「insulating pad」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The pad electrode 121 is formed on the second insulating film 160.例文帳に追加

パッド電極１２１は、第２の絶縁膜１６０の上に形成されている。 - 特許庁

The second insulating layer includes a fourth opening 16a for exposing the pad portion.例文帳に追加

第二絶縁層がパッド部を露呈させる第四開口部１６ａを有する。 - 特許庁

An electrode pad 120 is formed in a surface layer of an insulating layer 110 first.例文帳に追加

まず絶縁層１１０の表層に電極パッド１２０を形成する。 - 特許庁

LOWER LEG PART SHOCK ABSORPTION PAD WITH SOUND INSULATING PROPERTY FOR VEHICLE例文帳に追加

防音性を付与した車両用下肢部衝撃吸収パッド - 特許庁

A groove is formed in a layer insulating film surface in the circumference of a pad.例文帳に追加

パッドの周囲の層間絶縁膜表面に溝を形成した構造とする。 - 特許庁

Then, an insulating layer and a copper foil are disposed on the connection pad in that order.例文帳に追加

その後、絶縁層及び銅箔が接続パッド上に順に配置される。 - 特許庁

After a pad oxide layer is formed on a side wall of the substrate above the bottom insulating layer, a second insulating layer is formed, thereby covering the pad oxide layer, the pad layer structure and a surface of the bottom insulating layer.例文帳に追加

続いて底部絶縁層上方の基板側壁にパッド酸化層物を形成した後第２絶縁層を形成することにより、パッド酸化層、パッド層構造と底部絶縁層表面を被覆する。 - 特許庁

The second insulating layer is etched, a collar insulating layer is formed on the pad layer structure in the trench and a side wall of the pad oxide layer, and the bottom insulating layer is eliminated in accordance with the formation of the collar insulating layer.例文帳に追加

次に第２絶縁層をエッチングして、トレンチ内のパッド層構造及びパッド酸化物層側壁にカラー絶縁層を形成し、これに伴って底部絶縁層を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a primary pad 116 formed on an insulating film 113 formed on a silicon substrate 101, an insulating film 117 formed on the primary pad 116, a secondary pad 121 formed on the insulating film 117, and a network via 119 formed on the insulating film 117 between the primary pad 116 and the secondary pad 121.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１０１上に形成された絶縁膜１１３の上に形成された第１のパッド１１６と、第１のパッド１１６の上に形成された絶縁膜１１７と、絶縁膜１１７の上に形成された第２のパッド１２１と、第１のパッド１１６と第２のパッド１２１との間の絶縁膜１１７に形成されたネットワークビア１１９とを備えている。 - 特許庁

The first insulating film 25 is present in the free region that the electrode pad 26B has, and a step, on a through-electrode side, between the first insulating film 25 being present in the free region and the electrode pad 26B is not greater than a thickness of the electrode pad 26B.例文帳に追加

電極パッド２６Ｂが有する空き領域には絶縁膜２５が存在し、空き領域に存在する絶縁膜２５と電極パッド２６Ｂとの貫通電極側の段差が電極パッド２６Ｂの厚さ以下である。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 1 forming a pad electrode 2, the inorganic insulating film 3 formed on at least the pad electrode 2 and the first organic insulating film 4 formed on the inorganic insulating film 3.例文帳に追加

半導体装置は、パッド電極２が形成された半導体基板１と、少なくとも前記パッド電極２上に形成された無機絶縁膜３と、無機絶縁膜３上に形成された第１の有機絶縁膜４とを備える。 - 特許庁

Additionally, at least a surface of a side of a step portion between the first electrode pad 420 and the second electrode pad 440 is formed from an insulating film (a protective insulating film 260 or a protective insulating film 500).例文帳に追加

また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。 - 特許庁

A bonding pad 5 and the protective film 6 for protecting the pad 5 are formed on the interlayer insulating film 3 as an uppermost layer.例文帳に追加

最上層の層間絶縁膜３には、ボンディングパッド５及びそれを保護するための保護膜６が形成されている。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 101 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 beneath the interlayer insulating film 11 facing the pad PAD.例文帳に追加

パッド部ＰＡＤと対向する層間の絶縁膜１１下の半導体基板１０表面に不純物拡散層１０１が設けられている。 - 特許庁

A pad body 24 of the electrode pad 23 is formed on the adjustment layer 53 to form the insulating layer and a wiring layer.例文帳に追加

調整層５３上に電極パッド２３のパッド本体２４を形成し、絶縁層と配線層とを形成する。 - 特許庁

A first insulating protective film is so formed as to coat the periphery of a pad (electrode) on a semiconductor substrate and to expose the other part of the pad.例文帳に追加

半導体基板上のパッド（電極）の周辺部を被覆し、パッドの他の部分を露出するように第１の絶縁性保護膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, the die pad 11 and the bonding pad 12 can be prevented from being stripped from the insulating resin 16 .例文帳に追加

従って、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２Ｂが、絶縁性樹脂１６と剥離してしまうのを防止することができる。 - 特許庁

A barrier metal layer is formed on the other part of the pad and on the part covering the periphery of pad of the first insulating protective film.例文帳に追加

パッドの前記他の部分上及び第１の絶縁性保護膜のパッド周辺部を被覆する部分の上にバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has an electrode pad 2 and a protective insulating film 3 in which an opening 3a for exposing the electrode pad 2 is formed.例文帳に追加

半導体装置１００は、電極パッド２と、電極パッド２を露出させる開口３ａが形成された保護絶縁膜３を有する。 - 特許庁

The first check element pad 10 includes a conductive first pad metal part 12, and an insulating first dummy part 13 having a rectangular plane shape.例文帳に追加

第１チェック素子パッド１０は、導電性の第１パッドメタル部１２と、矩形の平面形状を有する絶縁性の第１ダミー部１３とを含む。 - 特許庁

A coating layer 14, which is harder than the pad 8 and lead terminal 11, is formed on the pad 8 on a metal base 9 and an insulating film 8.例文帳に追加

金属ベース９及び絶縁膜８上のパッド８上に、パッド８及びリード端子１１よりも硬いコーティング層１４を形成する。 - 特許庁

A die pad 14 is installed on the insulating sheet 10, and the power semiconductor element 16 is die-bonded on the die pad 14.例文帳に追加

絶縁シート１０上にダイパッド１４が配置され、ダイパッド１４上に電力用半導体素子１６がダイボンドされている。 - 特許庁

To downsize a flexible board having a check pad formed thereon to eliminate an insulating member of the check pad.例文帳に追加

チェックパッドが形成されるフレキシブル基板を小型化し、チェックパッドの絶縁部材を不要とする。 - 特許庁

A synthetic resin insulating film 5 is adhered on the lower faces of the die pad 1 and lead terminals 2, so as to be stretched over both the die pad 1 and the lead terminals 2.例文帳に追加

前記ダイパット１及び前記リード端子２の下面に、合成樹脂製の絶縁フィルム５を両方に跨がるように接着する。 - 特許庁

Then, an insulating layer 15 is formed so that the multi-layer wiring layer M1 and the pad 8 can be covered, and a via 9 is formed so that the pad 8 can be reached.例文帳に追加

そして、多層配線層Ｍ１及びパッド８を覆うように絶縁層１５を設け、パッド８に到達するようにビア９を形成する。 - 特許庁

To provide a pad structure which prevents damage caused by wire bonding for an interlayer insulating film and a transistor which are located right beneath the a pad.例文帳に追加

パッド直下の相間絶縁膜およびトランジスタに対しワイヤボンドによるダメージ防止が可能なパッド構造を提供する。 - 特許庁

For at least one of the first pad and the second pad, an insulating part is formed in a part of the area contacting with the junction part.例文帳に追加

第１パッドおよび第２パッドの少なくとも一方は、接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a structure which protects an insulating film around a pad electrode against cracking even if a load or an impact is applied to the pad electrode.例文帳に追加

パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

An insulating layer is applied to the bonding-pad forming surface of each of the semiconductor chips 40, 41 and a via hole to expose the bonding pad is formed.例文帳に追加

各半導体チップのボンディングパッド形成面に絶縁層を塗布し、ボンディングパッドが露出するビアホールを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability wherein the separation of a junction between a pad and a wire and the interfacial delamination of the pad and a base insulating film are suppressed.例文帳に追加

パッド／ワイヤ間の接合部のはがれ、パッドと該下地絶縁膜との界面はく離を抑制する、信頼性が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a foamed base material for sound insulating pad which can be manufactured more inexpensively than heretofore.例文帳に追加

従来よりも安価に製造することができる遮音パッド用発泡基材を提供することである。 - 特許庁

The other face of the insulating substrate is provided with pad electrodes electrically connected to the electron source elements 10.例文帳に追加

絶縁基板１２の他面には電子源素子１０に電気的に接続されたパッド電極を設ける。 - 特許庁

Moreover, the electrode pad 7 is formed via an inter-layer insulating film 29 on this.例文帳に追加

さらにその上に層間絶縁膜２９を介して電極パッド７が形成されている。 - 特許庁

A pad electrode 12 is then formed to extend from the inside of the opening 11a to the insulating film 11.例文帳に追加

次に、開口部１１ａ内から第１の絶縁膜１１上に延びるパッド電極１２を形成する。 - 特許庁

A wiring layer 11 electrically connected to a pad electrode 6 is formed on the insulating film 10.例文帳に追加

絶縁膜１０上には、パッド電極６と電気的に接続された配線層１１が形成されている。 - 特許庁

A protective film made of an insulating silicon compound is formed on metal wiring to become a pad (step S1).例文帳に追加

パッド部となる金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する（処理Ｓ１）。 - 特許庁

A protective film made of an insulating silicon compound is formed on the metal wiring making a pad (S1).例文帳に追加

パッド部となる金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

To the electrode 32, an electrode pad 32a, located on the insulating layer 30, is connected.例文帳に追加

電極３２には、絶縁層３０上に位置する電極パッド３２ａが接続されている。 - 特許庁

The wiring 8 is covered with an upper layer insulating film 9 except the connection pad part.例文帳に追加

配線８の接続パッド部を除く部分は上層絶縁膜９で覆われている。 - 特許庁

A semiconductor device 1000 is equipped with a pad 30A on an interlayer insulating layer 20.例文帳に追加

半導体装置１０００は、層間絶縁層２０上にパッド部３０Ａを有する。 - 特許庁

A wiring board includes a pad 11P exposed from an opening of an insulating layer 12 of the outermost layer.例文帳に追加

配線基板は、最外層の絶縁層１２の開口部から露出するパッド１１Ｐを備える。 - 特許庁

To provide a wiring board of high reliability wherein peeling of an electrode pad from an insulating layer is suppressed.例文帳に追加

電極パッドと絶縁層の剥離が抑制された、信頼性の高い配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses occurrence of cracks in an insulating film below a pad.例文帳に追加

半導体装置において、パッド下方の絶縁膜におけるクラックの発生を抑制する。 - 特許庁

A first filled via 6 is formed on the pad through the first insulating layer 3.例文帳に追加

第１の充填ビア６は、第１の絶縁層３を貫通して、パッド部の上に形成される。 - 特許庁

The heat-insulating pad 10 is used so as not to conduct the outside heat to the cooling material 9.例文帳に追加

断熱パッド１０は、外部の熱を冷却材９に伝えにくくするためのものである。 - 特許庁