「hafnium」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface diffusion process is applied to the article (1) to enrich the at least one grain boundary with grain boundary strengthening elements of one or a combination of boron, hafnium, zirconium without forming brittle precipitates.例文帳に追加

物品（１）に表面拡散法を適用し、ホウ素、ハフニウム、ジルコニウムの１種または組み合わせからなる粒界強化元素で少なくとも１個の粒界が富化され、脆弱な沈積物が形成されない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a hafnium oxide film 105, depositing a tantalum metal 106, then depositing a doped silicon 108, and activation heat treating the film.例文帳に追加

ハフニウム酸化膜１０５を堆積した後で、タンタル金属１０６を堆積した後、ドープドシリコン１０８を堆積させ、活性化熱処理を行う。 - 特許庁

In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

The etching compound is used for hafnium oxide including silicon fluoride of 0.001 to 5 wt.% and phosphoric acid of 90 to 99.99 wt.%.例文帳に追加

フッ化ケイ素０．００１〜５重量％及びリン酸９０〜９９．９９重量％を含んでなる酸化ハフニウム用エッチング組成物を用いる。 - 特許庁

The control rod 15 is such that a composite 22 made by jointing a zirconium plate material 21 to at least a face of a hafnium plate material 20 is used as a neutron absorber 16 that constitutes the control rod 15.例文帳に追加

本発明に係る原子炉用制御棒15は、制御棒15を構成する中性子吸収材16を、ハフニウム板材20の少なくとも一面にジルコニウム板材21を接合した複合材22としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 100 of the heat treatment apparatus 1 heats inside of a reaction tube 2 to ≥600°C, and supplies the cleaning gas containing hydorchloric acid from a treatment gas inlet pipe 17 to remove hafnium silicate by activated chlorine.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、反応管２内を少なくとも６００℃に加熱するとともに、処理ガス導入管１７から塩酸を含むクリーニングガスを供給し、活性化した塩素によりハフニウムシリケートを除去する。 - 特許庁

In the film depositing process, material gas sent from a film forming material feed unit 9 is fed into a reaction chamber 1 from a shower head 6 to form a hafnium-containing thin film on a rotating substrate 4.例文帳に追加

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの原料ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上にハフニウムを含む薄膜を形成する。 - 特許庁

The respective gate insulating films 5 of an n-channel type MIS transistor (Qn) and a p-channel type MIS transistor (Qp) are formed of a hafnium oxide (HfO_2) film.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）およびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のそれぞれのゲート絶縁膜５は、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_2）膜で構成されている。 - 特許庁

Provided is a method for producing the optically active 1,2-diamine compound, characterized by reacting an aziridine compound represented by formula I with an aniline derivative represented by formula II in a reaction system comprising a titanium, zirconium or hafnium compound and a triol.例文帳に追加

チタン、ジルコニウム、又はハフニウム化合物と、トリオールから成る反応系中で、式Iで表されるアジリジン化合物と、式IIアニリン誘導体とを反応させる。 - 特許庁

This method for producing a high molecular-weight isoolefin copolymer comprises polymerizing in the presence of a halogenated organic acid and, thereon, a zirconium halide and/or a hafnium halide.例文帳に追加

重合を有機酸ハロゲン化物の存在で行い、ハロゲン化ジルコニウムおよび／またはハロゲン化ハフニウムの存在で高分子量のイソオレフィンコポリマーを製造する方法。 - 特許庁

The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.例文帳に追加

これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁

To provide a gate insulating film forming method for forming a gate insulating film of a hafnium silicate-based material excellent in surface roughness though small in thickness.例文帳に追加

膜厚が薄いのにもかかわらず表面ラフネスが良好なハフニウムシリケート系材料からなるゲート絶縁膜を形成することができるゲート絶縁膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The gate insulating film 5, in each of an n-channel MIS transistor (Qn) and a p-channel MIS transistor (Qp), is constituted of a hafnium oxide film.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）とｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のそれぞれのゲート絶縁膜５は、酸化ハフニウム膜で構成されている。 - 特許庁

Furthermore, the gate insulating film 5 is formed such that the concentration of hafnium and the concentration of aluminium are varied continuously in the border region 5c of a lower layer side region 5a and an upper layer side region 5b.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜５で、下層側領域５ａと上層側領域５ｂとの境界領域５ｃでは、ハフニウム濃度及びアルミニウム濃度は連続的に変化するように、形成されている。 - 特許庁

It is preferable that a part or the whole of the material composing the gate insulating film 108 is designed to contain hafnium oxide such as HfO_2, HfAlO, HfAlON or HfSiO.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の少なくとも一部に、ＨｆＯ_2 、ＨｆＡｌＯ、ＨｆＡｌＯＮ、又はＨｆＳｉＯ等の酸化ハフニウムを含むようにするのが好ましい。 - 特許庁

The tie rod 6 and hafnium plate 10 have engagement parts for restraining axial movement through the dovetail groove 42 and tab 43, and are intermittently welded at positions different from the engagement parts.例文帳に追加

タイロッド６とハフニウム板１０とは、蟻溝４２およびタブ４３を介して軸方向の移動を拘束する嵌合部を有し、かつ嵌合部と異なる部位にて断続的に溶接されている。 - 特許庁

An alloy is used as the material of a head 1, where the alloy is obtained by adding, as a third constituent (element), TiN(titanium nitride), TiB2(titanium boride), Cr(chrome), W(tungsten), Mo(molybdenum), B(boron), or Hf(hafnium) to TiAl.例文帳に追加

ヘッド１の材料として、ＴｉＡｌに第３成分（元素）としてＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＢ_2 （硼化チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｂ（硼素）またはＨｆ（ハフニウム）を添加した合金を用いている。 - 特許庁

The compound Sn based alloy is composed of an Sn-containing metal matrix and a fine inclusion(s), and the fine inclusion(s) is used as a dopant(s), and includes at least one element selected from the group consisting of titanium, vanadium, zirconium and hafnium.例文帳に追加

錫を含む金属マトリックスと、微細介在物とからなり、前記微細介在物は、ドーパントととして用いられる、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウムの群のうちの１つの元素を含む複合錫基合金。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by which a hafnium silicate gate insulating film which can be raised in the temperature of crystallization without deteriorating interfacial characteristics can be formed by a MOCVD method by introducing nitrogen.例文帳に追加

窒素を導入することにより、界面特性を劣化させることなく結晶化温度を上昇させられるハフニウムシリケートゲート絶縁膜のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a raw material including group 4 elements such as titanium, zirconium and hafnium suitable for producing a thin film by a CVD method, and also provide a method for producing the thin film using the material.例文帳に追加

ＣＶＤ法による薄膜の製造に適した４族元素であるチタニウム、ジルコニウム及びハフニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat insulating material 7 containing zirconia as a main component and/or a heat insulating material 8 containing alumina as a main component may be used at the outer periphery of the hafnium oxide heat insulating material 5.例文帳に追加

前記酸化ハフニウム断熱材５の外周にジルコニアを主成分とする断熱材７及び／又はアルミナを主成分とする断熱材８を使用してもよい。 - 特許庁

A silicon dioxide 63 is embedded in the first grooves 61 via a hafnium oxide film 62.例文帳に追加

半導体基板の素子分離領域に、半導体基板の裏面側から１００ｎｍ〜３００ｎｍの線幅の第１の溝部６１が形成され、第１の溝部６１には酸化ハフニウム膜６２を介して二酸化シリコン６３が埋め込まれている。 - 特許庁

The problem can be solved by laying out the crevice holding members 10 where the interval G between the lateral faces on both sides of the hafnium member 5U and the sheath 4 facing them satisfies 0.2 mm<G≤1.0 mm.例文帳に追加

ハフニウム部材５Ｕの両側の側面とこれらの側面に向かい合っているシース４との間隔Ｇが、０.２mm＜Ｇ≦１.０mmを満たすような間隙保持部材１０を配置することによって、上記課題を解決できる。 - 特許庁

To provide a hafnium silicide target superior in embrittlement resistance, which is suitable for forming a HfO_2-SiO_2 film that can be used as a high dielectric gate insulation film having characteristics in substitute for SiO_2 film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The hafnium silicate film is formed by the ALD method by combining Hf[N(CH_3)_2]_4 and Si(OCH_3)_4 which are compounds each having a small particle size, sufficient steam pressure at a low temperature, and high reactiveness with water.例文帳に追加

分子サイズが小さく、低温でも十分な蒸気圧を持ち、水との反応性が高い化合物である、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４とＳｉ（ＯＣＨ_３）_４の組み合わせによって、ＡＬＤ法にてハフニウムシリケート薄膜を形成する。 - 特許庁

A high dielectric layer HK1 made of hafnium oxide is formed on the main surface of a substrate SUB, and then the main surface of the substrate SUB is heat-treated in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

基板ＳＵＢの主面上に酸化ハフニウムから構成される高誘電体層ＨＫ１を形成した後、基板ＳＵＢの主面を非酸化性雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer constituted so as to accurately analyze a transition metal such as iron, copper or the like contained in the hafnium-containing film on a semiconductor substrate being a sample 2 as impurities.例文帳に追加

試料２である半導体基板上のハフニウム含有膜に、不純物として含まれる鉄、銅などの遷移金属を、正確に分析すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing base body having a multifunctional layer which has a hafnium oxide layer excellent in durability (high hardness, scratch resistance, wear resistance, chemical resistance and heat resistance) as a surface layer.例文帳に追加

表面層として耐久性（高硬度、耐スクラッチ性、耐摩耗性、耐薬品性、耐熱性）に優れた酸化ハフニウム層からなる多機能層を有する基体の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, in the p-type MIS element, a threshold value adjustment film 7 composed of an aluminium oxide film is formed on the gate insulating film 9 composed of the hafnium aluminate film.例文帳に追加

一方、ｐ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜７を形成する。 - 特許庁

Then a hafnium nitride silicate film 7 as a high-dielectric-constant film is formed over the entire surface, an aluminum-containing titanium nitride film 8 is formed, a polysilicon film 9 is formed, and the laminate film of them is processed into a gate electrode shape.例文帳に追加

次に、全面に高誘電率膜である窒化ハフニウムシリケイト膜７を形成し、アルミニウム含有窒化チタン膜８を形成し、ポリシリコン膜９を形成し、これらの積層膜をゲート電極形状に加工する。 - 特許庁

In the deposition process, deposition gas from a deposition raw material supply unit 9 is supplied into a reaction chamber 1 from a shower head 6 and an amorphous thin film, comprising a hafnium oxide film (HfO_2 film) is formed on a rotating substrate 4.例文帳に追加

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの成膜ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ_２膜）を含むアモルファス薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a hafnium silicide target which is suitable for the formation of a HfO_2.SiO_2 film which enables the use as a high dielectric gate insulation film equipped with the characteristics substituted for SiO_2 film and is rich in embrittlement resistance, and a producing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を得る。 - 特許庁

There are provided the transition metal compounds represented by dichloro{1,1'-dimethylsilylene(2-methyl-4-phenyl-cyclopentadienyl)(2-(5-methyl-2-furyl)-4-phenyl-4H-azulenyl)}hafnium.例文帳に追加

ジクロロ｛１，１´−ジメチルシリレン（２−メチル−４−フェニル−シクロペンタジエニル）（２−（５−メチル−２−フリル）−４−フェニル−４Ｈ−アズレニル）｝ハフニウムで代表される遷移金属化合物。 - 特許庁

The MIS type semiconductor device is configured by using a laminated gate insulating film obtained by laminating an aluminum oxide layer and a zirconium or hafnium silicon oxide layer.例文帳に追加

アルミニウム酸化物層と、ジルコニウムまたはハフニウムのシリコン酸化物層とを積層した積層ゲート絶縁膜を用いたＭＩＳ型半導体装置。 - 特許庁

The N-type CN-FET 2 includes a carbon nanotube 14 and a gate insulating film 21 formed on the carbon nanotube 14, and the gate insulating film 21 is a hafnium oxide.例文帳に追加

Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２は、カーボンナノチューブ１４と、カーボンナノチューブ１４上に形成されたゲート絶縁膜２１を備え、ゲート絶縁膜２１は酸化ハフニウムである。 - 特許庁

To reduce greatly nuclear or mechanical deterioration caused by an oxidation reaction or irradiation growth, even when hafnium is used as a main neutron absorber.例文帳に追加

ハフニウムを主要な中性子吸収材としても、酸化反応や照射成長による核的及び機械的な劣化を格段に低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a plasma electrode capable of enhancing a life of a cathode chip composed of HfC (hafnium carbide), and to provide the plasma electrode.例文帳に追加

ＨｆＣ（炭化ハフニウム）からなる陰極チップの寿命の向上を図ることができるプラズマ電極の製造方法及びプラズマ電極を提供する。 - 特許庁

The rubber receiving member 9 is constituted of a material larger in a linear expansion coefficient (a thermal expansion coefficient) than a material of a fixed iron core 7 (an iron system), for example, aluminum, zinc, lithium or hafnium.例文帳に追加

ゴム受け部材９は、例えばアルミニウム、亜鉛、リチウム又はハフニウムなど、固定鉄心７の材料（鉄系）よりも線膨張係数（熱膨張係数）の大きい材料により構成されている。 - 特許庁

In the illustrated embodiment, the intermetallic compound phase consists of M(Al, Si)_3, M_5(Al, Si)_3, and/or M_3Si_5Al_2, where M denotes niobium, titanium, hafnium, and/or chromium.例文帳に追加

例示的実施形態では、この金属間化合物相は、Ｍをニオブ、チタン、ハフニウム及び／又はクロムとする場合、Ｍ（Ａｌ，Ｓｉ）_3、Ｍ_5（Ａｌ，Ｓｉ）_3、及び／又はＭ_3Ｓｉ_5Ａｌ_2からなる。 - 特許庁

To provide a method for producing a hafnium carbide sintered compact which can reduce a production cost when a sintered compact is produced using a discharge sintering apparatus.例文帳に追加

焼結体を放電焼結装置を用いて製造する際に、製造コストを低減することができる炭化ハフニウム焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In each of the blades 2, a sheath 6 whose cross section is U-shaped is joined to the tie rod 4, a handle and a lower supporting member and a hafnium member 3U is located inside the sheath 6.例文帳に追加

各ブレード２では、横断面がＵ字状のシース６がタイロッド４、ハンドル及び下部支持部材に接合され、ハフニウム部材３Ｕがシース６内に配置される。 - 特許庁

The cathode chip 30 made of a hafnium carbide sintered body is inserted into an engagement recess 20 (part to be inserted) provided on a tip face of an electrode blank material 10 made of copper or a copper alloy, followed to be silver-brazed.例文帳に追加

銅又は銅合金からなる電極ブランク材１０の先端面に設けられた嵌合凹部２０（被挿入部）内に炭化ハフニウム焼結体からなる陰極チップ３０を挿入して銀ろう付けする。 - 特許庁

A hafnium oxide film 34 is formed on a back side of a semiconductor substrate 32, and a region 33 which adjoins a charge storage region 41 of a light reception portion 15 and is ≤100 nm thick is brought into a positive charge-stored state through dielectric effect.例文帳に追加

半導体基板３２の裏面側に酸化ハフニウム膜３４を形成し、受光部１５の電荷蓄積領域４１に隣接した厚さが１００ｎｍ以下の領域３３を正電荷蓄積状態に誘電する。 - 特許庁

On the basis of the reduction rate (a) of the hafnium material and the growth rate (b) of the irradiation growth material due to irradiation, the ratio of the length of the irradiation growth material in the neutron absorption part is set at a/(a+b).例文帳に追加

照射に伴うハフニウムの縮小率ａと照射成長材の成長率ｂから、中性子吸収部における照射成長材の長さの割合をａ／（ａ＋ｂ）とする。 - 特許庁