナを含む第３層（７ｃ）と、第２層の上層に形成されており、酸化ハフニウムを含む第４層（７ｄ）とを有する。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

Thus, the insulating film forming apparatus 1 can easily form, in short time, the nitrided hafnium silicate film 76 which can function as high dielectric constant gate insulating film by performing the deposition treatment of the hafnium fine particles 73 onto the substrate 70 and the irradiation treatment with the active particles 74 composed of nitrogen plasma onto the substrate 70.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

To suppress gate leakage and to thin a gate insulated film by forming at least the side of the gate insulated film of a gate electrode of a film containing hafnium and silicon, obtaining a work function value equivalent to Poly-Si and reducing the reaction of the base gate insulated film and hafnium.例文帳に追加

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムとシリコンとを含む膜で形成することで、Ｐｏｌｙ−Ｓｉと同等の仕事関数値を得るともに、下地のゲート絶縁膜とハフニウムとの反応性を低減してゲートリークを抑制し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

The crystalline hafnia sol containing particles of an average particle diameter of 30-100 nm is produced by a method comprising retaining a slurry comprising hafnium hydroxide, an acid and water at a temperature of at least 80°C and, preferably, containing 0.01-2.0 g-equivalent amount of the acid, in a slurry, relative to 1 mole of hafnium.例文帳に追加

水酸化ハフニウムと酸および水からなるスラリーを８０℃以上の温度で保持し、好ましくは、ハフニウム１モルに対して０．０１〜２．０グラム当量の酸をスラリー中に含むことにより、平均粒子径が３０〜１００ｎｍである結晶質ハフニアゾルを製造することを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to a method of refining hafnium halide comprising a process for refining hafnium halide, HfX_4 (wherein X is at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I) by using a solvent comprising the compounds having ether bonds and another solvent containing the compound having ether bonds.例文帳に追加

ハロゲン化ハフニウム（ＨｆＸ_４（但し、ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩの群の中から選ばれる少なくとも一つ）を、エーテル結合を持つ化合物からなる溶媒およびエーテル結合を持つ化合物を含有する溶媒を用いて精製する工程を具備するハロゲン化ハフニウムの精製方法。 - 特許庁

After an insulating film 102 containing the metal oxide film of a hafnium oxide, etc., is formed on a semiconductor substrate (101), the surface of the insulating film 102 is processed to the gate electrode by reforming the surface to a metallic film 103 of a hafnium metallic film etc., by performing plasma treatment.例文帳に追加

半導体基板（１０１）上に酸化ハフニウム等の金属酸化膜を含んだ絶縁膜１０２を形成した後、プラズマ処理を行い表面をハフニウム金属膜等の金属膜１０３に改質し、ゲート電極に加工する。 - 特許庁

In CMOSFET1 with pMOSFET10 and nMOSFET30 on a silicon substrate 2, the pMOSFET 10 includes a gate insulating film 12 formed on the silicon substrate 2, a hafnium layer 14 formed on the gate insulating film 12, and a gate electrode 13 formed on the hafnium layer 14.例文帳に追加

シリコン基板２上にｐＭＯＳＦＥＴ１０とｎＭＯＳＦＥＴ３０を備えるＣＭＯＳＦＥＴ１において、ｐＭＯＳＦＥＴ１０は、シリコン基板２上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたハフニウム層１４と、ハフニウム層１４上に形成されたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

This reactor safety installation can prevent recriticality because powder 6 of boron compound, cadmium and hafnium contained in inner liner 7 capture thermal neutron by placing the inner liner 7 which is charged with the powder 6 of boron compound, cadmium and hafnium in SUS (stainless steel) on the inside of lower head wall 2.例文帳に追加

本発明の原子炉安全設備は、下部ヘッド壁２の内側に、ホウ素化合物，カドミウムもしくはハフニウムの粉末６をＳＵＳに封入した内張り７を設置することにより、内張り７に含まれるホウ素化合物やカドミウムやハフニウムの粉末６が熱中性子を捕獲するため、再臨界を防止する。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

The thin-film thermistor element includes: an alumina substrate 3; a thermistor thin film 4 formed of a thermistor material on the alumina substrate 3; a pair of comb-shaped electrodes 5 formed on the thermistor thin film 4; and the protective coating 6 covering at least part of the comb-shaped electrodes 5 and the thermistor thin film 4 and formed of hafnium oxide or hafnium metal oxide.例文帳に追加

アルミナ基板３と、アルミナ基板３上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ薄膜４と、サーミスタ薄膜４上に形成された一対の櫛形電極５と、櫛形電極５の少なくとも一部と共にサーミスタ薄膜４を覆うハフニウム酸化物またはハフニウム−金属酸化物で形成された保護膜６と、を備えている。 - 特許庁

Hafnium carbide powder F is filled into a cylindrical die 20 whose both edges are provided with opening parts 20a, 20b, and the hafnium carbide is subjected to pulse conduction heating and sintered in a vacuum or in an inert gas atmosphere while performing pressurization in a state of being held between an upper punch 40 and a lower punch 30 arranged at the opening parts 20a, 20b.例文帳に追加

両端に開口部２０ａ，２０ｂが設けられた筒状のダイ２０内に炭化ハフニウム粉末Ｆを充填し、真空中又は不活性雰囲気中で炭化ハフニウムを、開口部２０ａ，２０ｂに配置された上パンチ４０と下パンチ３０で挟んだ状態で加圧しながら、パルス通電加熱して焼結する。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus 1 formed of a field effect transistor equipped with a gate electrode 15 formed on the semiconductor substrate 11 through the gate insulating film 14, a part of the gate electrode 15 coming into contact with the gate insulating film 14 is formed of a film containing hafnium and nitrogen, and the film contains, at least, nitrogen, and the compositional ratio of nitrogen to hafnium is 51% or below.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムと窒素とを含む膜からなり、前記ハフニウムと窒素とを含む膜は少なくとも窒素を含みかつハフニウムと窒素とに対する窒素の組成比が５１％以下である。 - 特許庁

In the atomic layer growth including introduction of hafnium compound raw material, introduction of yttrium compound raw material and introduction of an oxidizing agent as one cycle, introduction times of the hafnium compound raw material and the yttrium compound raw material are controlled and a displacement rate of a sample surface OH group due to the raw materials is controlled, thereby accurately controlling the quantity of yttrium to be added into the hafnia.例文帳に追加

ハフニウム化合物原料の導入、イットリウム化合物原料の導入、酸化剤の導入を１サイクルとした原子層成長法において、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料の導入時間を制御し、試料表面OH基の各原料による置換率を制御することで、ハフニア中へのイットリウムの添加量を正確に制御する。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The catalyst element is at least one selected from a group consisting of boron, calcium, silicon, iron, molybdenum, chromium, vanadium, magnesium, manganese, indium, gallium, tantalum, hafnium and thorium.例文帳に追加

触媒元素はボロン、カルシウム、シリコン、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である。 - 特許庁

The catalyst element is at least one selected from among boron, calcium, silicon, patassium, iron, molybdenum, chromium, vanadium, magnesium, manganese, indium, gallium, tantalum, hafnium and thorium.例文帳に追加

触媒元素はボロン、カルシウム、シリコン、カリウム、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である。 - 特許庁

To copper/tungsten material is added at least one material among titanium, vanadium, chromium, iron, cobalt, nickel, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, hafnium, tantalum, rhenium, osmium and iridium.例文帳に追加

銅／タングステン材料に、チタン、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ハフニウム、タンタル、レニウム、オスミウムおよびイリジウムのうちの少なくとも一つの材料を添加する。 - 特許庁

These alloys comprise aluminum; scandium; at least one of nickel, iron, chromium, manganese and cobalt; and at least one of zirconium, gadolinium, hafnium, yttrium, niobium and vanadiuim.例文帳に追加

高温アルミニウム合金は、アルミニウムと、スカンジウムと、ニッケル、鉄、クロム、マンガン、およびコバルトのうちの少なくとも一つと、ジルコニウム、ガドリニウム、ハフニウム、イットリウム、ニオブ、およびバナジウムのうちの少なくとも一つとを含む。 - 特許庁

Exemplary ceramic materials include at least one oxide, nitride, boride, carbide and/or fluoride of hafnium, strontium, lanthanum oxide and/or dysprosium.例文帳に追加

例示的なセラミック材料は、ハフニウム、ストロンチウム、ランタン酸化物及び／又はジスプロシウムの酸化物、窒化物、ホウ化物、カーバイド及び／又はフッ化物の少なくとも１つを含みうる。 - 特許庁

As an oxide showing metallic electric conductivity, there is ruthenium oxide, and as oxides with higher resistance, there are titanium oxide, iridium oxide, hafnium oxide and zirconium oxide.例文帳に追加

金属的な電気伝導性を示す酸化物としては酸化ルテニウムがあり、それよりも高抵抗の酸化物としては酸化チタン、酸化イリジウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムなどがある。 - 特許庁

Further, the heat barrier composition contains optionally a metal oxide containing tetravalent metal ion selected from hafnium dioxide, cerium dioxide, uranium dioxide and mixtures thereof.例文帳に追加

任意に、本組成物は、二酸化ハフニウム、二酸化セリウム、二酸化ウランおよびそれらの混合物からなる群から選択される四価の金属イオンを含有する金属酸化物も含む。 - 特許庁

The alloy preferably comprises 0.01 to 5.0% of one or more kinds selected from molybdenum carbide, tungsten carbide, vanadium carbide, chromium carbide, tantalum carbide, titanium carbide, zirconium carbide and hafnium carbide.例文帳に追加

モリブデン炭化物、タングステン炭化物、バナジウム炭化物、クロム炭化物、タンタル炭化物、チタン炭化物、ジルコニウム炭化物及びハフニウム炭化物のうちの１種または２種以上：０．０１〜５．０％を含むことが好ましい。 - 特許庁

In one aspect, coating compositions are provided that comprise a component that comprises one or more silicon, antimony, aluminum, yttrium, cerium, lanthanum, tin, titanium, zirconium, hafnium, indium or zinc compounds.例文帳に追加

一態様において、１以上のケイ素、アンチモン、アルミニウム、イットリウム、セリウム、ランタン、スズ、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、インジウムまたは亜鉛化合物を含む成分を含有するコーティング組成物が提供される。 - 特許庁

In the metal oxide film, the compound oxide contains niobium oxide, tin oxide, tantalum oxide, potassium oxide, hafnium oxide, and alumina instead of or together with the titanium oxide.例文帳に追加

上記複合酸化物が、酸化チタンの代わりに、あるいは酸化チタンとともに、酸化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化ハフニウムおよびアルミナを含む前記金属酸化物膜。 - 特許庁

The subject mixed crystalized titanium dioxide is formed by mixed-crystalizing at least one of mixed crystalized substances selected from hafnium dioxide, zirconium dioxide and germanium dioxide with titanium dioxide.例文帳に追加

二酸化チタンに対して、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化ゲルマニウム及び二酸化スズから選ばれる少なくとも一種の混晶物質を混晶化して、混晶化二酸化チタンを形成する。 - 特許庁

The first insulating film is formed of an oxide insulating film containing at least one kind of element selected from hafnium, zirconium, aluminum, tantalum, titanium, yttrium, and lanthanoids.例文帳に追加

第１の絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる。 - 特許庁

The TBC bond coat material is a nickel-chromium-aluminum-yttrium (NiCrAlY) composition containing silicon (Si), hafnium (Hf) and also <10 wt.% cobalt.例文帳に追加

ＴＢＣボンドコート材料は、ケイ素（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）及び１０重量％（ｗｔ％）未満のコバルト（Ｃｏ）をも含む、ニッケル−クロム−アルミニウム−イットリウム（ＮｉＣｒＡｌＹ）組成物である。 - 特許庁

The lithium ion conductive oxide is characterized by comprising a compound whose main structural elements are lithium, lanthanum and oxygen and which contains zirconium and/or hafnium and having a tetragonal garnet type crystal structure.例文帳に追加

リチウム、ランタン、酸素をその主要構成元素として、さらにジルコニウム及び／又はハフニウムを含有する化合物からなり、正方晶ガーネット型の結晶構造を有することを特徴とするリチウムイオン伝導性酸化物である。 - 特許庁

The metal oxide consisting of yttrium oxide, zirconium oxide or hafnium oxide, simple substance or two or more oxides selected among them and is formed as a coupling body coupling the fluorescence particles 4.例文帳に追加

この金属酸化物は酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムの単体またはそれらの中から選ばれた二種以上から構成されており、蛍光体粒子４同士をつなぐ連結体となっている。 - 特許庁

To provide an electrochemical decomposition method for a superalloy, particularly scrap of the superalloy, for recovering particularly noble and valuable metals such as rhenium, platinum, tantalum, and hafnium.例文帳に追加

本発明の課題は、特に希少であり且つ価値ある金属、例えばレニウム、白金、タンタルおよびハフニウムを回収する目的のための、超合金、特に超合金スクラップの電気化学的分解方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an etchant that selectively etches a hafnium based oxide film and a zirconium based oxide film with respect to a silicon oxide film such as THOX or TEOS.例文帳に追加

THOX、TEOSなどのシリコン酸化膜に対し、ハフニウム系酸化物膜、ジルコニウム系酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液を提供する。 - 特許庁

WORKED PRODUCT TREATED WITH TTITANATE ALCOHOL CHELATE SOLUTION OR TITANIUM TETRACHLORIDE-ACRYLIC ACID LOW POLYMERIZATION AQUEOUS SOLUTION AND METALLIC SURFACE WORKING BY ZIRCONIUM, HAFNIUM, SILICON AND TIN SALT例文帳に追加

チタン酸アルコールキレート液や四塩化チタンアクリル酸低重水液で処理した加工品及びジルコニウム、ハフニウム、シリコン、錫塩による金属表面加工。 - 特許庁

The metals which form the heat-resistant oxides include chromium, tantalum, niobium, silicon, platinum, hafnium, yttrium, aluminum, zirconium, titanium, a rare earth metal, an alkaline earth metal, and a mixture thereof.例文帳に追加

この耐熱性酸化物を形成する金属は、クロム、タンタル、ニオブ、ケイ素、白金、ハフニウム、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、希土類金属、アルカリ土類金属、およびこれらの混合物を含む。 - 特許庁

The metal element is titanium, zirconium, hafnium or tantalum, and is added to be 0.5-19 mol% relative to a molar number of Si of the polysilazane or the like.例文帳に追加

金属元素は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、又は、タンタルであり、ポリシラザン等のＳｉのモル数に対し、０．５ｍｏｌ％〜１９ｍｏｌ％となるように添加されている。 - 特許庁

A (meth)acrylic ester monomer, an olefin monomer, and if necessary, a monomer copolymerizable with the foregoing monomers are copolymerized in the presence of a hafnium catalyst and a radical polymerization initiator.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸エステル単量体とオレフィン単量体と必要によりこれらと共重合可能な単量体とを、ハフニウム触媒およびラジカル重合開始剤の存在下で重合する。 - 特許庁

The getter material is made of at least one type selected from among a group of tantalum (Ta), niobium (Nb), zirconium (Zr), chromium (Cr), titanium (Ti) and hafnium (Hf).例文帳に追加

また、ゲッター材は、タンタル（Ｔａ）、ニオビウム（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される少なくとも一種の材料からなる。 - 特許庁

At least either of the metal amine compound or the metal alkoxide contains niobium and the other contains one or more kinds of the metals selected from the group consisting of hafnium, titanium, tantalum, and niobium.例文帳に追加

金属アミン系化合物と金属アルコキシドとの少なくとも一方がニオブを含有しており、他方が、ハフニウム、チタン、タンタルおよびニオブからなる群より選ばれた一種以上の金属を含有している。 - 特許庁

One of the metal elements constituting the composite metal oxide particles is cerium and the other is preferably at least one kind selected from a group of titanium, zirconium, hafnium, and lanthanide.例文帳に追加

前記複合金属酸化物粒子を構成する金属元素の一方がセリウムであり、他の一方がチタン、ジルコニウム、ハフニウム、ランタノイド系列からなる群から選択された少なくとも１種以上であると好ましい。 - 特許庁

A complex comprising a metal ion comprising the group consisting of calcium, magnesium, zinc, aluminum, titanium, zirconium and hafnium and a low-molecular organic complex former is added into the organic adhesive solution.例文帳に追加

下記群からの金属イオンと低分子量有機錯体形成剤からなる錯体を、この有機接着剤コーティング中に添加する：カルシウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタニウム、ジルコニウムまたはハフニウム。 - 特許庁

The compositions further comprise a lanthanide, a Group 4 metal selected from hafnium, zirconium, titanium, or a combination of these, and optionally a Group 14 element selected from silicon and/or germanium.例文帳に追加

この組成物は、さらにランタニド、ハフニウム、ジルコニウム、チタン又はこれらの組合せから選択される第４族金属、及び場合によりケイ素及び／又はゲルマニウムから選択される第１４族元素を含む。 - 特許庁

The repair squealer chip 46 is manufactured from second nickel super alloy different from the first nickel alloy super alloy and containing carbon, boron, silicon, zirconium and hafnium of total quantity less than 0.15 wt%.例文帳に追加

補修スクィーラチップ（４６）は、第１のニッケル系超合金とは異なり、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が約０．１５重量％未満である第２のニッケル系超合金から製造される。 - 特許庁