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image sensor elementsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 168件
The image sensor comprises a long cover arranged with a lens array, and a long base arranged with a long CCD substrate opposing the lens array and mounting a plurality of light receiving elements wherein the CCD substrate is molded integrally with the resin base.例文帳に追加
レンズアレイを配設した長尺のカバーと、レンズアレイと対向し、複数の受光素子が実装された長尺のＣＣＤ基板を配設した長尺のベースとを有するイメージセンサーにおいて、ＣＣＤ基板が、樹脂からなるベースと一体的に成形した。 - 特許庁
Coated mirrors (80, 82) are placed along an optical path between a lens (16) and the image sensor (18) to shift a light propagated through the lens (16) thereby dividing part of the incident light between at least the two adjacent photoconductive elements.例文帳に追加
コーティングされたミラー(80,82)が、レンズ(16)を通って伝送される光をシフトさせるために、レンズ(16)と画像センサ(18)との間の光路に沿って配置され、これによって、入射光の一部が、少なくとも2つの隣接する光電性素子間に分割される。 - 特許庁
Thus, the video processing and control module 3 selects one signal of the sensor elements and input the selected signal to the video processing and the control module 3 to acquire the different video image resolutions thereby magnifying the video image of the read original.例文帳に追加
かくして、映像処理及び制御モジュール３は前記センサーエレメントの中の一つの信号を選択して、前記映像処理及び制御モジュール３の中へ入力して、不同映像解像度を獲得し、よって読取る原稿の映像を拡大することができるようにした多解像度数字式映像出力装置を提供する。 - 特許庁
To provide an integrated circuit equipped with a light receiving element capable of accurately detecting light intensity at a desired wavelength so as to constitute a color image sensor and a visible illuminance sensor, by making light detection sensitivities of a plurality of light receiving elements the same level and by making substantially the same state light intensities in unnecessary wavelength bands and removing it by an arithmetic circuit.例文帳に追加
複数の受光素子による受光感度を同程度にし、かつ、不要な波長帯域の光強度をほぼ同じ状態にして演算回路で除去することにより、カラーイメージセンサや可視光の照度センサとし得るように所望の波長での光強度を正確に検出することができる受光素子を有する集積回路を提供する。 - 特許庁
The solid state image sensor comprises a vertical snaking CCD 5 having a bend for each pixel, a plurality of light receiving elements 2 formed on the opposite sides of the vertical CCD 5, and a read gate 4 formed between the bend of the vertical CCD 5 and the receiving element 2.例文帳に追加
画素毎に屈曲部分を有し、蛇行して形成された垂直ＣＣＤ５と、垂直ＣＣＤ５の両側に形成された複数の受光素子２と、垂直ＣＣＤ５の屈曲部分と受光素子２の間に形成された読み出しゲート４を有する。 - 特許庁
Based on a difference between times taken for the first patch image 45 to be detected by the first and second receiving parts 23 and 24 of a detection sensor 21, a control section 32 detects installation errors of the first and second light-receiving elements 23 and 24 in a scanning direction, then corrects the installation error.例文帳に追加
制御部３２は、検知センサ２１の第１及び第２受光部２３、２４により検知される第１パッチ画像４５の検知時間差に基づき第１及び第２受光素子２３、２４の走査方向の設置誤差を検知し、設置誤差補正を行う。 - 特許庁
A solid-state image sensor includes a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed like a two-dimensional array and a plurality of photoelectric conversion elements per predetermined area are included and an antireflection film wherein at least one photoelectric conversion element (e.g., R pixel) per predetermined area is laminated on a light receiving surface of the semiconductor substrate as an antireflection film removing element.例文帳に追加
複数の光電変換素子が二次元アレイ状に配列形成され所定面積当たり複数個の前記光電変換素子を含む半導体基板と、前記所定面積当たり少なくとも１個の前記光電変換素子（この例ではＲ画素）を反射防止膜除去素子として前記半導体基板の受光面に積層される反射防止膜とを備える。 - 特許庁
To provide a front-end signal processing circuit that stabilizes a black level of an output signal of an image sensor in a prescribed set level, without being influenced by a DC offset component of circuit elements making up a feedback loop, and an imaging device including such the front-end signal processing circuit.例文帳に追加
フィードバックループを構成する回路素子のＤＣオフセット成分に影響されずに、イメージセンサの出力信号の黒レベルを所定の設定レベルに安定させるフロントエンド信号処理回路、及びそのようなフロントエンド信号処理回路を備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁
The type solid state image sensor comprises a sealing glass 4 for securing a lead frame onto a base 2 arranged with photoelectric conversion elements, in line, along the main scanning direction, a window frame 6 on the sealing glass 4, and a transparent cover glass 7 on the window frame 6.例文帳に追加
光電変換素子が主走査方向に沿ってライン状に配列されているベース２上に、リードフレームを固定するための封止ガラス４、封止ガラス４上のウインドフレーム６及びウインドフレーム６上の透明なカバーガラス７が積層されているサーディップ型固体撮像素子に関する。 - 特許庁
In the image sensor having a pixel array where pixels having photoelectric conversion elements are arranged in a matrix, while charge storage time is controlled to a first frame period, a vertical scan circuit sequentially selects and scans a plurality of row select lines within a first vertical scan period.例文帳に追加
光電変換素子を有する画素を行列配置した画素アレイを有するイメージセンサにおいて、電荷蓄積時間を第１のフレーム期間に制御されているとき、垂直走査回路は、第１の垂直走査期間内で前記複数の行選択線を順次選択して走査する。 - 特許庁
To form an image that scans linearly in the right angles direction to the direction of plural elements of CCD sensor while irradiating the electron beam on the sample and scans linearly with high precision without zigzag scanning by using a stage of simple structure or the like.例文帳に追加
電子ビームをサンプルに照射しつつＣＣＤセンサの複数素子の方向と直角方向に直線状に走査すると共に、簡易な構造のステージなどを用いてジグザグ走査などのない極めて高精度で直線状に走査した画像を生成することを目的とする。 - 特許庁
The CMOS image sensor has a geometrical pixel layout configured of a photo detection element 22 consisting of two photodiodes Pd1, Pd2 and two turn-on transistors To, Te and of a conversion means 23 to allow a column line 24 to read an analog signal of a node Nd and a matrix-like two-dimensional layout is adopted for the elements.例文帳に追加
２個のフォトダイオードＰｄ１，Ｐｄ２と２個のターンオントランジスタＴｏ，Ｔｅからなる光検出素子２２と、ノードＮｄのアナログ信号をカラムライン２４に読み出すための変換手段２３との構成を幾何学的ピクセル配置として、この素子をマトリクス２次元配列にする。 - 特許庁
The image sensor includes: a semiconductor substrate; a plurality of picture elements disposed on the semiconductor substrate, each of which has one picture element electrode; a photoconductive layer and a transparent conductive layer disposed successively on each picture element electrode; and a shield element disposed between the respective picture element electrodes.例文帳に追加
イメージセンサーは、半導体基板と、半導体基板の上に定められ、各々１個の画素電極を有する複数の画素と、画素電極の上に順次設置される光伝導層及び透明導電層と、それぞれの画素電極の間に設けられるシールド素子とを含む。 - 特許庁
Integration data by integrating a plurality of read pixel data obtained from a plurality of light-sensitive elements of the line sensor 120, in a certain width in a recording sheet feeding direction, are compared with an integrated value of expected read data expected from normally droplet-struck image to specify a defective nozzle.例文帳に追加
ラインセンサ１２０の複数の受光素子から得られる複数の読取画素データを記録紙搬送方向に一定の幅で積分した積分データと、本来打滴されるべき画像から期待される期待読取データの積分値とを比較して不適切ノズルを特定する。 - 特許庁
The CMOS image sensor comprises a plurality of transistors formed on a semiconductor substrate, a metal wiring formed on the plurality of transistors to electrically connect the plurality of transistors, and a plurality of light sensing elements electrically connected to the transistors and formed on the metal wiring.例文帳に追加
本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、半導体基板上に形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタを電気的に連結するために前記複数のトランジスタ上に形成される金属配線と、前記トランジスタと電気的に連結され、前記金属配線上に形成される複数の光感知素子とを含む。 - 特許庁
To solve the problem that, in the conventional semiconductor image sensor IC, a small number of carriers is generated in an unintended surface part of a wafer due to slight moisture existing in the atmosphere and hence outputs of the photoelectric conversion (light receiving) elements of a plurality of photodiodes or phototransistors existing on the IC are fluctuated.例文帳に追加
従来の半導体イメージセンサＩＣでは、ウェハ状態で大気中に存在する僅かな水分の影響により意図しないウェハ表面部分での少数キャリアが発生し、前記ＩＣ上に存在する複数個のフォトダイオードあるいはフォトトランジスタの光電変換（受光）素子間の出力にばらつきが発生してしまう。 - 特許庁
To provide an image read correction method and device that reads an image of an original by using a line sensor with many photoelectric conversion elements linearly arranged thereto, applies correction to a pixel signal read by a defective photoelectric conversion element and can identify whether a pixel signal is the corrected pixel signal or a normally read signal when the pixel signal read by the defective photoelectric conversion element is corrected.例文帳に追加
原稿画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取り、欠陥光電変換素子により読み取られた画素信号については補正を施す画像読取補正方法および装置において、欠陥光電変換素子に読み取られた画素信号が補正された場合において、その画素信号が補正された画素信号なのか正常に読み取られた画素信号なのかを識別可能とする。 - 特許庁
A radiation image sensor includes: a scintillator plate that is provided with a scintillator layer on a substrate; and a photoelectric conversion element array unit that is provided with a photoelectric conversion element layer formed with plural photoelectric conversion elements constituting a photoelectric conversion element array and a spacer layer formed with plural spacers respectively in contact with the scintillator plate in order to maintain a uniform distance between the scintillator plate and the photoelectric conversion element layer.例文帳に追加
基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接する複数のスペーサが形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、を備える。 - 特許庁
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