「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that the metal coat of this glass plate has a thickness of 15-30 nm and comprises one or more of metals selected from the group consisting of chromium, stainless steel, titanium, zirconium, tantalum and hafnium, and the oxide coat has a thickness of 8-100 nm and comprises an aluminum oxide film or a zirconium oxide film.例文帳に追加

本発明のガラス板は、厚さが１５〜３０ｎｍのクロム、ステンレス、チタン、ジルコニウム、タンタル及びハフニウムから選ばれた１種又は複数種の金属からなる金属被膜であり、前記酸化物被膜は厚さが８〜１００ｎｍの酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜又は酸化ジルコニウム膜により構成されることが好ましい。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition which contains chromium as a main component and also contains 10 to 50 atomic % of at least one element selected from the group consisting of aluminum, silicon, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, tungsten, molybdenum and boron and in which the total content of oxygen, carbon, sulfur and hydrogen is made to ≤3,000 ppm.例文帳に追加

クロムを主成分とし、アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデンおよびボロンからなる群より選択される少なくとも一種の元素を１０〜５０原子％含み、酸素、炭素、硫黄および水素の合計含有量が３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The system has a deposition process that forms a film containing hafnium or a film containing zirconium on a substrate supported by a susceptor in the reaction chamber and a cleaning process that removes the film attached in the reaction chamber in the deposition process by activating gas containing chlorine atoms outside the reaction chamber by plasma and supplying the gas to the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有する。 - 特許庁

The method of forming the oxide composite film is characterised by coating the base material with the coating liquid for forming oxide composite film in the state where a composite of titanium oxide and zirconium oxide and/or hafnium oxide is dispersed in water, and fixing and hardening the composite by irradiating it with an electromagnetic wave such as a heat ray at a temperature of a normal temperature to 400°C and/or an ultraviolet ray.例文帳に追加

酸化物複合膜を造膜する方法は、酸化チタンと、酸化ジルコニウムおよび／または酸化ハフニウムとの複合物が水中に分散している酸化物複合膜形成用塗布液を基体に塗布して常温以上４００℃以下の熱線又は／及び紫外線の電磁波を照射して固着硬化させることを特徴とする。 - 特許庁

Afterwards, a mixed film (a high dielectric constant film) thicker than the silicon oxide film having a dielectric constant higher than that of a silicon oxide and including the hafnium and the oxygen of the base insulating film and the metallic element of the metallic thin film is formed on the silicon oxide film by wholly diffusing the metallic element of the metallic thin film to the base insulating film in a state of having the protective film.例文帳に追加

その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜（高誘電率膜）を形成する。 - 特許庁

The nozzle 6 for a plasma cutting device is used for a plasma cutting device for jetting a plasma jet on a workpiece arranged at the tip side and cutting the workpiece, and in the nozzle 6, the tip part of an electrode 3 made of hafnium or zirconium is arranged at the inside thereof, and further, an operative gas including oxygen is fed to a space between the electrode 3 and the nozzle 6.例文帳に追加

このプラズマ切断装置用ノズル６は、先端側に配置されたワークにプラズマジェットを噴出してワークを切断するためのプラズマ切断装置に用いられ、ハフニウム又はジルコニウムからなる電極３の先端部が内部に配置されるとともに電極３との間に酸素を含む作動ガスが供給されるものである。 - 特許庁

A soln., in which a hard material such as diamond, cubic boron nitride, boron carbide, silicon carbide and silicon nitride or the carbide, nitride, boride, silicide or the like of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium and molybdenum, and a hard material of metallic carbonyl such as iron pentacarbonyl are suspended, is heated and decomosed, and a metallic layer is formed on the surface of the hard material.例文帳に追加

ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、或はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、及びモリブデンの炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物等の硬質物質を、鉄ペンタカルボニル等の金属カルボニルの硬質物質が懸濁した液を加熱分解し、硬質物質の表面に金属層を生成させる。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte battery is composed of a positive electrode 2 equipped with an active material layer, a negative electrode 3 equipped with active material layer, and a nonaqueous electrolyte, wherein at least to one of the active material layers, a metal additive is added which contains at least one of such elements as titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum and tungsten.例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極と、負極活物質層を備えた負極と、非水電解質とを有し、正極活物質層又は負極活物質層の少なくとも一方に、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン又はタングステンの少なくともいずれかの元素を含有する金属添加物が添加されている。 - 特許庁

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, one or more of chromium, silicon, tantalum, and cobalt, optionally one or more of hafnium, yttrium, zirconium, lanthanum, and cerium, and incidental impurities.例文帳に追加

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、クロム、シリコン、タンタル及びコバルトの１つ又はそれ以上と、随意的にハフニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン及びセリウムの１つ又はそれ以上と、随伴不純物とである。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and the vicinity thereof, from the thermal stress relaxing layer 22 toward the heat shielding layer 23, the concentration of zirconium oxide forming the thermal stress relaxing layer 22 is continuously reduced, and further, the concentration of hafnium oxide forming the heat shielding layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

The pretreatment method for coating comprises treating a substance to be treated with a chemical conversion treatment agent to form a chemical conversion coat, wherein the chemical conversion treatment agent comprises: at least one kind selected from the group consisting of zirconium, titanium and hafnium; fluorine; and at least one kind selected from the group consisting of amino group-containing silane coupling agents, hydrolysates thereof and polymers thereof.例文帳に追加

化成処理剤によって被処理物を処理し、化成皮膜を形成する塗装前処理方法であって、上記化成処理剤は、ジルコニウム、チタン及びハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種、フッ素、並びに、アミノ基含有シランカップリング剤、その加水分解物及びその重合物からなる群より選ばれる少なくとも一種からなる塗装前処理方法。 - 特許庁

In the method for forming a hard coat film, a sol liquid containing an inorganic compound of at least one kind of element selected from the group of silicon, aluminum, zirconium and hafnium prepared by a sol-gel method is applied on a base material and heat treated at a temperature no exceeding 200°C and irradiated with UV rays of at most 100 mJ/cm2 energy.例文帳に追加

ゾルゲル法により形成されたところの、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、及びハフニウムより成る群から選択される少なくとも一種の元素の無機化合物を含有するゾル液を、基材上に塗布し、２００℃を超えない温度に加熱処理しながら、大きくとも１００ｍＪ／ｃｍ^2の紫外線を照射することを特徴とするハードコート膜形成方法。 - 特許庁

The method for producing the Lewis-acidic solid acid catalyst for producing the petroleum resin is characterized by supporting the salt or alkoxide of at least one element selected from the group consisting of tin, gallium, iron, hafnium, aluminum, zirconium and titanium on a support comprising silicon, bringing it into contact with a basic substance, and then firing the resulting material to produce a complex oxide.例文帳に追加

錫、ガリウム、鉄、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、チタンからなる群より選択される少なくとも１種類の元素の塩又はアルコキサイドをケイ素からなる担体に担持し、塩基性物質と接触した後、焼成することにより複合酸化物とする石油樹脂製造用ルイス酸性固体酸触媒の製造方法。 - 特許庁

This active material for the nickel electrode of alkaline battery comprises a first component of nickel hydroxide family and a second component containing one kind of element selected from among the element group of scandium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, lutetium, hafnium, tantalum, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold and mercury.例文帳に追加

アルカリ蓄電池用ニッケル電極活物質は、水酸化ニッケル系の第１成分と、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルピウム、ツリウム、ルテチウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金および水銀からなる元素群から選択された元素を１種含む第２成分とを含んでいる。 - 特許庁

The new C1-symmetric transition metal compound of the formula(I)( e.g. dichloro[dimethylsilylene(cyclopentadienyl)(2,4-dimethyl-4H-1-azulenyl)]hafnium ), the olefin polymerization catalyst component comprising the transition metal compound, an olefin polymerization catalyst containing the catalyst component, and a method for producing an α-olefin polymer using the catalyst, are provided respectively.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表される新規なＣ１対称性の遷移金属化合物（例えばジクロロ〔ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２、４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）〕ハフニウム)、及びこれからなるオレフィン重合用触媒成分、これを含むオレフィン重合用触媒、ならびにα−オレフィン重合体の製造方法。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and in the vicinity thereof, the concentration of zirconium oxide forming the layer 22 is continuously reduced from the layer 22 toward the layer 23, and at the same time, the concentration of hafnium oxide forming the layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

The sputtering target for depositing an optical thin film having a controlled phase and transmittance by sputtering is characterised in that it comprises metal and silicon, and the metal is at least one kind of metal selected from the group consisting of Zr (zirconium), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantalum), Ti (titanium), Hf (hafnium) and Cr (chromium).例文帳に追加

スパッタリングにて、位相および透過率を制御した光学薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットに於いて、前記スパッタリングターゲットが金属とシリコンと炭素からなり、前記金属がＺｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｃｒ（クロム）なる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

As the material for the electrode, it is preferable to use tungsten, molybdenum, or the same including nickel by 0.05-1 wt.% and at least one or more of compounds chosen from lanthanum oxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, calcium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, barium oxide, thorium oxide, or lanthanum boride by 0.1-4 wt.%.例文帳に追加

電極の材質は、タングステンもしくはモリブデン又はこれらに０．０５〜１ｗｔ％のニッケル、及び、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化トリウム、硼化ランタンからなる群のうちの１種又は２種以上を０．１〜４ｗｔ％添加した材料が好ましい。 - 特許庁

The thermal barrier coating member 10 comprises: a base material 1; a metal-bonded layer 2 formed on the base material 1; and a thermal barrier coating layer 3 formed on the metal-bonded layer 2, and an intermediate layer 4 essentially consisting of aluminum oxide and comprising hafnium oxide is formed on a space between the metal-bonded layer 2 and the thermal barrier coating layer 3.例文帳に追加

本発明の遮熱コーティング部材１０は、基材１と、基材１上に形成された金属結合層２と、金属結合層２上に形成された遮熱コーティング層３とを含み、金属結合層２と遮熱コーティング層３との間に、酸化ハフニウムを含む酸化アルミニウムを主成分とする中間層４が形成されている。 - 特許庁

The coating material contains the electron emissive material containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of caesium, zinc, indium, gallium, and tin, and a material for forming a protective film containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of yttrium, aluminum, zirconium, hafnium, niobium, silicon, vanadium.例文帳に追加

本発明の塗料は、セシウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、スズの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする電子放射性物質と、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、ケイ素、バナジウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a compound expressed by general formula (1) is characterised in that a compound expressed by general formula (2) and a compound expressed by general formula (3) are reacted in the coexistence of less than 1 mole of at least one kind of a zirconium compound and hafnium compound, to 1 mole of the compound expressed by general formula (2).例文帳に追加

ジルコニウム化合物及びハフニウム化合物の少なくとも１種を、下記一般式（２）で表される化合物１モルに対して１モル未満の共存下で、下記一般式（２）で表される化合物と、下記一般式（３）で表される化合物とを反応させることを特徴とする下記一般式（１）で表される化合物の製造方法。 - 特許庁

In this manufacturing method, a carboxylic acid is reacted with an alcohol or a thioalcohol in the presence of a solvent and a catalyst which is a complex in which an amide ligand or an ether ligand having not less than 2 ether oxygen atoms is coordinated to a tetravalent hafnium compound or a complex in which an amide ligand or an ether ligand having not less than two ether oxygen atoms is coordinated to a tetravalent zirconium compound.例文帳に追加

四価のハフニウム化合物に、アミド配位子若しくは２以上のエーテル酸素原子を有するエーテル配位子が配位した錯体、又は、四価のジルコニウム化合物に、アミド配位子若しくは２以上のエーテル酸素原子を有するエーテル配位子が配位した錯体を縮合触媒として、カルボン酸とアルコール又はチオールを溶媒の存在下に反応させる。 - 特許庁

The ceramic member 2 and the metallic member 3 are joined across a joining layer formed with a metallic layer 6 which consists essentially of a metallic component of ≤1,100°C in liquids line temperature and contains at least one kind among titanium, zirconium and hafnium as active metals, an oxidation layer 5 of an active metal and a glass layer 4, successively from the metallic member 3 side.例文帳に追加

セラミック部材２と金属部材３とが、金属部材３側から液相線温度が１１００℃以下の金属成分を主成分とし、チタン，ジルコニウムおよびハフニウムのうちの少なくとも一種を活性金属として含有した金属層６、活性金属の酸化層５、およびガラス層４が形成されて成る接合層を介して接合されている。 - 特許庁

The coating for the fluorescent lamp contains a material for forming a protecting film and having ultraviolet ray reflection, composed of an inorganic compound containing one kind or two kinds or more of elements selected from a group of yttrium, aluminum, europium, hafnium, niobium, vanadium, silicon, zirconium, magnesium, strontium, lantern, and calcium, and a solvent composed of water and/or a low boiling point organic solvent.例文帳に追加

本発明の蛍光ランプ用塗料は、イットリウム、アルミニウム、ユーロピウム、ハフニウム、ニオブ、バナジウム、ケイ素、ジルコニウム、マグネシウム、ストロンチウム、ランタン、カルシウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物からなる紫外線反射性を有する保護膜形成用物質と、水および／または低沸点有機溶媒からなる溶媒とを含有してなる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of preparing a metal frequency 30 and a semiconductor substrate 10 having a first region having a nitride or oxynitride film and a main surface including a second region with an exposed semiconductor material, and depositing an HfSiO film at 200-260°C to form HfSiO films 40, 50 different in hafnium density on the first and second regions, respectively.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、酸化膜３０、窒化膜または酸窒化膜が設けられた第１の領域、および、半導体材料が露出した第２の領域を含む主面を有する半導体基板１０を準備し、２００℃〜２６０℃のもとでＨｆＳｉＯ膜を堆積することによって、ハフニウム濃度の異なるＨｆＳｉＯ膜４０、５０を、第１の領域および第２の領域に形成することを具備する。 - 特許庁

In order to remove a germanium (Ge) contaminant stuck in a manufacturing process of a semiconductor device, a treatment is performed using a solution containing hafnium (HF) after a treatment using an oxidative solution such as an ammonia-hydrogen peroxide solution (APM), hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution (HPM), sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), and aqua regia or oxidation treatment such as oxidative plasma treatment.例文帳に追加

半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム（Ｇｅ）汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ），塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸（ＨＦ）含有水溶液による処理を行なう。 - 特許庁

A control rod for reactor is configured by separately disposing two plate-like vane pieces 17 each composed of hafnium neutron absorber, constituting each vane 11 by using a plate-like neutron absorber spacer 18 for a length of at least 1/4 full effective length from a distal end side in an insertion/ejection axis direction between both the vane pieces 17, and cross coupling four vanes 11.例文帳に追加

原子炉用制御棒は、ハフニウム中性子吸収材からなる２枚の板状の翼片１７を離間配置し、両翼片１７の間で挿抜軸方向の先端側から少なくとも全有効長の１／４の長さにわたって板状の中性子吸収材スペ−サ１８を用いることにより各翼１１を構成し、４枚の翼１１を十字形に結合して構成される。 - 特許庁

A multi-layer structure contains a plurality of laminated basic layers each having a thickness less than 500 angstrom (Å), two layers based on an alloy of titanium oxide (TiO_2) and tantalum pentaoxide (Ta_2O_5) exist in the layers, and are separated by an intermediate layer wherein these layers base at least hafnium dioxide (HfO_2) and alumina (Al_2O_3).例文帳に追加

各々が５００オングストローム（Å）未満の厚さを有する複数の積層された基本層を含み、前記層の中に二酸化チタン（ＴｉＯ_２）及び五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）の合金に基づく２つの層が存在し、これらの層が少なくとも二酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）及びアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）に基づく合金の中間層によって隔てられていることを特徴とする多層構造体を構成する。 - 特許庁

The oxide of at least one or more kinds selected from the group consisting of calcia, magnesia and ceria and at least one or more kinds of metals for addition selected from the group consisting of titanium, vanadium, chromium, iron, cobalt, nickel, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, hafnium, tantalum, rhenium, osmium and iridium are added to an alloy of tungsten and copper.例文帳に追加

タングステン及び銅の合金に、カルシア、マグネシア、セリアよりなる群の中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物と、チタン、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ハフニウム、タンタル、レニウム、オスミウム、イリジウムよりなる群の中から選ばれる少なくとも１種類以上の添加用金属とを加える。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

In the EB vapor deposition device, a shielding plate 12 made of a metal having a high melting point such as hafnium(Hf), ruthenium(Ru), iridium(Ir), niobium(Nb), molybdenum(Mo), tantalum (Ta), rhenium(Re) and tungsten(W) is disposed along the inner wall of a magnesia(MgO) crucible 4 so as to prevent direct contact between the cobalt(Co) 13 and the crucible 4.例文帳に追加

このＥＢ蒸着装置においては、マグネシア（ＭｇＯ）製ルツボ４の内壁に沿ってハフニウム（Ｈｆ），ルテニウム（Ｒｕ），イリジウム（Ｉｒ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），レニウム（Ｒｅ），タングステン（Ｗ）等の高融点金属からなる遮蔽板１２を配置し、コバルト（Ｃｏ）１３と、ルツボ４とが直接接触しないようにしている。 - 特許庁

The medical implant and equipment comprise (a) 0.1 to 70 mass% niobium, (b) at least one element selected from the group consisting of tungsten, zirconium and molybdenum of 0.1 to 30 mass% in total, (c) at least one element selected from the group consisting of hafnium, ruthenium and lanthanoids, particularly, cerium of ≤5% in total, and (d) the balance tantalum.例文帳に追加

（ａ）ニオブ０．１〜７０質量％、（ｂ）タングステン、ジルコニウムおよびモリブデンから成る群から選択される少なくとも１つの元素の合計０．１〜３０質量％、（ｃ）ハフニウム、ルテニウムおよびランタニド、特にセリウムから成る群から選択される少なくとも１つの元素の合計５質量％まで（ｄ）残余のタンタルを含有する医療用インプラントおよび装置。 - 特許庁

The semiconductor device has a MIS type field effect transistor having a silicon substrate (1), an insulation film (6) formed on the silicon substrate containing at least one of nitrogen and oxygen, and silicon, a metallic acid nitride film (7) formed on the insulation film containing at least one kind of a metallic atom of zirconium and hafnium, and a gate electrode (8) formed on the metallic acid nitride film.例文帳に追加

シリコン基板（１）と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも１種とシリコンとを含有する絶縁膜（６）と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１種の金属原子を含む金属酸窒化膜（７）と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極（８）とを具備するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。 - 特許庁

The optical element 1 is constituted by laminating, on a substrate 2, a high refraction layer 3 formed by ditantalum pentaoxide or hafnium dioxide, a low refractive index layer 4 formed by silicon oxide, and a high refractive index layer 5 formed by ditantalum pentaoxide or halnium dioxide and by laminating a contamination-resisting coating (fluorine compound) 6 having such thickness that does not affect the optical characteristics adversely on them.例文帳に追加

本発明の光学素子１は、基板２に、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折層３と、酸化ケイ素からなる低屈折率層４と、五酸化二タンタル又は二酸化ハフニウムからなる高屈折率層５とを積層し、その上に光学特性に影響を与えない程度の厚さの防汚コート（フッ素化合物）６を積層してなる。 - 特許庁

The manufacturing method gives the propylene/ethylene copolymer having an ethylene unit content in the copolymer of 0.1-50 mol% and an intrinsic viscosity of 2-12 dl/g at a polymerization temperature within 50 to 150°C by using an olefin polymerization catalyst which comprises a metallocene compound bearing titanium, zirconium or hafnium as a transition metal and has a structure having no symmetrical plane containing the transition metal.例文帳に追加

遷移金属として、チタン、ジルコニウム、もしくは、ハフニウムを有し、当該遷移金属を含む対称面が存在しない構造を有するメタロセン化合物、を含むオレフィン重合用触媒を用い、重合温度５０〜１５０℃の範囲において、共重合体中のエチレン単位の含有量が０．１〜５０モル％で、固有粘度が２〜１２ｄｌ／ｇであるプロピレン／エチレン共重合体を製造する方法。 - 特許庁

The method for forming the coating film on the aluminum automobile car body includes: a degreasing step; a chemical conversion treatment step of coating a chemical conversion treatment agent containing at least one kind selected from the group consisting of zirconium, titanium and hafnium, fluorine and a water-soluble compound having isocyanate group; a primer surfacer coating film forming step; and a top coating film forming step.例文帳に追加

脱脂する工程；ジルコニウム、チタン及びハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、フッ素と、イソシアネート基を有する水溶性エポキシ化合物と、を含有する化成処理剤を塗布する化成処理工程；プライマーサーフェーサー塗膜形成工程；及び上塗り塗膜形成工程；を包含する、アルミ自動車車体の塗膜形成方法。 - 特許庁

The high-purity hafnium is characterized in that: a zirconium content is, by weight, 1-1,000 ppm; oxygen is ≤500 ppm; nitrogen and carbon are each ≤100 ppm; iron, chromium and nickel are each ≤10 ppm; and the purity excluding the gas components such as carbon, oxygen, nitrogen and the like is in the range of 4 to 6 N.例文帳に追加

ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 - 特許庁

This crucible for melting a titanium alloy includes: a facecoat 16 including at least one facecoat layer 18 containing oxide selected from the group consisting of scandium oxide, yttrium oxide, hafnium oxide, lanthanide-series oxide and a combination thereof; and a backing 22 including at least one backing layer, wherein the thickness ratio of the backing 22 to the facecoat 16 is 6.5:1 to 20:1.例文帳に追加

チタン合金を融解するためのるつぼであって、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ランタニド系列酸化物及びこれらの組合せからなる群から選択される酸化物を含む１以上のフェースコート層１８を含むフェースコート１６と、１以上のバッキング層を含むバッキング２２とを含んでなり、６．５：１〜２０：１のバッキング２２−フェースコート１６厚さ比を有する。 - 特許庁

This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %.例文帳に追加

たとえばＷからなる高融点金属材料の多結晶体１または多結晶多孔質体と、その多結晶体１中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも１種が０.１〜３０重量％分散されたエミッタ材２とからなっている。 - 特許庁

A lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum supporting body and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method is exposed, developed and then treated with a processing liquid containing at least one compound in fluorides of metals selected from titanium, zirconium, zinc and hafnium.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光、現像処理後に前記平版印刷版を、チタン、ジルコニウム、亜鉛及びハフニウムの中から選ばれる金属のフッ化物の中の少なくとも１つの化合物を含む処理液で処理する。 - 特許庁

Regarding the anode oxidation treatment method, in a wire with a wire diameter of ≤1 mmϕ composed of valve metal such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth and antimony and the alloy thereof, an anode oxidation treatment bath 7 and the wire is vibrated, thus, bubbles generated at the surface of the wire are removed.例文帳に追加

アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどのバルブ金属およびその合金の線径φ１ｍｍ以下のワイヤーにおいて、陽極酸化処理浴７およびワイヤーを振動させることにより、ワイヤー表面に発生した気泡を除去する陽極酸化皮膜処理方法。 - 特許庁

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel.例文帳に追加

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a control rod for regulating power that makes the average reactivity value over its lifetime equivalent to that of a shut-down control rod, while achieving the mitigation of problems about blade history, reducing the usage of hafnium, and eliminating the non-integrity and difficulties in the manufacture due to welding deformation or mechanical imbalance.例文帳に追加

ブレードヒストリー問題の緩和、ハフニウムの使用量削減、溶接変形或いは力学的アンバランスによる非健全性ならびに製造非容易性などを解消しつつ、寿命期間平均の反応度価値を停止用制御棒の反応度価値と同等にできる出力調整用制御棒を提供すること。 - 特許庁