「insulating pad」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid crystal display device with which a short circuit between an electrode terminal pad of a flexible circuit substrate and an edge etc. of a silicon substrate is prevented without using any insulating member.例文帳に追加

絶縁性部材を用いることなくフレキシブル回路基板の電極端子パッドとシリコン基板のエッジ等とのショートを防止することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, through the laser process using the laser beam irradiation, the opening area is formed continuously on the upper insulating layer 15 and overcoat film 12 area corresponding to a connection pad for the interconnect line 11.例文帳に追加

この後、レーザビームを照射するレーザ加工により、配線１１の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜１５およびオーバーコート膜１２に開口部を連続して形成する。 - 特許庁

The bonding pad 21 is electrically connected to a printed circuit corresponding to the wafer carrier 1 by a conductive metal ball 5 provided inside a communication hole 40 of the insulating tape layer 4.例文帳に追加

絶縁テープ層４の連通孔４０に内装された導電金属ボール５によりボンディングパッド２１とウェハキャリア１の対応する印刷回路が電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing the generation of cracks in an interlayer insulating film located below a bonding pad during probing.例文帳に追加

プロービング時にボンディングパッドの下方に位置する層間絶縁膜にクラックが発生することを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of protecting an internal wiring or an insulating film from an impact load acting on an electrode pad or tensile force when plucking away a metal thin wire.例文帳に追加

電極パッドに作用する衝撃荷重や金属細線の引き千切り時の引張り力から、内部の配線や絶縁膜を保護できる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device is pressed against a second rotary polishing pad containing embedded polishing particles, so that a part of the barrier layer positioned on the insulating layer is exposed.例文帳に追加

半導体デバイスは、埋込み研磨粒子を有する第２回転ポリシングパッドに押し付けられ、絶縁層上に位置するバリア層の一部分が露出させられる。 - 特許庁

To provide an abrasive pad capable of securing high polishing rate and preventing the generation of scratch damage, and having excellent global flatness when polishing a surface of an insulating layer or a metal wiring formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨において、高い研磨レートを確保し、スクラッチ傷を防止、かつ、グローバル平坦性が良好な研磨パッドを提供する。 - 特許庁

The step-like pad 37 is electrically connected to the electrode section 42a of a semiconductor element 42 fixed on the insulating wiring board 39 of a heat radiation base 33 through a bonding wire 43.例文帳に追加

この段状パッド３７と、放熱ベース３３の絶縁配線基板３９上に固定された半導体素子４２の電極部４２ａとは、ボンディングワイヤ４３を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To improve film thickness precision (film thickness control precision) of an insulating film on a fuse in a process of forming a bonding opening on a bonding pad and a groove on the fuse together.例文帳に追加

ボンディングパッド上のボンディング開口と、ヒューズ上の溝とを一括して形成するプロセスにおいて、ヒューズ上における絶縁膜の膜厚精度（膜厚制御精度）を高める。 - 特許庁

A second insulating film 17 for exposing the pad electrode 12 on the bottom of the via hole 16 is then formed on the back of the semiconductor substrate 10 including the via hole 16.例文帳に追加

次に、ビアホール１６の底部でパッド電極１２を露出する第２の絶縁膜１７を、当該ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に形成する。 - 特許庁

After depositing a pad oxide film 4, an Si3N4 film 5 and an SiO2 film 6 on the surfaced of an SOI substrate on the side of a silicon substrate 3, a trench 7 reaching an insulating film 2 is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるシリコン基板３側の表面にパッド酸化膜４、Ｓｉ_3Ｎ_4膜５、ＳｉＯ_2膜６を堆積した後、絶縁膜２にまで達するトレンチ７を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film is formed on the gate electrode layer CG and an air gap portion so that an air gap is left behind between the gate wiring portions GW and between the gate wiring portion GW and the contact pad portion CP.例文帳に追加

層間絶縁膜は、ゲート配線部分ＧＷ同士の間およびゲート配線部分ＧＷとコンタクトパッド部分ＣＰとの間に空隙を残すようにゲート電極層ＣＧおよび空隙部の上に形成されている。 - 特許庁

A peripheral circuit part B of the solid-state imaging device comprises internal wiring 115 formed in the first insulating film 150 and a pad electrode 121 formed on the internal wiring 115 and electrically connected to the internal wiring 115.例文帳に追加

固体撮像装置の周辺回路部Ｂは、第１の絶縁膜１５０に形成された内部配線１１５と、該内部配線１１５の上に形成され、該内部配線１１５と電気的に接続されるパッド電極１２１とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress dishing and erosion in a step of removing a wiring layer in an electrode pad region buried in a wiring groove formed on an insulating film by polishing by using a CMP method.例文帳に追加

絶縁膜に形成されている配線用の溝に埋め込まれている電極パッド領域の配線層をＣＭＰ法を使用して研磨除去する工程の際に、ディッシングやエロージョンを抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the bump 1 is contiguous to a first insulating layer 3 and is electrically connected to a first metal layer 4 via the pad electrode opening 2.例文帳に追加

半導体装置において、バンプ１は第１の絶縁層３と接しており、パッド電極開口部２を通して第１の金属層４と電気的に導通されている。 - 特許庁

A pad electrode layer 16 is formed on the insulating film 14, so as to cover the grooves 14a-14d and have an uneven surface by utilizing interconnection forming process.例文帳に追加

配線形成工程を流用して絶縁膜１４の上に溝１４ａ〜１４ｄを覆って上面が凹凸状をなすようにパッド電極層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a compact inverter device which can minimize the positional gap between the pad surface of an insulating substrate and the connection surface of a corresponding terminal by controlling the impact of vibration from an external apparatus.例文帳に追加

外部機器からの振動の影響を抑制し、絶縁基板のパッド面とそれに対応する端子の接続面との間の位置ズレをも最小限に抑制しえ得る小型なインバータ装置を提供する。 - 特許庁

An Al pad 11 is formed on an insulating film (not shown) in the upper layer of an integrated circuit formed on an Si substrate 10 and a protective film 12 of SiO2 is formed on the periphery thereof.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０における集積回路上層の絶縁膜（図示せず）上にＡｌパッド１１、その周囲部に例えばＳｉＯ_2 膜でなる保護膜１２が形成されている。 - 特許庁

A plurality of wirings 17 for electrically connecting each of electrode pad to each land of the printed wiring board has a part 40 of the wiring 17 extended to the top of the insulating stay 14.例文帳に追加

各電極パッドとプリント配線基板の各ランドとを電気的に接続するための複数の配線１７は、その一部４０が上記各絶縁性支柱１４の頂部に至る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device for maintaining reliability of a semiconductor device by insulating a pad and reducing the occurrence of damage on an insulation protecting film.例文帳に追加

パッドを絶縁し且つ保護する絶縁保護膜に損傷が発生しにくくすることにより、半導体装置の信頼性を保つことが可能となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform, with high reliability, narrow pad pitch wire bonding on a dual-damascene multilayer wiring device, in which an organic-based low- permittivity insulating film of low hardness and low elastic modulus, is applied.例文帳に追加

低硬度、低弾性率の有機系低誘電率絶縁膜を適用したデュアルダマシン多層配線デバイスの狭パッドピッチワイヤーボンディングを高信頼性で行う。 - 特許庁

To provide an inspecting method of a semiconductor device that does not damage a solder bump and does not damage wiring directly under an IC pad or an inter-layer insulating film.例文帳に追加

半田バンプに損傷を与えないとともにＩＣパッド直下の配線や層間絶縁膜にダメージを与えない半導体装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an insulating resin layer 12, having apertures 12a at wiring pad portions 11a is formed on the surface where the wiring layer of a wiring board is formed and each aperture 12a, is filled with a solder layer 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、配線基板の配線層形成面に、配線パッド部１１ａを開口部１２ａとする絶縁樹脂層１２が設けられ、その開口部１２ａ内にそれぞれはんだ層１３が装填されている。 - 特許庁

In this case, a plurality of low dielectric constant film layers and the same number of wiring layers are alternately laminated on a semiconductor wafer, and the column electrode 14 is formed on a connection pad of an upper layer wiring formed via an insulating film.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極１４を形成する。 - 特許庁

The electronic device A comprises a chip 11 with an elecric element formed, a solder layer 13, a die pad 12, a lead 15, a bonding wire 16, an insulating plate 17, and a heat transfer member 14.例文帳に追加

電子デバイスＡは、電気素子が形成されたチップ１１と、はんだ層１３と、ダイパッド１２と、リード１５と、ボンディングワイヤ１６と、絶縁板１７と、熱伝達部材１４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor chip CP1 is mounted on an upper surface f1 of a die pad DP1 with a die bonding material DB1 disposed therebetween, and is sealed with an insulating resin IR1.例文帳に追加

半導体チップＣＰ１を、ダイボンディング材ＤＢ１を介してダイパッドＤＰ１の上面ｆ１に搭載し、絶縁性樹脂ＩＲ１によって封止する。 - 特許庁

An insulating film 19 made of SiO2 is coated on the surface of the piezoelectric substrate 2 other than the surfaces of excitation electrode parts 4 and 11, electrode pad parts 7 and 15, and a reflector 18 of the surface acoustic wave element 3.例文帳に追加

弾性表面波素子３の励振電極部４，11、電極パッド部７，15および反射器18の表面を除いた圧電性基板２の表面に、ＳｉＯ_2 の絶縁性膜19を被覆形成する。 - 特許庁

Next, wiring 18 and a bonding pad 19 are formed on the interlayer insulating film 8, and a passivation film 20 is formed to form an opening 21 to expose an aluminium layer 16.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜８上に配線１８及びボンディングパッド１９を形成し、パッシベーション膜２０を成膜し、開口部２１を形成してアルミニウム層１６を露出させる。 - 特許庁

In succession, a lower electrode seed layer and a plating mask layer are successively formed on the second interlayer insulating film, and a hole is formed by etching so as to expose the lower electrode pad 78.例文帳に追加

続いて、第２層間絶縁膜上に下部電極用シード層とメッキマスク層を順次に形成し、蝕刻により下部電極パッドを露出させるホールを形成する。 - 特許庁

After a metal plug is formed in a contact hole of an insulating film, a selection CVD technology is used to grow a tungsten film in a self alignment manner with the metal plug to form a landing pad for each of the metal plugs.例文帳に追加

絶縁膜のコンタクト孔内に金属プラグを形成した後に、選択ＣＶＤ技術を用いて、タングステン膜を金属プラグと自己整合的に成長することにより、金属プラグに対応してランディングパッドを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device is pressed against a first rotary polishing pad which comprises no embedded polishing particles, so that a part of the conductive layer positioned over both the barrier layer and the insulating layer is removed.例文帳に追加

埋込み研磨粒子を有さない第１回転ポリシングパッドに半導体デバイスが押し付けられ、バリア層および絶縁層の双方の上に位置する導電層の一部が除去される。 - 特許庁

Electrical characteristics between the measurement pad region 14c and the semiconductor substrate 11 are measured to evaluate damage to a gate insulating film 13 due to formation of the via hole 15b.例文帳に追加

測定パッド領域１４ｃと半導体基板１１の間の電気的特性を測定し、ヴィア１５ｂの形成によるゲート絶縁膜１３へのダメージを評価する。 - 特許庁

A semiconductor module 205 includes a decoder LSI 51, RAMs 52, 53, a die pad 215, a silicon substrate 210, first to fourth insulating layers 211-214, a lead wire 229, a mold part 230 and power supply pads 220, 221.例文帳に追加

半導体モジュール２０５は、デコーダＬＳＩ５１、ＲＡＭ５２，５３、ダイパッド２１５、シリコン基板２１０、第１〜第４の絶縁層２１１〜２１４、リード線２２９、モールド部２３０および電源パッド２２０，２２１を含む。 - 特許庁

Also, the chip 5 has a first pad 17A, which is connected to a first wiring conductor 19A and is exposed to the side of a second semiconductor substrate 7B from a first insulating film 15A.例文帳に追加

また、チップ５は、第１配線導体１９Ａに接続され、第１絶縁膜１５Ａから第２半導体基板７Ｂ側へ露出する第１パッド１７Ａを有する。 - 特許庁

In the second region 4, a fist laminate structure 37 having a first conductive layer 36 and a first insulating layer 38 laminated in this order is provided between the semiconductor substrate 20 and gate electrode pad 14.例文帳に追加

第２領域４では、半導体基板２０とゲート電極パッド１４の間に、第１導電層３６と第１絶縁層３８がその順で積層されている第１積層構造３７が設けられている。 - 特許庁

The substrate is made from thermally conductive but electrically insulating material, and has a plurality of traces for connecting an external electrical power source to a light emitting diode at a mounting pad.例文帳に追加

前記基板は、熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から作られ、取り付けパッドにおいて外部電源を発光ダイオードに接続するための複数のトレースを有する。 - 特許庁

The second electrode pad 13 and the end part 21b of the potential stabilization portion 21a are electrically connected to each other through the conductive foil 20 and insulating coating conductive projection 22.例文帳に追加

第２電極パッド１３と電位安定部２１ａの端部２１ｂとは、導電箔２０及び絶縁被覆導電突起２２を介して互いに電気的に接続される。 - 特許庁

To attain a high-reliabilty semiconductor device which protects an element from a stress generated by a bonding process and a probing process and which does not generate cracks on an insulating film at the lower side of a bonding pad.例文帳に追加

ボンディングプロセス及びプロービングプロセスにより発生した応力から素子を保護し且つボンディングパッドの下側の絶縁膜にクラックが発生することのない、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having such structure as cracking is hard to occur on a surrounding insulating film even if a load or impact is applied on a pad electrode.例文帳に追加

パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least part of the pad contacts 6, 21b on an end of the memory cell are formed on a separating insulating film 19 so that they may not be conducted to the active region.例文帳に追加

メモリセルの端部の少なくとも一部のパッドコンタクト６，２１ｂが、活性領域と導通しないように分離絶縁膜１９上に形成されている。 - 特許庁

To provide a circuit board making it harder to peel a pad part with a large area than that of a line part from an insulating substrate, and enabling stable mounting of surface mount parts non-tiltedly.例文帳に追加

ライン部に比べて面積の広いパッド部を絶縁基材から剥離しにくくすることができると共に、表面実装部品を傾くことなく安定的に実装することができる回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for mounting an electronic component such that a connection pad which is easily connected to a convex metal terminal that an electronic component has is provided on a principal surface of an insulating substrate.例文帳に追加

電子部品が備える凸状の金属端子との接続が容易な接続パッドが絶縁基板の主面に設けられた電子部品搭載用基板を提供する。 - 特許庁

The pad region 1 is flattened by covering all the projections 4 with the conductive layer 3 (barrier metal and Cu-plated film) and burying the recess with the conductive layer to eliminate the step difference with the insulating film 2.例文帳に追加

パッド領域１は、導電層３（バリアメタルとＣｕメッキ膜）によりこの突起部４を全て覆って窪みを埋め、上記層間絶縁膜２との段差を無くするよう平坦化されている。 - 特許庁

A cover pad 25 of a soft insulating material is provided at the bottom part to which a non-insulated end part 11 is inserted after welding a coil segment 5, inside a cylindrical motor case 27 of hard material.例文帳に追加

堅牢な材質からなる円筒状のモータケース２７の内部において、コイルセグメント５の溶接後の絶縁未処理の端部１１が挿入される底の部分に、軟質絶縁材料からなるカバーパッド２５が設けられる。 - 特許庁

The semiconductor structure 3, referred to as W-CSP, comprises a silicon substrate 5, a connection pad 6, and an insulating film 7 and further provided with a protective film 9, wiring 12, a columnar electrode 13, and a sealing film 14.例文帳に追加

Ｗ−ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体３は、シリコン基板５、接続パッド６、絶縁膜７を含み、さらに、保護膜９、配線１２、柱状電極１３、封止膜１４を含んで構成されている。 - 特許庁