「insulating pad」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Part of the insulating layer or the copper foil is removed to form a communication hole on the connection pad.例文帳に追加

絶縁層は、液体又は銅箔の一部を除去し、接続パッド上の導通孔を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1000 has the pad 30A on the interlayer insulating layer 20.例文帳に追加

半導体装置１０００は、層間絶縁層２０上にパッド部３０Ａを有する。 - 特許庁

To provide a pad material for a hot compress for which the heat insulating property of magnesium chloride is utilized.例文帳に追加

塩化マグネシウムの保温性を利用した温湿布用パッド材を提供する。 - 特許庁

An insulating support structure is formed on the external side of the bonding pad on the first chip.例文帳に追加

絶縁用支持構造物は第１チップ上のボンディングパッドの外側に形成されている。 - 特許庁

The insulating film of the wiring layer 12 is provided with a recess 46, corresponding to the wiring part 42 and the pad part 44.例文帳に追加

配線層１２の絶縁膜に配線部４２およびパッド部４４に対応する凹部４６を設ける。 - 特許庁

An insulating film covering a semiconductor substrate, and an electrode pad 10 which is formed on the insulating film and connected by a bonding wire, are provided.例文帳に追加

半導体基板を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたボンディングワイヤが接続する電極パッド１０とを具備する。 - 特許庁

An insulating protective membrane 107 is partially opened, and a metal pad 105 made of a membrane of aluminum is formed on the insulating protective membrane 107.例文帳に追加

金属パッド１０５は絶縁性保護膜１０７の一部を開口してその上にアルミニウムで成膜されている。 - 特許庁

A thermosetting insulating resin sheet 24 is formed, so that a bonding pad that an insulating board 12 has is covered.例文帳に追加

絶縁基板１２が備えるボンディング用パッドが覆われるように熱硬化性の絶縁樹脂シート２４を形成する。 - 特許庁

A frame-shaped insulating portion 49 is projected on the upper surface of a cover 44 so that the insulating portion surrounds a region, where a bonding pad 48 is to be formed.例文帳に追加

ボンディング用パッド４８を形成しようとする領域を囲むようにして、カバー４４の上面に絶縁部４９を額縁状に突設する。 - 特許庁

When the bump electrode is used, an insulating film on the bump connection part 15 is provided with an opening part, and the top of the bonding pad 16 is covered with the insulating film.例文帳に追加

バンプ電極を用いる場合にはバンプ接続部１５上の絶縁膜に開口部を設け、ボンディングパッド１６上は絶縁膜で覆う。 - 特許庁

An underlying electrode pad layer is formed by depositing a conductive film in a first region on the first insulating film where a large area electrode pad is formed, and each region belonging to a second region where a small area electrode pad is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜上の大面積電極パッドを形成すべき第１領域および小面積電極パッドを形成すべき第２領域に属する各領域に導電膜を堆積して下層電極パッド層を形成する。 - 特許庁

The front end of the TAB flying lead 11 is formed inside the pad of the substrate 1, and wiring 4 and an insulating film 3 are formed under the pad on the front end of the flying lead 11 away from the current-carrying part of the pad wiring.例文帳に追加

ＴＡＢフライングリード１１の先端を基板１のパッドの内側に形成し、かつパッド−配線の通電部よりもフライングリード１１先端側のパッド下層には配線４と絶縁膜３が形成している構成をとる。 - 特許庁

The second interlayer insulating film is formed by avoiding a pad formation region consisting of a region where the pad is formed and the peripheral reign of the pad.例文帳に追加

第２層間絶縁膜は、上記パッドが形成される領域と当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避けて形成されている。 - 特許庁

A first insulating layer including a first contact pad formed of conductive polysilicon and a second insulating layer including a second contact pad are formed over a semiconductor silicon layer.例文帳に追加

半導体シリコン層上に、導電性ポリシリコンから構成される第１コンタクトパッドを有する第１絶縁層、第２コンタクトパッドを有する第２絶縁層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor analyzer also includes a means for forming a via hole in the insulating material 12, and a means for forming a conductive pad on the insulating material 12 and connecting the extraction electrode 26 to the pad.例文帳に追加

また半導体解析装置は、絶縁物１２にビアホールを形成する手段と、絶縁物１２の上に導電性のパッドを形成し、かつ、取り出し電極２６とパッドとを接続する手段と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pad 1, and a first interlayer insulating film 3 and a second interlayer insulating film 4 which are formed under the pad 1 and in which wiring is embedded.例文帳に追加

半導体装置はパッド１と、パッド１の下に形成された、配線が埋め込まれた第１の層間絶縁膜３及び第２の層間絶縁膜４とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an insulating film 10, located above a semiconductor device, the electrical conductor pad 11, formed on the insulating film 10, and a first opening pattern 12 formed in the electrical conductor pad 11.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体素子の上方に位置する絶縁膜１０と、絶縁膜１０上に形成された導電体パッド１１と、導電体パッド１１に形成された第１の開口パターン１２とを具備する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film 6 is arranged by covering the first interlayer insulating film 3 and the silicide pad 5, and a tungsten plug 7 is arranged on the silicide pad 5.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３及びシリサイドパット５を覆って第２層間絶縁膜６が配置され、シリサイドパッド５上にはタングステンプラグ７が配置されている。 - 特許庁

On the surface of a probing pad section for wiring to be tested or inspected at a prescribed position, an identifying means which makes the probing pad distinguishable from the peripheral insulating resist is constituted of a distinguishable insulating resist.例文帳に追加

本発明は、所定位置の試験検査対象配線のプロービングパッド部表面に、識別絶縁レジストを構成し、当該プロービングパッド部周囲の周辺絶縁レジストと区別する識別手段を構成する。 - 特許庁

To provide a wiring board wherein a first connection pad on the upper surface of an insulating substrate and a second connection pad on the lower surface of the same are joined securely to the insulating substrate, and they are electrically connected to each other at low resistance.例文帳に追加

絶縁基体の上面の第１の接続パッドおよび下面の第２の接続パッドが絶縁基体に強固に接合しているとともに、両者間が低抵抗で電気的に接続された配線基板を提供すること。 - 特許庁

A fuse part 13 and a pad electrode 17 are formed with a metal writing layer of the top layer over an interlayer insulating film 12, over which an inorganic insulating protective film 14 is formed, and then an opening part 18 at the upper part of the pad electrode 17 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２上に、ヒューズ部１３及びパッド電極１７を最上層の金属配線層で形成し、その上に無機絶縁保護膜１４を形成後、パッド電極１７の上部の開口部１８を形成する。 - 特許庁

The second pillar has a second monitor pad exposed on the surface of the insulating layer, and the second wiring layer has a second bonding pad exposed on the side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第２ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第２のモニタパッドを有し、第２配線層は、絶縁層の側面に露出した第２のボンディングパッドを有する。 - 特許庁

On the upper surface of the upper layer insulating film 9, an upper layer connection pad 12 including an upper layer underlying metal layer 11 is provided while being connected with the connection pad part of the wiring 8 through an opening 10 provided in the upper layer insulating film 9.例文帳に追加

上層絶縁膜９の上面には、上層下地金属層１１を含む上層接続パッド１２が上層絶縁膜９に設けられた開口部１０を介して配線８の接続パッド部に接続されて設けられている。 - 特許庁

A second electrode pad 132 is formed on a boundary surface between a first insulating layer 121 and a second insulating layer 123 in a width broader in the radial direction (the plane direction) than the outside diameter of a first electrode pad 130.例文帳に追加

第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２３との境界面には、第２電極パッド１３２が第１電極パッド１３０の外径より半径方向（平面方向）に幅広に形成されている。 - 特許庁

An insulating material 9 between the second pad 12 layer and an internal conductor later 7 facing the second pad 12 uses a material having a lower dielectric constant than an insulating material 5 used among other layers.例文帳に追加

第２のパッド１２の層と第２のパッド１２に対向する内部導体層７の間にある絶縁材９に他の層間で使用している絶縁材５よりも低い誘電率の絶縁材９を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

The first pillar has a first monitor pad exposed on a surface of the insulating layer, and the first wiring layer has a first bonding pad exposed on a side surface of the insulating layer.例文帳に追加

第１ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第１のモニタパッドを有し、第１配線層は、絶縁層の１つの側面に露出した第１のボンディングパッドを有する。 - 特許庁

While the position of a transfer pad 21 is moved relative to the position of a circuit board 11 by means of a pad moving mechanism 23, the transfer pad 21 is abutted with a side edge of the circuit board 11 so as to attach a paint 3 made of an insulating material to the side edge of the circuit board 11, thereby forming an insulating film 127.例文帳に追加

パッド移動機構２３により転写用パッド２１と回路基板１１との位置を相対的に移動させつつ、転写用パッド２１を回路基板１１の側端面に当接させて回路基板１１の側端面に絶縁材料からなる塗料３を付着させ、絶縁被膜１２７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the adhesiveness of a bonding pad and a second wiring layer to an insulating film is improved, and even when any stress is applied from the upper part to the bonding pad, the insulating film between the bonding pad and the second wiring layer can be prevented from being cracked.例文帳に追加

ボンディングパッドと第２配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに上方からストレスが加わっても、ボンディングパッドと第２配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ることを回避することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor apparatus (chip 10) has an insulating film 9, an electrode pad (for example, an electrode pad body 1 and an adhesion layer 18) formed on a part of one side of the insulating film 9, and a coating insulating film 2 formed on one side of the insulating film 9 and to which an opening 2a for exposing the electrode pad is formed.例文帳に追加

半導体装置（チップ１０）は、絶縁膜９と、絶縁膜９の一方の面の一部分に形成されている電極パッド（例えば、電極パッド本体１及び密着層１８）と、絶縁膜９の一方の面上に形成され、電極パッドを露出させる開口２ａが形成されている被覆用絶縁膜２を有する。 - 特許庁

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。 - 特許庁

Further, only dummy wiring and dummy plugs are arranged within the upper layer side interlayer insulating film B in the region directly under the electrode pad 70, and when a stress is applied to the electrode pad 70, the stress applied to the upper layer side interlayer insulating film B is made larger than the stress applied to the lower layer side interlayer insulating film A.例文帳に追加

また、電極パッド７０の直下域の上層側層間絶縁膜Ｂ内にはダミー配線及びダミープラグのみを配置し、電極パッド７０に応力が印加されたときに下層側層間絶縁膜Ａよりも上層側層間絶縁膜Ｂに大きな応力が印加されるようにする。 - 特許庁

In this manner, the electrode pad 6 is provided so that the insulating layer 8 is sandwiched by the cutout 6a, and is disposed so that one portion is buried in the insulating layer 8, thus strongly maintaining the adhesive force of the electrode pad 6 to the insulating layer 8.例文帳に追加

このように電極パッド６は、切欠き部６ａにて絶縁層８を挟み込むようにして設けられ、その一部が絶縁層８に埋設して配置されているので電極パッド６の絶縁層８への密着力は強固な状態で維持される。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an insulating layer 110 composed of an electrical insulating substance; a first circuit layer 130 embedded in one surface of the insulating layer 110 and including a bump pad 131 and a wire bonding pad 133; a second circuit layer 150 formed on the other surface of the insulating layer 110; and a wire-connecting slot 900 pierced into the insulating layer 110.例文帳に追加

電気絶縁物質からなる絶縁層１１０と、絶縁層１１０の一面に埋め込まれ、バンプパッド１３１及びワイヤーボンディングパッド１３３を含む第１回路層１３０と、絶縁層１１０の他面に形成された第２回路層１５０と、絶縁層１１０を貫通するワイヤー連結用スロット９００とを含んでなるものである。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes the insulating film 3 formed on a substrate 4, a wiring layer having a plurality of wirings 20 formed in the insulating film 3, and the pad 1 formed on the insulating film 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板４上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３中に形成された複数の配線２０を含む配線層と、絶縁膜３上に形成されたパッド１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a protective insulating film 120, an opening 122 formed to the protective insulating film 120, an electrode pad 130 positioned in the opening 122, the bump 200 formed on the protective insulating film 120, and an interconnect 230.例文帳に追加

この半導体装置は、保護絶縁膜１２０、保護絶縁膜１２０に形成された開口１２２、開口１２２内に位置している電極パッド１３０、保護絶縁膜１２０上に形成されたバンプ２００、及び配線２３０を備えている。 - 特許庁

To provide a package for housing a semiconductor device, by which a power-source conductor on a lower face of an insulating plate and a bonding pad on an upper face of the insulating plate can be connected by a connection conductor on an inner wall of a through-hole of the insulating plate without fault.例文帳に追加

絶縁板下面の電源導体と絶縁板上面のボンディングパッドとを、絶縁板の貫通穴内壁の接続導体により確実に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージを提供すること。 - 特許庁

An open hole 74 having a bottom surface defined by the bonding pad 71 is partially formed in a third interlayer insulating film 63, fourth interlayer insulating film 67, protection insulating film 72 and buffer coating film 73.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜６３、第４の層間絶縁膜６７、保護絶縁膜７２、及びバッファコート膜７３内には、ボンディングパッド７１によって規定された底面を有する開孔部７４が、部分的に形成されている。 - 特許庁

A third insulating film 17 is formed to extend from the inside of the via hole 16 to the insulating film 15 and the pad electrode 12 is exposed by etching the third insulating film 17 on the bottom of the via hole 16.例文帳に追加

そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。 - 特許庁

To provide a lower leg part shock absorption pad with sound insulating property which can effectively absorb the shock and effectively improve the sound insulating property (both sound absorbing property and sound insulating property or respective ones) in a cabin of an automobile.例文帳に追加

衝撃を有効に吸収できると共に、自動車室内の防音性能（吸音性と遮音性の双方またはそれぞれ）をも効果的に向上できるようにした、防音性を付与した車両用下肢部衝撃吸収パッドを提供する。 - 特許庁

The surface side of a semiconductor substrate 3 provided with elements 5 is covered with a first interlayer insulating film 9 and a second interlayer insulating film 13 with a bonding pad 15 being formed on the second interlayer insulating film 13.例文帳に追加

素子５が設けられた半導体基板３の表面側が第１層間絶縁膜９および第２層間絶縁膜１３で覆われており、この第２層間絶縁膜１３上にボンディングパッド１５が形成されている。 - 特許庁

In the multilayer wiring board having a wiring layer 31, a pad 32, an insulating layer 33 provided between the wiring layer 31 and the pad 32, and a plurality of interlayer connecting vias 34 provided on the insulating layer 33 and connecting the wiring layer 31 to the pad 32, the plurality of interlayer connecting vias 34 are provided on a peripheral edge 32a of the pad 32.例文帳に追加

配線層３１と、パッド３２と、配線層３１とパッド３２との間に設けられた絶縁層３３と、絶縁層３３に設けられた、配線層３１とパッド３２とを接続する複数の層間接続ビア３４と、を有する多層配線基板であって、複数の層間接続ビア３４が、パッド３２の周縁３２ａに設けられている。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a semiconductor chip 10 equipped with a pad electrode, an insulating resin layer 11 covering the surface of the side on which the pad electrode is equipped on this semiconductor chip 10, a metal post 16b connected to the pad electrode through penetrating this insulating resin layer, and a soldering outer electrode 13 equipped on the surface of the insulating resin layer and connected to the metal post 16b.例文帳に追加

パッド電極を備えた半導体チップ１０と、この半導体チップ１０の前記パッド電極が設けられた側の表面を覆う絶縁性樹脂層１１と、この絶縁性樹脂層を貫通し前記パッド電極に接続された金属ポスト１６ｂと、前記絶縁性樹脂層の表面上に設けられ金属ポスト１６ｂに接続された半田アウタ電極１３とを設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is equipped with a substrate 11, a pad 12 for an antenna which is formed on the substrate, a pad 13 for a test which is formed on the substrate, a filler-contained insulating resin layer 16 which covers the pad for the test other than the pad for the antenna, and a bump 14 provided on the pad 12 for the antenna.例文帳に追加

半導体装置１０は、基板１１と、基板に形成されたアンテナ用パッド１２と、基板に形成された試験用パッド１３と、アンテナ用パッド以外の試験用パッドを被覆するフィラー入りの絶縁樹脂層１６と、アンテナ用パッド１２上に設けられたバンプ１４とを備えた構成とする。 - 特許庁

When performing wire bonding while using the electrode pads 4a and 4b, the electrode pad 4c is covered by an insulating layer.例文帳に追加

ワイヤーボンディングを行う際には電極パッド４ａ，４ｂを用いるとともに電極パッド４ｃを絶縁層で覆う。 - 特許庁

When performing plating wiring while using the electrode pads 4a and 4c, the electrode pad 4b is covered by an insulating layer.例文帳に追加

めっき配線を行う際には電極パッド４ａ，４ｃを用いるとともに、電極パッド４ｂを絶縁層で覆う。 - 特許庁